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RB168MM100TR-HXY

型号：RB168MM100TR-HXY 编号：C52754450

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.84V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出优异的反向阻断能力。得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性，该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。

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￥0.587195 ￥0.6181
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￥0.467685 ￥0.4923
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STPS1L40AY-HXY

型号：STPS1L40AY-HXY 编号：C52988606

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

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￥0.596125 ￥0.6275
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￥0.474905 ￥0.4999
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￥0.4142 ￥0.436
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￥0.368695 ￥0.3881
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￥0.33231 ￥0.3498
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￥0.314165 ￥0.3307

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BAS170WS-E3-08-HXY

型号：BAS170WS-E3-08-HXY 编号：C52754513

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有70V的反向重复峰值电压（VR）和0.07A的正向平均电流（IF）。其正向压降（VF）典型值为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.1μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流能力（IFSM）为0.1A，适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景，如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。

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￥0.600685 ￥0.6323
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￥0.47842 ￥0.5036
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￥0.334875 ￥0.3525
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￥0.31654 ￥0.3332

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STPS1L40ZF-HXY

型号：STPS1L40ZF-HXY 编号：C52754471

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电池供电设备及高频整流等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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￥0.609615 ￥0.6417
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￥0.485545 ￥0.5111
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￥0.423605 ￥0.4459
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￥0.377055 ￥0.3969
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￥0.339815 ￥0.3577
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￥0.321195 ￥0.3381

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BAS70-06-G3-08-HXY

型号：BAS70-06-G3-08-HXY 编号：C52754636

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）典型值为2.5μA。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局，适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。

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￥0.62757 ￥0.6606
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￥0.49989 ￥0.5262
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SSA24-HXY

型号：SSA24-HXY 编号：C52988627

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为2A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

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￥0.62757 ￥0.6606
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￥0.34979 ￥0.3682
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NRVB0540T1G-HXY

型号：NRVB0540T1G-HXY 编号：C52754442

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的正向电流（IF）和40V的反向电压（VR）额定值。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）为80μA，表现出良好的反向阻断能力。器件能承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于消费电子、电源适配器和便携设备的电源管理模块中。

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独立式耐压:5.1V 电流:890uA

型号：HZM4733AGS08 编号：C42389431

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款稳压二极管具有5.1V的稳定电压，正向电压降为1.2V，能够在不影响系统效率的情况下提供稳定的电压参考点。其最大整流电流（IF）为0.2A，反向漏电流（IR）低至10μA，表明即使在微小电流下也能保持良好的绝缘特性。该二极管可承受的最大功率损耗为1W，适合应用于需要电压稳定的电子装置中，如消费电子产品内的电源管理和信号调节电路，帮助提升设备的整体性能与可靠性。

5+
￥0.63784 ￥0.7973
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￥0.50424 ￥0.6303
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￥0.43744 ￥0.5468
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￥0.38728 ￥0.4841
2500+
￥0.3472 ￥0.434
5000+
￥0.32712 ￥0.4089

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B360AE-13-HXY

型号：B360AE-13-HXY 编号：C53262786

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。

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￥0.654455 ￥0.6889
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￥0.521265 ￥0.5487
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￥0.45467 ￥0.4786
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￥0.3648 ￥0.384
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￥0.34485 ￥0.363

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SK110-AQ-HXY

型号：SK110-AQ-HXY 编号：C52988592

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景，在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。

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￥0.672315 ￥0.7077
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￥0.535515 ￥0.5637
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RB068MM100TFTR-HXY

型号：RB068MM100TFTR-HXY 编号：C52754481

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在100V反向电压下，漏电流（IR）最大为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、开关电源及各类便携式电子设备中。

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￥0.672315 ￥0.7077
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￥0.535515 ￥0.5637
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￥0.415815 ￥0.4377
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电压:60V 电流:2A

型号：HSS26T3G 编号：C42389399

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）容量和60V的最高反向电压（VR），适用于多种高频电路中的快速开关应用。其正向电压（VF）为0.7V，在确保低导通损耗的同时，提供了高效的电流处理能力。反向漏电流（IR）在室温下最大为500微安，显示出良好的阻断特性。该二极管还支持50A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），能够在需要承受短暂高电流的情况下保持可靠运行。

5+
￥0.68552 ￥0.8569
50+
￥0.54192 ￥0.6774
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￥0.47008 ￥0.5876
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￥0.41624 ￥0.5203
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￥0.37312 ￥0.4664
6000+
￥0.3516 ￥0.4395

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耐压:400V 电流:5A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR540CS 编号：C22365356

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.25V@5A 直流反向耐压(Vr) 400V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 1uA@400V 反向恢复时间(trr) 35ns 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.73386 ￥0.8154
50+
￥0.58014 ￥0.6446
150+
￥0.50328 ￥0.5592
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￥0.44559 ￥0.4951
3000+
￥0.39951 ￥0.4439
6000+
￥0.37638 ￥0.4182

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MBR140ESFT1G-HXY

型号：MBR140ESFT1G-HXY 编号：C52754445

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在同类器件中处于合理范围。器件可承受高达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，具备良好的热稳定性和开关特性。

5+
￥0.739575 ￥0.7785
50+
￥0.589095 ￥0.6201
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￥0.513855 ￥0.5409
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￥0.457425 ￥0.4815
3000+
￥0.4123 ￥0.434
6000+
￥0.38969 ￥0.4102

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SK14-AQ-HXY

型号：SK14-AQ-HXY 编号：C52988604

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为500μA，表现出合理的关断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态耐受能力有要求的整流、续流或电源极性保护等电路场合。

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￥0.739575 ￥0.7785
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￥0.457425 ￥0.4815
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￥0.4123 ￥0.434
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￥0.38969 ￥0.4102

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BAT64T5Q-13-F-HXY

型号：BAT64T5Q-13-F-HXY 编号：C52754607

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，能够在有限空间内提供稳定可靠的单向导通功能。

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￥0.739575 ￥0.7785
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￥0.589095 ￥0.6201
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￥0.513855 ￥0.5409
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￥0.457425 ￥0.4815
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￥0.4123 ￥0.434
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￥0.38969 ￥0.4102

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XBS023P11R-G-HXY

型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

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￥0.739575 ￥0.7785
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￥0.589095 ￥0.6201
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￥0.4123 ￥0.434
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￥0.38969 ￥0.4102

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独立式耐压:12V 电流:5uA@9.1V

型号：HZM4742AGS08 编号：C42389433

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于提供稳定的电压输出，其最大整流电流（IF）为0.2安培，在反向电压（VR）达到12伏特时能有效防止电流逆流。正向电压降（VF）仅为1.2伏特，有助于减少能量损耗。当处于非导通状态时，反向漏电流（IR）控制在微安级别（5微安），显示了良好的阻断性能。该二极管的最大功率耗散（PD）能力为1瓦特，适用于需要精确电压控制的小型电路中。

5+
￥0.75812 ￥0.8615
50+
￥0.59928 ￥0.681
150+
￥0.519904 ￥0.5908
500+
￥0.460328 ￥0.5231
2500+
￥0.412632 ￥0.4689
5000+
￥0.388784 ￥0.4418

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SS1F4-M3/H-HXY

型号：SS1F4-M3/H-HXY 编号：C52754469

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。

5+
￥0.761995 ￥0.8021
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￥0.606955 ￥0.6389
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￥0.529435 ￥0.5573
500+
￥0.471295 ￥0.4961
3000+
￥0.424745 ￥0.4471
6000+
￥0.401565 ￥0.4227

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BYS10-45HE3_A/H-HXY

型号：BYS10-45HE3_A/H-HXY 编号：C52988740

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。

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￥0.761995 ￥0.8021
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￥0.424745 ￥0.4471
4000+
￥0.401565 ￥0.4227

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B1100Q-13-F-HXY

型号：B1100Q-13-F-HXY 编号：C52988588

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗。在最大反向电压下，其反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。

5+
￥0.784415 ￥0.8257
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￥0.624815 ￥0.6577
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￥0.545015 ￥0.5737
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￥0.485165 ￥0.5107
2000+
￥0.437285 ￥0.4603
4000+
￥0.413345 ￥0.4351

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耐压:400V 电流:1A 反向恢复时间：50ns

型号：HUS1GHE3AH 编号：C42389410

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的反向电压（VR）耐受性，适用于多种高压应用。其正向电压降（VF）低至1.3V，有助于降低能耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）限制在5μA，确保了在非导通状态下几乎无电流损耗。瞬时正向峰值电流（IFSM）达到30A，能够应对短时电流高峰。该二极管适用于高频开关电源、整流电路以及其他需要高效能快速切换的应用中。

5+
￥0.80352 ￥1.0044
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￥0.63088 ￥0.7886
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￥0.55696 ￥0.6962
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￥0.46472 ￥0.5809
2000+
￥0.4236 ￥0.5295
4000+
￥0.39896 ￥0.4987

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NSVR0230M2T5G-HXY

型号：NSVR0230M2T5G-HXY 编号：C52754556

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和静态功耗要求较高的小型电子电路中，可有效支持信号整流、电源管理及低压保护等功能。

5+
￥0.806835 ￥0.8493
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￥0.642675 ￥0.6765
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￥0.560595 ￥0.5901
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￥0.499035 ￥0.5253
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￥0.44973 ￥0.4734
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SK3150AHE3-LTP-HXY

型号：SK3150AHE3-LTP-HXY 编号：C52988640

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，典型反向漏电流（IR）为100μA，具备较低的导通损耗与良好的能效表现。器件可承受高达70A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景，常见于开关电源、适配器及各类高频电路中，能够有效提升系统整体稳定性与响应能力。

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PMEG40T30ERX-HXY

型号：PMEG40T30ERX-HXY 编号：C52754503

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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电压:40V 电流:2A

型号：HSS24T3G 编号：C42389398

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款肖特基二极管提供2A的正向电流（IF）承载能力与40V的反向电压（VR）耐受度，适用于各种消费电子产品中的高速整流需求。其正向电压降（VF）仅为0.55V，有助于减少能量损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，该二极管展示出500微安（IR）的漏电流特性。此外，它还能承受高达50A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为应对突发电流冲击的理想选择。

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SDM2100S1F-7-HXY

型号：SDM2100S1F-7-HXY 编号：C52754482

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场合。

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SL04-HE3-08-HXY

型号：SL04-HE3-08-HXY 编号：C52754573

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频续流及各类对效率和瞬态性能有要求的电子电路。

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SKL36-HXY

型号：SKL36-HXY 编号：C52754510

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于对导通效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

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MBR10200CTF-G1-HXY

型号：MBR10200CTF-G1-HXY 编号：C52754684

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达120A。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中，兼顾效率与可靠性。

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