IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C27S 编号：C53373682

封装：SOT-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.074493 ￥0.0801
500+
￥0.058497 ￥0.0629
3000+
￥0.049569 ￥0.0533
6000+
￥0.044175 ￥0.0475
24000+
￥0.039525 ￥0.0425
51000+
￥0.037014 ￥0.0398

有货

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型号：BZT52C10S 编号：C53373677

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.074493 ￥0.0801
500+
￥0.058497 ￥0.0629
3000+
￥0.049569 ￥0.0533
6000+
￥0.044175 ￥0.0475
24000+
￥0.039525 ￥0.0425
51000+
￥0.037014 ￥0.0398

有货

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型号：BZT52C12S 编号：C53373678

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.074493 ￥0.0801
500+
￥0.058497 ￥0.0629
3000+
￥0.049569 ￥0.0533
6000+
￥0.044175 ￥0.0475
24000+
￥0.039525 ￥0.0425
51000+
￥0.037014 ￥0.0398

有货

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型号：BZT52C4V7S 编号：C53373673

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.074493 ￥0.0801
500+
￥0.058497 ￥0.0629
3000+
￥0.049569 ￥0.0533
6000+
￥0.044175 ￥0.0475
24000+
￥0.039525 ￥0.0425
51000+
￥0.037014 ￥0.0398

有货

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型号：BZT52C15S 编号：C53373680

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.074493 ￥0.0801
500+
￥0.058497 ￥0.0629
3000+
￥0.049569 ￥0.0533
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￥0.044175 ￥0.0475
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￥0.039525 ￥0.0425
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￥0.037014 ￥0.0398

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型号：BZT52C5V6S 编号：C53373674

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.074493 ￥0.0801
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￥0.058497 ￥0.0629
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￥0.049569 ￥0.0533
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￥0.039525 ￥0.0425
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￥0.037014 ￥0.0398

有货

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型号：BZT52C2V7S 编号：C53373671

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.079236 ￥0.0852
500+
￥0.062124 ￥0.0668
3000+
￥0.052638 ￥0.0566
6000+
￥0.046965 ￥0.0505
24000+
￥0.042036 ￥0.0452
51000+
￥0.039339 ￥0.0423

有货

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型号：BZT52C3V9S 编号：C53373672

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.079236 ￥0.0852
500+
￥0.062124 ￥0.0668
3000+
￥0.052638 ￥0.0566
6000+
￥0.046965 ￥0.0505
24000+
￥0.042036 ￥0.0452
51000+
￥0.039339 ￥0.0423

有货

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型号：1SMA4753A 编号：C23066828

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

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型号：SS34-SMAF 编号：C5464724

封装：SMAF

品牌：SY(顺烨)

肖特基二极管二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@3A 直流反向耐压(Vr)：40V 反向电流(Ir)：500μA@40V

20+
￥0.2419
200+
￥0.1884
600+
￥0.1587
3000+
￥0.1409
9000+
￥0.1255
21000+
￥0.1171

有货

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型号：1SMB5920B 编号：C22438309

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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型号：1SMB5921B 编号：C23066841

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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型号：STTH2R06A-HXY 编号：C53467914

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出较低的导通损耗与优异的反向阻断性能。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为50A，适用于高频整流、开关电源及对恢复时间敏感的电力电子电路，在保障系统稳定运行的同时有效提升能量转换效率。

5+
￥0.398335 ￥0.4193
50+
￥0.389595 ￥0.4101
150+
￥0.383705 ￥0.4039
500+
￥0.37791 ￥0.3978

有货

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型号：STTH2R06U-HXY 编号：C53467913

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至5μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等场景，能够在维持高效运行的同时有效抑制反向恢复损耗。

5+
￥0.448115 ￥0.4717
50+
￥0.438235 ￥0.4613
150+
￥0.43168 ￥0.4544
500+
￥0.425125 ￥0.4475

有货

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型号：NSF03B60-HXY 编号：C53467935

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至10μA，体现出良好的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A，适用于高频开关电源、AC-DC或DC-DC转换器以及对恢复速度和能效有较高要求的整流应用。

5+
￥0.470535 ￥0.4953
50+
￥0.46018 ￥0.4844
150+
￥0.45334 ￥0.4772
500+
￥0.446405 ￥0.4699

有货

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型号：NRVHP260SFT3G-HXY 编号：C53467916

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至5μA，展现出良好的导通效率与阻断能力。其非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）达30A，适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效有较高要求的电子系统中，可在紧凑设计下维持稳定运行。

5+
￥0.722 ￥0.76
50+
￥0.706135 ￥0.7433
150+
￥0.695495 ￥0.7321
500+
￥0.68495 ￥0.721

有货

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型号：USB260-E3/5BT-HXY 编号：C53467924

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V。其正向压降（VF）为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的导通效率与阻断能力。器件的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）为60A，适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效要求较高的电力电子电路中，可有效支持系统稳定运行。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
150+
￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：USB260HE3/5BT-HXY 编号：C53467925

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V。其正向压降（VF）为1.7V，在导通状态下具备较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场景，能够在频繁开关操作中维持稳定性能。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
150+
￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：USB260-M3/5BT-HXY 编号：C53467921

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出较低的导通损耗与优异的阻断能力。其峰值正向浪涌电流（IFSM）达60A，适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与效率有较高要求的电子电路，在快速开关过程中保持稳定可靠的性能表现。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
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￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：USB260HE3/52T-HXY 编号：C53467927

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至5μA，表明在阻断状态下具有良好的绝缘性能。器件可承受60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流模块及对恢复速度和能效要求较高的电力电子电路，在频繁开关操作中保持可靠性能。

5+
￥0.784225 ￥0.8255
50+
￥0.766935 ￥0.8073
150+
￥0.75544 ￥0.7952
500+
￥0.743945 ￥0.7831

有货

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型号：HRS3MB13F 编号：C42402115

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，额定正向电流IF为3A，反向耐压VR为1000V，适用于对电流承载能力和电压阻断要求较高的电路环境。导通时正向压降VF仅为1.3V，有助于降低功耗并提升系统效率；反向漏电流IR控制在5μA以内，确保良好的稳定性和可靠性。器件具备优异的抗冲击能力，最大非重复正向浪涌电流IFSM可达90A，可有效应对瞬态过载情况。该二极管常用于电源整流、高频变换器及开关电源等应用场景，满足高效能、高稳定性需求的电路设计。

5+
￥0.81464 ￥1.0183
50+
￥0.64368 ￥0.8046
150+
￥0.5704 ￥0.713
500+
￥0.47896 ￥0.5987
3000+
￥0.4196 ￥0.5245
6000+
￥0.3952 ￥0.494

有货

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型号：HUS2MA 编号：C42402121

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有2安培的最大正向电流（IF），能够承受高达1000伏特的反向电压（VR），且其正向电压降（VF）仅为1.1伏特。在反向状态下，其漏电流（IR）不大于5微安。此外，该二极管可以承受最高50安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM）。这些特性使得它非常适合应用于需要高效整流或保护电路免受电压尖峰损害的场合，同时也适用于信号处理中的检波和限幅等基础用途。

5+
￥0.81848 ￥1.0231
50+
￥0.64272 ￥0.8034
150+
￥0.56736 ￥0.7092
500+
￥0.47336 ￥0.5917
2000+
￥0.43152 ￥0.5394
4000+
￥0.4064 ￥0.508

有货

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型号：USB260-M3/52T-HXY 编号：C53467917

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，具备低损耗与高耐压特性。其非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达60A，适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与能效要求较高的电子电路，在紧凑型设计中可提供稳定可靠的性能表现。

5+
￥0.84645 ￥0.891
50+
￥0.82783 ￥0.8714
150+
￥0.815385 ￥0.8583
500+
￥0.803035 ￥0.8453

有货

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型号：USB260HM3/52T-HXY 编号：C53467915

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至5μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达60A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等应用场景，能够在高频工作条件下保持稳定可靠的性能表现。

5+
￥0.87134 ￥0.9172
50+
￥0.85215 ￥0.897
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￥0.83942 ￥0.8836
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￥0.826595 ￥0.8701

有货

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型号：USB260-E3/52T-HXY 编号：C53467926

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管为独立式结构，具有2A的正向电流（IF）和600V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对恢复时间和效率有较高要求的开关电源、AC-DC整流及高频逆变等电路中，确保在动态负载条件下稳定运行。

5+
￥0.933565 ￥0.9827
50+
￥0.913045 ￥0.9611
150+
￥0.899365 ￥0.9467
500+
￥0.885685 ￥0.9323

有货

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型号：USB260HM3/5BT-HXY 编号：C53467922

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V。其正向压降（VF）典型值为1.7V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合。

5+
￥0.99579 ￥1.0482
50+
￥0.97394 ￥1.0252
150+
￥0.95931 ￥1.0098
500+
￥0.94468 ￥0.9944

有货

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型号：VS3EGH06-M3/5BT-HXY 编号：C53467933

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向重复电压（VR）。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明在阻断状态下具备优异的绝缘性能。器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及对恢复特性要求较高的电力电子应用场合。

5+
￥1.058015 ￥1.1137
50+
￥1.03474 ￥1.0892
150+
￥1.019255 ￥1.0729
500+
￥1.00377 ￥1.0566

有货

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型号：MUR1040CT 编号：C49296790

封装：TO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

商品目录快恢复/高效率二极管;正向压降(Vf) 1.15V;直流反向耐压(Vr) 400V;整流电流 10A;反向电流(Ir) 100nA;反向恢复时间(Trr) 35ns

5+
￥1.2447
50+
￥1.2174
150+
￥1.1991

有货

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型号：RFN2LB6STBR1-HXY 编号：C53468103

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至5μA，在非重复浪涌条件下可承受高达60A的峰值正向电流（IFSM）。器件具备快速恢复特性，有效降低开关过程中的能量损耗，适用于对转换效率和动态响应有较高要求的电源及整流电路。

5+
￥1.254 ￥1.32
50+
￥1.2255 ￥1.29
150+
￥1.2065 ￥1.27
500+
￥1.1875 ￥1.25

有货

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型号：RFN3LB6STBR1-HXY 编号：C53468104

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，在非重复浪涌条件下可承受高达80A的峰值正向电流（IFSM）。器件具备快速反向恢复特性，有助于减少开关损耗并提升系统效率，适用于对高频整流和能量转换性能要求较高的电源拓扑结构。

5+
￥1.254 ￥1.32
50+
￥1.2255 ￥1.29
150+
￥1.2065 ￥1.27
500+
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