IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMB

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力。凭借较低的导通压降和良好的反向特性，适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。

1+
￥1.311 ￥1.38
10+
￥1.2825 ￥1.35
30+
￥1.2635 ￥1.33
100+
￥1.2445 ￥1.31

有货

立即购买

型号：SBRA8160NT3G-HXY 编号：C52988615

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。

1+
￥1.6245 ￥1.71
10+
￥1.5865 ￥1.67
30+
￥1.5675 ￥1.65
100+
￥1.539 ￥1.62

有货

立即购买

型号：CMOSH2-4LTR-HXY 编号：C52754550

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。

1+
￥1.6245 ￥1.71
10+
￥1.5865 ￥1.67
30+
￥1.5675 ￥1.65
100+
￥1.539 ￥1.62

有货

立即购买

型号：CMSH3-100MATR13-HXY 编号：C52988635

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合，有助于提升系统效率与运行稳定性。

1+
￥2.0995 ￥2.21
10+
￥2.052 ￥2.16
30+
￥2.0235 ￥2.13
100+
￥1.995 ￥2.1

有货

立即购买

型号：NRVBA2H100T3G-VF01-HXY 编号：C52988619

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）最大为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件能承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换及对效率与热管理有较高要求的电子电路中。

1+
￥2.223 ￥2.34
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥2.147 ￥2.26
100+
￥2.109 ￥2.22

有货

立即购买

型号：RB088BM100TL-HXY 编号：C52754561

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为10A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。

1+
￥2.8405 ￥2.99
10+
￥2.7835 ￥2.93
30+
￥2.736 ￥2.88
100+
￥2.698 ￥2.84

有货

立即购买

型号：HSM560JE3/TR13-HXY 编号：C52988733

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

1+
￥3.0875 ￥3.25
10+
￥3.021 ￥3.18
30+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：RB218BM200FHTL-HXY 编号：C52754563

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.92V，典型反向漏电流（IR）为100μA，在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路，凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力，有助于提升系统效率与可靠性。

1+
￥5.2915 ￥5.57
10+
￥5.168 ￥5.44
30+
￥5.092 ￥5.36
100+
￥5.016 ￥5.28

有货

立即购买

型号：HIDM02G120C5 编号：C42389291

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF），并支持高达1200V的反向电压（VR），适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压（VF）为1.4V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR）仅为8微安，在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。瞬态正向电流能力（IFSM）为24A，使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。

1+
￥7.9725 ￥10.63
10+
￥6.63 ￥8.84
30+
￥5.8875 ￥7.85
100+
￥5.055 ￥6.74
500+
￥4.68 ￥6.24
1000+
￥4.515 ￥6.02

有货

立即购买

型号：IDH02G120C5-HXY 编号：C45896870

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流（IF），能够承受高达1200V的反向电压（VR），使其在高电压应用中表现出色。其正向电压（VF）为1.4V，保证了较低的能量损耗，而反向漏电流（IR）仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬间正向浪涌电流（IFSM）可达45A，提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合，如电源管理和可再生能源系统等领域。

1+
￥10.863 ￥12.07
10+
￥9.234 ￥10.26
50+
￥8.217 ￥9.13
100+
￥7.173 ￥7.97
500+
￥6.705 ￥7.45
1000+
￥6.498 ￥7.22

有货

立即购买

型号：HSCS215KGC17 编号：C42389206

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备15A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V），适合用于高电压需求的场合。其正向电压（VF/V）为1.27V，有助于减少工作时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为200微安，在非导通状态下提供良好的隔离性。瞬态峰值电流（IFSM/A）为100A，意味着它可以承受短时间内的电流冲击，增强了其在不稳定条件下的可靠性。这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。

1+
￥12.936 ￥14.7
10+
￥11 ￥12.5
50+
￥9.6888 ￥11.01
100+
￥8.448 ￥9.6
500+
￥7.8936 ￥8.97
1000+
￥7.6472 ￥8.69

有货

立即购买

型号：HIDH20G65C5XKSA2 编号：C42389300

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供20安培的正向电流（IF），并支持最高650伏特的反向电压（VR），适用于需要处理较高电压的应用场景。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR）维持在100微安水平，显示了良好的阻隔能力。此外，该二极管可以承受高达123安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了在非稳态条件下的耐用性。这些技术规格使其成为高频开关和其他需要快速响应与低损耗电子装置的理想组件。

1+
￥18.4535 ￥21.71
10+
￥15.8355 ￥18.63
50+
￥14.28 ￥16.8
100+
￥12.7075 ￥14.95
500+
￥11.9765 ￥14.09
1000+
￥11.6535 ￥13.71

有货

立即购买

型号：HSCS230AE2GC11 编号：C42389293

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达32A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备250A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

1+
￥28.662 ￥33.72
10+
￥24.7265 ￥29.09
30+
￥22.3295 ￥26.27
90+
￥20.3235 ￥23.91

有货

立即购买

型号：HUS1GE361T 编号：C42389404

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的最大反向电压（VR），适用于多种高频电路中。其正向电压降（VF）为1.3V，有效降低导通时的功耗。在反向状态下，漏电流（IR）不超过5µA，确保了较低的能量损失。瞬态条件下，该二极管可以承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），增强了其应对突发大电流的能力。这些特性使它成为需要快速开关及高效率性能的电路设计中的优选元件。

10+
￥0.156816 ￥0.1782
100+
￥0.153384 ￥0.1743
300+
￥0.151096 ￥0.1717
1000+
￥0.148808 ￥0.1691

有货

立即购买

型号：HUS1JE35AT 编号：C42389409

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复/高效率二极管具备1A的额定正向电流（IF），同时拥有600V的最大反向电压（VR），适合用于高压环境下的设计需求。其正向电压降（VF）为1.7V，有助于减少电力损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR）不超过5μA，在非导通期间能有效抑制电流泄漏。瞬时峰值电流（IFSM）可以承受高达30A，适用于需要应对突发大电流冲击的场合。这种二极管是构建高性能开关电源、直流变换器及其他需要快速切换特性的电子装置的理想选择。

10+
￥0.16456 ￥0.2057
100+
￥0.16096 ￥0.2012
300+
￥0.15856 ￥0.1982
1000+
￥0.15616 ￥0.1952

有货

立即购买

型号：SS34C 编号：C42924189

封装：SMC

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 550mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 整流电流 3A 反向电流(Ir) 500uA@40V 工作温度 -65℃~+150℃@(Tj)

10+
￥0.164825 ￥0.1735
100+
￥0.16093 ￥0.1694
300+
￥0.158365 ￥0.1667
1000+
￥0.155705 ￥0.1639

有货

立即购买

型号：1SMA4744A 编号：C23066827

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

型号：1SMA4733A 编号：C22438303

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.2028
200+
￥0.158
600+
￥0.1331

有货

立即购买

型号：SS34-SMAF 编号：C5464724

封装：SMAF

品牌：SY(顺烨)

肖特基二极管二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@3A 直流反向耐压(Vr)：40V 反向电流(Ir)：500μA@40V

20+
￥0.2072
200+
￥0.1614
600+
￥0.136
3000+
￥0.1207
9000+
￥0.1075
21000+
￥0.1004

有货

立即购买

型号：ES2MSA 编号：C53243825

封装：SMA

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向恢复时间（TRR）:35ns 正向压降(VF) 3.2V@2A；直流反向耐压(VR) 1000V；平均整流电流(IF) 2A；正向浪涌电流（IFSM）：50A ；反向电流(IR) 5uA@1000V ；

10+
￥0.2097
100+
￥0.2051
300+
￥0.202

有货

立即购买

型号：HES1DHE3AI 编号：C42389407

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复二极管设计精良，具有高效的性能表现。其最大平均正向电流（IF）为1A，能够稳定处理200V的最大反向电压（VR）。在正向导通时，电压降（VF）低至0.95V，有效降低能耗。反向漏电流（IR）被限制在5μA，确保了在待机模式下的低功耗表现。此外，该二极管可以承受高达30A的瞬态正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电路和其他需要快速恢复时间和高效率的应用场景中。

5+
￥0.24291 ￥0.2699
50+
￥0.2376 ￥0.264
150+
￥0.23409 ￥0.2601
500+
￥0.23049 ￥0.2561

有货

立即购买

型号：HUS1JHE3AH 编号：C42389403

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µA），保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30A，适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。

5+
￥0.27568 ￥0.3446
50+
￥0.26968 ￥0.3371
150+
￥0.2656 ￥0.332
500+
￥0.2616 ￥0.327

有货

立即购买

型号：HES1DE35AT 编号：C42389405

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复二极管具有高效率特性，其最大平均正向电流（IF）为1安培，能够承受最高反向电压（VR）达到200伏特。在正向导通状态下的电压降（VF）仅为0.95伏特，这有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）控制在微安级别，具体为5微安，在瞬态大电流（IFSM）情况下可承受高达30安培的峰值。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。

5+
￥0.30608 ￥0.3826
50+
￥0.29936 ￥0.3742
150+
￥0.29488 ￥0.3686
500+
￥0.2904 ￥0.363

有货

立即购买

型号：HZMY12GS08 编号：C42389413

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管提供0.2A的正向平均电流(IF)和12V的反向耐压(VR)，适用于需要稳定电压输出的各种电子设备。其正向电压降(VF)为1.2V，确保了在工作时能够维持所需的电压水平。该器件具有低至5μA的反向漏电流(IR)，表现出良好的绝缘特性。额定功耗(PD)为1W，适合于对功耗有一定要求的应用场景。此稳压二极管适用于多种消费电子产品中，以保障电路工作的可靠性和稳定性。

5+
￥0.325728 ￥0.4176
50+
￥0.318552 ￥0.4084
150+
￥0.313794 ￥0.4023
500+
￥0.309036 ￥0.3962

有货

立即购买

型号：HZM4733AGS08 编号：C42389431

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款稳压二极管具有5.1V的稳定电压，正向电压降为1.2V，能够在不影响系统效率的情况下提供稳定的电压参考点。其最大整流电流（IF）为0.2A，反向漏电流（IR）低至10μA，表明即使在微小电流下也能保持良好的绝缘特性。该二极管可承受的最大功率损耗为1W，适合应用于需要电压稳定的电子装置中，如消费电子产品内的电源管理和信号调节电路，帮助提升设备的整体性能与可靠性。

5+
￥0.3648 ￥0.456
50+
￥0.3568 ￥0.446
150+
￥0.35144 ￥0.4393
500+
￥0.34608 ￥0.4326

有货

立即购买

型号：MUR540CS 编号：C22365356

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.25V@5A 直流反向耐压(Vr) 400V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 1uA@400V 反向恢复时间(trr) 35ns 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.37908 ￥0.4212
50+
￥0.37026 ￥0.4114
150+
￥0.36441 ￥0.4049
500+
￥0.35856 ￥0.3984

有货

立即购买

型号：HSS26T3G 编号：C42389399

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）容量和60V的最高反向电压（VR），适用于多种高频电路中的快速开关应用。其正向电压（VF）为0.7V，在确保低导通损耗的同时，提供了高效的电流处理能力。反向漏电流（IR）在室温下最大为500微安，显示出良好的阻断特性。该二极管还支持50A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），能够在需要承受短暂高电流的情况下保持可靠运行。

5+
￥0.39208 ￥0.4901
50+
￥0.38344 ￥0.4793
150+
￥0.37768 ￥0.4721
500+
￥0.37192 ￥0.4649

有货

立即购买

型号：MUR560CS 编号：C22365355

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.6V@5A 直流反向耐压(Vr) 600V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 1uA@600V 反向恢复时间(trr) 35ns 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.42598 ￥0.4484
50+
￥0.4161 ￥0.438
150+
￥0.40945 ￥0.431
500+
￥0.402895 ￥0.4241

有货

立即购买

型号：HZM4742AGS08 编号：C42389433

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于提供稳定的电压输出，其最大整流电流（IF）为0.2安培，在反向电压（VR）达到12伏特时能有效防止电流逆流。正向电压降（VF）仅为1.2伏特，有助于减少能量损耗。当处于非导通状态时，反向漏电流（IR）控制在微安级别（5微安），显示了良好的阻断性能。该二极管的最大功率耗散（PD）能力为1瓦特，适用于需要精确电压控制的小型电路中。

5+
￥0.433576 ￥0.4927
50+
￥0.423984 ￥0.4818
150+
￥0.417648 ￥0.4746
500+
￥0.411312 ￥0.4674

有货

立即购买

型号：HUS1GHE3AH 编号：C42389410

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的反向电压（VR）耐受性，适用于多种高压应用。其正向电压降（VF）低至1.3V，有助于降低能耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）限制在5μA，确保了在非导通状态下几乎无电流损耗。瞬时正向峰值电流（IFSM）达到30A，能够应对短时电流高峰。该二极管适用于高频开关电源、整流电路以及其他需要高效能快速切换的应用中。

5+
￥0.44864 ￥0.5608
50+
￥0.4388 ￥0.5485
150+
￥0.43224 ￥0.5403
500+
￥0.4256 ￥0.532

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示