IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMB

该肖特基二极管为独立式结构，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）最大为100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗和较快的开关特性，适用于高频整流、电源转换、适配器以及各类电子设备中的续流、保护和箝位功能。

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￥0.228665 ￥0.2407
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￥0.12046 ￥0.1268

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型号：SBAS70-04LT1G-HXY 编号：C52754623

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至2.5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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￥0.23313 ￥0.2454
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型号：BAR46AFILM-HXY 编号：C52754621

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在25℃下反向漏电流（IR）典型值为5μA，能够承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的紧凑型电路设计，常见于电源管理、信号解调及高频开关等应用场景。

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￥0.235315 ￥0.2477
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型号：B160-13-F-HXY 编号：C52988609

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF为0.7V，在导通时维持较低的功率损耗；在最大反向电压下，反向漏电流IR不超过500μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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￥0.246525 ￥0.2595
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型号：BAT54JFILM-HXY 编号：C52754586

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

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￥0.25555 ￥0.269
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型号：BAS70JFILM-HXY 编号：C52754514

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.07A，最大反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1V，在关断状态下反向漏电流（IR）仅为0.1μA，体现出良好的低功耗特性。器件可承受的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对空间和能效敏感的小型电子系统，如便携设备、消费类电子产品中的整流、箝位及高频开关功能。

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￥0.260015 ￥0.2737
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型号：B180-13-F-HXY 编号：C53262784

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达80V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下保持较低的功耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过200μA，展现出良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源极性保护等电子电路中。

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￥0.265145 ￥0.2791
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￥0.255455 ￥0.2689
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型号：SK24-LTP-HXY 编号：C52988690

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换、便携设备供电管理及对能效与瞬态响应有明确要求的电子电路中。

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￥0.268945 ￥0.2831
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￥0.186865 ￥0.1967
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型号：STPS140A-HXY 编号：C52988605

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。结构设计兼顾稳定性和紧凑性，适合多种通用电子电路中的电源管理与信号处理功能。

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型号：HZMY5.1G 编号：C42389426

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具有稳定的电气特性，适用于多种电路设计。其正向电流IF为0.2A，反向工作电压VR达到5.1V，保证了在该电压下器件能够稳定工作；正向电压VF仅为1.2V，表明低电压降特性，有助于减少能量损失。反向漏电流IR控制在10μA以下，确保了良好的隔离性能。此外，最大功耗PD限制为1W，适合应用于要求效率与可靠性的场合。这些参数共同确保了它在消费电子及日常应用中的高效表现。

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￥0.2739 ￥0.33
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￥0.216464 ￥0.2608
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￥0.187829 ￥0.2263
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￥0.149068 ￥0.1796
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￥0.140436 ￥0.1692

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型号：B360A-E3/61T-HXY 编号：C53262787

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件具备较强的浪涌承受能力，非重复峰值正向电流（IFSM）可达70A。适用于开关电源、适配器及各类高频整流电路中，对效率和响应速度有一定要求的场合。

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￥0.27797 ￥0.2926
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￥0.22135 ￥0.233
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型号：BAS40-05-E3-08-HXY 编号：C52754634

封装：SOT-23-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向平均电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）仅为0.2μA，展现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路，常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

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￥0.28462 ￥0.2996
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￥0.226765 ￥0.2387
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￥0.19779 ￥0.2082
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型号：BSR106WS-HXY 编号：C52754533

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达10A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。整体参数组合使其在多种常规电子电路中具备稳定可靠的性能表现。

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￥0.28918 ￥0.3044
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￥0.23028 ￥0.2424
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￥0.200925 ￥0.2115
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￥0.15238 ￥0.1604

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型号：SBAS40-04LT1G-HXY 编号：C52754626

封装：SOT-23-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号检波场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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￥0.291365 ￥0.3067
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￥0.232085 ￥0.2443
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￥0.15352 ￥0.1616

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型号：S100-HXY 编号：C52988591

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的浪涌电流承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达30A。该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合，凭借较低的VF值有助于提升系统效率，同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。

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￥0.291365 ￥0.3067
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￥0.232085 ￥0.2443
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型号：BAS40-04Q-13-F-HXY 编号：C52754632

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，展现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。串联配置有助于提升整体耐压能力，同时保持较低的导通损耗，适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。

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￥0.30039 ￥0.3162
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￥0.23921 ￥0.2518
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￥0.208715 ￥0.2197
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￥0.18582 ￥0.1956
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￥0.167485 ￥0.1763
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￥0.15827 ￥0.1666

有货

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型号：BAT46ZFILM-HXY 编号：C52988737

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.15A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出稳定的阻断能力。器件可承受0.8A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于低电流、高效率要求的电源整流、信号检波、电池供电设备以及便携式电子产品的保护与切换电路中。

10+
￥0.302575 ￥0.3185
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￥0.241015 ￥0.2537
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￥0.210235 ￥0.2213
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￥0.18715 ￥0.197
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￥0.16872 ￥0.1776
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￥0.159505 ￥0.1679

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型号：BAS70W-04-7-F-HXY 编号：C52754639

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达70V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1.25V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）低至2.5μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

10+
￥0.304855 ￥0.3209
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￥0.24282 ￥0.2556
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￥0.21185 ￥0.223
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￥0.188575 ￥0.1985
6000+
￥0.169955 ￥0.1789
9000+
￥0.160645 ￥0.1691

有货

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型号：SK310A-LTP-HXY 编号：C52988636

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及续流保护等电路场合。

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￥0.3116 ￥0.328
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￥0.24814 ￥0.2612
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￥0.216505 ￥0.2279
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￥0.192755 ￥0.2029
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￥0.17366 ￥0.1828
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￥0.16416 ￥0.1728

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型号：MM3Z8V2T1GX-HXY 编号：C53262783

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压（VR），在正向导通时压降为0.9V（VF），最大正向电流（IF）为0.01A。其反向漏电流（IR）低至0.5微安，确保在非工作状态下功耗极小。器件额定功耗（PD）为0.3瓦，适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中，可有效提供电压基准或过压保护功能。

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￥0.313785 ￥0.3303
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￥0.249945 ￥0.2631
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￥0.218025 ￥0.2295
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￥0.174895 ￥0.1841
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￥0.165395 ￥0.1741

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型号：PMEG4010CEGWJ-HXY 编号：C52754446

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在高频或高温环境下仍能维持基本性能。器件可承受峰值达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、开关模式电源中的续流保护、信号解调以及各类低电压、高效率要求的电子电路中，表现出较快的开关响应与较低的热损耗。

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￥0.316065 ￥0.3327
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￥0.25175 ￥0.265
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￥0.219545 ￥0.2311
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￥0.19551 ￥0.2058
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￥0.176225 ￥0.1855
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￥0.166535 ￥0.1753

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型号：SBAS40-06LT1G-HXY 编号：C52754627

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，具备良好的导通与阻断性能。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路同步整流或信号钳位的电路结构，常见于消费类电子设备中的电源管理、电池保护及逻辑电平转换等应用。

10+
￥0.32053 ￥0.3374
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￥0.255265 ￥0.2687
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￥0.22268 ￥0.2344
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￥0.178695 ￥0.1881
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￥0.16891 ￥0.1778

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型号：NSRLL30XV2T5G-HXY 编号：C52754538

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）低至1μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

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￥0.34067 ￥0.3586
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￥0.23674 ￥0.2492
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￥0.17955 ￥0.189

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型号：BAT41KFILM-HXY 编号：C52754601

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为1.24V，在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）低至0.5μA，有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。

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￥0.356345 ￥0.3751
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￥0.198645 ￥0.2091
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￥0.187815 ￥0.1977

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型号：NSR0230M2T5G-HXY 编号：C52754555

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向截止特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。

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型号：B140S1F-7-HXY 编号：C52754459

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达40V，典型正向压降为0.55V，反向漏电流为200μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源极性保护等电路。其较低的VF有助于减少功耗，而适中的VR与可控的IR使其在多种常规电子系统中具备稳定的工作表现。

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型号：RB751G-40T2R-HXY 编号：C52754614

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于减少导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，展现出优异的反向阻断能力。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。

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型号：VS10MQ040HM3/5AT-HXY 编号：C52988607

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通时可有效降低功耗；反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的反向阻断特性。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于电源整流、极性保护、高频开关以及续流路径等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。

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型号：B160Q-13-F-HXY 编号：C52988611

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路，常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。

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