IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-2L

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流（IF），能够承受高达1200V的反向电压（VR），使其在高电压应用中表现出色。其正向电压（VF）为1.4V，保证了较低的能量损耗，而反向漏电流（IR）仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬间正向浪涌电流（IFSM）可达45A，提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合，如电源管理和可再生能源系统等领域。

1+
￥10.6216 ￥12.07
10+
￥9.0288 ￥10.26
50+
￥8.0344 ￥9.13
100+
￥7.0136 ￥7.97
500+
￥6.556 ￥7.45
1000+
￥6.3536 ￥7.22

有货

立即购买

型号：HIDK12G65C5 编号：C42389214

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保高效能的同时降低了功耗。反向漏电流（IR/uA）为50微安，体现了优异的绝缘特性。该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流（IFSM/A），适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合，能有效提升系统的整体效率与可靠性。

1+
￥11.484 ￥13.05
10+
￥9.7328 ￥11.06
30+
￥8.6328 ￥9.81
100+
￥7.4272 ￥8.44
500+
￥6.9168 ￥7.86
800+
￥6.6968 ￥7.61

有货

立即购买

型号：NXPSC10650Q-HXY 编号：C53468108

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，展现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效整流应用，其低VF与低IR特性有助于减少能量损耗并提升系统稳定性。

1+
￥13.1575 ￥13.85
10+
￥12.8535 ￥13.53
50+
￥12.654 ￥13.32
100+
￥12.4545 ￥13.11

有货

立即购买

型号：CSD06060G-HXY 编号：C53468139

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为10A，最大反向重复电压VR为650V，正向压降VF典型值为1.3V，反向漏电流IR为50μA。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。凭借碳化硅材料的特性，其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。

1+
￥13.1575 ￥13.85
10+
￥12.8535 ￥13.53
30+
￥12.654 ￥13.32
100+
￥12.4545 ￥13.11

有货

立即购买

型号：IDK10G65C5XTMA1-HXY 编号：C53468136

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，并可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其低VF与微小IR特性有助于降低导通损耗与静态功耗，适用于高频开关电源、高效率整流模块及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。

1+
￥14.3545 ￥15.11
10+
￥14.022 ￥14.76
30+
￥13.8035 ￥14.53
100+
￥13.585 ￥14.3

有货

立即购买

型号：HC6D20065A 编号：C42389284

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管设计有20安培的最大正向电流（IF/A），并能承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少能量损耗。在反向状态下，漏电流（IR/uA）为100微安，显示了较好的绝缘性能。此外，它支持高达123安培的瞬态正向电流（IFSM/A），适用于需要快速切换与稳定性能的高频电路中，可有效提升系统的整体效率。

1+
￥16.3944 ￥18.63
10+
￥13.8952 ￥15.79
50+
￥12.2056 ￥13.87
100+
￥10.604 ￥12.05
500+
￥9.8736 ￥11.22
1000+
￥9.5656 ￥10.87

有货

立即购买

型号：CSD06060A-HXY 编号：C53468143

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，展现出良好的导通特性和反向阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景，在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。

1+
￥16.7485 ￥17.63
10+
￥16.359 ￥17.22
50+
￥16.112 ￥16.96
100+
￥15.8555 ￥16.69

有货

立即购买

型号：FFSPF1065A-HXY 编号：C45896868

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计，提供10A的正向电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗，提高效率。该元件在非导通状态下的反向漏电流(IR)仅为50uA，保证了低功耗操作。此外，它还能承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强了设备应对瞬时过载的能力。此二极管适用于需要高效率和稳定性的电力电子系统中，如电源转换器和再生能源系统。

1+
￥18.693 ￥20.77
10+
￥16.038 ￥17.82
50+
￥14.463 ￥16.07
100+
￥12.87 ￥14.3
500+
￥12.132 ￥13.48
1000+
￥11.799 ￥13.11

有货

立即购买

型号：IDT10S60C-HXY 编号：C53468131

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出优异的导通效率与关断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力达90A，可在高频率开关环境中稳定运行。得益于碳化硅材料的物理特性，该器件在高温及高电压条件下仍能维持较低损耗，适用于高频电源、可再生能源转换系统以及对能效和热管理有较高要求的电子装置中的整流与续流功能。

1+
￥19.1425 ￥20.15
10+
￥18.696 ￥19.68
50+
￥18.411 ￥19.38
100+
￥18.1165 ￥19.07

有货

立即购买

型号：HIDW10G120C5B 编号：C42389314

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下稳定工作。其较低的正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下展示出良好的绝缘性能，漏电流（IR/uA）不超过150微安。此外，瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达46安培，表明了其在承受短时过载电流方面的能力。这些特性使得此元件适用于需要高效率及可靠性的多种电路设计中。

1+
￥19.36 ￥22
10+
￥16.5528 ￥18.81
30+
￥14.8808 ￥16.91
90+
￥13.1912 ￥14.99
510+
￥12.4168 ￥14.11
990+
￥12.0648 ￥13.71

有货

立即购买

型号：HSTPSC20065W 编号：C42389195

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为650V碳化硅二极管，采用高性能碳化硅材料制成，具备优异的热稳定性和导电效率。其额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）可达650V，适用于高频率、高效率的功率转换场景。在实际工作中，该器件展现出低正向压降（VF=1.35V）和极低的反向漏电流（IR=10μA），有效降低能量损耗并提升系统整体能效。同时，其非重复性峰值浪涌电流（IFSM）可承受高达150A，增强了对异常工况的适应能力，适合用于电源适配器、充电设备及高效能电力电子装置中。

1+
￥20.3192 ￥23.09
10+
￥17.3712 ￥19.74
30+
￥15.62 ￥17.75
90+
￥13.8424 ￥15.73
510+
￥13.0328 ￥14.81
990+
￥12.6632 ￥14.39

有货

立即购买

型号：HSTPSC20065DY 编号：C42389230

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备高效能特性，其正向平均电流IF为20A，反向耐压VR达到650V，确保在高电压环境下稳定工作。正向电压降VF仅为1.5V，有助于降低功耗和提高系统效率。此外，该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内，非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A，增强了过载保护能力。适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

1+
￥21.2168 ￥24.11
10+
￥18.1368 ￥20.61
50+
￥16.3064 ￥18.53
100+
￥14.4584 ￥16.43
500+
￥13.6048 ￥15.46
1000+
￥13.2176 ￥15.02

有货

立即购买

型号：HC6D25170H 编号：C42389279

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流（IF/A），能够承受高达1700V的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR/uA）控制在200微安以下，显示出了良好的阻断性能。瞬态条件下，此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对瞬时过载的能力。这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中，如高性能电源转换及高频开关电路等场景。

1+
￥80.8945 ￥95.17
10+
￥77.3415 ￥90.99
30+
￥71.1875 ￥83.75
90+
￥65.8155 ￥77.43

有货

立即购买

型号：DCG160X650NA-HXY 编号：C53133701

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件具备600A的非重复浪涌正向电流能力（IFSM），可在高电流瞬态条件下保持可靠运行。其低导通损耗与优异的高频特性，使其适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及高功率密度应用场景。