IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SMB5920B 编号：C22438309

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.326515 ￥0.3437
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￥0.258115 ￥0.2717
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￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.198265 ￥0.2087
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￥0.177745 ￥0.1871
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：XYC-IR333C-L4 编号：C2693585

封装：插件,D=5mm

品牌：NEWOPTO(鑫永诚光电)

XYC-IR333C-L4 是一款低功耗，插件式外型封装的二极管, 它具有发射功率强、受光角度均匀等优点。

数据手册

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￥0.3396
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￥0.2748
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￥0.2424
1000+
￥0.1878
5000+
￥0.1684
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￥0.1587

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型号：BAS21AHT1G 编号：C512873

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

BAS21AHT1G 是一款低漏开关二极管，采用 SOD-323 封装。该器件与 BAS21HT1G 相同，但性能更佳，符合逆向漏电流 (IR) 规范。

数据手册

10+
￥0.3585
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￥0.2893
300+
￥0.2546

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型号：SL04-E3-08-HXY 编号：C52754572

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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￥0.368505 ￥0.3879
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￥0.360335 ￥0.3793
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￥0.355015 ￥0.3737
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￥0.3496 ￥0.368

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型号：1SMB5927BT3G 编号：C50177012

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有12V的反向击穿电压（VR），在正常工作时正向导通电流（IF）为31.2mA，正向导通压降（VF）为1.5V，表现出良好的导通特性。在反向截止状态下，漏电流（IR）仅为1μA，具备优异的阻断能力。该器件适用于需要稳定参考电压的电路，常用于电源管理、信号调理及电压钳位等场景，可为敏感电路提供过压保护，同时在直流电源转换和小型电子设备中实现电压基准功能，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。

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￥0.398335 ￥0.4193
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￥0.389595 ￥0.4101
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￥0.383705 ￥0.4039
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￥0.37791 ￥0.3978

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型号：CRS08 编号：C41424802

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款肖特基二极管具有卓越的性能，其最大整流电流IF/A为1.5安培，反向阻断电压VR/V最高可达40伏特。在正向导通状态下，电压降VF/V仅为0.55伏特，展现出较低的功耗特性。此外，其在反偏条件下漏电流IR/uA为500微安，瞬态峰值电流IFSM/A能够达到50安培，适合于高速开关应用。此二极管适用于消费电子设备中的电源管理部分，如便携式设备充电电路、个人电子产品内的电压转换模块，以及任何需要高效能、低电压降和快速开关响应的应用场景。

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￥0.426219 ￥0.4583
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￥0.336939 ￥0.3623
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￥0.292299 ￥0.3143
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￥0.258819 ￥0.2783
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￥0.232035 ￥0.2495
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￥0.21855 ￥0.235

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型号：1SMB5930BT3G 编号：C50177011

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的标称稳压值（VR）为16V，正向导通电流（IF）为0.0234A，正向导通压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值仅为1μA，具有较低的漏电特性与良好的热稳定性。器件工作于反向击穿区时可提供稳定的电压钳位，适用于需要精确电压控制的电路。常用于电源电路中的过压保护、基准电压生成及信号调理模块，为高精度电子设备提供可靠的电压参考与电路保护功能。

5+
￥0.43567 ￥0.4586
50+
￥0.426075 ￥0.4485
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￥0.41971 ￥0.4418
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￥0.413345 ￥0.4351

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型号：BAT165E6874HTMA1-HXY 编号：C52754589

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，在40V反向电压下的漏电流（IR）不超过1000μA。器件可承受高达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、电池保护、开关电源输出级以及高频信号处理等场合，兼顾较高的电流承载能力与较快的开关响应特性。

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￥0.448115 ￥0.4717
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￥0.438235 ￥0.4613
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￥0.43168 ￥0.4544
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￥0.425125 ￥0.4475

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型号：1SMA5927A 编号：C50177010

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的稳定电压（VR）为12V，适用于需要精确电压基准的电路设计。正向导通电流（IF）为0.0312A，正向导通压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至5μA，表现出优异的反向阻断能力。器件在反向击穿状态下能维持电压稳定，具有良好的热稳定性和响应特性。常用于电源稳压、信号电平钳位及电压检测等场景，为模拟与数字电路提供可靠的电压保护与参考，适用于对稳定性要求较高的电子设备中。

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￥0.44821 ￥0.4718
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￥0.35701 ￥0.3758
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￥0.31141 ￥0.3278
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￥0.27721 ￥0.2918
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￥0.24985 ￥0.263
9000+
￥0.23617 ￥0.2486

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型号：HZMY5.6G 编号：C42389412

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管拥有0.2A的额定电流（IF），并在反向方向上提供精确的5.6V稳压值（VR）。其正向电压（VF）为1.2V，确保了在正向偏置条件下的低能耗特性。反向漏电流（IR）限制在10微安，体现了良好的隔离性能。该二极管的最大允许功耗（PD）为1W，适合用于需要精密电压控制的电子产品中，如个人设备或家用电器内的电源管理电路，以实现可靠的电压稳定功能。

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￥0.453816 ￥0.5157
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￥0.361504 ￥0.4108
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￥0.315304 ￥0.3583
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￥0.28072 ￥0.319
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￥0.253 ￥0.2875
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￥0.239184 ￥0.2718

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型号：SS5150B 编号：C41424793

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一款低电压降、高速切换的理想选择，其特征参数包括正向电流IF最高可达5A，反向击穿电压VR最大为150V，正向电压降VF仅为0.95V，在反向电压下漏电流IR不超过100微安，瞬态正向浪涌电流IFSM可承受高达150A。此款二极管适用于需要高效能与快速响应的应用中，例如在电源转换电路中的整流作用或是保护敏感电子设备免受瞬时电压波动的影响。其低正向压降特性使其能够在多种电压敏感的设计中实现更高效的能量转换。

5+
￥0.483912 ￥0.5499
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￥0.382536 ￥0.4347
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￥0.331848 ￥0.3771
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￥0.293832 ￥0.3339
3000+
￥0.263384 ￥0.2993
6000+
￥0.24816 ￥0.282

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型号：BAS3010B03WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754527

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及高频开关等应用场景，具备响应速度快、导通损耗小的特点。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
50+
￥0.48697 ￥0.5126
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￥0.479655 ￥0.5049
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￥0.47234 ￥0.4972

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型号：ZM4740A-GS08-HXY 编号：C50177008

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有10V的稳定反向击穿电压（VR），在正常工作条件下可提供精确的电压参考。正向导通电流（IF）为0.091A，正向导通压降（VF）为1.2V，具备较低的导通损耗。反向漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性与能效表现。器件适用于小功率电源管理、电压钳位、电路保护及信号电平调节等应用，常用于消费类电子、便携式设备和通信模块中，为敏感电路提供可靠的电压稳定与瞬态保护功能。

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￥0.622345 ￥0.6551
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￥0.608665 ￥0.6407
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￥0.599545 ￥0.6311
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￥0.590425 ￥0.6215

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型号：SS1060 编号：C41424799

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高效的性能，其最大连续正向电流（IF/A）为10安培，反向电压（VR/V）最高可达60伏特。在正向导通状态下，电压降（VF/V）仅0.7伏特，这有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）极低，仅为0.1微安，确保了在无正向电流时的高阻断能力。瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达到175安培，适用于需要瞬间处理大电流的应用场景。该二极管适用于高频开关电源和整流电路中，提供可靠的电流控制与转换。

5+
￥0.6415
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￥0.5071
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￥0.4399
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￥0.3895
3000+
￥0.3492
6000+
￥0.329

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型号：ZM4735A-GS08-HXY 编号：C50177007

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为6.2V，适用于提供稳定的参考电压，广泛用于模拟信号处理和电源电压钳位电路中。其正向导通电流（IF）可达0.146A，正向压降（VF）为1.2V，具备一定的电流承载能力。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性。器件常用于低功率电源模块、电压检测电路、过压保护单元以及信号电平转换场合，适合对电压精度和工作稳定性有一定要求的电子设备应用。

5+
￥0.672125 ￥0.7075
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￥0.6574 ￥0.692
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￥0.64752 ￥0.6816
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￥0.637735 ￥0.6713

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型号：PMEG40T50EPX-HXY 编号：C52988672

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为5A，最大反向电压VR为40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于实现较低的导通损耗；反向漏电流IR为500μA，在正常工作条件下维持合理的阻断性能。器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式设备电源管理以及需要高效能和快速响应的低压电子电路中。

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￥0.784225 ￥0.8255
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￥0.766935 ￥0.8073
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￥0.75544 ￥0.7952
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￥0.743945 ￥0.7831

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型号：SK106B 编号：C41424788

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管设计精良，具备10A的正向电流（IF/A）承载能力，同时拥有60V的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为0.85V，保证了高效能表现。在反向偏置下，漏电流（IR/uA）控制在1000微安以下，显示出良好的阻断特性。此外，它能够承受250A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了可靠性和耐用性。适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他注重快速恢复时间和低功耗的电子设备中，是提升电路性能的理想选择。

5+
￥0.81624 ￥0.8592
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￥0.64524 ￥0.6792
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￥0.55974 ￥0.5892
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￥0.495615 ￥0.5217
3000+
￥0.444315 ￥0.4677
6000+
￥0.418665 ￥0.4407

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型号：RB068LAM-40TR-HXY 编号：C52988751

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下可有效减少功率损耗；反向漏电流（IR）低至100μA，表现出优异的反向截止性能。该器件适用于对能效和热管理要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频信号检波等电子电路中。

5+
￥0.84645 ￥0.891
50+
￥0.82783 ￥0.8714
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￥0.815385 ￥0.8583
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￥0.803035 ￥0.8453

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型号：CMMSH1-100GTR-HXY 编号：C52754449

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过200μA，体现出良好的阻断特性。器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景，凭借肖特基结构带来的快速开关性能，可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

5+
￥0.87134 ￥0.9172
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￥0.85215 ￥0.897
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￥0.83942 ￥0.8836
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￥0.826595 ￥0.8701

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型号：SK1045C 编号：C41424795

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管具有10A的正向电流IF能力，反向阻断电压VR为45V，正向电压降VF仅为0.55V，反向漏电流IR在测试条件下为100微安，且能够承受峰值为175A的瞬时正向浪涌电流IFSM。这款二极管适合用于要求低功耗和快速开关的应用中，如便携式电子设备的电源管理电路，或是在通信系统中作为高效的整流元件。其低VF特性有助于减少导通时的能量损失，从而提升整个电路的能源利用效率。

5+
￥0.9433
50+
￥0.7407
150+
￥0.6539

有货

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型号：MBRS2H100T3G-HXY 编号：C52988679

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在最大反向电压条件下，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、极性保护及高频开关类电路。

5+
￥0.958455 ￥1.0089
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￥0.937365 ￥0.9867
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￥0.923305 ￥0.9719
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￥0.909245 ￥0.9571

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型号：S320 编号：C52988760

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的浪涌电流承受能力，最大正向不重复浪涌电流（IFSM）可达70A。凭借较低的导通压降与良好的反向阻断特性，适用于对效率和热管理有较高要求的电源整流、开关模式电源输出级以及各类高频整流场合。

5+
￥0.99579 ￥1.0482
50+
￥0.97394 ￥1.0252
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￥0.95931 ￥1.0098
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￥0.94468 ￥0.9944

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型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。

5+
￥1.12024 ￥1.1792
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￥1.095635 ￥1.1533
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￥1.0792 ￥1.136
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￥1.062765 ￥1.1187

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型号：CMDSH-4ETR-HXY 编号：C52754522

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下保持较低的功率损耗。反向漏电流（IR）低至0.2μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率、稳定性和低漏电要求较高的电源整流、信号解调及高频开关等电子电路中。

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￥1.12024 ￥1.1792
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型号：HSCS210KE2C 编号：C42389201

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，表明在导通状态下能有效减少电力损耗。该二极管的反向恢复电流（IR/uA）为150μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。瞬态正向峰值电流（IFSM/A）可以达到46A，使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中，例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块，能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

1+
￥12.5664 ￥14.28
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￥10.6832 ￥12.14
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￥9.416 ￥10.7
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￥8.2104 ￥9.33
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￥7.6648 ￥8.71
990+
￥7.4272 ￥8.44

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型号：HFFSH40120ADNF085 编号：C42389312

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向电流(IF/A)，并且能够承受最高1200V的反向电压(VR/V)，适合应用于需要高电压和较大电流的场合。其正向电压(VF/V)为1.5V，有助于提升系统的整体效率。反向漏电流(IR/uA)为200微安，在正常工作条件下提供了可靠的绝缘性能。此外，该二极管还具有130A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，能够在短时间内处理较高的电流冲击，适用于要求高性能和高可靠性的电路设计中。

1+
￥42.5832 ￥48.39
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￥36.74 ￥41.75
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￥33.176 ￥37.7
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￥30.1928 ￥34.31

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型号：HFFSH30120A 编号：C42389249

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时减少了能量损耗。此外，其反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，表明即使在高压下也能维持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到121安培，增强了处理瞬间大电流的能力，适用于需要高耐压与快速开关特性的场合。

1+
￥45.0824 ￥51.23
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￥38.896 ￥44.2
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￥35.1296 ￥39.92
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￥31.9616 ￥36.32

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型号：MMSZ5231B-7-F-CN 编号：C42419982

封装：SOD-123

品牌：ChipNobo(无边界)

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOD-123 二极管配置: 独立式稳压值(标称值): 5.1V 反向电流(Ir): 5uA@2V 稳压值(范围): 4.85V~5.36V

50+
￥0.0393
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￥0.0383
3000+
￥0.0376

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型号：HBAS3218X 编号：C42389378

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具备0.25安培的正向电流（IF/A），并能承受最高250伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.25伏特，反向漏电流（IR/uA）低至0.1微安。此外，它还能承受4.5安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于需要高可靠性和快速开关速度的电子设计中，如在消费电子产品的信号处理及保护电路中发挥重要作用。

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型号：AZ23C3V3 编号：C50168057

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 3.3V；反向电流(Ir) 5uA@1V；稳压值(范围) 3.1V~3.5V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 95Ω

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