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BYS10-45HE3_A/H-HXY

型号：BYS10-45HE3_A/H-HXY 编号：C52988740

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。

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￥0.423225 ￥0.4455
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￥0.413915 ￥0.4357
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￥0.40774 ￥0.4292
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￥0.401565 ￥0.4227

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PMEG100T20ELR-QX-HXY

型号：PMEG100T20ELR-QX-HXY 编号：C52754480

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。在正常工作条件下，其正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）不超过20μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达50A。适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。

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￥0.423225 ￥0.4455
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￥0.40774 ￥0.4292
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B1100Q-13-F-HXY

型号：B1100Q-13-F-HXY 编号：C52988588

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗。在最大反向电压下，其反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。

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￥0.43567 ￥0.4586
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￥0.426075 ￥0.4485
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￥0.413345 ￥0.4351

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NSVR0230M2T5G-HXY

型号：NSVR0230M2T5G-HXY 编号：C52754556

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和静态功耗要求较高的小型电子电路中，可有效支持信号整流、电源管理及低压保护等功能。

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￥0.448115 ￥0.4717
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￥0.438235 ￥0.4613
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￥0.43168 ￥0.4544
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￥0.425125 ￥0.4475

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SK3150AHE3-LTP-HXY

型号：SK3150AHE3-LTP-HXY 编号：C52988640

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，典型反向漏电流（IR）为100μA，具备较低的导通损耗与良好的能效表现。器件可承受高达70A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景，常见于开关电源、适配器及各类高频电路中，能够有效提升系统整体稳定性与响应能力。

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￥0.473005 ￥0.4979
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￥0.46265 ￥0.487
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￥0.455715 ￥0.4797
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￥0.44878 ￥0.4724

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PMEG40T30ERX-HXY

型号：PMEG40T30ERX-HXY 编号：C52754503

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.473005 ￥0.4979
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￥0.46265 ￥0.487
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￥0.44878 ￥0.4724

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SDM2100S1F-7-HXY

型号：SDM2100S1F-7-HXY 编号：C52754482

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场合。

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￥0.497895 ￥0.5241
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￥0.48697 ￥0.5126
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￥0.479655 ￥0.5049
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￥0.47234 ￥0.4972

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SL04-HE3-08-HXY

型号：SL04-HE3-08-HXY 编号：C52754573

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频续流及各类对效率和瞬态性能有要求的电子电路。

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￥0.497895 ￥0.5241
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SKL36-HXY

型号：SKL36-HXY 编号：C52754510

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于对导通效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
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RB050LAM-40TR-HXY

型号：RB050LAM-40TR-HXY 编号：C52988665

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其典型正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）不超过500μA，体现出良好的反向截止性能。该器件适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中，凭借低VF和快速响应特性，有助于提升系统整体运行效率。

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￥0.51034 ￥0.5372
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￥0.49913 ￥0.5254
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￥0.491625 ￥0.5175
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￥0.484215 ￥0.5097

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VS20MQ060HM3/5AT-HXY

型号：VS20MQ060HM3/5AT-HXY 编号：C52988633

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.53523 ￥0.5634
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￥0.507775 ￥0.5345

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RBR3MM40BTFTR-HXY

型号：RBR3MM40BTFTR-HXY 编号：C52754504

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中。

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￥0.547675 ￥0.5765
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￥0.535705 ￥0.5639
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￥0.52763 ￥0.5554
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￥0.51965 ￥0.547

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SMMBD701LT1G-HXY

型号：SMMBD701LT1G-HXY 编号：C52754705

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为0.3A，最大反向电压VR为75V。在正常导通状态下，其正向压降VF为1.25V，反向漏电流IR低至1μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流IFSM达2A，适用于电源整流、高频开关、信号钳位及低压直流转换等电路场合，具备较快的开关响应特性与较低的功耗表现。

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￥0.56012 ￥0.5896
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￥0.547865 ￥0.5767
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￥0.5396 ￥0.568
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￥0.53143 ￥0.5594

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SS1FL4-M3/H-HXY

型号：SS1FL4-M3/H-HXY 编号：C52754470

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为1A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为200μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、高频开关及低电压输出等电路场合。

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￥0.56012 ￥0.5896
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￥0.5396 ￥0.568
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￥0.53143 ￥0.5594

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90V 3A

型号：B390CE-13-HXY 编号：C50176899

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有3A的正向平均电流（IF）和90V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流与续流应用。其正向导通压降较低，典型值为0.74V，有助于减少导通损耗，提升电路效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）典型值为200μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于开关电源、直流-直流转换器、反向极性保护及高频整流电路，尤其适合对效率和热性能有一定要求的便携式电子设备与通用电源系统，是实现低功耗、高可靠性设计的常用半导体元件。

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￥0.585295 ￥0.6161
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￥0.571615 ￥0.6017
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￥0.562495 ￥0.5921
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￥0.553375 ￥0.5825

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耐压:1000V 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：HUS1MHE3AH 编号：C42389408

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（IF）和高达1000V的反向电压（VR），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF）仅为1.7V，在保证性能的同时减少了能量损耗。反向漏电流（IR）控制在5μA以内，确保了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态峰电流（IFSM）可达30A，适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。

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￥0.590155 ￥0.6943
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￥0.47005 ￥0.553
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￥0.41004 ￥0.4824
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￥0.36499 ￥0.4294
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￥0.315265 ￥0.3709
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￥0.297245 ￥0.3497

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RB168LAM100TR-HXY

型号：RB168LAM100TR-HXY 编号：C52988750

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在突发大电流的电路条件。典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。

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￥0.597455 ￥0.6289
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￥0.575605 ￥0.6059
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￥0.566865 ￥0.5967

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B3100BE-13-HXY

型号：B3100BE-13-HXY 编号：C52988694

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下保持较低功耗；反向漏电流（IR）最大为100μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。

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￥0.6099 ￥0.642
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￥0.596505 ￥0.6279
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￥0.587575 ￥0.6185
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￥0.578645 ￥0.6091

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NRVB140SFT3G-HXY

型号：NRVB140SFT3G-HXY 编号：C52754575

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频开关电路及对效率和热性能有要求的便携式电子设备中的续流与保护功能。

5+
￥0.622345 ￥0.6551
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￥0.599545 ￥0.6311
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￥0.590425 ￥0.6215

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RB168LAM-40TFTR-HXY

型号：RB168LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988765

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对能效和热性能有要求的电路场合。

5+
￥0.622345 ￥0.6551
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MBRA2H100T3G-HXY

型号：MBRA2H100T3G-HXY 编号：C52988618

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子电路中。

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￥0.622345 ￥0.6551
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RBR2LAM40ATFTR-HXY

型号：RBR2LAM40ATFTR-HXY 编号：C52988768

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，在导通状态下可有效减少功率损耗；反向漏电流低至100μA，有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。凭借较低的VF与IR参数组合，该器件适用于电源整流、极性保护、开关电源中的续流路径以及对热管理和效率有较高要求的电子电路中。

5+
￥0.68457 ￥0.7206
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￥0.66956 ￥0.7048
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￥0.65949 ￥0.6942
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￥0.649515 ￥0.6837

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RB168MM-40TFTR-HXY

型号：RB168MM-40TFTR-HXY 编号：C52754577

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）最大为200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

5+
￥0.709555 ￥0.7469
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￥0.69388 ￥0.7304
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￥0.683525 ￥0.7195
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￥0.673075 ￥0.7085

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PMEG40T30EPX-HXY

型号：PMEG40T30EPX-HXY 编号：C52988664

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断特性。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景，凭借较低的导通损耗和快速恢复特性，可提升系统整体能效与稳定性。

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￥0.74689 ￥0.7862
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￥0.730455 ￥0.7689
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￥0.70851 ￥0.7458

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RB162LAM-40TFTR-HXY

型号：RB162LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988764

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和热管理有要求的低压电路中。

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￥0.784225 ￥0.8255
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SKL34-AQ-HXY

型号：SKL34-AQ-HXY 编号：C52754505

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，正向平均电流（IF）为3A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通损耗；在反向偏置下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的隔离特性。器件具备80A的非重复浪涌正向电流（IFSM）能力，适用于高频整流、电源转换、电池供电设备及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。

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￥0.784225 ￥0.8255
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STPS2H100AFY-HXY

型号：STPS2H100AFY-HXY 编号：C52988659

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、便携式电子设备、电源管理模块及高频整流电路等场景，满足对效率与可靠性的基本需求。

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RB068MM-60TFTR-HXY

型号：RB068MM-60TFTR-HXY 编号：C52754491

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备2A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类电子系统中的高频应用场合。

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CMIDSH1-3TR-HXY

型号：CMIDSH1-3TR-HXY 编号：C52754529

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和30V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在规定工作条件下保持稳定。器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用，凭借较低的导通压降和较快的开关响应，有助于提升电路效率与可靠性。

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VSMBRA140TRPBF-HXY

型号：VSMBRA140TRPBF-HXY 编号：C52988608

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关应用场景。

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