IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263

这款碳化硅二极管设计有10A的正向电流（IF）承载能力，并能承受高达1200V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.4V，确保了较低的能量损耗。在反向特性方面，该二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示了优良的阻断特性。此外，它还能承受90A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为高频开关电源以及需要高性能开关特性和可靠性的应用中的理想选择。

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型号：HFFSP15120A 编号：C42389252

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有15安培的正向电流（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.27伏特，有助于减少能量损失，提高效率。反向漏电流（IR/uA）不超过200微安，展示了优异的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达100安培，表明其具有较强的抗电流冲击能力。这些特性使该二极管成为需要高电压耐受性和低能量损耗的应用中的理想选择。

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型号：HSTPSC10H12CWL 编号：C42389243

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流容量（IF/A），并能承受最高1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，在反向电流（IR/uA）为150微安时表现出较低的漏电特性。此外，该二极管能够承受高达46A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适合用于需要快速开关且注重效率的应用场景，尤其在减少能量损失和提高系统可靠性方面有显著优势。

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型号：HNXPSC12650B6J 编号：C42389290

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流（IF），能够在高达650V的反向电压（VR）下正常工作。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，在较高温度下仍能保持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，适合需要处理短时大电流的应用场景。这些特性使得此款二极管在需要高效能与可靠性的电路设计中成为理想选择。

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型号：HFFSP20120A 编号：C42389253

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR），确保了其在高压环境下的稳定性能。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。同时，它拥有低至200微安的反向漏电流（IR），表明其在关闭状态下几乎无电流泄露，提升了整体效率。此外，此二极管的峰值电流（IFSM）可达130安培，适用于需要瞬时处理高电流的应用场合。这些特性使其成为高性能电路设计中的理想选择。

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￥14.1266 ￥17.02
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型号：HIDH20G120C5XKSA1 编号：C42389304

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，正向电流IF为20A，反向电压VR达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。其正向压降VF仅为1.5V，有助于减少功率损耗；反向漏电流IR控制在200μA以内，保证了设备的低功耗性能。此外，单周期浪涌电流IFSM高达130A，增强了产品应对瞬时大电流冲击的能力。该器件适用于要求高效率、高温及高频工作的电子电路中，如电源转换器等场合。

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￥14.1695 ￥16.67
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￥13.413 ￥15.78

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型号：HNDSH20120C 编号：C42389247

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有20安培的正向电流容量（IF/A），并能承受1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向测试中，漏电流（IR/uA）不超过200微安。此外，该二极管能够承受高达130安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适用于高频开关和电源管理电路中，保障了在复杂环境下的高效与稳定性。

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￥14.4835 ￥17.45
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型号：HDSC10120 编号：C42389289

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A），并能承受1200伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.35伏特，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为250微安，展现了良好的隔离性能。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71安培，可在复杂条件下维持稳定工作。适用于高频开关电路中，提供可靠的整流与保护作用。

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￥14.8404 ￥17.88

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型号：HFFSH10120AF085 编号：C42389182

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流能力（IF/A），以及1200伏特的最高反向电压承受能力（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低在导通状态下的功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测量为250微安，表现出良好的绝缘性能。该元件可承受高达67安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要应对短暂高电流冲击的应用场景，如高性能开关电源转换器和其他要求快速切换且高效运作的电子设备。

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￥15.444 ￥17.55

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型号：HC3D20065H 编号：C45896876

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高效能应用设计，具备20A的正向电流(IF)，适合于需要高电流处理能力的场合。其反向电压(VR)高达650V，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。正向电压(VF)低至1.35V，有助于减少能量损耗，提高整体效率。漏电流(IR)仅为10微安(uA)，保证了设备在待机状态下的低能耗。此外，它拥有150A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，使其能够承受瞬时的大电流冲击，保护电路不受损坏。该二极管是追求高效、可靠电力转换解决方案的理想选择。

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￥16.6232 ￥18.89
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￥15.7344 ￥17.88

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型号：HSCS220KGHRC 编号：C42389287

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在保证高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了出色的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，确保了电路的稳定性和效率。

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￥16.7705 ￥19.73
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￥15.878 ￥18.68

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型号：HC3D20065D 编号：C42389311

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，以及高达650V的反向电压(VR/V)，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定性能。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损失。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安，在大多数应用中都能保持良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可以达到150A，使得它能够承受短时内的电流峰值。这些特性使其适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计中。

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￥17.0368 ￥19.36
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￥10.076 ￥11.45

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型号：HFFSB10120AF085 编号：C42389197

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V），适用于高耐压和中等电流的应用场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，在高效能操作时可减少电力损耗。反向电流（IR/uA）为100微安，表明在非导通期间有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达90A，使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值，适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

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￥17.347 ￥20.9
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￥16.9486 ￥20.42
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￥16.683 ￥20.1
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￥16.4257 ￥19.79

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型号：HIDWD15G120C5 编号：C42389183

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为15A，在反向电压（VR/V）达到1200V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.5V时，即可通过额定电流，表明其拥有较低的导通损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在200微安，体现了良好的阻断能力。瞬态条件下，此元件可承受高达87A的正向浪涌电流（IFSM/A），适合高频开关应用，能在要求严苛的电路中实现高效能量转换。

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￥17.748 ￥20.88
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￥16.796 ￥19.76

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型号：GP3D010A065B-HXY 编号：C45896872

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高要求的电源转换场景。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗，而低至50uA的反向漏电流（IR）确保了更高的能效。该二极管瞬间能够承受高达80A的浪涌电流（IFSM），增强了设备在异常情况下的稳定性与可靠性。它特别适合应用于高效能源管理系统及需要紧凑设计与高性能表现的电力电子设备中。

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￥17.9455 ￥18.89
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￥17.5275 ￥18.45
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￥17.2615 ￥18.17
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￥16.986 ￥17.88

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型号：HFFSH1665ADNF155 编号：C42389262

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为24微安，在高压条件下仍能维持有效的阻断状态。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为65A，表明其在需要高可靠性和快速响应的应用中表现优异，适用于追求高效稳定性能的电路设计。

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￥18.3128 ￥20.81
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￥15.708 ￥17.85
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￥11.88 ￥13.5
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￥11.5632 ￥13.14

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型号：HFFSH3065A 编号：C42389264

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受高达650伏特的最大反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，这有助于减少能量损失并提高效率。其反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过150微安，表明其具有良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达210安培，适合需要处理瞬时大电流的应用场合。此二极管适用于需要高效能及稳定性的电路设计中。

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￥18.6824 ￥21.23
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￥18.2512 ￥20.74
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￥17.9696 ￥20.42
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￥17.6792 ￥20.09

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型号：GC10MPS12-220-HXY 编号：C45896880

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能电力电子设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.35V，有助于降低能量损耗，而反向漏电流(IR)仅为150uA，确保了在非导通状态下的高效率。瞬态正向电流(IFSM)高达130A，使其能够承受显著的峰值电流而不损坏。这些特性使它成为需要高效能和稳定性的电力转换应用的理想选择，适合于各种要求严格的电源管理系统中。

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￥18.832 ￥21.4
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￥18.4008 ￥20.91
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￥18.1192 ￥20.59
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￥17.8288 ￥20.26

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型号：HNVDSH20120C 编号：C42389185

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备优异的电气特性，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。在正向电压（VF/V）为1.5V时，器件表现出低导通损耗的特点。反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达130A的瞬间正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高频开关操作的应用场景，能够有效增强电路的动态响应及稳定性。

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￥20.1705 ￥23.73
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￥19.7115 ￥23.19
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￥19.4055 ￥22.83
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￥19.0995 ￥22.47

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型号：HFFSH10120A 编号：C42389244

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在250微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达67安培，适用于需要高效率及高频操作的应用场景，如电源转换与逆变技术领域，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。

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￥20.24 ￥23
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￥17.3624 ￥19.73
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￥13.1384 ￥14.93
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￥12.7776 ￥14.52

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型号：HSTPSC20065DY 编号：C42389230

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备高效能特性，其正向平均电流IF为20A，反向耐压VR达到650V，确保在高电压环境下稳定工作。正向电压降VF仅为1.5V，有助于降低功耗和提高系统效率。此外，该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内，非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A，增强了过载保护能力。适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

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￥21.6832 ￥24.64
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￥18.6032 ￥21.14
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￥16.7728 ￥19.06
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￥14.9248 ￥16.96
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￥14.0712 ￥15.99
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￥13.6928 ￥15.56

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型号：HGP3D030A065B 编号：C42389297

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有IF/A（正向电流）30A的特性，能够在电路中承载较大的电流。其VR/V（反向电压）为650V，表明它能够承受高达650伏特的反向电压而不发生击穿。VF/V（正向电压降）仅为1.3V，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。IR/uA（反向漏电流）在室温下为150微安，显示了良好的阻断性能。IFSM/A（最大瞬态正向电流）可达210A，适合用于需要瞬间处理高电流峰值的应用环境中。这些特性使得该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能量转换的场合。

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￥22.941 ￥25.49
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￥19.683 ￥21.87
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￥14.886 ￥16.54
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￥14.481 ￥16.09

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型号：HSCS240AE2GC11Z 编号：C42389276

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具备优异的电学性能和良好的热稳定性，适用于多种高效率电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，支持在较高电压条件下稳定工作。正向导通压降（VF）为1.35V，有效降低导通损耗，提升整体能效。反向漏电流（IR）低至40μA，表现出优异的阻断能力。同时，该器件可承受最高300A的浪涌电流（IFSM），具备较强的瞬态过流适应性。广泛应用于高频开关电源、光伏逆变系统及通信设备电源模块中，满足对效率、密度与可靠性有要求的应用场景。

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￥23.1 ￥26.25
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￥22.572 ￥25.65
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￥22.22 ￥25.25
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￥21.868 ￥24.85

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型号：HIDWD20G120C5XKSA1 编号：C42389221

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流（IR）为200微安，在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达130安培，适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中，如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。

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￥23.7235 ￥27.91
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￥20.349 ￥23.94
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￥15.3935 ￥18.11
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￥14.977 ￥17.62

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型号：HGD30MPS06H 编号：C45896865

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向连续电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力，确保在高电压应用中的稳定表现。其正向电压(VF)仅为1.35V，在保证效率的同时降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)低至80微安，表现出卓越的反向阻断能力。瞬态正向电流(IFSM)高达270A，使其能够承受极端条件下的电流冲击。凭借快速恢复特性和出色的温度稳定性，这款碳化硅二极管是高效电源转换和控制系统的理想选择，适用于如UPS、开关电源等多种电力电子设备中。

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￥25.18
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￥24.6
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￥24.22

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型号：HNDSH20120CDN 编号：C42389246

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有出色的电气性能，正向平均电流IF为20A，反向耐压VR高达1200V，适合在高电压应用中提供可靠保护。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少能量损耗。该器件的反向漏电流IR控制在250μA以下，保证了低功耗运行；非重复峰值浪涌电流IFSM为71A，能够有效应对瞬态过载情况。它适用于需要高效、稳定电力转换的各种场合。

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￥26.28
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￥25.67
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￥25.27

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型号：HFFSH20120ADNF155 编号：C42389184

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有稳健的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为20A，能够在高达1200V的反向电压（VR/V）下正常工作。器件在正向电压（VF/V）仅1.5V时展现高效导通特性，有助于减少系统功耗。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安水平，确保了良好的绝缘性能。此外，它能够承受最高71A的瞬时正向峰值电流（IFSM/A），适用于需要快速开关特性的高性能电路设计中，有助于提升整体电路效率与可靠性。

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￥26.34
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￥25.74
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￥25.33

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型号：HSTPSC40H12CWL 编号：C42389250

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备40安培的正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下稳定工作。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于降低能耗。反向漏电流（IR/uA）保持在200微安水平，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为130安培，意味着可以在短时间内承受较大的电流冲击。这些特性使得它非常适合应用于需要快速切换及高电压稳定性的电路设计中。

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型号：HC6D10170H 编号：C42389280

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A），可承受最高1700V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压应用中的稳定性。其正向电压（VF/V）为1.5V，在导通状态下能减少能量损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在60微安水平，体现了出色的隔离性能。同时，它能够承受峰值为55A的瞬时正向电流（IFSM/A），适合用于需要高可靠性的电路保护及高效能的电源管理解决方案中。

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型号：HIDW30G120C5B 编号：C42389231

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有30安培的额定正向电流（IF/A），并且能够承受最高1200伏特的反向电压（VR/V），适用于高电压和大电流需求的电路设计中。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，表明在导通状态下能保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）为200微安，显示了其在非导通模式下的良好隔离性。此外，该二极管支持高达100安培的瞬态正向电流（IFSM/A），使其能够在面对突然增加的电流负荷时维持稳定的工作状态。这些特性使其非常适合应用于需要高效能电力转换及控制的场合。

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