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NSR0240V2T1G-HXY

型号：NSR0240V2T1G-HXY 编号：C52754608

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中，提供可靠的单向导电性能。

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￥0.290035 ￥0.3053
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BYS10-45-M3/TR3-HXY

型号：BYS10-45-M3/TR3-HXY 编号：C52988741

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于电源整流、极性保护、开关电源输出级以及高频信号处理等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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￥0.292505 ￥0.3079
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￥0.28614 ￥0.3012
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￥0.281865 ￥0.2967
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￥0.27759 ￥0.2922

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BYS10-35-M3/TR3-HXY

型号：BYS10-35-M3/TR3-HXY 编号：C52988739

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路，常见于电源适配器、消费类电子产品和通用电子设备中。

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RB160MM-40TR-HXY

型号：RB160MM-40TR-HXY 编号：C52754464

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流（IR）为200μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、信号箝位、极性保护及高频开关等电路应用。

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STPS160A-HXY

型号：STPS160A-HXY 编号：C52988616

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

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￥0.296305 ￥0.3119
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￥0.28975 ￥0.305
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独立式耐压:12V 电流:5uA@9.1V

型号：HZMY12G 编号：C42389429

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备0.2A的正向电流(IF)承载能力，适用于需要稳定电压输出的电路设计。其反向工作电压(VR)为12V，确保了在该电压下能够提供可靠的性能。正向电压降(VF)为1.2V，意味着在导通状态下仅有较小的电压损失。反向漏电流(IR)控制在5μA以内，有助于维持电路的高效率。此外，最大功耗(PD)限制在1W，适合多种消费电子设备中的电源管理与保护应用。这些特性共同保证了器件在实际使用中的高效与可靠。

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￥0.30088 ￥0.3761
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￥0.28984 ￥0.3623
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RB168MM-40TR-HXY

型号：RB168MM-40TR-HXY 编号：C52754465

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR不超过200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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￥0.31616 ￥0.3328
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￥0.309225 ￥0.3255
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RB168MM100TR-HXY

型号：RB168MM100TR-HXY 编号：C52754450

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.84V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出优异的反向阻断能力。得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性，该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。

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￥0.31901 ￥0.3358
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BAT6402VH6327-HXY

型号：BAT6402VH6327-HXY 编号：C52754606

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。

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￥0.32984 ￥0.3472
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￥0.32262 ￥0.3396
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STPS1L40AY-HXY

型号：STPS1L40AY-HXY 编号：C52988606

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

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￥0.33117 ￥0.3486
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RBR3MM40ATFTR-HXY

型号：RBR3MM40ATFTR-HXY 编号：C52754580

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。

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BAS170WS-E3-08-HXY

型号：BAS170WS-E3-08-HXY 编号：C52754513

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有70V的反向重复峰值电压（VR）和0.07A的正向平均电流（IF）。其正向压降（VF）典型值为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.1μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流能力（IFSM）为0.1A，适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景，如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。

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￥0.326325 ￥0.3435
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MBR140SFT1G-HXY

型号：MBR140SFT1G-HXY 编号：C52754461

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过200μA，体现出良好的隔离性能。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、箝位及开关电源等电路，常见于消费电子、电源适配器及便携式设备中。

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￥0.33611 ￥0.3538
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￥0.3287 ￥0.346
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STPS1L40ZF-HXY

型号：STPS1L40ZF-HXY 编号：C52754471

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电池供电设备及高频整流等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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￥0.33858 ￥0.3564
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SSA24-HXY

型号：SSA24-HXY 编号：C52988627

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为2A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

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￥0.348555 ￥0.3669
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BAS70-06-G3-08-HXY

型号：BAS70-06-G3-08-HXY 编号：C52754636

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）典型值为2.5μA。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局，适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。

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￥0.348555 ￥0.3669
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NRVB0540T1G-HXY

型号：NRVB0540T1G-HXY 编号：C52754442

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的正向电流（IF）和40V的反向电压（VR）额定值。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）为80μA，表现出良好的反向阻断能力。器件能承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于消费电子、电源适配器和便携设备的电源管理模块中。

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￥0.348555 ￥0.3669
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STPS2H100ZF-HXY

型号：STPS2H100ZF-HXY 编号：C52754578

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场景。

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￥0.351025 ￥0.3695
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￥0.34333 ￥0.3614
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￥0.3382 ￥0.356
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￥0.33307 ￥0.3506

有货

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40V

型号：SS84 编号：C50176900

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有8A的正向平均整流电流（IF）和40V的最大反向重复电压（VR），适用于中等电压整流场景。其正向导通压降（VF）仅为0.55V，在大电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.1μA，表现出良好的阻断特性。该器件常用于开关电源、DC-DC转换器及电池充电管理电路中，适合对能效和热性能有较高要求的便携式电子设备。同时，也可应用于极性保护、反接防护和高频整流电路，提供快速响应和稳定性能。

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￥0.3541
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￥0.3459
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￥0.3404

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B2100A-13-F-HXY

型号：B2100A-13-F-HXY 编号：C52988617

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

5+
￥0.354825 ￥0.3735
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￥0.34694 ￥0.3652
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￥0.34181 ￥0.3598
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￥0.336585 ￥0.3543

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SKL14-AQ-HXY

型号：SKL14-AQ-HXY 编号：C52754467

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过200μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、极性保护、开关电源输出级以及对效率和响应速度有较高要求的电子电路中。

5+
￥0.35606 ￥0.3748
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￥0.348175 ￥0.3665
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￥0.337725 ￥0.3555

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SK110-AQ-HXY

型号：SK110-AQ-HXY 编号：C52988592

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景，在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。

5+
￥0.373445 ￥0.3931
50+
￥0.365275 ￥0.3845
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￥0.359765 ￥0.3787
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￥0.354255 ￥0.3729

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RB068MM100TFTR-HXY

型号：RB068MM100TFTR-HXY 编号：C52754481

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在100V反向电压下，漏电流（IR）最大为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、开关电源及各类便携式电子设备中。

5+
￥0.373445 ￥0.3931
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￥0.365275 ￥0.3845
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￥0.359765 ￥0.3787
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￥0.354255 ￥0.3729

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电压:60V 电流:2A

型号：HSS26HE3AH 编号：C42389388

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备2安培的正向电流（IF）处理能力，同时支持最高60伏特的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为0.7伏特，有效降低了导通损耗。反向漏电流（IR）则控制在500微安以下，确保了在待机或非导通状态下的能耗较低。该二极管还可以承受50安培的瞬时峰值电流（IFSM），适用于需要快速开关特性和低噪声性能的电子设备中，如适配器、消费电子产品中的电源管理和数据通信设备的保护等。

5+
￥0.38128 ￥0.4766
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￥0.37288 ￥0.4661
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￥0.36728 ￥0.4591
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￥0.36168 ￥0.4521

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1kV 2A

型号：HNRVUS2MA 编号：C42402116

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，具备快速开关特性和良好的热稳定性，适用于多种电源及整流应用。其最大正向平均电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1000V，正向压降（VF）典型值为1.85V，反向漏电流（IR）不超过50μA，同时可承受最高达60A的正向浪涌电流（IFSM）。该器件广泛用于开关电源、逆变电路、整流装置及高频电子系统中，适合对响应速度与运行稳定性有较高要求的通用型电子设备设计与应用。

10+
￥0.38505 ￥0.453
100+
￥0.30668 ￥0.3608
300+
￥0.267495 ￥0.3147
2000+
￥0.22916 ￥0.2696
4000+
￥0.2057 ￥0.242
10000+
￥0.193885 ￥0.2281

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SK14-AQ-HXY

型号：SK14-AQ-HXY 编号：C52988604

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为500μA，表现出合理的关断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态耐受能力有要求的整流、续流或电源极性保护等电路场合。

5+
￥0.41078 ￥0.4324
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￥0.401755 ￥0.4229
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￥0.39577 ￥0.4166
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￥0.38969 ￥0.4102

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MBR140ESFT1G-HXY

型号：MBR140ESFT1G-HXY 编号：C52754445

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在同类器件中处于合理范围。器件可承受高达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，具备良好的热稳定性和开关特性。

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BAT64T5Q-13-F-HXY

型号：BAT64T5Q-13-F-HXY 编号：C52754607

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，能够在有限空间内提供稳定可靠的单向导通功能。

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XBS023P11R-G-HXY

型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

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SS1F4-M3/H-HXY

型号：SS1F4-M3/H-HXY 编号：C52754469

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。

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