IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220F

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR达200V，正向压降VF典型值为1.1V，反向漏电流IR不超过100μA，具备优异的导通特性与低损耗表现。其峰值正向浪涌电流IFSM高达350A，适用于对高效率和高可靠性有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频逆变器等电路场合，能够有效提升系统能效并保障稳定运行。

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￥3.6955 ￥3.89
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型号：VF20202G-M3/4W-HXY 编号：C52754674

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在最大反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达175A。此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路，有助于提升效率并简化PCB布局。

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￥3.7335 ￥3.93

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型号：VF20150C-M3/4W-HXY 编号：C52754671

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为1.1V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率与瞬态耐受能力有较高要求的整流及续流场合。

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型号：MBR2545CTG-HXY 编号：C52754695

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.48V，有助于降低导通损耗，同时反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。

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型号：VS30CTQ045-M3-HXY 编号：C52754697

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.48V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高效率整流、开关电源及需要低电压降与高瞬态电流耐受能力的电子电路中。

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型号：DSTF20150CR-HXY 编号：C52754670

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达150V。其正向压降（VF）典型值为1.1V，在较高耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）为100μA，表现出稳定的反向阻断能力。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高可靠性电源整流、多路输出拓扑结构以及对瞬态电流耐受性要求较高的电子设备中。

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型号：HC6D04065E 编号：C42389271

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流（IF/A），能承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下，其漏电流（IR/uA）不超过50微安，显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流（IFSM/A），能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中，如高频开关电源转换和逆变技术等领域。

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型号：HNXPSC04650D6J 编号：C42389307

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向击穿电压（VR），能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，在非导通状态下确保了低功耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达36A，适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。

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型号：MBR30H100CTG-HXY 编号：C52754691

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在高电流应用中可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出合理的反向阻断能力。器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）耐受能力，适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。

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￥5.168 ￥5.44
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型号：HC6D06065E 编号：C42389270

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在确保高效导电的同时，有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，表明其在关闭状态下的漏电极低。此外，它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

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型号：V20202G-M3/4W-HXY 编号：C52754651

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）为0.92V，在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用；反向漏电流（IR）为20μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。

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型号：HFFSD0665A 编号：C42389257

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A），并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V，且在反向状态下，其漏电流（IR/uA）保持在50μA。该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。

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型号：RB225T100-HXY 编号：C52754680

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.82V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。

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￥4.6645 ￥4.91

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型号：VF30100C-M3/4W-HXY 编号：C52754679

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR为100V。其典型正向压降VF为0.82V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为100μA，体现出良好的阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。

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型号：VS30CTQ040HN3-HXY 编号：C52754694

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，具备30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.48V，有效降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为40μA，展现出良好的反向截止特性。器件能承受高达280A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率整流、开关电源输出以及对热性能和能效要求较高的各类电子系统中。

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￥8.797 ￥9.26
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￥5.016 ￥5.28

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型号：MBR3040FCTE3/TU-HXY 编号：C52754693

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定平均正向电流（IF）为30A，反向重复峰值电压（VR）为45V。其正向压降（VF）低至0.48V，有助于减少导通损耗并提升系统效率；反向漏电流（IR）仅为40μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达280A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率电源整流、开关电源输出级以及各类需要低损耗和高可靠性的电子电路中。

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￥9.8135 ￥10.33
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￥5.5955 ￥5.89

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型号：HC4D10120E 编号：C42389275

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压和大电流场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。反向漏电流（IR/uA）为100微安，显示了良好的阻断能力。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到90A，表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值，适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

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￥9.9968 ￥11.36

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型号：HIDW10G120C5B 编号：C42389314

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下稳定工作。其较低的正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下展示出良好的绝缘性能，漏电流（IR/uA）不超过150微安。此外，瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达46安培，表明了其在承受短时过载电流方面的能力。这些特性使得此元件适用于需要高效率及可靠性的多种电路设计中。

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￥19.7912 ￥22.49
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￥12.848 ￥14.6
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￥12.496 ￥14.2

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型号：HNXPSC20650W6Q 编号：C42389277

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求严苛的电流处理需求。其额定反向电压（VR/V）为650V，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于减少导通损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR/uA）控制在40微安水平，表明其拥有良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达到150A，使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择，适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。