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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210ANHR 编号：C42389213

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合，具备10A的正向平均电流(IF)能力，能够承受高达650V的反向电压(VR)，确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR)，减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A，增强了对突发大电流情况的处理能力，适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。

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￥8.0759 ￥9.73
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￥7.8933 ￥9.51
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￥7.7688 ￥9.36
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￥7.6526 ￥9.22

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碳化硅肖特基二极管

型号：SCS105KGC-HXY 编号：C45896869

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有5A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)耐压能力，非常适合高要求的应用场景。其正向电压(VF)为1.4V，在保证性能的同时降低了能量损耗。该元件的反向漏电流(IR)低至100uA，有助于减少不必要的能耗。它还具备承受45A非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)的能力，确保在突发情况下的可靠性。这些特性使其成为电力转换设备、不间断电源系统等需要高效能与稳定性的理想选择。

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￥8.1576 ￥9.27
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￥7.9728 ￥9.06
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￥7.8496 ￥8.92
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￥7.7264 ￥8.78

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碳化硅肖特基二极管

型号：LGE3D15065H 编号：C51018421

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

商品目录碳化硅二极管；整流电流 15A；正向压降(Vf) 1.43V@15A；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 10uA@650V

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￥8.26
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￥8.07
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￥7.95

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH08G65C6 编号：C42389258

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管的正向电流额定值为8A（IF/A），可承受的最大反向电压为650V（VR/V）。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损耗。在反向测试条件下，漏电流不超过50μA（IR/uA）。此外，该二极管能够处理高达64A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电路和高性能能量转换解决方案的理想选择。

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￥8.344 ￥10.43
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￥8.032 ￥10.04
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￥7.904 ￥9.88

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10065E 编号：C42389272

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于在导通期间保持低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，确保了高阻断性能。此外，该二极管支持高达80安培的瞬态浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对短时电流尖峰的能力。这些特点使其成为高频开关电源和逆变技术等要求严苛应用的理想选择，适用于追求高性能与可靠性的电子设计方案。

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￥8.5407 ￥10.29
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￥8.3498 ￥10.06
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￥8.217 ￥9.9
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￥7.9929 ￥9.63

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碳化硅肖特基二极管

型号：HMSC015SDA120K 编号：C42389305

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有15安培的正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到1200伏特时仍能保持稳定。其正向电压降（VF）仅为1.27伏特，在保证高效导电的同时，降低了能量损耗。反向漏电流（IR）在测试条件下不超过200微安，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达100安培，适用于需要短时承受较大电流冲击的应用场合。此二极管适用于需要高速开关特性和高可靠性的电路设计中。

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￥8.6504 ￥9.83
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￥8.4568 ￥9.61
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￥8.228 ￥9.35
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￥8.096 ￥9.2

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220KGC17 编号：C42389207

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有20A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压和稳定电流的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5V，有效降低了工作时的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）维持在200微安水平，确保了在非导通状态下的良好绝缘性能。此外，瞬态浪涌电流（IFSM/A）可达130A，表明它能够应对瞬间的电流峰值，从而保护电路免受损坏。这些特点使得该二极管非常适合应用于要求高性能和高可靠性的电子装置中。

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￥9.2735 ￥10.91
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￥9.0695 ￥10.67
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￥8.8145 ￥10.37
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￥8.6785 ￥10.21

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP1665A 编号：C42389199

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气性能，额定正向电流IF为16安培，反向重复峰值电压VR可达650伏特。其正向压降VF仅为1.3伏特，在保证高效能量转换的同时降低了热损耗。反向漏电流IR控制在100微安，确保了在高温环境下的稳定运行。该二极管的最大非重复正向浪涌电流IFSM达到128安培，展现出强大的过载能力。适用于高频开关电源、太阳能逆变器等高要求电路中，是实现系统高性能与可靠性的理想选择。

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￥9.3368 ￥10.61
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￥9.1256 ￥10.37
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￥8.9848 ￥10.21
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￥8.844 ￥10.05

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D12120A 编号：C45896883

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)为1.35V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)低至150微安(uA)，确保了在非导通状态下的高效率。最值得注意的是，它能够承受高达130A的峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时过载情况的理想选择。此款二极管适用于需要高可靠性、高速开关及高能效比的电源转换系统中。

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￥9.504 ￥10.8
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￥9.284 ￥10.55
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￥9.1432 ￥10.39
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￥9.0024 ￥10.23

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC5H12BTR1 编号：C42389309

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF）能力，可在大电流应用中保持高效运行，同时拥有1200V的反向击穿电压（VR），适合应用于高电压要求的场合。其正向电压降（VF）为1.4V，有助于降低能耗。反向漏电流（IR）为100微安，在非导通期间功耗极低。瞬态正向浪涌电流（IFSM）达到45A，表明它可以应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其成为追求低功耗与高可靠性的高频开关和其他精密电路设计的理想选择。

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￥9.5616 ￥11.52
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￥9.2047 ￥11.09
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￥8.9474 ￥10.78

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碳化硅肖特基二极管

型号：FFSPF0865A-HXY 编号：C45896873

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)，最大反向电压(VR)可达650V，确保了在高电压环境下的稳定性能。其正向电压(VF)为1.3V，在保证效率的同时减少了能量损耗。漏电流(IR)低至50微安(uA)，表明其卓越的阻断能力。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达80A，使其能够承受瞬时的电流冲击，适用于各种高效能电力转换系统，如电源供应和再生能源设备中，极大地提升系统的可靠性和效率。

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￥9.8384 ￥11.18
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￥9.6184 ￥10.93
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￥9.3192 ￥10.59

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HC6D06120A

型号：HC6D06120A 编号：C45896882

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，其正向电压(VF)在额定电流下为1.4V，保证了较低的能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表现出卓越的绝缘性能，同时峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)可达45A，使其在高瞬态条件下依然稳定可靠。这些特性使它成为高效能电源转换和管理应用中的理想组件，特别适用于需要高压、高速开关操作的场合。

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￥9.9264 ￥11.28
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￥9.7064 ￥11.03
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￥9.548 ￥10.85
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￥9.3984 ￥10.68

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC20H12D 编号：C42389188

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时，减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，表明它能在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

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￥9.9535 ￥11.71
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￥9.7325 ￥11.45
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￥9.469 ￥11.14
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￥9.316 ￥10.96

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BTR 编号：C42389259

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR)，适用于多种高效率电源设计。其正向电压降(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。在标准工作条件下，该二极管表现出色，其反向漏电流(IR)仅为50μA，确保了良好的电气性能。此外，支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，能够有效应对突发性的电流冲击，适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

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￥10.0181 ￥12.07
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￥9.7857 ￥11.79
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￥9.6363 ￥11.61
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￥9.3707 ￥11.29

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12D 编号：C42389180

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在高电流应用中能有效减少能量损失。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下测得为250微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下的最大正向浪涌电流（IFSM/A）为71安培，适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

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￥10.032 ￥11.4
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￥8.536 ￥9.7
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￥5.9312 ￥6.74

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碳化硅肖特基二极管

型号：FFSP05120A-HXY 编号：C45896874

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供5A的正向电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，确保在高压环境下稳定工作。其正向电压(VF)为1.4V，有助于减少能量损耗，提高效率。漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表明其具有优异的绝缘性能。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)为45A，可有效抵御瞬时电流冲击，适合应用于高效电源转换系统及再生能源设备中，增强系统的整体效能与可靠性。

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￥10.044 ￥10.8
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￥9.8115 ￥10.55
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￥9.6627 ￥10.39
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￥9.5139 ￥10.23

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD10120A 编号：C42389265

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10安培的最大正向电流（IF/A），同时支持最高1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下保持稳定工作。正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了导通时的能量损耗。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，展示了出色的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）为90安培，意味着它可以在短时间内承受电流峰值而不损坏。适用于要求高效率与可靠性的电源转换及高频开关电路。

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￥10.0936 ￥11.47
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￥9.7152 ￥11.04
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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP08120A 编号：C42389241

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有8A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5V，在250微安的条件下测得的反向电流（IR/uA）为250uA。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A。这些特性使得该二极管适用于需要高效能与高可靠性的电路设计中，特别是在要求快速开关特性和低能耗的应用场合下表现优异。

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￥10.12 ￥11.5
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￥9.8912 ￥11.24
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￥9.6184 ￥10.93
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￥9.4688 ￥10.76

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH16G65C5 编号：C42389235

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备16A的最大正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，确保了高效的能量转换。在反向条件下，漏电流（IR/uA）控制在100微安之内，保证了电路的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达128A，适用于需要快速开关特性和高可靠性的电路设计中，如高性能的开关模式电源及类似应用领域。

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￥10.2765 ￥12.09
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￥9.8855 ￥11.63
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￥9.7325 ￥11.45

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP2065A 编号：C42389239

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具有20A的最大整流电流IF/A，能够在650V的反向电压VR/V下稳定工作。其正向电压VF/V为1.5V，意味着在导通状态下的能量损失较小。反向漏电流IR/uA低于100微安，确保了较高的阻断性能。瞬态峰值电流IFSM/A可达123A，使其适合应用于需要高速切换频率及低损耗特性的电路设计中，能够帮助优化系统的整体性能，特别适用于追求高效能与可靠性的技术解决方案中。

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￥10.428 ￥11.85
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￥10.1904 ￥11.58
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￥9.7592 ￥11.09

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH15S120A 编号：C42389288

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的正向电流（IF/A），可承受高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.27伏特，有助于减少电力损耗，提升系统效率。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为200微安，表明其在阻断状态下的优异表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为100安培，能够在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其非常适合应用于需要高频切换与可靠性能的电路配置中。

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￥10.824 ￥12.3
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￥10.5776 ￥12.02
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￥10.12 ￥11.5

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碳化硅肖特基二极管

型号：HMSC020SDA120K 编号：C42389318

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF/A），可承受最高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高压环境。其正向电压（VF/V）为1.5V，在保证性能的同时降低了能量损耗。二极管的反向漏电流为200微安（IR/uA），显示了其出色的绝缘性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）达到130A，意味着它能够应对突然增大的电流需求。这些特点使其成为追求高效与稳定性的电路设计方案中的理想选择。

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￥10.9395 ￥12.87
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￥10.693 ￥12.58
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￥10.353 ￥12.18

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12GTR 编号：C42389217

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下正常工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保高效能的同时，也减少了能量损耗。该二极管还拥有100微安的反向漏电流（IR/uA），表明其在阻断状态下的性能优异。此外，瞬态峰值电流（IFSM/A）可达90安培，意味着它能够承受瞬间的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的电路设计中。

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￥11.0925 ￥13.05
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￥10.8375 ￥12.75
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￥10.6675 ￥12.55
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￥10.4975 ￥12.35

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH16G65C6 编号：C42389226

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为16A，在反向电压（VR/V）达到650V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.3V时即可导通，显示出高效的能量转换能力。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了较低的能量损耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达128A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，是高性能电子设备的理想选择。

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￥11.8192 ￥14.24
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￥11.5536 ￥13.92
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￥11.371 ￥13.7
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￥11.1884 ￥13.48

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HFFSB10120A

型号：HFFSB10120A 编号：C42389266

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1200伏特的反向耐压值（VR/V），适用于需要高电压稳定性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有助于提升系统效率。在反向状态下，该二极管的漏电流（IR/uA）不大于100微安，显示了良好的阻断性能。此外，其瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可以达到90安培，适合应用于需要承受短时电流冲击的场合，如高性能电源管理解决方案或精密控制电路中。

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￥11.8536 ￥13.47
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￥11.5896 ￥13.17
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￥11.4048 ￥12.96
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￥11.22 ￥12.75

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碳化硅肖特基二极管

型号：HWNSC101200WQ 编号：C42389298

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在高电流应用中能有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR）控制在微安级别，具体为250微安，表明其优秀的阻断性能。此外，瞬态条件下，该二极管的最大正向浪涌电流（IFSM）可达67安培，适合用于需要瞬间处理大电流的应用场合。这些特性使得此款二极管适用于多种电子设计中，作为高效能的开关元件使用。

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￥12.0105 ￥14.13
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￥11.7385 ￥13.81
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￥11.5515 ￥13.59
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￥11.3645 ￥13.37

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220AGHRC 编号：C42389317

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备20安培的正向电流（IF/A），能够处理较大的电力负荷，同时拥有650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适合用于高压环境。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在高电流通过时能有效降低能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在100微安，表明在关闭状态下具有良好的绝缘特性。最大瞬态正向电流（IFSM/A）达到123安培，增强了应对突发电流的能力，适用于要求高性能与可靠性的电路设计方案中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP10120A 编号：C42389242

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的最大正向电流（IF/A），可承受高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35V，在250微安反向电流（IR/uA）下的漏电流表现良好。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71A，表明它能够在短时间内处理较大的电流波动。该二极管适用于高频开关及需要降低能量损耗的应用中，其出色的性能使其成为追求高效转换设计的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC10650B6J 编号：C42389268

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流能力（IF），同时支持最大650V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。该二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR）控制在50微安以内，体现了出色的绝缘性能。其峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A，适用于要求严苛的高频开关与电源转换应用中，提供稳定且高效的性能表现。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC15H12WL 编号：C42389245

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的最大正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在反向状态下，漏电流（IR/uA）维持在200微安水平。该元件还拥有87安培的瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A），适合应用于要求高效能及高频率切换的电路设计中，确保在复杂条件下的稳定性和可靠性。

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