IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220F

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达120A。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中，兼顾效率与可靠性。

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￥0.933565 ￥0.9827
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￥0.899365 ￥0.9467
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￥0.885685 ￥0.9323

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型号：RB050LAM-40TR-HXY 编号：C52988665

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其典型正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）不超过500μA，体现出良好的反向截止性能。该器件适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中，凭借低VF和快速响应特性，有助于提升系统整体运行效率。

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￥0.944395 ￥0.9941
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￥0.51224 ￥0.5392
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￥0.484215 ￥0.5097

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型号：HSS210E352T 编号：C42389400

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的额定电流（IF）和100V的最大反向电压（VR），适用于需要高效能与稳定性的电路设计中。其正向电压降（VF）仅为0.85V，在确保效率的同时减少了功耗。二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示出良好的阻断性能。瞬态大电流处理能力（IFSM）高达50A，使其能够在短时间内承受电流峰值而不损坏，适合于要求高可靠性的开关电源及其它消费电子产品中的整流或保护电路应用。

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￥0.95104 ￥1.1888
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型号：HUS1GE35AT 编号：C42389406

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管具备高效率特点，额定最大平均正向电流（IF）为1A，可承受的最高反向电压（VR）为400V。当处于正向导通状态时，其电压降（VF）为1.3V，有助于保持较高的转换效率。反向漏电流（IR）维持在较低水平，仅为5μA，同时支持瞬态大电流（IFSM）30A的冲击。该二极管适用于要求严苛的高频切换电路及需要快速恢复时间的应用场合。

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￥0.959376 ￥1.0902
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￥0.476344 ￥0.5413

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型号：B360A-M3/61T-HXY 编号：C53262788

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适合用于对整流效率和瞬态耐受能力有要求的电源转换、适配器及高频电路等应用场景。

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￥0.967385 ￥1.0183
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￥0.766365 ￥0.8067
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￥0.495995 ￥0.5221

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型号：VS20MQ060HM3/5AT-HXY 编号：C52988633

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.99047 ￥1.0426
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￥0.784605 ￥0.8259
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型号：RBR3MM40BTFTR-HXY 编号：C52754504

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中。

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￥1.01346 ￥1.0668
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￥0.802845 ￥0.8451
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￥0.59983 ￥0.6314
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￥0.54967 ￥0.5786
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￥0.51965 ￥0.547

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型号：SK86L-HXY 编号：C52988736

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有8A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）典型值为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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型号：HZM4734AGS08 编号：C42389432

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备5.6V的稳定电压，其正向电压降为1.2V，确保了在正向导通时的低能耗特性。它允许的最大正向平均电流（IF）为0.2A，并且在反向偏置条件下，反向漏电流（IR）不超过10μA，体现了优异的隔离性能。该二极管的最大功耗能力为1W，适用于多种需要电压稳定的场合，例如在消费类电子产品中作为电压基准，优化电源管理或信号调理电路的表现。

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￥1.020096 ￥1.1592
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型号：SS1FL4-M3/H-HXY 编号：C52754470

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为1A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为200μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、高频开关及低电压输出等电路场合。

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￥1.036545 ￥1.0911
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￥0.821085 ￥0.8643
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￥0.728745 ￥0.7671
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￥0.61351 ￥0.6458
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￥0.56221 ￥0.5918
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￥0.53143 ￥0.5594

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型号：SMMBD701LT1G-HXY 编号：C52754705

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为0.3A，最大反向电压VR为75V。在正常导通状态下，其正向压降VF为1.25V，反向漏电流IR低至1μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流IFSM达2A，适用于电源整流、高频开关、信号钳位及低压直流转换等电路场合，具备较快的开关响应特性与较低的功耗表现。

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型号：STPS3L40S-HXY 编号：C52988719

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、适配器及各类低压电子系统中。

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型号：HSS24HE3AH 编号：C42389385

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）和40V的反向击穿电压（VR），其正向电压降（VF）仅为0.55V，这使得它在导通状态下的能量损失较低。在反向偏置条件下，二极管的漏电流（IR）为500微安，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态条件下的最大雪崩电流（IFSM）可达50A，适合用于需要快速开关特性的高频电路中，如电子设备内的电源管理模块或通信装置的信号整流部分。

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￥1.06632 ￥1.3329
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￥0.52944 ￥0.6618

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型号：STPS3L60S-HXY 编号：C52988724

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。在正常导通状态下，其正向压降VF为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止性能。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中，能有效提升系统效率与响应速度。

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￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.555085 ￥0.5843

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型号：RB168LAM100TR-HXY 编号：C52988750

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在突发大电流的电路条件。典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。

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￥1.10561 ￥1.1638
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型号：B390CE-13-HXY 编号：C50176899

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有3A的正向平均电流（IF）和90V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流与续流应用。其正向导通压降较低，典型值为0.74V，有助于减少导通损耗，提升电路效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）典型值为200μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于开关电源、直流-直流转换器、反向极性保护及高频整流电路，尤其适合对效率和热性能有一定要求的便携式电子设备与通用电源系统，是实现低功耗、高可靠性设计的常用半导体元件。

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￥1.114635 ￥1.1733
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型号：B3100BE-13-HXY 编号：C52988694

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下保持较低功耗；反向漏电流（IR）最大为100μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。

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￥1.128695 ￥1.1881
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￥0.578645 ￥0.6091

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型号：NRVB140SFT3G-HXY 编号：C52754575

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频开关电路及对效率和热性能有要求的便携式电子设备中的续流与保护功能。

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￥1.151685 ￥1.2123
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型号：RB168LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988765

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对能效和热性能有要求的电路场合。

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型号：STPS340S-HXY 编号：C52988761

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景。

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型号：SS10PH45-M3/86A-HXY 编号：C53262837

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为10A，最大反向电压VR为45V。其正向压降VF低至0.53V，有助于降低导通损耗，提升系统效率；在45V反向电压下漏电流IR为150μA。器件具备较强的浪涌承受能力，非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达150A。适用于对能效和热性能要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频续流等电路场合。

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￥1.1875 ￥1.25

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型号：MBRS540T3G-HXY 编号：C52988728

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。

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型号：RB168MM-40TFTR-HXY 编号：C52754577

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）最大为200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

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型号：RB162LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988764

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和热管理有要求的低压电路中。

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￥0.743945 ￥0.7831

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型号：SKL34-AQ-HXY 编号：C52754505

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，正向平均电流（IF）为3A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通损耗；在反向偏置下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的隔离特性。器件具备80A的非重复浪涌正向电流（IFSM）能力，适用于高频整流、电源转换、电池供电设备及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。

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型号：PMEG40T50EPX-HXY 编号：C52988672

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为5A，最大反向电压VR为40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于实现较低的导通损耗；反向漏电流IR为500μA，在正常工作条件下维持合理的阻断性能。器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式设备电源管理以及需要高效能和快速响应的低压电子电路中。

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型号：CMIDSH1-3TR-HXY 编号：C52754529

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和30V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在规定工作条件下保持稳定。器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用，凭借较低的导通压降和较快的开关响应，有助于提升电路效率与可靠性。

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型号：CMSH2-40MTR13-HXY 编号：C52988624

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为2A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为500μA，表现出良好的关断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及高频开关电路，常见于电源转换与信号路径保护等应用。

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型号：SK36AFL-HXY 编号：C52988671

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类低压高效能电子设备中的续流与箝位功能。

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型号：SK36SMB-AQ-HXY 编号：C52988702

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向工作状态下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合。

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