IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MUR3040FCT 编号：C49208350

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.3V@30A 直流反向耐压(Vr) 400V 整流电流 30A 反向电流(Ir) 1uA@400V 反向恢复时间(Trr) 30nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

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￥1.463 ￥1.54
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￥1.4345 ￥1.51
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￥1.406 ￥1.48
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￥1.387 ￥1.46

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型号：MBR2040CT 编号：C27975278

封装：TO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；二极管配置 1对共阴极；正向压降(Vf) 700mV@10A；直流反向耐压(Vr) 40V；平均整流电流(Io) 20A；反向电流(Ir) 100uA@40V

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￥1.6895
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￥1.3267
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￥1.1711

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型号：WNS20S100CQ-HXY 编号：C52754649

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在保证高效导通的同时降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，具备优异的反向阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对电流承载能力和稳定性要求较高的电源整流及高频开关应用场景。

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￥1.8525 ￥1.95
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￥1.8145 ￥1.91
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￥1.786 ￥1.88
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￥1.7575 ￥1.85

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型号：MBR20200CTF-G1-HXY 编号：C52754673

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备20A的平均正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.2V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，确保良好的关断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。

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￥1.976 ￥2.08
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￥1.938 ￥2.04
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￥1.9095 ￥2.01
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￥1.881 ￥1.98

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型号：MUR3060FCT 编号：C49208353

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.6V@30A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 30A 反向电流(Ir) 1uA@600V 反向恢复时间(Trr) 35nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

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￥2.0045 ￥2.11
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￥1.957 ￥2.06
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.8905 ￥1.99

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型号：STPS30H100CT-HXY 编号：C52754657

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流与续流场景，常见于开关电源、逆变器及高频转换电路中。

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￥2.223 ￥2.34
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￥2.1755 ￥2.29
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￥2.147 ￥2.26
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￥2.109 ￥2.22

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型号：SBCT1090-HXY 编号：C52754702

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）为0.77V，在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受120A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率电源整流、开关模式电源输出级以及对热稳定性要求较高的低压大电流应用场景。

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￥2.5935 ￥2.73
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￥2.5365 ￥2.67
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￥2.4985 ￥2.63
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￥2.4605 ￥2.59

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型号：SBCT1040-HXY 编号：C52754701

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达45V。其正向压降（VF）低至0.52V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达120A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥2.5935 ￥2.73
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型号：HSTPSC4H065D 编号：C42389208

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF/A）和650V的反向电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.3V，在保证性能的同时降低了能耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，显示出良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达23A，适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于多种电路保护及高效能转换场景中。

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￥2.8888 ￥3.14
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￥2.8244 ￥3.07
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￥2.7784 ￥3.02
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￥2.7416 ￥2.98

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型号：1N4004GP-E3/54 编号：C5357978

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：超整流器结构，适用于高可靠性应用。无腔玻璃钝化结。低正向压降。低泄漏电流，典型 IR 小于 0.1 μA。高正向浪涌能力。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。消费类应用的续流二极管

数据手册

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￥4.7
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￥3.83
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￥3.4

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型号：MBR60200CT 编号：C49009625

封装：TO-247AB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 0.90V@30A；直流反向耐压(Vr) 200V；整流电流 60A；反向电流(Ir) 0.05uA

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￥4.92
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￥4.81
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￥4.74

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型号：VS30CTQ100HN3-HXY 编号：C52754692

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的输出级电路中。

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￥5.415 ￥5.7
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￥5.2915 ￥5.57
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￥5.2155 ￥5.49
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￥5.13 ￥5.4

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型号：HC6D04065A 编号：C42389283

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A）承载能力，同时能够承受最大650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，确保了高效的能量转换效率。在反向应用中，该二极管的漏电流（IR/uA）不超过50微安，表明其具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）为23安培，使其成为高频开关应用中的理想选择，特别适合于需要快速开关且维持低功耗操作的场合。

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￥5.6025 ￥6.75
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￥4.6563 ￥5.61
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￥4.1417 ￥4.99
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￥3.5026 ￥4.22
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￥3.237 ￥3.9
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￥3.1208 ￥3.76

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型号：HSTPSC10H065GTR 编号：C42389194

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压（VR/V）为650V，提供了可靠的耐压性能，适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外，它拥有50微安的反向漏电流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有较低的漏电，增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流（IFSM/A）可以达到80A，使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。

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￥7.524 ￥8.55
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￥7.3568 ￥8.36
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￥7.2424 ￥8.23
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￥7.128 ￥8.1

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型号：HIDH10G120C5 编号：C42389219

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有卓越的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为10A，能够承受高达1200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，仅需1.35V的正向电压（VF/V），表现出优异的能效比。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安以下，确保了在高电压下的可靠运行。瞬态峰值电流（IFSM/A）为71A，使其成为高频开关电源的理想选择，有助于提升电子装置的能量转换效率与整体性能稳定性。适用于需要快速开关特性的电路设计中。

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￥9.1885 ￥10.81
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￥8.9845 ￥10.57
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￥8.84 ￥10.4
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￥8.704 ￥10.24

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型号：HC6D20065A 编号：C42389284

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管设计有20安培的最大正向电流（IF/A），并能承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少能量损耗。在反向状态下，漏电流（IR/uA）为100微安，显示了较好的绝缘性能。此外，它支持高达123安培的瞬态正向电流（IFSM/A），适用于需要快速切换与稳定性能的高频电路中，可有效提升系统的整体效率。

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￥10.5512 ￥11.99
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￥10.3136 ￥11.72
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￥10.032 ￥11.4
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￥9.8736 ￥11.22

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型号：HIDH20G120C5 编号：C42389223

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF）承载能力，同时支持高达1200V的反向电压（VR），确保了在高压条件下的可靠操作。其正向电压（VF）为1.5V，有助于降低导通时的能耗。二极管的反向漏电流（IR）维持在200微安以下，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可承受130A，使得该组件能够在面临瞬间电流冲击的情况下保持稳定。适用于要求快速开关动作和低功耗损耗的电路解决方案中。

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￥10.7355 ￥12.63
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￥10.489 ￥12.34
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￥10.3275 ￥12.15
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￥10.166 ￥11.96

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型号：HTRS16N65FBS1Q 编号：C42389295

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），同时拥有650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压和稳定电流的场合。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为24微安，表明其在阻断状态下的性能优异。此外，该二极管可以承受高达65A的峰值电流（IFSM/A），使其成为高频开关电源及其他需要高效率与可靠性的电路设计中的理想选择。

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￥11.1672 ￥12.69
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￥10.912 ￥12.4
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￥10.7448 ￥12.21
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￥10.5688 ￥12.01

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型号：HIDK12G65C5 编号：C42389214

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保高效能的同时降低了功耗。反向漏电流（IR/uA）为50微安，体现了优异的绝缘特性。该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流（IFSM/A），适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合，能有效提升系统的整体效率与可靠性。

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￥11.6952 ￥13.29
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￥9.944 ￥11.3
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￥8.8528 ￥10.06
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￥7.6384 ￥8.68
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￥7.1368 ￥8.11
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￥6.9168 ￥7.86

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型号：HSCS220AE2C 编号：C42389227

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流（IF/A），并在650V的反向电压（VR/V）下提供稳定的阻断能力。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的电力损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为40微安，保证了在非导通状态下的低功耗表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达150A，使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件，适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。

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￥17.556 ￥19.95
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￥14.9248 ￥16.96
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￥13.1472 ￥14.94
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￥11.4664 ￥13.03
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￥10.7008 ￥12.16
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￥10.3752 ￥11.79

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型号：FFSPF1065A-HXY 编号：C45896868

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计，提供10A的正向电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗，提高效率。该元件在非导通状态下的反向漏电流(IR)仅为50uA，保证了低功耗操作。此外，它还能承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强了设备应对瞬时过载的能力。此二极管适用于需要高效率和稳定性的电力电子系统中，如电源转换器和再生能源系统。

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￥18.693 ￥20.77
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￥16.038 ￥17.82
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￥14.463 ￥16.07
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￥12.87 ￥14.3
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￥12.132 ￥13.48
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￥11.799 ￥13.11

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型号：HSTPSC20065W 编号：C42389195

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为650V碳化硅二极管，采用高性能碳化硅材料制成，具备优异的热稳定性和导电效率。其额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）可达650V，适用于高频率、高效率的功率转换场景。在实际工作中，该器件展现出低正向压降（VF=1.35V）和极低的反向漏电流（IR=10μA），有效降低能量损耗并提升系统整体能效。同时，其非重复性峰值浪涌电流（IFSM）可承受高达150A，增强了对异常工况的适应能力，适合用于电源适配器、充电设备及高效能电力电子装置中。

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￥21.384 ￥24.3
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￥18.348 ￥20.85
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￥16.544 ￥18.8
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￥14.7224 ￥16.73
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￥13.8776 ￥15.77
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￥13.4992 ￥15.34

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型号：HNDSH10170A 编号：C42389237

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1700伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压隔离的应用。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少功耗。二极管在反向偏置状态下的漏电流（IR/uA）仅为60微安，保证了良好的阻断效果。瞬态条件下，它能够承受55安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了应对短时电流冲击的能力。这些特性使得该二极管适用于高频率开关电路以及其他注重效率和可靠性的场合。

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￥29.9024 ￥33.98
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￥29.216 ￥33.2
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￥28.7584 ￥32.68
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￥28.3096 ￥32.17

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型号：HIDW40G120C5B 编号：C42389222

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF）承载能力，以及1200伏特的反向击穿电压（VR），表明其可以在高压和大电流条件下可靠运作。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。反向漏电流（IR）控制在200微安，这保证了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态正向电流（IFSM）可达130安培，意味着它可以在短时间内处理电流尖峰。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高性能整流和高效率转换的电路设计中。

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￥49.1128 ￥55.81
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￥42.372 ￥48.15
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￥38.2624 ￥43.48
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￥34.8216 ￥39.57

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型号：HIDW20G120C5B 编号：C42389220

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管提供稳定的电气性能，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。正向电压降（VF/V）为1.5V，有助于降低能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，确保在高压环境下工作时的可靠性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为71A，适用于需要高耐压和大电流的应用场景，如高性能开关模式电源设计，能够显著提升系统的响应速度和效率。

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￥60.51
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￥52.21
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￥47.14

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型号：DCG160X650NA-HXY 编号：C53133701

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件具备600A的非重复浪涌正向电流能力（IFSM），可在高电流瞬态条件下保持可靠运行。其低导通损耗与优异的高频特性，使其适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及高功率密度应用场景。