IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMAF

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、便携式电子设备、电源管理模块及高频整流电路等场景，满足对效率与可靠性的基本需求。

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￥1.451125 ￥1.5275
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型号：RB068MM-60TFTR-HXY 编号：C52754491

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备2A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类电子系统中的高频应用场合。

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￥1.474115 ￥1.5517
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￥0.75582 ￥0.7956

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型号：VSMBRA140TRPBF-HXY 编号：C52988608

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关应用场景。

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￥0.7676 ￥0.808

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型号：RB068LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988767

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流仅为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件在兼顾低VF与低IR的同时，适用于对效率和静态功耗敏感的电路设计，常见于电源整流、极性保护、高频续流以及便携式电子设备中的能量管理环节。

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￥1.52019 ￥1.6002
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型号：MBR20100CTF-G1-HXY 编号：C53262825

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备20A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达175A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源以及需要低导通损耗的电路拓扑。共阴极结构便于多路输出设计中的连接与布局，有助于提升整体电路效率与可靠性。

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型号：S320 编号：C52988760

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的浪涌电流承受能力，最大正向不重复浪涌电流（IFSM）可达70A。凭借较低的导通压降与良好的反向阻断特性，适用于对效率和热管理有较高要求的电源整流、开关模式电源输出级以及各类高频整流场合。

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￥1.84262 ￥1.9396
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￥0.94468 ￥0.9944

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型号：RB088LAM-40TFTR-HXY 编号：C52988757

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为5A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为500μA，在正常工作条件下维持良好的阻断性能。器件具备高达150A的正向浪涌电流能力（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中，能够有效支持稳定可靠的运行。

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￥1.93477 ￥2.0366
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￥0.99199 ￥1.0442

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型号：SL1545 编号：C41424808

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高效的电流处理能力，最大平均正向电流（IF/A）可达15A，最高反向电压（VR/V）为45V，而在正向导通状态下的电压降（VF/V）低至0.47V，漏电流（IR/uA）在常温条件下为200微安。此外，它能够承受高达175A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）。凭借其低功耗和快速开关速度，此二极管非常适合用于各种电子设备中的高速开关应用及电源管理部分，能够有效提升转换效率并减少能量损失。

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￥1.942212 ￥2.0884
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￥0.964317 ￥1.0369

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型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。

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￥2.072995 ￥2.1821
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型号：H1D04065BF-HXY 编号：C52145208

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）为1.3V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。在反向关断状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置，有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。

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￥2.698 ￥2.84
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型号：CMSH3-100MATR13-HXY 编号：C52988635

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合，有助于提升系统效率与运行稳定性。

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￥3.705 ￥3.9
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型号：NRVBA2H100T3G-VF01-HXY 编号：C52988619

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）最大为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件能承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换及对效率与热管理有较高要求的电子电路中。

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￥3.914 ￥4.12
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型号：RB218BM200FHTL-HXY 编号：C52754563

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.92V，典型反向漏电流（IR）为100μA，在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路，凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力，有助于提升系统效率与可靠性。

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￥8.797 ￥9.26
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￥5.016 ￥5.28

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型号：VSC4PH3006L-N3-HXY 编号：C53468165

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.59V，反向漏电流（IR）低至1μA，体现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流及开关电源等对效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中，共阴极结构便于桥式或双路输出设计，提升布局紧凑性与系统可靠性。

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型号：HC4D05120E 编号：C42389273

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以内，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达45A，表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。

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￥9.0303 ￥9.71
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￥6.4263 ￥6.91

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型号：HC4D10120E 编号：C42389275

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压和大电流场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。反向漏电流（IR/uA）为100微安，显示了良好的阻断能力。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到90A，表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值，适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

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￥16.2712 ￥18.49
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￥9.5656 ￥10.87

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型号：HSCS220AE2C 编号：C42389227

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流（IF/A），并在650V的反向电压（VR/V）下提供稳定的阻断能力。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的电力损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为40微安，保证了在非导通状态下的低功耗表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达150A，使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件，适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。

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￥17.2304 ￥19.58
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型号：MMSZ5245BT1G-CN 编号：C42419983

封装：SOD-123

品牌：ChipNobo(无边界)

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOD-123 二极管配置: 独立式稳压值(标称值): 15V 反向电流(Ir): 100nA@11V 稳压值(范围): 14.25V~15.75V

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￥0.0728
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￥0.0467

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型号：1SMA4735A 编号：C22438305

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
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￥0.1501 ￥0.158
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￥0.126445 ￥0.1331
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￥0.11229 ￥0.1182
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￥0.09994 ￥0.1052
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￥0.09329 ￥0.0982

有货

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型号：1SMA4733A 编号：C22438303

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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型号：1SMA4748A 编号：C23066835

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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有货

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型号：1SMA4737A 编号：C23066823

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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型号：1SMA4751A 编号：C23066825

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
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￥0.1501 ￥0.158
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￥0.126445 ￥0.1331
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型号：NHP260SFT3G-HXY 编号：C53467929

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向重复电压VR达600V。其正向压降VF为1.7V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合，能在高频工作条件下保持稳定性能。

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￥0.224105 ￥0.2359
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￥0.219165 ￥0.2307
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￥0.21584 ￥0.2272
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￥0.21261 ￥0.2238

有货

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型号：HUS1GE361T 编号：C42389404

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的最大反向电压（VR），适用于多种高频电路中。其正向电压降（VF）为1.3V，有效降低导通时的功耗。在反向状态下，漏电流（IR）不超过5µA，确保了较低的能量损失。瞬态条件下，该二极管可以承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），增强了其应对突发大电流的能力。这些特性使它成为需要快速开关及高效率性能的电路设计中的优选元件。

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￥0.216744 ￥0.2463
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￥0.188056 ￥0.2137
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￥0.149248 ￥0.1696
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￥0.140624 ￥0.1598

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型号：HUS1JE35AT 编号：C42389409

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复/高效率二极管具备1A的额定正向电流（IF），同时拥有600V的最大反向电压（VR），适合用于高压环境下的设计需求。其正向电压降（VF）为1.7V，有助于减少电力损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR）不超过5μA，在非导通期间能有效抑制电流泄漏。瞬时峰值电流（IFSM）可以承受高达30A，适用于需要应对突发大电流冲击的场合。这种二极管是构建高性能开关电源、直流变换器及其他需要快速切换特性的电子装置的理想选择。