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1kV 2A

型号：HNRVUS2MA 编号：C42402116

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，具备快速开关特性和良好的热稳定性，适用于多种电源及整流应用。其最大正向平均电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1000V，正向压降（VF）典型值为1.85V，反向漏电流（IR）不超过50μA，同时可承受最高达60A的正向浪涌电流（IFSM）。该器件广泛用于开关电源、逆变电路、整流装置及高频电子系统中，适合对响应速度与运行稳定性有较高要求的通用型电子设备设计与应用。

10+
￥0.382925 ￥0.4505
100+
￥0.304555 ￥0.3583
300+
￥0.26537 ￥0.3122
2000+
￥0.227035 ￥0.2671
4000+
￥0.203575 ￥0.2395
10000+
￥0.19176 ￥0.2256

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RBR1MM40ATR-HXY

型号：RBR1MM40ATR-HXY 编号：C52754466

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向阻断状态下，漏电流（IR）不超过200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

10+
￥0.399 ￥0.42
100+
￥0.317775 ￥0.3345
300+
￥0.27721 ￥0.2918
3000+
￥0.24681 ￥0.2598
6000+
￥0.222395 ￥0.2341
9000+
￥0.210235 ￥0.2213

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PMEG6020ELRX-HXY

型号：PMEG6020ELRX-HXY 编号：C52754490

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

10+
￥0.401185 ￥0.4223
100+
￥0.31958 ￥0.3364
300+
￥0.27873 ￥0.2934
3000+
￥0.24814 ￥0.2612
6000+
￥0.22363 ￥0.2354
9000+
￥0.211375 ￥0.2225

有货

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SD107WS-7-F-HXY

型号：SD107WS-7-F-HXY 编号：C52754583

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为0.8V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，体现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率和响应速度有要求的低功率电路，如便携设备电源整流、信号箝位及高频开关应用中的续流保护。

10+
￥0.403465 ￥0.4247
100+
￥0.321385 ￥0.3383
300+
￥0.280345 ￥0.2951
3000+
￥0.249565 ￥0.2627
6000+
￥0.224865 ￥0.2367
9000+
￥0.21261 ￥0.2238

有货

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电压:40V 电流:1.5A

型号：CRS08 编号：C41424802

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款肖特基二极管具有卓越的性能，其最大整流电流IF/A为1.5安培，反向阻断电压VR/V最高可达40伏特。在正向导通状态下，电压降VF/V仅为0.55伏特，展现出较低的功耗特性。此外，其在反偏条件下漏电流IR/uA为500微安，瞬态峰值电流IFSM/A能够达到50安培，适合于高速开关应用。此二极管适用于消费电子设备中的电源管理部分，如便携式设备充电电路、个人电子产品内的电压转换模块，以及任何需要高效能、低电压降和快速开关响应的应用场景。

10+
￥0.426219 ￥0.4583
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￥0.336939 ￥0.3623
300+
￥0.292299 ￥0.3143
3000+
￥0.258819 ￥0.2783
6000+
￥0.232035 ￥0.2495
9000+
￥0.21855 ￥0.235

有货

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BAS70-04-G3-08-HXY

型号：BAS70-04-G3-08-HXY 编号：C52754635

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在工作状态下能效表现良好；反向漏电流（IR）低至2.5μA，有助于降低静态功耗。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对电压钳位、信号整流或电源极性保护有需求的电子电路中，尤其适合空间受限且需多级串联使用的场合。

10+
￥0.432535 ￥0.4553
100+
￥0.344565 ￥0.3627
300+
￥0.30058 ￥0.3164
3000+
￥0.26752 ￥0.2816
6000+
￥0.24111 ￥0.2538
9000+
￥0.227905 ￥0.2399

有货

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12V

型号：1SMA5927A 编号：C50177010

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的稳定电压（VR）为12V，适用于需要精确电压基准的电路设计。正向导通电流（IF）为0.0312A，正向导通压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至5μA，表现出优异的反向阻断能力。器件在反向击穿状态下能维持电压稳定，具有良好的热稳定性和响应特性。常用于电源稳压、信号电平钳位及电压检测等场景，为模拟与数字电路提供可靠的电压保护与参考，适用于对稳定性要求较高的电子设备中。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
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￥0.27721 ￥0.2918
6000+
￥0.24985 ￥0.263
9000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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100V 5A

型号：S5B 编号：C48578679

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1.1V@5A；直流反向耐压(Vr) 100V；整流电流 5A；反向电流(Ir) 10uA

10+
￥0.4483
100+
￥0.3571
300+
￥0.3115

有货

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B260A-13-F-HXY

型号：B260A-13-F-HXY 编号：C52988629

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，最大反向漏电流（IR）为500μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达50A。适用于开关电源、电池供电设备及各类需要高效整流与快速响应的电子电路中。

5+
￥0.454955 ￥0.4789
50+
￥0.362425 ￥0.3815
150+
￥0.31616 ￥0.3328
500+
￥0.28139 ￥0.2962
2000+
￥0.25365 ￥0.267
4000+
￥0.23978 ￥0.2524

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BAS40-02V-G3-08-HXY

型号：BAS40-02V-G3-08-HXY 编号：C52754596

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景，尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。

5+
￥0.47519 ￥0.5002
50+
￥0.37848 ￥0.3984
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￥0.330125 ￥0.3475
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￥0.29393 ￥0.3094
3000+
￥0.26486 ￥0.2788
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￥0.25042 ￥0.2636

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BAS7005E6327HTSA1-HXY

型号：BAS7005E6327HTSA1-HXY 编号：C52754557

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.07A，最大反向电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，展现出良好的反向截止特性。非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对空间布局和电路集成度有要求的场合，常用于双路信号整流、电源极性保护及低压逻辑电平转换等应用。

5+
￥0.479655 ￥0.5049
50+
￥0.38209 ￥0.4022
150+
￥0.33326 ￥0.3508
500+
￥0.296685 ￥0.3123
3000+
￥0.267425 ￥0.2815
6000+
￥0.2527 ￥0.266

有货

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1kV 3A

型号：HS3MB13F 编号：C42402118

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该通用二极管具备良好的电性能，其正向电流IF可达3A，反向电压VR为1000V，确保了在高压环境下的稳定运行。正向电压VF仅为1.1V，降低了功耗；反向漏电流IR控制在5μA，保证了低损耗特性。此外，该二极管具有高达100A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。这款二极管是设计者在构建高效、可靠的电子电路时的理想选择。

5+
￥0.50248 ￥0.571
50+
￥0.397232 ￥0.4514
150+
￥0.34452 ￥0.3915
500+
￥0.305096 ￥0.3467
3000+
￥0.273504 ￥0.3108
6000+
￥0.257752 ￥0.2929

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NSR0240V2T1G-HXY

型号：NSR0240V2T1G-HXY 编号：C52754608

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中，提供可靠的单向导电性能。

5+
￥0.522215 ￥0.5497
50+
￥0.416005 ￥0.4379
150+
￥0.362805 ￥0.3819
500+
￥0.323 ￥0.34
3000+
￥0.29108 ￥0.3064
6000+
￥0.275215 ￥0.2897

有货

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独立式耐压:12V 电流:5uA@9.1V

型号：HZMY12G 编号：C42389429

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备0.2A的正向电流(IF)承载能力，适用于需要稳定电压输出的电路设计。其反向工作电压(VR)为12V，确保了在该电压下能够提供可靠的性能。正向电压降(VF)为1.2V，意味着在导通状态下仅有较小的电压损失。反向漏电流(IR)控制在5μA以内，有助于维持电路的高效率。此外，最大功耗(PD)限制在1W，适合多种消费电子设备中的电源管理与保护应用。这些特性共同保证了器件在实际使用中的高效与可靠。

5+
￥0.52608 ￥0.6576
50+
￥0.41584 ￥0.5198
150+
￥0.36072 ￥0.4509
500+
￥0.31944 ￥0.3993
2500+
￥0.28632 ￥0.3579
5000+
￥0.26984 ￥0.3373

有货

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SK5150B-LTP-HXY

型号：SK5150B-LTP-HXY 编号：C52988703

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为5A，最大反向重复峰值电压（VR）达150V。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在导通状态下保持较低的功率损耗；反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和瞬态响应有明确要求的各类电子系统中。

5+
￥0.56031 ￥0.5898
50+
￥0.44631 ￥0.4698
150+
￥0.38931 ￥0.4098
500+
￥0.34656 ￥0.3648
3000+
￥0.31236 ￥0.3288
6000+
￥0.29526 ￥0.3108

有货

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RBR3MM40ATFTR-HXY

型号：RBR3MM40ATFTR-HXY 编号：C52754580

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。

5+
￥0.596125 ￥0.6275
50+
￥0.474905 ￥0.4999
150+
￥0.4142 ￥0.436
500+
￥0.368695 ￥0.3881
3000+
￥0.33231 ￥0.3498
6000+
￥0.314165 ￥0.3307

有货

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STPS2H100ZF-HXY

型号：STPS2H100ZF-HXY 编号：C52754578

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场景。

5+
￥0.632035 ￥0.6653
50+
￥0.503405 ￥0.5299
150+
￥0.43909 ￥0.4622
500+
￥0.390925 ￥0.4115
3000+
￥0.352355 ￥0.3709
6000+
￥0.33307 ￥0.3506

有货

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SKL14-AQ-HXY

型号：SKL14-AQ-HXY 编号：C52754467

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过200μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、极性保护、开关电源输出级以及对效率和响应速度有较高要求的电子电路中。

5+
￥0.640965 ￥0.6747
50+
￥0.51053 ￥0.5374
150+
￥0.44536 ￥0.4688
500+
￥0.396435 ￥0.4173
3000+
￥0.357295 ￥0.3761
6000+
￥0.337725 ￥0.3555

有货

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IF:10A VR:60V VF:0.7V IFSM:175A

型号：SS1060 编号：C41424799

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高效的性能，其最大连续正向电流（IF/A）为10安培，反向电压（VR/V）最高可达60伏特。在正向导通状态下，电压降（VF/V）仅0.7伏特，这有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）极低，仅为0.1微安，确保了在无正向电流时的高阻断能力。瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达到175安培，适用于需要瞬间处理大电流的应用场景。该二极管适用于高频开关电源和整流电路中，提供可靠的电流控制与转换。

5+
￥0.6415
50+
￥0.5071
150+
￥0.4399
500+
￥0.3895
3000+
￥0.3492
6000+
￥0.329

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电压:60V 电流:2A

型号：HSS26HE3AH 编号：C42389388

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备2安培的正向电流（IF）处理能力，同时支持最高60伏特的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为0.7伏特，有效降低了导通损耗。反向漏电流（IR）则控制在500微安以下，确保了在待机或非导通状态下的能耗较低。该二极管还可以承受50安培的瞬时峰值电流（IFSM），适用于需要快速开关特性和低噪声性能的电子设备中，如适配器、消费电子产品中的电源管理和数据通信设备的保护等。

5+
￥0.66664 ￥0.8333
50+
￥0.52696 ￥0.6587
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￥0.45712 ￥0.5714
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￥0.4048 ￥0.506
3000+
￥0.36288 ￥0.4536
6000+
￥0.34192 ￥0.4274

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PMEG100T20ELR-QX-HXY

型号：PMEG100T20ELR-QX-HXY 编号：C52754480

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。在正常工作条件下，其正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）不超过20μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达50A。适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。

5+
￥0.761995 ￥0.8021
50+
￥0.606955 ￥0.6389
150+
￥0.529435 ￥0.5573
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￥0.471295 ￥0.4961
3000+
￥0.424745 ￥0.4471
6000+
￥0.401565 ￥0.4227

有货

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电压:80V 电流:8A

型号：SK86C 编号：C41424798

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种具有快速开关特性和低正向电压降的半导体器件。本款肖特基二极管的最大平均正向电流（IF/A）为8A，最大反向电压（VR/V）可达60V，正向电压降（VF/V）仅为0.7V，在反向偏置下，其漏电流（IR/uA）不超过100微安。此外，该二极管的瞬时峰值电流（IFSM/A）能够承受高达150A。这些特性使其适用于需要高效能和低能耗的应用中，如电源转换和整流电路中的快速切换场合。

5+
￥0.7836
50+
￥0.6194
150+
￥0.5373
500+
￥0.4758
3000+
￥0.4265
6000+
￥0.4019

有货

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16V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C50177011

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的标称稳压值（VR）为16V，正向导通电流（IF）为0.0234A，正向导通压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值仅为1μA，具有较低的漏电特性与良好的热稳定性。器件工作于反向击穿区时可提供稳定的电压钳位，适用于需要精确电压控制的电路。常用于电源电路中的过压保护、基准电压生成及信号调理模块，为高精度电子设备提供可靠的电压参考与电路保护功能。

5+
￥0.784415 ￥0.8257
50+
￥0.624815 ￥0.6577
150+
￥0.545015 ￥0.5737
500+
￥0.485165 ￥0.5107
3000+
￥0.437285 ￥0.4603
6000+
￥0.413345 ￥0.4351

有货

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电压:40V 电流:10A

型号：SK104C 编号：C41424796

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管以其低正向电压降和快速开关特性著称，本次介绍的型号具备10安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高40伏特的反向电压（VR/V）。在正向导通状态下，其电压降仅为0.55伏特（VF/V），有助于提高电路效率。此外，该二极管在反向电压下的漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了良好的阻断性能。值得一提的是，它还拥有高达175安培的瞬时峰值整流电流（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能二极管的电子设备中。

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￥0.9621
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￥0.7555
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￥0.6669

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H1D02065AF-HXY

型号：H1D02065AF-HXY 编号：C52145206

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

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￥1.03094 ￥1.0852
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￥0.977265 ￥1.0287

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6.8V 10uA@4V

型号：SML4736-E3/61-HXY 编号：C50177009

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有6.8V的稳定电压（VR），在正向导通时电流为0.037A（IF），反向漏电流低至10μA（IR），表现出良好的反向阻断特性。器件在反向击穿区工作时能维持电压稳定，适用于需要精确电压参考的电路。常用于电源管理模块、模拟信号调理电路及电压检测单元中，为敏感电子组件提供可靠的电压钳位与保护，确保系统在波动环境中稳定运行。

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￥1.151685 ￥1.2123
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RBR2LAM40ATFTR-HXY

型号：RBR2LAM40ATFTR-HXY 编号：C52988768

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，在导通状态下可有效减少功率损耗；反向漏电流低至100μA，有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。凭借较低的VF与IR参数组合，该器件适用于电源整流、极性保护、开关电源中的续流路径以及对热管理和效率有较高要求的电子电路中。

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￥1.266825 ￥1.3335
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V10P20-M3/86A-HXY

型号：V10P20-M3/86A-HXY 编号：C53262815

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有10A的正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.9V，在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）在额定条件下为150μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流与高频开关场合。

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￥1.3775 ￥1.45
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￥1.3205 ￥1.39
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PMEG40T30EPX-HXY

型号：PMEG40T30EPX-HXY 编号：C52988664

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断特性。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景，凭借较低的导通损耗和快速恢复特性，可提升系统整体能效与稳定性。

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MBRS3100T3G-HXY

型号：MBRS3100T3G-HXY 编号：C52988708

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率与热管理有要求的电子电路中。

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￥1.094685 ￥1.1523
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