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描述

价格(含税)

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600V 20A

型号：SFF2006 编号：C49208348

封装：TO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.7V@20A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 20A 反向电流(Ir) 10uA@600V 反向恢复时间(Trr) 35nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.8819
50+
￥0.8608
150+
￥0.8468

有货

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1kV 1A

型号：1N4007GP-E3/54 编号：C570623

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：超级认证结构，适用于高可靠性应用。无空腔玻璃钝化结。低正向压降。低泄漏电流，典型值 IR 小于 0.1μA。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，时间 10s，符合 JESD 22-B106。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流。用于消费类应用的续流二极管

数据手册

单价：
￥0.9161 / 个

有货

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600V 16A

型号：MURD1660DDFCT 编号：C49208351

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.6V@16A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 16A 反向电流(Ir) 1uA@400V 反向恢复时间(Trr) 35nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

1+
￥1.197 ￥1.26
10+
￥1.1685 ￥1.23
50+
￥1.1495 ￥1.21
100+
￥1.1305 ￥1.19

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH04G65C6XKSA1 编号：C42389299

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），可承受高达650伏特的反向电压（VR），确保了其在高压条件下的稳定表现。该二极管的正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下能够减少电力损耗。反向电流（IR）仅为50微安，体现了出色的绝缘性能。同时，它还拥有23安培的最大正向浪涌电流（IFSM），能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择，适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

1+
￥2.8776 ￥3.27
10+
￥2.816 ￥3.2
50+
￥2.772 ￥3.15
100+
￥2.728 ￥3.1

有货

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耐压:200V 电流:30A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR3020PTS 编号：C22440644

封装：TO-247S

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置 1对共阴极正向压降(Vf) 1V 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 30A 反向电流(Ir) 10uA 反向恢复时间(trr) 35ns 工作温度 -40℃~+150℃@(Tj)

1+
￥3.23 ￥3.4
10+
￥2.5365 ￥2.67
30+
￥2.242 ￥2.36
90+
￥1.8715 ￥1.97
510+
￥1.71 ￥1.8
990+
￥1.6055 ￥1.69

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HTRS4E65FS1Q 编号：C42389189

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，体现了较好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到23安培，意味着它可以应对瞬时电流峰值。适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要紧凑尺寸与高性能表现的应用中。

1+
￥3.2895 ￥3.87
10+
￥3.213 ￥3.78
50+
￥3.162 ￥3.72
100+
￥3.1195 ￥3.67

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：LGE3D10065AF 编号：C51018420

封装：ITO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

商品目录碳化硅二极管；二极管配置独立式；整流电流 10A；正向压降(Vf) 1.7V；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 18uA

1+
￥3.59
10+
￥3.51
50+
￥3.46

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC6H065D 编号：C42389224

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流（IF），并且能够承受650V的最大反向电压（VR），适合用于需要耐受较高电压的应用中。其正向电压（VF）为1.3V，有助于在导通状态下减少能量损失。反向漏电流（IR）限制在50微安，体现了良好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）为48A，使其可以在短时间内应对电流峰值。该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

1+
￥3.8016 ￥4.32
10+
￥3.7136 ￥4.22
50+
￥3.652 ￥4.15
100+
￥3.5992 ￥4.09

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D06065A 编号：C42389282

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在反向偏压下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态电流能力（IFSM/A）可达48安培，适用于高频开关电源及需要高效能转换的应用中，能够在高功率密度要求下保持低能耗特性。

1+
￥3.8456 ￥4.18
10+
￥3.7628 ￥4.09
50+
￥3.6984 ￥4.02
100+
￥3.6432 ￥3.96

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP0665B 编号：C42389190

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A），耐压值为650伏特（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，显示出优良的隔离性能。瞬态正向电流峰值（IFSM/A）为48安培，表明它可以在极端条件下保持稳定。适用于要求高效能与快速响应的电路设计，如高性能开关模式电源转换器等场合。

1+
￥4.2075 ￥4.95
10+
￥4.114 ￥4.84
50+
￥4.0545 ￥4.77
100+
￥3.9865 ￥4.69

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065D 编号：C42389178

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）可达10安培，在反向电压（VR/V）为650伏特的情况下表现出色。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.5伏特，有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在60微安级别，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可承受90安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

1+
￥4.6895 ￥5.65
10+
￥4.5899 ￥5.53
50+
￥4.4405 ￥5.35
100+
￥4.3741 ￥5.27

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP1065A 编号：C42389198

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），确保了在高压环境下的可靠性。其正向压降（VF）仅为1.5V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。反向漏电流（IR）控制在60微安级别，在非导通状态下几乎不消耗能量。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，表明该二极管可以应对短时电流峰值冲击，适用于需要高效率和稳定性的电子电路中。

1+
￥4.9136 ￥5.92
10+
￥4.8057 ￥5.79
50+
￥4.6563 ￥5.61
100+
￥4.5816 ￥5.52

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D08065A 编号：C42389281

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力（IF/A），并支持高达650V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降（VF/V）为1.3V，在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，展示了优异的阻断特性。此外，其瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A，使其能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

1+
￥5.054 ￥7.22
10+
￥4.935 ￥7.05
50+
￥4.858 ￥6.94
100+
￥4.788 ￥6.84

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC4H065BTR 编号：C42389254

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），并能承受最高650伏特的反向电压（VR），适合用于需要可靠高压保护的电路中。其正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下可以减少电力损耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，显示了良好的阻断性能。此外，该二极管还具有36安培的峰值电流能力（IFSM），能够在短时间内承受较高的电流冲击，适用于要求快速开关及高效能的电子设计中。这些特点共同保证了其在多种精密应用中的优异表现。

1+
￥5.3768 ￥6.11
10+
￥4.356 ￥4.95
30+
￥3.8456 ￥4.37
100+
￥3.3352 ￥3.79
500+
￥3.036 ￥3.45
1000+
￥2.8776 ￥3.27

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD0665BF085 编号：C42389210

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持高达650V的反向电压（VR/V），使其适用于高电压要求的电路设计。它拥有低至1.3V的正向压降（VF/V），有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）不超过50微安，表现出优秀的隔离性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可达48A，表明它能够处理瞬间的大电流事件。这些特性使得该元件非常适合用于需要高性能与可靠性的开关电源以及其他对效率要求较高的电子设备中。

1+
￥5.4946 ￥6.62
10+
￥5.3701 ￥6.47
30+
￥5.2871 ￥6.37
100+
￥5.1377 ￥6.19

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP0865B 编号：C42389229

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有出色的电气特性，额定正向电流IF为8安培，反向峰值电压VR高达650伏特。其正向压降VF为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。反向漏电流IR低至50微安，确保在极端条件下的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为64安培，表明该二极管拥有良好的瞬态保护能力。适用于高频开关电源、可再生能源转换系统等复杂电路中，能够有效提升系统的整体表现和可靠性。

1+
￥5.7768 ￥6.96
10+
￥5.6523 ￥6.81
50+
￥5.561 ￥6.7
100+
￥5.478 ￥6.6

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210KG 编号：C42389200

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在同类产品中表现出较低的能量损耗特性。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为250微安，在较高温度下也能保持稳定的性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最大可达71安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的应用环境中，如高频转换电路或通用电源设计中，能够提供卓越的效率与可靠性。

1+
￥5.8696 ￥6.67
10+
￥5.7376 ￥6.52
50+
￥5.6496 ￥6.42
100+
￥5.5616 ￥6.32

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD0665B 编号：C42389191

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。此外，该二极管拥有微安级别的反向漏电流（IR/uA：50），表明其在阻断状态下的电流泄露极小。瞬态条件下，峰值正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要处理瞬时高电流的应用场合。此元件适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，尤其适合高频开关及电源管理领域。

1+
￥6.0168 ￥6.54
10+
￥4.9864 ￥5.42
30+
￥4.4252 ￥4.81
100+
￥3.7904 ￥4.12
500+
￥3.5052 ￥3.81
1000+
￥3.3764 ￥3.67

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSB1065B 编号：C42389234

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过50微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中，可以提供卓越的性能表现。

1+
￥6.336 ￥7.2
10+
￥6.1952 ￥7.04
30+
￥6.0984 ￥6.93
100+
￥6.0016 ￥6.82

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDK10G65C5XTMA2 编号：C42389306

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力，并能承受650伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于提升电路效率。反向漏电流（IR）控制在50微安以内，展现了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培，适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中，如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。

1+
￥6.6385 ￥7.81
10+
￥6.494 ￥7.64
30+
￥6.392 ￥7.52
100+
￥6.29 ￥7.4

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10065D 编号：C42389238

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大整流电流IF/A达到10A，在反向电压VR/V高达650V的情况下，正向电压降VF/V仅为1.5V，表明其能量损耗较低。反向漏电流IR/uA控制在60微安以下，显示了良好的阻断能力。瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A，适用于高频开关及需快速响应的应用场景中，能有效提升电路效率并减少热损耗。此款二极管凭借其优异性能，适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。

1+
￥6.669 ￥7.41
10+
￥5.535 ￥6.15
50+
￥4.905 ￥5.45
100+
￥4.194 ￥4.66
500+
￥3.879 ￥4.31
1000+
￥3.744 ￥4.16

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10065A 编号：C42389285

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的额定正向电流（IF/A），同时支持高达650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压保护的场合。其正向电压（VF/V）为1.5V，有助于减少导通时的能量损失。在反向偏置下，漏电流（IR/uA）控制在60微安以下，体现了出色的绝缘性能。瞬态峰值电流能力（IFSM/A）为90A，可有效应对突发的大电流需求。鉴于这些特性，此二极管适用于构建要求高效能及可靠性的电子设备，如高性能的开关模式电源转换器以及其他注重功率管理的设计。

1+
￥6.6704 ￥7.58
10+
￥5.5352 ￥6.29
50+
￥4.9104 ￥5.58
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￥4.1976 ￥4.77
500+
￥3.8808 ￥4.41
1000+
￥3.74 ￥4.25

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD1065A 编号：C42389193

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有10安培的最大正向电流（IF/A），以及650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适用于要求严苛的高压应用。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效减少导通时的功耗。二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR/uA）为50微安，表现出良好的隔离性能。该元件还支持高达80安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在突发高电流条件下的可靠性。鉴于其高性能指标，此类二极管是构建高效能开关模式电源供应器及电源转换模块的理想选择，有助于增强系统稳定性并优化能耗。

1+
￥7.0301 ￥8.47
10+
￥6.8724 ￥8.28
30+
￥6.7645 ￥8.15
100+
￥6.5819 ￥7.93

有货

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HFFSB1065A

型号：HFFSB1065A 编号：C42389260

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为50微安，在高电压环境下也能保持良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

1+
￥7.293 ￥8.58
10+
￥7.123 ￥8.38
30+
￥7.0125 ￥8.25
100+
￥6.817 ￥8.02

有货

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HWNSC051200Q

型号：HWNSC051200Q 编号：C42389286

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），且能够承受最高1200V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低能耗。在室温条件下，反向漏电流（IR/uA）不超过150微安，显示出良好的阻断性能。此外，该二极管可以承受高达46A的瞬态浪涌电流（IFSM/A），使其成为需要处理短暂高电流脉冲应用场景的理想选择。基于这些特性，它非常适合用于要求高效率和高可靠性的开关电源以及其他对电压稳定性有严格要求的领域。

1+
￥7.3621 ￥8.87
10+
￥7.1961 ￥8.67
50+
￥6.9969 ￥8.43
100+
￥6.889 ￥8.3

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH08G120C5XKSA1 编号：C42389303

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有8A的最大正向电流（IF），并在高达1200V的反向电压（VR）下保持稳定。其正向电压（VF）为1.5V，有助于减少导通时的电力损耗。在反向测试中，漏电流（IR）为250μA，展示了优异的隔离性能。此外，瞬态正向电流（IFSM）可达64A，表明其具有强大的抗短时电流冲击能力。适用于高频PWM变换器、不间断电源系统等需要高性能和可靠性的场合。

1+
￥7.3787 ￥8.89
10+
￥7.2127 ￥8.69
50+
￥7.0218 ￥8.46
100+
￥6.9056 ￥8.32

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD1065BF085 编号：C42389212

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。在其正向导通状态下的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，有助于减少能量损耗。此外，该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流（IR/uA：50），表明其拥有良好的阻断性能。峰值瞬态电流（IFSM/A）可达80安培，适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中，确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。

1+
￥7.4451 ￥8.97
10+
￥7.2791 ￥8.77
30+
￥7.1629 ￥8.63
100+
￥6.9637 ￥8.39

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BYTR 编号：C42389308

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF），能够承载较高的电流负载，同时保持650V的反向击穿电压（VR），确保了在高压环境下的稳定性。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。反向漏电流（IR）限制在50微安，使得设备在非导通状态时几乎不消耗电能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达80A，表明它可以在短时间内承受电流尖峰而不损坏。这些特性使其非常适合用于要求高效转换和可靠性的高性能电路中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC2H12BTR1 编号：C42389310

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2安培的最大正向电流（IF/A）和高达1200伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过8微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达24安培，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC5H12D 编号：C42389240

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有5A的最大整流电流IF/A，并能在高达1200V的反向电压VR/V环境下可靠运行。其正向电压降VF/V仅为1.4V，表明其在导通状态下具有较低的能量损耗。反向漏电流IR/uA控制在150微安以内，展现了良好的绝缘性能。瞬态峰值电流IFSM/A为46A，适用于需要快速开关特性的电路中，可以有效提升电力转换效率，减少热量产生，适用于多种需要高性能与低功耗的电子设备中。

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