IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：M30 编号：C53243821

封装：SMA

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(VF) 3.0V@1A；直流反向耐压(VR) 3000V；平均整流电流(IF) 1A；正向浪涌电流（IFSM）：30A ；反向电流(IR) 5uA@3000V ；

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￥0.2623

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型号：BAS70-06Q-13-F-HXY 编号：C52754624

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1.25V，反向漏电流（IR）低至2.5μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路整流或信号钳位功能的紧凑型电子电路，常见于消费类电子产品及电源转换模块中。

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￥0.401185 ￥0.4223
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型号：BAS70DW-04-7-F-HXY 编号：C52754642

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用2对串联式配置，正向电流（IF）为0.15A，反向重复峰值电压（VR）达75V。其正向压降（VF）为1.25V，在75V反向电压下漏电流（IR）仅为1μA，展现出优异的反向阻断能力和较低的导通损耗。器件可承受高达2.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高耐压与低漏电特性的整流、电压箝位及多路信号保护等电路场合。

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型号：BAS70-05Q-13-F-HXY 编号：C52754625

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为70V。其正向压降（VF）为1.25V，反向漏电流（IR）低至2.5μA，展现出优良的导通效率与关断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路同步整流或电平钳位的紧凑型电路结构，常见于便携设备、电源管理单元及信号处理模块中。

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￥0.24814 ￥0.2612
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型号：HSD103AWSE308 编号：C42389396

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管的正向电流（IF）为0.35安培，反向电压（VR）可达40伏特，正向电压降（VF）为0.6伏特。其反向漏电流（IR）控制在5微安以下，瞬时峰值电流（IFSM）为2安培。这些特性使其非常适合应用于需要高效能和低损耗的电子设备中，比如作为保护元件或在便携式设备的电源电路中提供稳定性能。

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￥0.40512 ￥0.5064
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型号：HSS16HE3BH 编号：C42389394

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有1安培的最大正向电流（IF），能够承受最高60伏特的反向电压（VR），其正向电压降（VF）为0.7伏特，在反向电压下，漏电流（IR）不超过500微安。该二极管还拥有30安培的瞬时峰值电流能力（IFSM），适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源整流或保护电路等场合。

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￥0.40524 ￥0.4605
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型号：HES1DHE3AI 编号：C42389407

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复二极管设计精良，具有高效的性能表现。其最大平均正向电流（IF）为1A，能够稳定处理200V的最大反向电压（VR）。在正向导通时，电压降（VF）低至0.95V，有效降低能耗。反向漏电流（IR）被限制在5μA，确保了在待机模式下的低功耗表现。此外，该二极管可以承受高达30A的瞬态正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电路和其他需要快速恢复时间和高效率的应用场景中。

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￥0.4248 ￥0.472
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型号：VS10MQ060-M3/5AT-HXY 编号：C52988742

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、开关电源输出以及高频电路中的续流和箝位等应用。

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￥0.42807 ￥0.4506
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￥0.340955 ￥0.3589
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型号：BAS40-04-G3-08-HXY 编号：C52754631

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，表现出优异的阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对体积和效率敏感的小功率电子系统，如便携设备电源整流、信号检波及低功耗电路中的极性保护等场景。

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￥0.432535 ￥0.4553
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型号：HSS26E352T 编号：C42389386

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2安培的最大正向电流（IF），并且能够承受最高60伏特的反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR）最大为500微安。此元件还设计有瞬间峰值电流（IFSM）承受能力，最高可达50安培。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如在电源管理、电池充电控制及高速信号传输路径上的保护等方面。

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￥0.4392 ￥0.488
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型号：BAS40-06-E3-08-HXY 编号：C52754633

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，体现出良好的导通与阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A。共阳极结构便于在双路信号或电源路径中实现紧凑布局，适用于需要同步整流或极性保护的便携式电子与通信设备中的电源管理及信号切换电路。

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￥0.44821 ￥0.4718
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型号：HES1DM361T 编号：C42389401

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（If），能够在电路中顺畅地导通大电流。其反向恢复时间短，有助于提高转换效率，适用于开关电源等高频应用场合。该二极管拥有200V的最大反向电压（Vr），保证了在高压环境下的稳定性。正向压降（Vf）仅为0.95V，在导通状态下能有效减少能量损耗。反向漏电流（Ir）小于5μA，在非导通状态能显著降低漏电损失。瞬态峰值电流（Ifsm）达到30A，可应对短时间内电流急剧变化的情况。这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。

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￥0.46744 ￥0.5843
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型号：B160AE-13-HXY 编号：C52988610

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合，常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。

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￥0.47063 ￥0.4954
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型号：HUS1JHE3AH 编号：C42389403

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µA），保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30A，适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。

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￥0.48208 ￥0.6026
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型号：RB168L-60TE25-HXY 编号：C52988614

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于在导通状态维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为500μA，表现出合理的阻断特性。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，可应对短时过流情况。适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。

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￥0.490865 ￥0.5167
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型号：RBR2MM60ATFTR-HXY 编号：C52754492

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。

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￥0.499795 ￥0.5261
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￥0.26334 ￥0.2772

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型号：B140Q-13-F-HXY 编号：C52988598

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率和响应速度有较高要求的电子电路中。

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￥0.50426 ￥0.5308
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￥0.265715 ￥0.2797

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型号：B260S1F-7-HXY 编号：C52754487

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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￥0.508725 ￥0.5355
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￥0.26809 ￥0.2822

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型号：XBS024S15R-G-HXY 编号：C52754554

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.54V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）为90μA，体现出良好的反向阻断能力。器件支持1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压钳位及各类便携式电子设备中的高效能电路设计。

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型号：NSVRB521S30T5G-HXY 编号：C52754539

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

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型号：SK34SMB-HXY 编号：C53262817

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下减少能量损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对效率与热管理有较高要求的电路应用。

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￥0.522785 ￥0.5503
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型号：BYS10-45-M3/TR3-HXY 编号：C52988741

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于电源整流、极性保护、开关电源输出级以及高频信号处理等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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型号：BYS10-35-M3/TR3-HXY 编号：C52988739

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路，常见于电源适配器、消费类电子产品和通用电子设备中。

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型号：RB160MM-40TR-HXY 编号：C52754464

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流（IR）为200μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、信号箝位、极性保护及高频开关等电路应用。

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型号：STPS160A-HXY 编号：C52988616

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

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型号：HES1DE35AT 编号：C42389405

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复二极管具有高效率特性，其最大平均正向电流（IF）为1安培，能够承受最高反向电压（VR）达到200伏特。在正向导通状态下的电压降（VF）仅为0.95伏特，这有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）控制在微安级别，具体为5微安，在瞬态大电流（IFSM）情况下可承受高达30安培的峰值。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。

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型号：RB168MM-40TR-HXY 编号：C52754465

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR不超过200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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型号：HZMY12GS08 编号：C42389413

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管提供0.2A的正向平均电流(IF)和12V的反向耐压(VR)，适用于需要稳定电压输出的各种电子设备。其正向电压降(VF)为1.2V，确保了在工作时能够维持所需的电压水平。该器件具有低至5μA的反向漏电流(IR)，表现出良好的绝缘特性。额定功耗(PD)为1W，适合于对功耗有一定要求的应用场景。此稳压二极管适用于多种消费电子产品中，以保障电路工作的可靠性和稳定性。

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型号：SK56B-LTP-HXY 编号：C52988705

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源及高频逆变器等应用场景。

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￥0.578265 ￥0.6087
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型号：HUS1MHE3AH 编号：C42389408

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（IF）和高达1000V的反向电压（VR），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF）仅为1.7V，在保证性能的同时减少了能量损耗。反向漏电流（IR）控制在5μA以内，确保了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态峰电流（IFSM）可达30A，适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。

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￥0.58106 ￥0.6836
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