IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMC

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向电压为40V。其正向压降低至0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流仅为0.1μA，体现出优异的反向阻断能力。凭借较低的VF与极小的IR，该器件适用于高效率电源转换、高频整流以及对能耗和热管理要求较高的电子设备中，能够支持系统稳定、高效运行。

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型号：UG8JTHE3/45-HXY 编号：C53468086

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，体现出良好的导通性能与关断特性。器件的非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A，适用于高频整流、开关电源及逆变类电路，在对恢复速度和能效有较高要求的电子设备中可提供稳定可靠的运行表现。

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型号：LXA10T600-HXY 编号：C53468156

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，凭借碳化硅材料特性，在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。

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型号：STTH806D-HXY 编号：C53468090

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为600V，典型正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，在瞬态条件下可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其快速恢复特性与较低的导通压降有助于减少开关损耗，适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流应用。

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型号：HSM390JE3/TR13-HXY 编号：C53262800

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达90V。其典型正向压降（VF）为0.74V，在导通状态下可有效降低功率损耗；反向漏电流（IR）为200μA，体现出良好的反向截止性能。该器件适用于高频整流、开关电源次级侧输出、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中，能够稳定支持持续负载运行。

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型号：HSTPSC4H065D 编号：C42389208

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF/A）和650V的反向电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.3V，在保证性能的同时降低了能耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，显示出良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达23A，适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于多种电路保护及高效能转换场景中。

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型号：RB088BM100TL-HXY 编号：C52754561

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为10A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。

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型号：HSM560JE3/TR13-HXY 编号：C52988733

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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型号：VF30200C-E3/4W-HXY 编号：C52754681

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR达200V，正向压降VF典型值为1.1V，反向漏电流IR不超过100μA，具备优异的导通特性与低损耗表现。其峰值正向浪涌电流IFSM高达350A，适用于对高效率和高可靠性有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频逆变器等电路场合，能够有效提升系统能效并保障稳定运行。

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型号：RB218T100NZC9-HXY 编号：C53262809

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在保证高效导通的同时降低功耗；反向漏电流（IR）仅为100μA，有助于提升系统能效与稳定性。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达175A，适用于对可靠性与效率要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。

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型号：VF20150C-M3/4W-HXY 编号：C52754671

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为1.1V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率与瞬态耐受能力有较高要求的整流及续流场合。

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型号：VS30CTQ045-M3-HXY 编号：C52754697

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.48V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高效率整流、开关电源及需要低电压降与高瞬态电流耐受能力的电子电路中。

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型号：DSTF20150CR-HXY 编号：C52754670

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达150V。其正向压降（VF）典型值为1.1V，在较高耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）为100μA，表现出稳定的反向阻断能力。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高可靠性电源整流、多路输出拓扑结构以及对瞬态电流耐受性要求较高的电子设备中。

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型号：HIDM02G120C5 编号：C42389291

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF），并支持高达1200V的反向电压（VR），适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压（VF）为1.4V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR）仅为8微安，在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。瞬态正向电流能力（IFSM）为24A，使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。

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型号：RB225T100-HXY 编号：C52754680

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.82V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。

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型号：MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY 编号：C53262830

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR为45V，正向压降VF低至0.65V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR控制在100μA以内，具备良好的阻断特性。其峰值正向浪涌电流IFSM达200A，适用于高效率电源整流、低压大电流输出的开关电源、电池供电系统及各类高频电力转换电路，能够有效提升整体能效与运行稳定性。

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型号：VS30CTQ040HN3-HXY 编号：C52754694

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，具备30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.48V，有效降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为40μA，展现出良好的反向截止特性。器件能承受高达280A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率整流、开关电源输出以及对热性能和能效要求较高的各类电子系统中。

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型号：V20202G-M3/4W-HXY 编号：C52754651

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）为0.92V，在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用；反向漏电流（IR）为20μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。

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型号：MBR3040FCTE3/TU-HXY 编号：C52754693

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定平均正向电流（IF）为30A，反向重复峰值电压（VR）为45V。其正向压降（VF）低至0.48V，有助于减少导通损耗并提升系统效率；反向漏电流（IR）仅为40μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达280A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率电源整流、开关电源输出级以及各类需要低损耗和高可靠性的电子电路中。

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型号：PSC1065H-QJ-HXY 编号：C53468134

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）仅为50μA，表现出低导通损耗与优异的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在提升能效的同时有助于减小散热设计负担。

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型号：HSCS215KGC17 编号：C42389206

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备15A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V），适合用于高电压需求的场合。其正向电压（VF/V）为1.27V，有助于减少工作时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为200微安，在非导通状态下提供良好的隔离性。瞬态峰值电流（IFSM/A）为100A，意味着它可以承受短时间内的电流冲击，增强了其在不稳定条件下的可靠性。这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。

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型号：APT15D60KG-HXY 编号：C53468159

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该独立式快恢复二极管的正向平均电流（IF）为15A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，且能承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。其快恢复特性有助于减少开关过程中的反向恢复损耗，适用于高频整流和续流场合。该器件常用于开关电源、适配器及各类消费电子设备中的高效能量转换电路。

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型号：DSC06065D1-HXY 编号：C53468016

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的阻断特性与导通效率。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力为48A，适用于高频、高效率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景，在提升系统整体能效的同时，有效降低热管理负担。

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型号：HIDH20G65C5XKSA2 编号：C42389300

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供20安培的正向电流（IF），并支持最高650伏特的反向电压（VR），适用于需要处理较高电压的应用场景。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR）维持在100微安水平，显示了良好的阻隔能力。此外，该二极管可以承受高达123安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了在非稳态条件下的耐用性。这些技术规格使其成为高频开关和其他需要快速响应与低损耗电子装置的理想组件。

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型号：HNXPSC20650W6Q 编号：C42389277

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求严苛的电流处理需求。其额定反向电压（VR/V）为650V，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于减少导通损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR/uA）控制在40微安水平，表明其拥有良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达到150A，使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择，适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。

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型号：LFUSCD10065A-HXY 编号：C53468113

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A。其低漏电流与较高浪涌能力相结合，适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效电能转换系统，在保障可靠运行的同时有助于降低导通损耗与热管理复杂度。

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型号：HIDWD20G120C5XKSA1 编号：C42389221

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流（IR）为200微安，在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达130安培，适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中，如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。

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型号：HSCS230AE2GC11 编号：C42389293

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达32A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备250A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。