IR二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > IR二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共193052件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

齐纳二极管，SOT-23封装，双齐纳共阳极配置，300mW功率耗散

型号：AZ23C18 编号：C50168059

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 18V；反向电流(Ir) 100nA@14V；稳压值(范围) 16.8V~19.1V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 50Ω

20+
￥0.1049
200+
￥0.1026
600+
￥0.101

有货

立即购买

3.6V

型号：AZ23C3V6 编号：C50168054

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 3.6V；反向电流(Ir) -；稳压值(范围) 3.4V~3.8V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 95Ω

20+
￥0.1049
200+
￥0.1026
600+
￥0.101

有货

立即购买

5.1V

型号：AZ23C5V1 编号：C50168055

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 5.1V；反向电流(Ir) 100nA@0.8V；稳压值(范围) 4.8V~5.4V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 60Ω

20+
￥0.1049
200+
￥0.1026
600+
￥0.101

有货

立即购买

BZT52-B11X-HXY

型号：BZT52-B11X-HXY 编号：C53262780

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为11V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，额定功耗（PD）为0.5W。器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性，适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。其低漏电流特性有助于降低待机功耗，常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。

20+
￥0.1049
200+
￥0.1026
600+
￥0.101

有货

立即购买

B120-13-F-HXY

型号：B120-13-F-HXY 编号：C52988593

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于低压高频整流、电源管理及信号箝位等电路，在注重效率与响应速度的应用中表现稳定可靠。

20+
￥0.124545 ￥0.1311
200+
￥0.12179 ￥0.1282
600+
￥0.119985 ￥0.1263
2000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

立即购买

SBAS70-04LT1G-HXY

型号：SBAS70-04LT1G-HXY 编号：C52754623

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至2.5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

10+
￥0.129485 ￥0.1363
100+
￥0.126635 ￥0.1333
300+
￥0.124735 ￥0.1313
1000+
￥0.122835 ￥0.1293

有货

立即购买

BAR46AFILM-HXY

型号：BAR46AFILM-HXY 编号：C52754621

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在25℃下反向漏电流（IR）典型值为5μA，能够承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的紧凑型电路设计，常见于电源管理、信号解调及高频开关等应用场景。

10+
￥0.13072 ￥0.1376
100+
￥0.12787 ￥0.1346
300+
￥0.12597 ￥0.1326
1000+
￥0.12407 ￥0.1306

有货

立即购买

ES1MSA

型号：ES1MSA 编号：C53243824

封装：SMA

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向恢复时间（TRR）:35ns 正向压降(VF) 2.4V@1A；直流反向耐压(VR) 1000V；平均整流电流(IF) 1A；正向浪涌电流（IFSM）：30A ；反向电流(IR) 5uA@800V ；

20+
￥0.1311
200+
￥0.1282
600+
￥0.1263

有货

立即购买

BZT52-B22J-HXY

型号：BZT52-B22J-HXY 编号：C53262781

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为22V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）仅为0.1μA，额定功耗（PD）为0.5W。其在反向击穿状态下能提供稳定的22V参考电压，同时具备极低的漏电流特性，有助于提升电路效率与精度。适用于消费电子、通信设备及便携式装置中的电压基准、过压箝位和信号保护等应用。

20+
￥0.1311
200+
￥0.1282
600+
￥0.1263

有货

立即购买

独立式耐压:5.1V 电流:10uA@1V

型号：HZMY5.1G 编号：C42389426

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具有稳定的电气特性，适用于多种电路设计。其正向电流IF为0.2A，反向工作电压VR达到5.1V，保证了在该电压下器件能够稳定工作；正向电压VF仅为1.2V，表明低电压降特性，有助于减少能量损失。反向漏电流IR控制在10μA以下，确保了良好的隔离性能。此外，最大功耗PD限制为1W，适合应用于要求效率与可靠性的场合。这些参数共同确保了它在消费电子及日常应用中的高效表现。

10+
￥0.156621 ￥0.1887
100+
￥0.153218 ￥0.1846
300+
￥0.150894 ￥0.1818
1000+
￥0.14857 ￥0.179

有货

立即购买

BAS40-05-E3-08-HXY

型号：BAS40-05-E3-08-HXY 编号：C52754634

封装：SOT-23-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向平均电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）仅为0.2μA，展现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路，常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

10+
￥0.15808 ￥0.1664
100+
￥0.15466 ￥0.1628
300+
￥0.152285 ￥0.1603
1000+
￥0.150005 ￥0.1579

有货

立即购买

BSR106WS-HXY

型号：BSR106WS-HXY 编号：C52754533

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达10A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。整体参数组合使其在多种常规电子电路中具备稳定可靠的性能表现。

10+
￥0.160645 ￥0.1691
100+
￥0.157035 ￥0.1653
300+
￥0.154755 ￥0.1629
1000+
￥0.15238 ￥0.1604

有货

立即购买

VR:200V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HBAV21WSE308 编号：C42389375

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有0.2安培的正向电流（IF），能承受高达200伏特的反向电压（VR），其正向电压降（VF）为1.25伏特，并且在室温下反向漏电流（IR）仅为0.1微安，支持的最大瞬态正向浪涌电流（IFSM）为2安培。这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择，适用于各种需要快速切换的应用场景，如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。

10+
￥0.16568 ￥0.2071
100+
￥0.162 ￥0.2025
300+
￥0.1596 ￥0.1995
1000+
￥0.15712 ￥0.1964

有货

立即购买

BAS40-04Q-13-F-HXY

型号：BAS40-04Q-13-F-HXY 编号：C52754632

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，展现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。串联配置有助于提升整体耐压能力，同时保持较低的导通损耗，适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。

10+
￥0.16682 ￥0.1756
100+
￥0.16321 ￥0.1718
300+
￥0.16074 ￥0.1692
1000+
￥0.15827 ￥0.1666

有货

立即购买

BAT46ZFILM-HXY

型号：BAT46ZFILM-HXY 编号：C52988737

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.15A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出稳定的阻断能力。器件可承受0.8A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于低电流、高效率要求的电源整流、信号检波、电池供电设备以及便携式电子产品的保护与切换电路中。

10+
￥0.168055 ￥0.1769
100+
￥0.16435 ￥0.173
300+
￥0.16188 ￥0.1704
1000+
￥0.159505 ￥0.1679

有货

立即购买

BAS70W-04-7-F-HXY

型号：BAS70W-04-7-F-HXY 编号：C52754639

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达70V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1.25V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）低至2.5μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

10+
￥0.16929 ￥0.1782
100+
￥0.165585 ￥0.1743
300+
￥0.163115 ￥0.1717
1000+
￥0.160645 ￥0.1691

有货

立即购买

耐压:15V 电流:1uA

型号：1SMB5929B 编号：C23066839

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.17708 ￥0.1864
100+
￥0.172995 ￥0.1821
300+
￥0.17024 ￥0.1792
1000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

立即购买

MM3Z8V2T1GX-HXY

型号：MM3Z8V2T1GX-HXY 编号：C53262783

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压（VR），在正向导通时压降为0.9V（VF），最大正向电流（IF）为0.01A。其反向漏电流（IR）低至0.5微安，确保在非工作状态下功耗极小。器件额定功耗（PD）为0.3瓦，适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中，可有效提供电压基准或过压保护功能。

10+
￥0.1835
100+
￥0.1794
300+
￥0.1768

有货

立即购买

NSRLL30XV2T5G-HXY

型号：NSRLL30XV2T5G-HXY 编号：C52754538

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）低至1μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

10+
￥0.18924 ￥0.1992
100+
￥0.18506 ￥0.1948
300+
￥0.182305 ￥0.1919
1000+
￥0.17955 ￥0.189

有货

立即购买

SK36B-LTP-HXY

型号：SK36B-LTP-HXY 编号：C52988701

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。在反向偏置条件下，最大反向漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及各类低压高频电路中。

10+
￥0.19171 ￥0.2018
100+
￥0.18753 ￥0.1974
300+
￥0.18468 ￥0.1944
1000+
￥0.181925 ￥0.1915

有货

立即购买

耐压:20V 电流:5uA@15V

型号：1SMA4747A 编号：C23066824

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:13V 电流:5uA@10V

型号：1SMA4743A 编号：C23066830

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:6.2V 电流:10uA

型号：1SMA4735A 编号：C22438305

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:6.8V 电流:10uA

型号：1SMA4736A 编号：C23066826

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:7.5V 电流:10uA

型号：1SMA4737A 编号：C23066823

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:22V 电流:5uA

型号：1SMA4748A 编号：C23066835

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:36V 电流:5uA@27V

型号：1SMA4753A 编号：C23066828

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

PMEG3002AEB-HXY

型号：PMEG3002AEB-HXY 编号：C52754540

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗条件下保持良好稳定性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、信号解调、电源箝位以及便携式电子设备中的高效能电路设计。

10+
￥0.195415 ￥0.2057
100+
￥0.19114 ￥0.2012
300+
￥0.18829 ￥0.1982
1000+
￥0.18544 ￥0.1952

有货

立即购买

ES2MB

型号：ES2MB 编号：C53243822

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf)1.7V@2.0A 直流反向耐压(Vr)1kV 整流电流 2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)40A

10+
￥0.1966
100+
￥0.1923
300+
￥0.1894
1000+
￥0.1865

有货

立即购买

BAT41KFILM-HXY

型号：BAT41KFILM-HXY 编号：C52754601

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为1.24V，在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）低至0.5μA，有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。

10+
￥0.19798 ￥0.2084
100+
￥0.19361 ￥0.2038
300+
￥0.190665 ￥0.2007
1000+
￥0.187815 ￥0.1977

有货

立即购买

共6436页，193052条记录到页

<上一页
1
...
15
16
17
18
19
...
6436
下一页

立创商城为您提供IR二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买IR二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content