IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMA

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为2A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为500μA，表现出良好的关断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及高频开关电路，常见于电源转换与信号路径保护等应用。

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￥0.809115 ￥0.8517
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￥0.779475 ￥0.8205
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￥0.7676 ￥0.808

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型号：RB068LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988767

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流仅为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件在兼顾低VF与低IR的同时，适用于对效率和静态功耗敏感的电路设计，常见于电源整流、极性保护、高频续流以及便携式电子设备中的能量管理环节。

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￥0.82156 ￥0.8648
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￥0.80351 ￥0.8458
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￥0.77938 ￥0.8204

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型号：SK36AFL-HXY 编号：C52988671

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类低压高效能电子设备中的续流与箝位功能。

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￥0.834005 ￥0.8779
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￥0.81567 ￥0.8586
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￥0.803415 ￥0.8457
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型号：SK36SMB-AQ-HXY 编号：C52988702

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向工作状态下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合。

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型号：SS36FA-HXY 编号：C52754511

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.84645 ￥0.891
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￥0.82783 ￥0.8714
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型号：SS19 编号：C52988748

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

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型号：RB160LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988763

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.858895 ￥0.9041
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￥0.83999 ￥0.8842
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型号：RB162L-60TE25-HXY 编号：C52988613

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用包括开关电源中的整流、信号箝位以及直流极性保护等场合。

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￥0.87134 ￥0.9172
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￥0.85215 ￥0.897
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￥0.83942 ￥0.8836
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￥0.826595 ￥0.8701

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型号：NTE642-HXY 编号：C52988680

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。低导通压降有助于减少功耗，提升系统能效，适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

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￥0.883785 ￥0.9303
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￥0.86431 ￥0.9098
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￥0.85139 ￥0.8962
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型号：RBR3LAM40CTR-HXY 编号：C52988666

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具备3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断能力。该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路，能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。

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￥0.92112 ￥0.9696
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￥0.900885 ￥0.9483
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￥0.887395 ￥0.9341
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型号：CMSH2-40TR13-HXY 编号：C52988687

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护及高频开关等对效率和瞬态耐受能力有要求的电子电路中。

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型号：MBR10200CTF-G1-HXY 编号：C52754684

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达120A。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中，兼顾效率与可靠性。

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￥0.933565 ￥0.9827
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￥0.913045 ￥0.9611
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￥0.885685 ￥0.9323

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型号：A-SP158IR1C-A02-2D 编号：C5179598

封装：SMD,3x1.2mm

品牌：Amicc(欧密格光电)

Amicc A-SP158IR1C-A02-2D贴片式发光二极管（SMD LED）是一款采用微型侧视SMD封装的红外发射二极管，其采用透明塑料模制而成。该器件与硅光电二极管和光电晶体管完美匹配。

数据手册

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￥0.9822
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￥0.7705
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￥0.6798
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￥0.5666
2000+
￥0.5007
4000+
￥0.4704

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型号：CMMSH1-40GTR-HXY 编号：C52754460

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过200μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合，常见于消费类电子、便携设备及通用电源模块中。

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￥0.99579 ￥1.0482
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￥0.97394 ￥1.0252
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￥0.95931 ￥1.0098
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￥0.94468 ￥0.9944

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型号：RB068LAM100TFTR-HXY 编号：C52988658

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）控制在20μA，有助于维持电路的高效率运行。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

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￥1.033125 ￥1.0875
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￥1.01042 ￥1.0636
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￥0.995315 ￥1.0477
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￥0.980115 ￥1.0317

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型号：RB088LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988757

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为5A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为500μA，在正常工作条件下维持良好的阻断性能。器件具备高达150A的正向浪涌电流能力（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中，能够有效支持稳定可靠的运行。

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￥1.04557 ￥1.1006
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￥1.02258 ￥1.0764
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￥1.007285 ￥1.0603
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￥0.99199 ￥1.0442

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型号：RB168L100DDTE25-HXY 编号：C52988590

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。

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￥1.04557 ￥1.1006
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￥1.02258 ￥1.0764
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￥0.99199 ￥1.0442

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型号：XBS204S19R-G-HXY 编号：C52988628

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、续流保护及低电压高效能转换等电路应用。

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￥1.082905 ￥1.1399
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￥1.059155 ￥1.1149
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￥1.043195 ￥1.0981
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￥1.02733 ￥1.0814

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型号：CMSH2-60TR13-HXY 编号：C52988692

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的低压输出电路中。

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￥1.12024 ￥1.1792
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￥1.095635 ￥1.1533
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￥1.0792 ￥1.136
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￥1.062765 ￥1.1187

有货

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型号：RB068L-60DDTE25-HXY 编号：C52988631

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。在导通状态下，其正向压降（VF）为0.7V，反向漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力，适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。

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型号：CMSSH-3S-HXY 编号：C52754640

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1V，有助于降低功耗；在反向偏置时，漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。

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￥1.12024 ￥1.1792
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型号：CMPSH-3AETR-HXY 编号：C52754558

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为1V，在导通时保持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。

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￥1.232245 ￥1.2971
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￥1.20517 ￥1.2686
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￥1.18712 ￥1.2496
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型号：MBRF20250CT 编号：C49009624

封装：ITO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 0.86V@10A；直流反向耐压(Vr) 250V；整流电流 20A；反向电流(Ir) 1uA

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￥1.24
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￥1.21
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￥1.19

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型号：XBS206S19R-G-HXY 编号：C52988634

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

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￥1.254 ￥1.32
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型号：CMSH1-60MTR13-HXY 编号：C52988612

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为500μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，兼顾效率与可靠性。

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型号：CMPSH-3CG-HXY 编号：C52754620

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）为2μA。器件具备0.6A的正向浪涌电流能力（IFSM），适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景，其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。

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型号：S210-HXY 编号：C52988681

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力。凭借较低的导通压降和良好的反向特性，适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。

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￥1.311 ￥1.38
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￥1.2825 ￥1.35
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￥1.2445 ￥1.31

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型号：SBRA8160NT3G-HXY 编号：C52988615

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。

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￥1.6245 ￥1.71
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型号：CMOSH2-4LTR-HXY 编号：C52754550

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、箝位及电源管理等电路场合。

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型号：CMSH3-100MATR13-HXY 编号：C52988635

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合，有助于提升系统效率与运行稳定性。

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