IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220F

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向平均电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为200V。其正向压降（VF）为1.2V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景，满足对效率和稳定性的要求。

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
50+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：SBCT2090-HXY 编号：C52754690

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在大电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）为20μA，具备良好的反向截止性能。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热管理有较高要求的电力转换场合。

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
50+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：MBR20H100CTG-E3/45-HXY 编号：C52754644

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）可达200A。其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局，较低的VF有助于减少导通损耗，较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
50+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：VSHFA15TB60-M3-HXY 编号：C53468161

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，在瞬态条件下可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。器件具备快速恢复特性和较低的导通损耗，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等电力电子应用。

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
50+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：MSR860G-HXY 编号：C53468053

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至10μA，确保良好的关断特性。器件可承受峰值达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度与能效有较高要求的电力电子应用。

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
50+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：V30M100M-E3/4W-HXY 编号：C52754659

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.8V，在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。

1+
￥5.871 ￥6.18
10+
￥4.769 ￥5.02
50+
￥4.2085 ￥4.43
100+
￥3.667 ￥3.86
500+
￥3.3345 ￥3.51
1000+
￥3.1635 ￥3.33

有货

立即购买

型号：IDP15E65D1XKSA1-HXY 编号：C53468155

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达150A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场景，能够有效降低系统损耗并提升整体运行效率。

1+
￥6.023 ￥6.34
10+
￥4.8925 ￥5.15
50+
￥4.3225 ￥4.55
100+
￥3.762 ￥3.96
500+
￥3.42 ￥3.6
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

立即购买

型号：VS-HFA08TB60PBF-HXY 编号：C53468077

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，并可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其快速恢复特性有效降低开关过程中的能量损耗，在高频整流和电源转换等应用中表现出良好的动态响应与能效表现。

1+
￥6.0515 ￥6.37
10+
￥4.9115 ￥5.17
50+
￥4.3415 ￥4.57
100+
￥3.7715 ￥3.97
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.2585 ￥3.43

有货

立即购买

型号：V30100C-M3/4W-HXY 编号：C52754658

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定平均正向电流（IF）为30A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。

1+
￥6.0895 ￥6.41
10+
￥4.94 ￥5.2
50+
￥4.37 ￥4.6
100+
￥3.8 ￥4
500+
￥3.458 ￥3.64
1000+
￥3.2775 ￥3.45

有货

立即购买

型号：VT3080C-M3/4W-HXY 编号：C52754666

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流场景。

1+
￥6.137 ￥6.46
10+
￥5.111 ￥5.38
50+
￥4.5505 ￥4.79
100+
￥3.914 ￥4.12
500+
￥3.629 ￥3.82
1000+
￥3.496 ￥3.68

有货

立即购买

型号：FES8JTHE3/45-HXY 编号：C53468037

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管为独立式配置，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，表现出良好的导通效率与阻断能力。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变及高频变换电路中，有助于降低功耗并提升系统响应性能。

1+
￥6.137 ￥6.46
10+
￥5.111 ￥5.38
50+
￥4.5505 ￥4.79
100+
￥3.914 ￥4.12
500+
￥3.629 ￥3.82
1000+
￥3.496 ￥3.68

有货

立即购买

型号：STTH15R06D-HXY 编号：C53468181

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）高达150A，可有效应对瞬态过流工况。器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景，兼顾高可靠性与紧凑布局需求。

1+
￥6.137 ￥6.46
10+
￥5.111 ￥5.38
50+
￥4.5505 ￥4.79
100+
￥3.914 ￥4.12
500+
￥3.629 ￥3.82
1000+
￥3.496 ￥3.68

有货

立即购买

型号：RFV8TG6SGC9-HXY 编号：C53468127

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场景，其快速恢复特性有助于降低开关损耗，提升系统整体效率。

1+
￥6.479 ￥6.82
10+
￥5.263 ￥5.54
50+
￥4.6455 ￥4.89
100+
￥4.047 ￥4.26
500+
￥3.6765 ￥3.87
1000+
￥3.496 ￥3.68

有货

立即购买

型号：VF20202G-M3/4W-HXY 编号：C52754674

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在最大反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达175A。此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路，有助于提升效率并简化PCB布局。

1+
￥6.5455 ￥6.89
10+
￥5.453 ￥5.74
50+
￥4.8545 ￥5.11
100+
￥4.1705 ￥4.39
500+
￥3.8665 ￥4.07
1000+
￥3.7335 ￥3.93

有货

立即购买

型号：MBR2545CTG-HXY 编号：C52754695

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.48V，有助于降低导通损耗，同时反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。

1+
￥6.7545 ￥7.11
10+
￥5.624 ￥5.92
50+
￥5.0065 ￥5.27
100+
￥4.3035 ￥4.53
500+
￥3.99 ￥4.2
1000+
￥3.8475 ￥4.05

有货

立即购买

型号：STTH15RQ06DY-HXY 编号：C53468182

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）高达150A，可有效应对瞬态过载条件下的应力冲击。器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景，兼顾高效率运行与可靠性能表现。

1+
￥7.0585 ￥7.43
10+
￥5.8805 ￥6.19
50+
￥5.225 ￥5.5
100+
￥4.4935 ￥4.73
500+
￥4.1705 ￥4.39
1000+
￥4.028 ￥4.24

有货

立即购买

型号：IDP08E65D2XKSA1-HXY 编号：C53468096

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，具备8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值为10μA，在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流（IFSM）。其快速恢复特性有助于缩短反向恢复时间，降低开关损耗，适用于对能效和动态性能有较高要求的电源转换及高频整流场合。

1+
￥7.163 ￥7.54
10+
￥5.966 ￥6.28
50+
￥5.301 ￥5.58
100+
￥4.56 ￥4.8
500+
￥4.2275 ￥4.45
1000+
￥4.085 ￥4.3

有货

立即购买

型号：VS15ETH06-N3-HXY 编号：C53468170

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，具有15A的正向电流（IF）和600V的反向重复峰值电压（VR），典型正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度与能效要求较高的电源拓扑结构，在高频整流、开关电源及紧凑型电力转换系统中，有助于减少开关损耗并维持良好的热稳定性。

1+
￥7.3625 ￥7.75
10+
￥6.137 ￥6.46
50+
￥5.453 ￥5.74
100+
￥4.693 ￥4.94
500+
￥4.351 ￥4.58
1000+
￥4.199 ￥4.42

有货

立即购买

型号：HC6D08065A 编号：C42389281

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力（IF/A），并支持高达650V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降（VF/V）为1.3V，在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，展示了优异的阻断特性。此外，其瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A，使其能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

1+
￥7.791 ￥11.13
10+
￥6.594 ￥9.42
50+
￥5.845 ￥8.35
100+
￥5.075 ￥7.25
500+
￥4.725 ￥6.75
1000+
￥4.578 ￥6.54

有货

立即购买

型号：VF30100C-M3/4W-HXY 编号：C52754679

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR为100V。其典型正向压降VF为0.82V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为100μA，体现出良好的阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。

1+
￥8.1795 ￥8.61
10+
￥6.8115 ￥7.17
50+
￥6.061 ￥6.38
100+
￥5.2155 ￥5.49
500+
￥4.8355 ￥5.09
1000+
￥4.6645 ￥4.91

有货

立即购买

型号：UG8JT-E3/45-HXY 编号：C53468085

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管为独立式结构，具有8A的正向电流（IF）和600V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）仅为10μA，表现出良好的导通效率与低功耗特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、逆变器及各类整流电路，在需要快速恢复特性和高可靠性的电子系统中表现稳定。

1+
￥8.1795 ￥8.61
10+
￥6.8115 ￥7.17
50+
￥6.061 ￥6.38
100+
￥5.2155 ￥5.49
500+
￥4.8355 ￥5.09
1000+
￥4.6645 ￥4.91

有货

立即购买

型号：IDP06E60XKSA1-HXY 编号：C53468162

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达150A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合，能够有效降低系统损耗并提升整体运行效率。

1+
￥8.1795 ￥8.61
10+
￥6.8115 ￥7.17
50+
￥6.061 ￥6.38
100+
￥5.2155 ￥5.49
500+
￥4.8355 ￥5.09
1000+
￥4.6645 ￥4.91

有货

立即购买

型号：NHPV15S600G-HXY 编号：C53468184

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，表现出良好的导通与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）高达150A，可有效承受瞬态电流冲击。器件适用于对开关速度和能效有较高要求的电源转换、整流及逆变等应用场景。

1+
￥8.1795 ￥8.61
10+
￥6.8115 ￥7.17
50+
￥6.061 ￥6.38
100+
￥5.2155 ￥5.49
500+
￥4.8355 ￥5.09
1000+
￥4.6645 ￥4.91

有货

立即购买

型号：RURP860-HXY 编号：C53468045

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR达600V，正向压降VF典型值为1.5V，反向漏电流IR低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达100A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合，能够有效降低系统损耗并提升整体运行效率。

1+
￥8.588 ￥9.04
10+
￥7.1535 ￥7.53
50+
￥6.365 ￥6.7
100+
￥5.472 ￥5.76
500+
￥5.073 ￥5.34
1000+
￥4.902 ￥5.16

有货

立即购买

型号：MBR30H100CTG-HXY 编号：C52754691

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在高电流应用中可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出合理的反向阻断能力。器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）耐受能力，适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。

1+
￥8.588 ￥9.04
10+
￥7.1535 ￥7.53
50+
￥6.365 ￥6.7
100+
￥5.472 ￥5.76
500+
￥5.073 ￥5.34
1000+
￥4.902 ￥5.16

有货

立即购买

型号：PSC1065HJ-HXY 编号：C53468132

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的导通性能与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A，适用于高频开关环境下的可靠运行。基于碳化硅材料特性，器件在高电压、高温条件下仍能保持较低损耗和良好稳定性，常用于高效电源转换、可再生能源系统及对电能效率和热性能有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。

1+
￥8.892 ￥9.36
10+
￥8.6925 ￥9.15
30+
￥8.5595 ￥9.01
100+
￥8.4265 ￥8.87

有货

立即购买

型号：VS30CTQ100HN3-HXY 编号：C52754692

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的输出级电路中。

1+
￥8.9965 ￥9.47
10+
￥7.4955 ￥7.89
50+
￥6.669 ￥7.02
100+
￥5.738 ￥6.04
500+
￥5.32 ￥5.6
1000+
￥5.13 ￥5.4

有货

立即购买

型号：CSICD10-650 TR13-HXY 编号：C53468120

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

1+
￥9.177 ￥9.66
10+
￥8.968 ￥9.44
30+
￥8.8255 ￥9.29
100+
￥8.683 ￥9.14

有货

立即购买

型号：VSHFA15TB60-N3-HXY 编号：C53468154

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有15A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）仅为10μA，表现出良好的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达150A，适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变器及高频变换器等电路中，能够有效支持系统稳定运行。

1+
￥9.2055 ￥9.69
10+
￥7.6665 ￥8.07
50+
￥6.821 ￥7.18
100+
￥5.8615 ￥6.17
500+
￥5.4435 ￥5.73
1000+
￥5.244 ￥5.52

有货

立即购买

型号：HIDK10G65C5XTMA2 编号：C42389306

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力，并能承受650伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于提升电路效率。反向漏电流（IR）控制在50微安以内，展现了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培，适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中，如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。

1+
￥10.2425 ￥12.05
10+
￥8.67 ￥10.2
30+
￥7.684 ￥9.04
100+
￥6.6725 ￥7.85
500+
￥6.2135 ￥7.31
800+
￥6.018 ￥7.08

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示