IR二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > IR二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共194333件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

800V 1A

型号：RMPG06K-E3/54 编号：C17460984

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化颗粒芯片结。快速开关，效率高。低漏电流，典型 IR 小于 0.1 μA。高正向浪涌能力。符合 AEC-Q101 标准。材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

5+
￥2.2111
50+
￥1.7226
150+
￥1.5133

有货

立即购买

耐压:600V 反向恢复时间：35ns

型号：MUR3060FCT 编号：C49208353

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.6V@30A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 30A 反向电流(Ir) 1uA@600V 反向恢复时间(Trr) 35nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

1+
￥3.8 ￥4
10+
￥3.059 ￥3.22
50+
￥2.6885 ￥2.83
100+
￥2.318 ￥2.44
500+
￥2.0995 ￥2.21
1000+
￥1.9855 ￥2.09

有货

立即购买

UH10JT-E3/4W-HXY

型号：UH10JT-E3/4W-HXY 编号：C53468175

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，在导通状态下具有较低的功耗。其反向漏电流（IR）为60μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换场合，尤其在对热管理与空间布局有较高要求的电力电子系统中表现突出。

1+
￥3.9805 ￥4.19
10+
￥3.8855 ￥4.09
50+
￥3.8285 ￥4.03
100+
￥3.7715 ￥3.97

有货

立即购买

RHRD660S9A-F085-HXY

型号：RHRD660S9A-F085-HXY 编号：C53468021

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）典型值为1.3V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为50μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受48A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及各类高效电能转换系统，在高效率与高可靠性要求的场景中表现突出。

1+
￥4.55
10+
￥3.68
30+
￥3.25

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC04650D6J 编号：C42389307

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向击穿电压（VR），能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，在非导通状态下确保了低功耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达36A，适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。

1+
￥4.8576 ￥5.52
10+
￥3.916 ￥4.45
30+
￥3.4408 ￥3.91
100+
￥2.9744 ￥3.38
500+
￥2.6928 ￥3.06
1000+
￥2.5432 ￥2.89

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH04G65C6XKSA1 编号：C42389299

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），可承受高达650伏特的反向电压（VR），确保了其在高压条件下的稳定表现。该二极管的正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下能够减少电力损耗。反向电流（IR）仅为50微安，体现了出色的绝缘性能。同时，它还拥有23安培的最大正向浪涌电流（IFSM），能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择，适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

1+
￥4.9808 ￥5.66
10+
￥4.0128 ￥4.56
50+
￥3.5288 ￥4.01
100+
￥3.0448 ￥3.46
500+
￥2.7632 ￥3.14
1000+
￥2.6136 ￥2.97

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC4H065BTR 编号：C42389254

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），并能承受最高650伏特的反向电压（VR），适合用于需要可靠高压保护的电路中。其正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下可以减少电力损耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，显示了良好的阻断性能。此外，该二极管还具有36安培的峰值电流能力（IFSM），能够在短时间内承受较高的电流冲击，适用于要求快速开关及高效能的电子设计中。这些特点共同保证了其在多种精密应用中的优异表现。

1+
￥5.2536 ￥5.97
10+
￥4.2328 ￥4.81
30+
￥3.7136 ￥4.22
100+
￥3.212 ￥3.65
500+
￥2.904 ￥3.3
1000+
￥2.7544 ￥3.13

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HTRS4E65FS1Q 编号：C42389189

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，体现了较好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到23安培，意味着它可以应对瞬时电流峰值。适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要紧凑尺寸与高性能表现的应用中。

1+
￥5.3635 ￥6.31
10+
￥4.437 ￥5.22
50+
￥3.927 ￥4.62
100+
￥3.349 ￥3.94
500+
￥3.094 ￥3.64
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D04065A 编号：C42389283

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A）承载能力，同时能够承受最大650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，确保了高效的能量转换效率。在反向应用中，该二极管的漏电流（IR/uA）不超过50微安，表明其具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）为23安培，使其成为高频开关应用中的理想选择，特别适合于需要快速开关且维持低功耗操作的场合。

1+
￥5.4614 ￥6.58
10+
￥4.5152 ￥5.44
50+
￥4.0006 ￥4.82
100+
￥3.4113 ￥4.11
500+
￥3.154 ￥3.8
1000+
￥3.0378 ￥3.66

有货

立即购买

PNE650100EJ-QJ-HXY

型号：PNE650100EJ-QJ-HXY 编号：C53468176

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A。其低导通压降与优异的反向阻断能力，使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中，在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。

1+
￥5.62
10+
￥5.49
30+
￥5.41

有货

立即购买

WNSC2D10650Q-HXY

型号：WNSC2D10650Q-HXY 编号：C53468107

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率要求的电源转换与整流场合。其材料特性有效降低开关损耗，提升系统响应速度与能效表现。

1+
￥5.9185 ￥6.23
10+
￥5.7855 ￥6.09
50+
￥5.6905 ￥5.99
100+
￥5.605 ￥5.9

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD0665B 编号：C42389191

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。此外，该二极管拥有微安级别的反向漏电流（IR/uA：50），表明其在阻断状态下的电流泄露极小。瞬态条件下，峰值正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要处理瞬时高电流的应用场合。此元件适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，尤其适合高频开关及电源管理领域。

1+
￥5.9432 ￥6.46
10+
￥4.9128 ￥5.34
30+
￥4.3516 ￥4.73
100+
￥3.7168 ￥4.04
500+
￥3.4316 ￥3.73
1000+
￥3.3028 ￥3.59

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC6H065D 编号：C42389224

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流（IF），并且能够承受650V的最大反向电压（VR），适合用于需要耐受较高电压的应用中。其正向电压（VF）为1.3V，有助于在导通状态下减少能量损失。反向漏电流（IR）限制在50微安，体现了良好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）为48A，使其可以在短时间内应对电流峰值。该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

1+
￥6.1864 ￥7.03
10+
￥5.1216 ￥5.82
50+
￥4.532 ￥5.15
100+
￥3.8632 ￥4.39
500+
￥3.5728 ￥4.06
1000+
￥3.4408 ￥3.91

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D06065A 编号：C42389282

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在反向偏压下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态电流能力（IFSM/A）可达48安培，适用于高频开关电源及需要高效能转换的应用中，能够在高功率密度要求下保持低能耗特性。

1+
￥6.2744 ￥6.82
10+
￥5.1888 ￥5.64
50+
￥4.5908 ￥4.99
100+
￥3.9192 ￥4.26
500+
￥3.6156 ￥3.93
1000+
￥3.4868 ￥3.79

有货

立即购买

DSC06C065D1-13-HXY

型号：DSC06C065D1-13-HXY 编号：C53468011

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）仅为50μA，表现出优异的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为48A，适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。凭借碳化硅材料特性，器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷，有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。

1+
￥6.327 ￥6.66
10+
￥5.263 ￥5.54
30+
￥4.674 ￥4.92
100+
￥4.009 ￥4.22
500+
￥3.7145 ￥3.91
1000+
￥3.5815 ￥3.77

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD0665A 编号：C42389257

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A），并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V，且在反向状态下，其漏电流（IR/uA）保持在50μA。该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。

1+
￥6.3536 ￥7.22
10+
￥5.2536 ￥5.97
30+
￥4.6552 ￥5.29
100+
￥3.9688 ￥4.51
500+
￥3.6696 ￥4.17
1000+
￥3.5288 ￥4.01

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10065D 编号：C42389238

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大整流电流IF/A达到10A，在反向电压VR/V高达650V的情况下，正向电压降VF/V仅为1.5V，表明其能量损耗较低。反向漏电流IR/uA控制在60微安以下，显示了良好的阻断能力。瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A，适用于高频开关及需快速响应的应用场景中，能有效提升电路效率并减少热损耗。此款二极管凭借其优异性能，适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。

1+
￥6.588 ￥7.32
10+
￥5.454 ￥6.06
50+
￥4.824 ￥5.36
100+
￥4.113 ￥4.57
500+
￥3.798 ￥4.22
1000+
￥3.663 ￥4.07

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10065A 编号：C42389285

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的额定正向电流（IF/A），同时支持高达650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压保护的场合。其正向电压（VF/V）为1.5V，有助于减少导通时的能量损失。在反向偏置下，漏电流（IR/uA）控制在60微安以下，体现了出色的绝缘性能。瞬态峰值电流能力（IFSM/A）为90A，可有效应对突发的大电流需求。鉴于这些特性，此二极管适用于构建要求高效能及可靠性的电子设备，如高性能的开关模式电源转换器以及其他注重功率管理的设计。

1+
￥6.5912 ￥7.49
10+
￥5.456 ￥6.2
50+
￥4.8224 ￥5.48
100+
￥4.1184 ￥4.68
500+
￥3.8016 ￥4.32
1000+
￥3.6608 ￥4.16

有货

立即购买

SIT10C065-HXY

型号：SIT10C065-HXY 编号：C53468105

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，具备较强的瞬态电流承受能力。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作时表现出极低的开关损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、功率因数校正电路以及对能量转换效率和系统紧凑性有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。

1+
￥7.106 ￥7.48
10+
￥6.9445 ￥7.31
50+
￥6.84 ￥7.2
100+
￥6.7355 ￥7.09

有货

立即购买

IDH10G65C5ZXKSA1-HXY

型号：IDH10G65C5ZXKSA1-HXY 编号：C53468130

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低损耗与良好稳定性，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

1+
￥7.372 ￥7.76
10+
￥7.2105 ￥7.59
50+
￥7.0965 ￥7.47
100+
￥6.9825 ￥7.35

有货

立即购买

IDH10G65C5XKSA1-HXY

型号：IDH10G65C5XKSA1-HXY 编号：C53468129

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。器件可承受90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），凭借碳化硅材料特性，具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势，适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

1+
￥7.372 ￥7.76
10+
￥7.2105 ￥7.59
50+
￥7.0965 ￥7.47
100+
￥6.9825 ￥7.35

有货

立即购买

NXPLQSC10650Q-HXY

型号：NXPLQSC10650Q-HXY 编号：C53468144

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA。器件可承受90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），展现出良好的瞬态耐受能力。其材料特性支持高频工作，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及功率因数校正等应用场景。

1+
￥7.372 ￥7.76
10+
￥7.2105 ￥7.59
50+
￥7.0965 ￥7.47
100+
￥6.9825 ￥7.35

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC2H12BTR1 编号：C42389310

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2安培的最大正向电流（IF/A）和高达1200伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过8微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达24安培，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。

1+
￥7.6028 ￥9.16
10+
￥6.2997 ￥7.59
30+
￥5.5859 ￥6.73
100+
￥4.7061 ￥5.67
500+
￥4.3409 ￥5.23
1000+
￥4.1832 ￥5.04

有货

立即购买

GP3D010A065D-HXY

型号：GP3D010A065D-HXY 编号：C53468041

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性，在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

1+
￥8.4455 ￥8.89
10+
￥8.2555 ￥8.69
30+
￥8.132 ￥8.56
100+
￥7.999 ￥8.42

有货

立即购买

PSC1065KQ-HXY

型号：PSC1065KQ-HXY 编号：C53468141

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值为60μA，在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。其特性适合用于高效率电源转换系统，在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。

1+
￥9.0535 ￥9.53
10+
￥8.8445 ￥9.31
50+
￥8.7115 ￥9.17
100+
￥8.569 ￥9.02

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210KG 编号：C42389200

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在同类产品中表现出较低的能量损耗特性。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为250微安，在较高温度下也能保持稳定的性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最大可达71安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的应用环境中，如高频转换电路或通用电源设计中，能够提供卓越的效率与可靠性。

1+
￥9.0552 ￥10.29
10+
￥7.6648 ￥8.71
50+
￥6.7936 ￥7.72
100+
￥5.896 ￥6.7
500+
￥5.4912 ￥6.24
1000+
￥5.324 ￥6.05

有货

立即购买

IDH10SG60CXKSA2-HXY

型号：IDH10SG60CXKSA2-HXY 编号：C53468146

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下的能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效率电能转换系统，在高温或高频率工作条件下仍能维持稳定电气特性。

1+
￥9.272 ￥9.76
10+
￥9.063 ￥9.54
50+
￥8.9205 ￥9.39
100+
￥8.778 ￥9.24

有货

立即购买

GP2D010A065A-HXY

型号：GP2D010A065A-HXY 编号：C53468099

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景，如开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统，能够有效降低开关损耗并提升整体能效。

1+
￥9.652 ￥10.16
10+
￥9.4335 ￥9.93
50+
￥9.291 ￥9.78
100+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

NXPLQSC106506Q-HXY

型号：NXPLQSC106506Q-HXY 编号：C53468145

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）典型值为1.5V，在25°C条件下反向漏电流（IR）不超过60μA，具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景，能在高频工作条件下保持较低的开关损耗与稳定运行。

1+
￥9.652 ￥10.16
10+
￥9.4335 ￥9.93
50+
￥9.291 ￥9.78
100+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSB1065B 编号：C42389234

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过50微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中，可以提供卓越的性能表现。

1+
￥9.7768 ￥11.11
10+
￥8.272 ￥9.4
30+
￥7.3304 ￥8.33
100+
￥6.3712 ￥7.24
500+
￥5.9312 ￥6.74
800+
￥5.7464 ￥6.53

有货

立即购买

共6478页，194333条记录到页

<上一页
1
...
27
28
29
30
31
...
6478
下一页

立创商城为您提供IR二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买IR二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content