IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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型号：SS19 编号：C52988748

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

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型号：RB160LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988763

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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型号：RB162L-60TE25-HXY 编号：C52988613

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用包括开关电源中的整流、信号箝位以及直流极性保护等场合。

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型号：FSV10100V-HXY 编号：C53262813

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）低至0.67V，典型反向漏电流（IR）为100μA，并能承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗和良好的瞬态电流耐受能力，适用于对效率和热管理要求较高的开关电源、适配器及各类直流转换电路中。

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型号：B390Q-13-F-HXY 编号：C53262799

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和90V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.74V，在保证高效导通的同时有助于降低功耗。反向漏电流（IR）在额定条件下为200μA，表现出良好的反向阻断特性。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，能够在维持稳定电气性能的同时支持紧凑型电路布局。

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型号：NTE642-HXY 编号：C52988680

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。低导通压降有助于减少功耗，提升系统能效，适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

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型号：VSMBRS360-M3/9AT-HXY 编号：C52988725

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

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型号：RBR3LAM40CTR-HXY 编号：C52988666

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具备3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断能力。该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路，能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。

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型号：CMSH2-40TR13-HXY 编号：C52988687

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护及高频开关等对效率和瞬态耐受能力有要求的电子电路中。

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型号：MBR20200FCT 编号：C50176903

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有20A的正向整流电流（IF）和200V的反向耐压（VR），适用于较高电压与电流的工作环境。其正向导通压降（VF）为1.4V，在大电流下功耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）为5μA，表现出良好的阻断特性。由于其快速开关响应和低损耗特性，常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高频率整流场合，适用于对能效和热管理有要求的电子设备中，提供高效的电流单向导通功能。

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型号：NRVTS10100PFST3G-HXY 编号：C53262814

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.67V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。低VF有助于减少导通损耗，适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。

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型号：RB068LAM100TFTR-HXY 编号：C52988658

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）控制在20μA，有助于维持电路的高效率运行。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

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￥1.91178 ￥2.0124
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型号：RB168L100DDTE25-HXY 编号：C52988590

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。

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￥1.93477 ￥2.0366
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型号：STPS20S100CT-HXY 编号：C52754646

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达200A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效率整流与快速响应的电源转换场合，常见于开关电源、适配器及各类直流变换电路中。

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￥1.957855 ￥2.0609
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型号：XBS204S19R-G-HXY 编号：C52988628

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、续流保护及低电压高效能转换等电路应用。

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￥2.00393 ￥2.1094
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型号：CMSH2-60TR13-HXY 编号：C52988692

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的低压输出电路中。

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￥2.072995 ￥2.1821
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型号：CMSSH-3S-HXY 编号：C52754640

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1V，有助于降低功耗；在反向偏置时，漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。

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￥2.072995 ￥2.1821
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型号：RB068L-60DDTE25-HXY 编号：C52988631

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。在导通状态下，其正向压降（VF）为0.7V，反向漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力，适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。

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型号：CMPSH-3AETR-HXY 编号：C52754558

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为1V，在导通时保持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。

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￥2.280285 ￥2.4003
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￥1.236805 ￥1.3019
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￥1.16907 ￥1.2306

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型号：CMSH1-60MTR13-HXY 编号：C52988612

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为500μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，兼顾效率与可靠性。

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￥2.3085 ￥2.43
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型号：XBS206S19R-G-HXY 编号：C52988634

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

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型号：CMPSH-3CG-HXY 编号：C52754620

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）为2μA。器件具备0.6A的正向浪涌电流能力（IFSM），适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景，其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。

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型号：MBRF20250CT 编号：C49009624

封装：ITO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 0.86V@10A；直流反向耐压(Vr) 250V；整流电流 20A；反向电流(Ir) 1uA

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￥1.85
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￥1.63

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型号：S210-HXY 编号：C52988681

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力。凭借较低的导通压降和良好的反向特性，适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。

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￥2.4225 ￥2.55
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型号：MUR3040FCT 编号：C49208350

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.3V@30A 直流反向耐压(Vr) 400V 整流电流 30A 反向电流(Ir) 1uA@400V 反向恢复时间(Trr) 30nS 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

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￥2.945 ￥3.1
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型号：SBRA8160NT3G-HXY 编号：C52988615

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。

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型号：CMOSH2-4LTR-HXY 编号：C52754550

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。

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型号：MBR20200CTF-G1-HXY 编号：C52754673

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备20A的平均正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.2V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，确保良好的关断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。

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型号：MBR60200PTS 编号：C22440643

封装：TO-247S

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置 1对共阴极正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 60A 反向电流(Ir) 5uA 工作温度 -40℃~+150℃@(Tj)

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