IR二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > IR二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共194333件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

电压:100V 电流:20A

型号：MBR20100CT 编号：C41381875

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有20A的正向电流（IF）容量，最大可承受100V的反向电压（VR）。在20A的电流下，其正向电压降（VF）为0.85V，有助于减少在高电流应用中的功率损耗。反向恢复特性良好，即使在100V的反向电压下，漏电流（IR）也仅维持在20μA水平，适合用于各种高频开关电源、整流电路以及保护电路的设计中，能够提供可靠的整流效果并优化系统的能效表现。

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976

有货

立即购买

CMR2U-06TR13PBFREE-HXY

型号：CMR2U-06TR13PBFREE-HXY 编号：C53467919

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管为独立式结构，具有2A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的导通与阻断特性。器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效要求较高的电子系统中，确保在动态负载条件下稳定运行。

1+
￥1.501 ￥1.58
10+
￥1.463 ￥1.54
30+
￥1.444 ￥1.52
100+
￥1.425 ￥1.5

有货

立即购买

CMR2S-06TR13PBFREE-HXY

型号：CMR2S-06TR13PBFREE-HXY 编号：C53467923

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至5μA，确保良好的关断特性。器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效有较高要求的电子系统中。

1+
￥1.501 ￥1.58
10+
￥1.463 ￥1.54
30+
￥1.444 ￥1.52
100+
￥1.425 ￥1.5

有货

立即购买

独立式耐压:5.1V 电流:890uA

型号：HZM4733AGS18 编号：C42389411

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款稳压二极管具备0.2A的额定电流（IF），能够提供稳定的5.1V反向击穿电压（VR），适用于多种低压降应用场合。该二极管的正向电压（VF）为1.2V，在工作时可以保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR）控制在10微安以下，表明其在无外加信号时几乎不导通，有助于提高电路的可靠性。最大功耗（PD）为1瓦特，意味着它可以在保证安全的前提下，有效地处理功率需求，适用于各种消费电子设备中的电压稳定环节。

5+
￥1.565256 ￥1.7787
50+
￥1.229096 ￥1.3967
150+
￥1.084952 ￥1.2329
500+
￥0.905256 ￥1.0287
2500+
￥0.825176 ￥0.9377
5000+
￥0.777128 ￥0.8831

有货

立即购买

600V 20A

型号：SFF2006TT 编号：C49208347

封装：TO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.7V@20A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 20A 反向电流(Ir) 10uA@600V 反向恢复时间(Trr) 35nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥1.62165 ￥1.707
50+
￥1.2711 ￥1.338
150+
￥1.120905 ￥1.1799
500+
￥0.93347 ￥0.9826
2500+
￥0.849965 ￥0.8947
5000+
￥0.7999 ￥0.842

有货

立即购买

电压:40V 电流:20A

型号：MBR2040CT 编号：C27975278

封装：TO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；二极管配置 1对共阴极；正向压降(Vf) 700mV@10A；直流反向耐压(Vr) 40V；平均整流电流(Io) 20A；反向电流(Ir) 100uA@40V

5+
￥1.6895
50+
￥1.3267
150+
￥1.1711

有货

立即购买

MBR20150SCT-G1-HXY

型号：MBR20150SCT-G1-HXY 编号：C52754650

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为150V。其正向压降（VF）为0.92V，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）低至20μA，展现出良好的反向截止性能。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。

5+
￥1.72748 ￥1.8184
50+
￥1.36838 ￥1.4404
150+
￥1.21448 ￥1.2784
500+
￥1.022485 ￥1.0763
2000+
￥0.936985 ￥0.9863
5000+
￥0.885685 ￥0.9323

有货

立即购买

UH8JT-E3/45-HXY

型号：UH8JT-E3/45-HXY 编号：C53468164

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，体现出良好的导通与阻断性能。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A，适用于高频整流、开关电源及对转换效率和响应速度有较高要求的电力电子应用场合。

5+
￥2.1578
50+
￥1.7093
150+
￥1.517

有货

立即购买

SDT20B100CT-HXY

型号：SDT20B100CT-HXY 编号：C52754645

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）达200A。共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑，较低的VF有助于降低导通损耗，提升系统效率，而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击，适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。

5+
￥2.23421 ￥2.3518
50+
￥1.769755 ￥1.8629
150+
￥1.57073 ￥1.6534
500+
￥1.3224 ￥1.392
2000+
￥1.21182 ￥1.2756
5000+
￥1.145415 ￥1.2057

有货

立即购买

MBR10200FCT-BP-HXY

型号：MBR10200FCT-BP-HXY 编号：C52754672

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定平均正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在导通状态具备较低的功率损耗；反向漏电流（IR）不超过100μA，展现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效整流及高瞬态电流耐受能力的电源转换与续流保护电路。

5+
￥2.3085 ￥2.43
50+
￥1.8335 ￥1.93
150+
￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.368 ￥1.44
2000+
￥1.254 ￥1.32
5000+
￥1.1875 ￥1.25

有货

立即购买

600V 16A

型号：MURD1660DDFCT 编号：C49208351

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.6V@16A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 16A 反向电流(Ir) 1uA@400V 反向恢复时间(Trr) 35nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

1+
￥2.4035 ￥2.53
10+
￥1.881 ￥1.98
50+
￥1.6625 ￥1.75
100+
￥1.387 ￥1.46
500+
￥1.2635 ￥1.33
1000+
￥1.1875 ￥1.25

有货

立即购买

STTH3BCF060U-HXY

型号：STTH3BCF060U-HXY 编号：C53467932

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.7V，在导通时保持较低的功率损耗；反向漏电流（IR）低至5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效有较高要求的电源整流及高频转换电路中。

1+
￥2.47 ￥2.6
10+
￥2.4225 ￥2.55
30+
￥2.3845 ￥2.51
100+
￥2.3465 ￥2.47

有货

立即购买

电压:40V 电流:2A

型号：HNRVBSS24T3G 编号：C42389387

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管拥有2安培的正向电流（IF）承载能力，以及40伏特的最大反向电压（VR）。其正向电压降（VF）仅为0.55伏特，确保了高效的能量转换。在反向工作条件下，该二极管的最大漏电流（IR）为500微安。此外，它还能承受高达50安培的瞬态峰值电流（IFSM）。这些特性使其非常适合应用于要求低功耗和高频率操作的场合，例如开关电源、整流以及保护电路等。

1+
￥2.6664 ￥3.03
10+
￥2.0944 ￥2.38
30+
￥1.848 ￥2.1
100+
￥1.5488 ￥1.76
500+
￥1.408 ￥1.6
1000+
￥1.3288 ￥1.51

有货

立即购买

SDT20B100CTFP-HXY

型号：SDT20B100CTFP-HXY 编号：C53262826

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，具备良好的反向截止性能。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率电源整流、多路输出转换器及对热性能和瞬态耐受能力有较高要求的电子系统中。

1+
￥2.7645 ￥2.91
10+
￥2.1945 ￥2.31
50+
￥1.9475 ￥2.05
100+
￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.501 ￥1.58
1000+
￥1.425 ￥1.5

有货

立即购买

STTA806D-HXY

型号：STTA806D-HXY 编号：C53468084

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等场景，能够在高频工作条件下保持稳定性能。

1+
￥3.01
10+
￥2.39
50+
￥2.12

有货

立即购买

WNS20S100CQ-HXY

型号：WNS20S100CQ-HXY 编号：C52754649

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在保证高效导通的同时降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，具备优异的反向阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对电流承载能力和稳定性要求较高的电源整流及高频开关应用场景。

1+
￥3.268 ￥3.44
10+
￥2.6505 ￥2.79
50+
￥2.3465 ￥2.47
100+
￥2.033 ￥2.14
500+
￥1.8525 ￥1.95
1000+
￥1.7575 ￥1.85

有货

立即购买

RFV8TJ6SGC9-HXY

型号：RFV8TJ6SGC9-HXY 编号：C53468128

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管为独立式结构，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，表现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效有较高要求的电力电子电路中，有效支持系统在高频率下的稳定运行。

1+
￥3.344 ￥3.52
10+
￥2.6505 ￥2.79
50+
￥2.356 ￥2.48
100+
￥1.9855 ￥2.09
500+
￥1.8145 ￥1.91
1000+
￥1.7195 ￥1.81

有货

立即购买

DTH8R06DQ-HXY

型号：DTH8R06DQ-HXY 编号：C53468137

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR达600V，正向压降VF典型值为1.5V，反向漏电流IR低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景，其快速恢复特性有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。

1+
￥3.458 ￥3.64
10+
￥2.812 ￥2.96
50+
￥2.4795 ￥2.61
100+
￥2.1565 ￥2.27
500+
￥1.9665 ￥2.07
1000+
￥1.862 ￥1.96

有货

立即购买

STPS30H100CT-HXY

型号：STPS30H100CT-HXY 编号：C52754657

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流与续流场景，常见于开关电源、逆变器及高频转换电路中。

1+
￥3.914 ￥4.12
10+
￥3.1825 ￥3.35
50+
￥2.812 ￥2.96
100+
￥2.4415 ￥2.57
500+
￥2.223 ￥2.34
1000+
￥2.109 ￥2.22

有货

立即购买

DTH8E06DQ-HXY

型号：DTH8E06DQ-HXY 编号：C53468142

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等电路场合，能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗与良好的热稳定性。

1+
￥4.047 ￥4.26
10+
￥3.287 ￥3.46
50+
￥2.907 ￥3.06
100+
￥2.527 ￥2.66
500+
￥2.299 ￥2.42
1000+
￥2.185 ￥2.3

有货

立即购买

VSHFA08TB60-M3-HXY

型号：VSHFA08TB60-M3-HXY 编号：C53468095

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流（IFSM）。其快速恢复特性有效减少开关过程中的能量损耗，适用于对转换效率和动态响应要求较高的电源系统，有助于提升整体电路的稳定性和能效表现。

1+
￥4.047 ￥4.26
10+
￥3.287 ￥3.46
50+
￥2.907 ￥3.06
100+
￥2.527 ￥2.66
500+
￥2.299 ￥2.42
1000+
￥2.185 ￥2.3

有货

立即购买

SBCT1090-HXY

型号：SBCT1090-HXY 编号：C52754702

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）为0.77V，在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受120A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率电源整流、开关模式电源输出级以及对热稳定性要求较高的低压大电流应用场景。

1+
￥4.5695 ￥4.81
10+
￥3.705 ￥3.9
50+
￥3.2775 ￥3.45
100+
￥2.85 ￥3
500+
￥2.5935 ￥2.73
1000+
￥2.4605 ￥2.59

有货

立即购买

SBCT1040-HXY

型号：SBCT1040-HXY 编号：C52754701

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达45V。其正向压降（VF）低至0.52V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达120A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

1+
￥4.5695 ￥4.81
10+
￥3.705 ￥3.9
50+
￥3.2775 ￥3.45
100+
￥2.85 ￥3
500+
￥2.5935 ￥2.73
1000+
￥2.4605 ￥2.59

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D04065E 编号：C42389271

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流（IF/A），能承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下，其漏电流（IR/uA）不超过50微安，显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流（IFSM/A），能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中，如高频开关电源转换和逆变技术等领域。

1+
￥4.6904 ￥5.33
10+
￥3.784 ￥4.3
30+
￥3.3264 ￥3.78
100+
￥2.8688 ￥3.26
500+
￥2.596 ￥2.95
1000+
￥2.4552 ￥2.79

有货

立即购买

HFA15TB60-HXY

型号：HFA15TB60-HXY 编号：C53468153

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）高达150A，可有效应对瞬态过载工况。器件适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景，兼顾高效运行与可靠性能。

1+
￥4.788 ￥5.04
10+
￥3.8855 ￥4.09
50+
￥3.4295 ￥3.61
100+
￥2.983 ￥3.14
500+
￥2.717 ￥2.86
1000+
￥2.584 ￥2.72

有货

立即购买

电压:200V 电流:60A

型号：MBR60200CT 编号：C49009625

封装：TO-247AB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 0.90V@30A；直流反向耐压(Vr) 200V；整流电流 60A；反向电流(Ir) 0.05uA

1+
￥4.92
10+
￥4.81
30+
￥4.74

有货

立即购买

IDP08E65D1XKSA1-HXY

型号：IDP08E65D1XKSA1-HXY 编号：C53468052

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达600V。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为10μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合。

1+
￥5.1395 ￥5.41
10+
￥4.1705 ￥4.39
50+
￥3.686 ￥3.88
100+
￥3.2015 ￥3.37
500+
￥2.9165 ￥3.07
1000+
￥2.7645 ￥2.91

有货

立即购买

FES8JT-E3/45-HXY

型号：FES8JT-E3/45-HXY 编号：C53468036

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达100A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及整流场合，能够在高频工作条件下保持稳定性能，有效降低系统损耗。

1+
￥5.1585 ￥5.43
10+
￥4.18 ￥4.4
50+
￥3.6955 ￥3.89
100+
￥3.2205 ￥3.39
500+
￥2.926 ￥3.08
1000+
￥2.774 ￥2.92

有货

立即购买

UFT800J-HXY

型号：UFT800J-HXY 编号：C53468083

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流（IFSM）。器件具备较短的反向恢复时间与较低的开关损耗，适用于对能效和动态响应要求较高的开关电源及高频整流应用。

1+
￥5.1585 ￥5.43
10+
￥4.18 ￥4.4
50+
￥3.6955 ￥3.89
100+
￥3.2205 ￥3.39
500+
￥2.926 ￥3.08
1000+
￥2.774 ￥2.92

有货

立即购买

MF30H100CTHE3_B/P-HXY

型号：MF30H100CTHE3_B/P-HXY 编号：C52754678

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.82V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、开关模式电源及高频逆变等电路结构中。

1+
￥5.225 ￥5.5
10+
￥4.237 ￥4.46
50+
￥3.743 ￥3.94
100+
￥3.2585 ￥3.43
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.812 ￥2.96

有货

立即购买

共6478页，194333条记录到页

<上一页
1
...
24
25
26
27
28
...
6478
下一页

立创商城为您提供IR二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买IR二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content