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电压:40V 电流:2A

型号：HSS24T3G 编号：C42389398

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款肖特基二极管提供2A的正向电流（IF）承载能力与40V的反向电压（VR）耐受度，适用于各种消费电子产品中的高速整流需求。其正向电压降（VF）仅为0.55V，有助于减少能量损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，该二极管展示出500微安（IR）的漏电流特性。此外，它还能承受高达50A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为应对突发电流冲击的理想选择。

5+
￥0.50632 ￥0.6329
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￥0.4952 ￥0.619
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￥0.48776 ￥0.6097
500+
￥0.48032 ￥0.6004

有货

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电压:100V 电流:2A

型号：HSS210E352T 编号：C42389400

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的额定电流（IF）和100V的最大反向电压（VR），适用于需要高效能与稳定性的电路设计中。其正向电压降（VF）仅为0.85V，在确保效率的同时减少了功耗。二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示出良好的阻断性能。瞬态大电流处理能力（IFSM）高达50A，使其能够在短时间内承受电流峰值而不损坏，适合于要求高可靠性的开关电源及其它消费电子产品中的整流或保护电路应用。

5+
￥0.51888 ￥0.6486
50+
￥0.50744 ￥0.6343
150+
￥0.49984 ￥0.6248
500+
￥0.49224 ￥0.6153

有货

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耐压:400V 电流:1A 反向恢复时间：50ns

型号：HUS1GE35AT 编号：C42389406

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管具备高效率特点，额定最大平均正向电流（IF）为1A，可承受的最高反向电压（VR）为400V。当处于正向导通状态时，其电压降（VF）为1.3V，有助于保持较高的转换效率。反向漏电流（IR）维持在较低水平，仅为5μA，同时支持瞬态大电流（IFSM）30A的冲击。该二极管适用于要求严苛的高频切换电路及需要快速恢复时间的应用场合。

5+
￥0.535744 ￥0.6088
50+
￥0.523952 ￥0.5954
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￥0.51612 ￥0.5865
500+
￥0.5082 ￥0.5775

有货

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STPS3L40S-HXY

型号：STPS3L40S-HXY 编号：C52988719

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、适配器及各类低压电子系统中。

5+
￥0.56012 ￥0.5896
50+
￥0.547865 ￥0.5767
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￥0.5396 ￥0.568
500+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:10uA@2V

型号：HZM4734AGS08 编号：C42389432

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备5.6V的稳定电压，其正向电压降为1.2V，确保了在正向导通时的低能耗特性。它允许的最大正向平均电流（IF）为0.2A，并且在反向偏置条件下，反向漏电流（IR）不超过10μA，体现了优异的隔离性能。该二极管的最大功耗能力为1W，适用于多种需要电压稳定的场合，例如在消费类电子产品中作为电压基准，优化电源管理或信号调理电路的表现。

5+
￥0.569624 ￥0.6473
50+
￥0.557128 ￥0.6331
150+
￥0.548768 ￥0.6236
500+
￥0.540408 ￥0.6141

有货

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SK86L-HXY

型号：SK86L-HXY 编号：C52988736

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有8A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）典型值为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

5+
￥0.5765
50+
￥0.5639
150+
￥0.5554

有货

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STPS3L60S-HXY

型号：STPS3L60S-HXY 编号：C52988724

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。在正常导通状态下，其正向压降VF为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止性能。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中，能有效提升系统效率与响应速度。

5+
￥0.58501 ￥0.6158
50+
￥0.572185 ￥0.6023
150+
￥0.563635 ￥0.5933
500+
￥0.555085 ￥0.5843

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：HSS24HE3AH 编号：C42389385

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）和40V的反向击穿电压（VR），其正向电压降（VF）仅为0.55V，这使得它在导通状态下的能量损失较低。在反向偏置条件下，二极管的漏电流（IR）为500微安，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态条件下的最大雪崩电流（IFSM）可达50A，适合用于需要快速开关特性的高频电路中，如电子设备内的电源管理模块或通信装置的信号整流部分。

5+
￥0.59536 ￥0.7442
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￥0.58232 ￥0.7279
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￥0.5736 ￥0.717
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￥0.56488 ￥0.7061

有货

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STPS340S-HXY

型号：STPS340S-HXY 编号：C52988761

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景。

5+
￥0.622345 ￥0.6551
50+
￥0.608665 ￥0.6407
150+
￥0.599545 ￥0.6311
500+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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MBRS540T3G-HXY

型号：MBRS540T3G-HXY 编号：C52988728

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。

5+
￥0.69711 ￥0.7338
50+
￥0.68172 ￥0.7176
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￥0.671555 ￥0.7069
500+
￥0.661295 ￥0.6961

有货

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MBRS3100T3G-HXY

型号：MBRS3100T3G-HXY 编号：C52988708

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率与热管理有要求的电子电路中。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
150+
￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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1kV 3A

型号：HRS3MB13F 编号：C42402115

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，额定正向电流IF为3A，反向耐压VR为1000V，适用于对电流承载能力和电压阻断要求较高的电路环境。导通时正向压降VF仅为1.3V，有助于降低功耗并提升系统效率；反向漏电流IR控制在5μA以内，确保良好的稳定性和可靠性。器件具备优异的抗冲击能力，最大非重复正向浪涌电流IFSM可达90A，可有效应对瞬态过载情况。该二极管常用于电源整流、高频变换器及开关电源等应用场景，满足高效能、高稳定性需求的电路设计。

5+
￥0.8224 ￥1.028
50+
￥0.65144 ￥0.8143
150+
￥0.57824 ￥0.7228
500+
￥0.4868 ￥0.6085
3000+
￥0.42744 ￥0.5343
6000+
￥0.40304 ￥0.5038

有货

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1kV 2A

型号：HUS2MA 编号：C42402121

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有2安培的最大正向电流（IF），能够承受高达1000伏特的反向电压（VR），且其正向电压降（VF）仅为1.1伏特。在反向状态下，其漏电流（IR）不大于5微安。此外，该二极管可以承受最高50安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM）。这些特性使得它非常适合应用于需要高效整流或保护电路免受电压尖峰损害的场合，同时也适用于信号处理中的检波和限幅等基础用途。

5+
￥0.82376 ￥1.0297
50+
￥0.64792 ￥0.8099
150+
￥0.57256 ￥0.7157
500+
￥0.47856 ￥0.5982
2000+
￥0.43672 ￥0.5459
4000+
￥0.4116 ￥0.5145

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独立式耐压:5.1V 电流:890uA

型号：HZM4733AGS18 编号：C42389411

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款稳压二极管具备0.2A的额定电流（IF），能够提供稳定的5.1V反向击穿电压（VR），适用于多种低压降应用场合。该二极管的正向电压（VF）为1.2V，在工作时可以保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR）控制在10微安以下，表明其在无外加信号时几乎不导通，有助于提高电路的可靠性。最大功耗（PD）为1瓦特，意味着它可以在保证安全的前提下，有效地处理功率需求，适用于各种消费电子设备中的电压稳定环节。

5+
￥0.874016 ￥0.9932
50+
￥0.854744 ￥0.9713
150+
￥0.841984 ￥0.9568
500+
￥0.829136 ￥0.9422

有货

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VSMBRS360-M3/9AT-HXY

型号：VSMBRS360-M3/9AT-HXY 编号：C52988725

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

5+
￥0.883785 ￥0.9303
50+
￥0.86431 ￥0.9098
150+
￥0.85139 ￥0.8962
500+
￥0.83847 ￥0.8826

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MBR20150SCT-G1-HXY

型号：MBR20150SCT-G1-HXY 编号：C52754650

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为150V。其正向压降（VF）为0.92V，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）低至20μA，展现出良好的反向截止性能。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。

5+
￥0.933565 ￥0.9827
50+
￥0.913045 ￥0.9611
150+
￥0.899365 ￥0.9467
500+
￥0.885685 ￥0.9323

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200V 20A

型号：MBR20200FCT 编号：C50176903

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有20A的正向整流电流（IF）和200V的反向耐压（VR），适用于较高电压与电流的工作环境。其正向导通压降（VF）为1.4V，在大电流下功耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）为5μA，表现出良好的阻断特性。由于其快速开关响应和低损耗特性，常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高频率整流场合，适用于对能效和热管理有要求的电子设备中，提供高效的电流单向导通功能。

5+
￥0.99579 ￥1.0482
50+
￥0.97394 ￥1.0252
150+
￥0.95931 ￥1.0098
500+
￥0.94468 ￥0.9944

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STPS20S100CT-HXY

型号：STPS20S100CT-HXY 编号：C52754646

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达200A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效率整流与快速响应的电源转换场合，常见于开关电源、适配器及各类直流变换电路中。

5+
￥1.058015 ￥1.1137
50+
￥1.03474 ￥1.0892
150+
￥1.019255 ￥1.0729
500+
￥1.00377 ￥1.0566

有货

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SDT20B100CT-HXY

型号：SDT20B100CT-HXY 编号：C52754645

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）达200A。共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑，较低的VF有助于降低导通损耗，提升系统效率，而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击，适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。

5+
￥1.207355 ￥1.2709
50+
￥1.18085 ￥1.243
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￥1.16318 ￥1.2244
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￥1.145415 ￥1.2057

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MBR10200FCT-BP-HXY

型号：MBR10200FCT-BP-HXY 编号：C52754672

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定平均正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在导通状态具备较低的功率损耗；反向漏电流（IR）不超过100μA，展现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效整流及高瞬态电流耐受能力的电源转换与续流保护电路。

5+
￥1.254 ￥1.32
50+
￥1.2255 ￥1.29
150+
￥1.2065 ￥1.27
500+
￥1.1875 ￥1.25

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电压:40V 电流:2A

型号：HNRVBSS24T3G 编号：C42389387

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管拥有2安培的正向电流（IF）承载能力，以及40伏特的最大反向电压（VR）。其正向电压降（VF）仅为0.55伏特，确保了高效的能量转换。在反向工作条件下，该二极管的最大漏电流（IR）为500微安。此外，它还能承受高达50安培的瞬态峰值电流（IFSM）。这些特性使其非常适合应用于要求低功耗和高频率操作的场合，例如开关电源、整流以及保护电路等。

1+
￥1.496 ￥1.7
10+
￥1.4608 ￥1.66
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￥1.4344 ￥1.63
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￥1.4168 ￥1.61

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H1D02065AF-HXY

型号：H1D02065AF-HXY 编号：C52145206

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

5+
￥1.92014 ￥2.0212
50+
￥1.51791 ￥1.5978
150+
￥1.34558 ￥1.4164
500+
￥1.1305 ￥1.19
2500+
￥1.03474 ￥1.0892
5000+
￥0.977265 ￥1.0287

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MF30H100CTHE3_B/P-HXY

型号：MF30H100CTHE3_B/P-HXY 编号：C52754678

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.82V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、开关模式电源及高频逆变等电路结构中。

1+
￥2.964 ￥3.12
10+
￥2.8975 ￥3.05
50+
￥2.8595 ￥3.01
100+
￥2.812 ￥2.96

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VFT10200C-E3/4W-HXY

型号：VFT10200C-E3/4W-HXY 编号：C52754685

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向平均电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为200V。其正向压降（VF）为1.2V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景，满足对效率和稳定性的要求。

1+
￥3.0875 ￥3.25
10+
￥3.021 ￥3.18
50+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

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SBCT2090-HXY

型号：SBCT2090-HXY 编号：C52754690

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在大电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）为20μA，具备良好的反向截止性能。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热管理有较高要求的电力转换场合。

1+
￥3.0875 ￥3.25
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￥3.021 ￥3.18
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￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

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MBR20H100CTG-E3/45-HXY

型号：MBR20H100CTG-E3/45-HXY 编号：C52754644

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）可达200A。其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局，较低的VF有助于减少导通损耗，较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。

1+
￥3.0875 ￥3.25
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￥3.021 ￥3.18
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.926 ￥3.08

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电压:200V 电流:60A

型号：MBR60200PTS 编号：C22440643

封装：TO-247S

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置 1对共阴极正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 60A 反向电流(Ir) 5uA 工作温度 -40℃~+150℃@(Tj)

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￥3.325 ￥3.5
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V30M100M-E3/4W-HXY

型号：V30M100M-E3/4W-HXY 编号：C52754659

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.8V，在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。

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￥3.3345 ￥3.51
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V30100C-M3/4W-HXY

型号：V30100C-M3/4W-HXY 编号：C52754658

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定平均正向电流（IF）为30A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。

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VT3080C-M3/4W-HXY

型号：VT3080C-M3/4W-HXY 编号：C52754666

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流场景。

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