IR二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > IR二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共194322件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

CMMSH1-100GTR-HXY

型号：CMMSH1-100GTR-HXY 编号：C52754449

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过200μA，体现出良好的阻断特性。器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景，凭借肖特基结构带来的快速开关性能，可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

5+
￥1.61234 ￥1.6972
50+
￥1.27718 ￥1.3444
150+
￥1.13354 ￥1.1932
500+
￥0.954275 ￥1.0045
3000+
￥0.874475 ￥0.9205
6000+
￥0.826595 ￥0.8701

有货

立即购买

MBRS2H100T3G-HXY

型号：MBRS2H100T3G-HXY 编号：C52988679

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在最大反向电压条件下，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、极性保护及高频开关类电路。

5+
￥1.773555 ￥1.8669
50+
￥1.40486 ￥1.4788
150+
￥1.246875 ￥1.3125
500+
￥1.04975 ￥1.105
3000+
￥0.96197 ￥1.0126
6000+
￥0.909245 ￥0.9571

有货

立即购买

CMMSH1-40GTR-HXY

型号：CMMSH1-40GTR-HXY 编号：C52754460

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过200μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合，常见于消费类电子、便携设备及通用电源模块中。

5+
￥1.84262 ￥1.9396
50+
￥1.45958 ￥1.5364
150+
￥1.29542 ￥1.3636
500+
￥1.0906 ￥1.148
3000+
￥0.9994 ￥1.052
6000+
￥0.94468 ￥0.9944

有货

立即购买

RBR5L40ADDTE25-HXY

型号：RBR5L40ADDTE25-HXY 编号：C53262795

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为500μA，在正常工作条件下保持较低水平。器件可承受高达150A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

1+
￥2.5935 ￥2.73
10+
￥2.5365 ￥2.67
30+
￥2.4985 ￥2.63
100+
￥2.4605 ￥2.59

有货

立即购买

STPSC4G065UFY-HXY

型号：STPSC4G065UFY-HXY 编号：C52145209

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向导通压降（VF）为1.3V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。反向漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断特性与高温稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高结温下稳定工作，适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中，实现快速开关与低损耗运行。

1+
￥7.0965 ￥7.47
10+
￥5.8995 ￥6.21
30+
￥5.244 ￥5.52
100+
￥4.503 ￥4.74
500+
￥4.1705 ￥4.39
1000+
￥4.0185 ￥4.23

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH40120ADNF085 编号：C42389312

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向电流(IF/A)，并且能够承受最高1200V的反向电压(VR/V)，适合应用于需要高电压和较大电流的场合。其正向电压(VF/V)为1.5V，有助于提升系统的整体效率。反向漏电流(IR/uA)为200微安，在正常工作条件下提供了可靠的绝缘性能。此外，该二极管还具有130A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，能够在短时间内处理较高的电流冲击，适用于要求高性能和高可靠性的电路设计中。

1+
￥41.536 ￥47.2
10+
￥35.684 ￥40.55
30+
￥32.1288 ￥36.51
90+
￥29.1368 ￥33.11

有货

立即购买

HFFSH30120A

型号：HFFSH30120A 编号：C42389249

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时减少了能量损耗。此外，其反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，表明即使在高压下也能维持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到121安培，增强了处理瞬间大电流的能力，适用于需要高耐压与快速开关特性的场合。

1+
￥43.9736 ￥49.97
10+
￥37.7784 ￥42.93
30+
￥34.012 ￥38.65
90+
￥30.8528 ￥35.06

有货

立即购买

5uA@2V

型号：MMSZ5231B-7-F-CN 编号：C42419982

封装：SOD-123

品牌：ChipNobo(无边界)

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOD-123 二极管配置: 独立式稳压值(标称值): 5.1V 反向电流(Ir): 5uA@2V 稳压值(范围): 4.85V~5.36V

50+
￥0.0807
500+
￥0.0619
3000+
￥0.0515

有货

立即购买

电压:70V 电流:70mA

型号：BAS70-05 编号：C7528900

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io):7mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 反向电流(Ir)：200nA@50V 反向恢复时间(trr)：5ns

50+
￥0.1045 ￥0.11
500+
￥0.081415 ￥0.0857
3000+
￥0.06859 ￥0.0722
6000+
￥0.060895 ￥0.0641
24000+
￥0.054245 ￥0.0571
51000+
￥0.050635 ￥0.0533

有货

立即购买

VR:250V VF:1.25V

型号：HBAS321QF 编号：C42389377

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有以下特性：正向电流（IF/A）可达0.25安培，反向电压（VR/V）最高为250伏特，正向电压降（VF/V）仅为1.25伏特，在反向电压下漏电流（IR/uA）小于0.1微安，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）则可达到4.5安培。该二极管适用于高频开关电路中，能够提供快速的开关响应，同时保持较低的功耗，适用于消费电子产品中的信号整流或保护电路。

20+
￥0.170399 ￥0.2053
200+
￥0.13363 ￥0.161
600+
￥0.113212 ￥0.1364
3000+
￥0.101011 ￥0.1217
9000+
￥0.090387 ￥0.1089
21000+
￥0.08466 ￥0.102

有货

立即购买

VR:250V VF:1.25V

型号：HBAS321JX 编号：C42389373

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有0.25A的正向电流(IF)，可承受高达250V的反向电压(VR)，确保了在高压环境下的可靠性。其正向电压降(VF)为1.25V，表明在导通状态下的能量损失较低。反向漏电流(IR)仅为0.1μA，体现了优异的阻断能力。瞬态正向电流(IFSM)峰值可达4.5A，适合短时过载情况。这些特性使它成为高频开关电路中进行整流或保护的理想选择，适用于多种消费电子产品的设计中。

20+
￥0.184592 ￥0.2224
200+
￥0.144669 ￥0.1743
600+
￥0.122508 ￥0.1476
3000+
￥0.105161 ￥0.1267
9000+
￥0.093624 ￥0.1128
21000+
￥0.087399 ￥0.1053

有货

立即购买

5.6V 1uA

型号：MMSZ5232BT1G 编号：C50177013

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为5.6V，适用于提供稳定的电压参考。其正向导通电流（IF）为20mA，正向导通压降（VF）为0.9V，具有较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为5μA，表现出良好的阻断性能。该器件常用于电源稳压电路、信号电平转换及过压保护设计中，可有效维持电路工作点的稳定。在精密模拟电路、通信设备及便携式电子产品中，能为敏感模块提供可靠的电压钳位和基准电压支持。

20+
￥0.185725 ￥0.1955
200+
￥0.144685 ￥0.1523
600+
￥0.121885 ￥0.1283
3000+
￥0.108205 ￥0.1139
9000+
￥0.09633 ￥0.1014
21000+
￥0.089965 ￥0.0947

有货

立即购买

BZT52-B11X-HXY

型号：BZT52-B11X-HXY 编号：C53262780

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为11V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，额定功耗（PD）为0.5W。器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性，适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。其低漏电流特性有助于降低待机功耗，常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。

20+
￥0.190285 ￥0.2003
200+
￥0.149245 ￥0.1571
600+
￥0.126445 ￥0.1331
3000+
￥0.112765 ￥0.1187
9000+
￥0.10089 ￥0.1062
21000+
￥0.094525 ￥0.0995

有货

立即购买

耐压:16V 电流:5uA@12V

型号：1SMA4745A 编号：C23066831

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:9.1V 电流:10uA@7V

型号：1SMA4739A 编号：C23066833

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:12V 电流:5uA@9V

型号：1SMA4742A 编号：C23066822

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:20V 电流:5uA@15V

型号：1SMA4747A 编号：C23066824

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:13V 电流:5uA@10V

型号：1SMA4743A 编号：C23066830

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

耐压:6.8V 电流:10uA

型号：1SMA4736A 编号：C23066826

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

立即购买

齐纳二极管

型号：AZ23C18 编号：C50168059

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 18V；反向电流(Ir) 100nA@14V；稳压值(范围) 16.8V~19.1V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 50Ω

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331

有货

立即购买

1SS388

型号：1SS388 编号：C5766546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于高频整流、信号解调、电源极性保护及低功耗电子设备中的续流与箝位功能。

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331

有货

立即购买

5.1V

型号：AZ23C5V1 编号：C50168055

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 5.1V；反向电流(Ir) 100nA@0.8V；稳压值(范围) 4.8V~5.4V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 60Ω

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331

有货

立即购买

RKD700KL#R1-HXY

型号：RKD700KL#R1-HXY 编号：C52754615

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和功耗敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

20+
￥0.20691 ￥0.2178
200+
￥0.16226 ￥0.1708
600+
￥0.137465 ￥0.1447
2000+
￥0.122645 ￥0.1291
8000+
￥0.109725 ￥0.1155
16000+
￥0.10279 ￥0.1082

有货

立即购买

VR:100V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HSMMSD4148T1G 编号：C42389379

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有0.3A的正向平均电流（IF/A），可承受高达100V的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.25V，在反向条件下，漏电流（IR/uA）不大于1微安。此外，该二极管支持瞬时峰值为2A的正向电流（IFSM/A）。这些参数表明它适合用于要求快速切换的应用场景，如数据通信中的信号处理、电源管理电路中的保护以及电子设备中的逻辑电平转换等。

10+
￥0.213752 ￥0.2429
100+
￥0.16896 ￥0.192
300+
￥0.146608 ￥0.1666
3000+
￥0.1298 ￥0.1475
6000+
￥0.116336 ￥0.1322
9000+
￥0.109648 ￥0.1246

有货

立即购买

耐压:600V 反向恢复时间：35ns

型号：ES3JBG 编号：C41419585

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款快恢复、高效率二极管具有3安培的额定正向电流（IF/A），并能承受最高600伏特的反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.7伏特，有助于降低电力损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过5微安，确保了较低的待机功耗。此元件还具备处理高达80安培瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）的能力，使其在应对短时过载情况时表现出色。适用于高频开关电源、逆变电路以及其它需要高效转换的应用场合。

20+
￥0.215388 ￥0.2316
200+
￥0.167865 ￥0.1805
600+
￥0.14136 ￥0.152
3000+
￥0.12555 ￥0.135
9000+
￥0.111786 ￥0.1202
21000+
￥0.104346 ￥0.1122

有货

立即购买

RB531SM-40FHT2R-HXY

型号：RB531SM-40FHT2R-HXY 编号：C52754599

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗和高效率有要求的电源整流、信号检波及保护电路，常见于便携式电子设备与小型电源模块中。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
3000+
￥0.138605 ￥0.1459
9000+
￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

立即购买

BZT52-B22J-HXY

型号：BZT52-B22J-HXY 编号：C53262781

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为22V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）仅为0.1μA，额定功耗（PD）为0.5W。其在反向击穿状态下能提供稳定的22V参考电压，同时具备极低的漏电流特性，有助于提升电路效率与精度。适用于消费电子、通信设备及便携式装置中的电压基准、过压箝位和信号保护等应用。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
3000+
￥0.138605 ￥0.1459
9000+
￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

立即购买

BAT43WS-7-F-HXY

型号：BAT43WS-7-F-HXY 编号：C52754519

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的低功耗特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力为0.2A，适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源管理等应用场景，能够在紧凑空间内实现稳定的单向导通功能。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
3000+
￥0.138605 ￥0.1459
9000+
￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

立即购买

BAT42WS-7-F-HXY

型号：BAT42WS-7-F-HXY 编号：C52754518

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，正向平均电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.5μA，体现出良好的导通与截止性能。器件的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）为0.2A，适用于对功耗和信号完整性要求较高的低电压整流、信号检波、电源箝位及高频开关等电子电路中。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
3000+
￥0.138605 ￥0.1459
9000+
￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

立即购买

B120-13-F-HXY

型号：B120-13-F-HXY 编号：C52988593

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于低压高频整流、电源管理及信号箝位等电路，在注重效率与响应速度的应用中表现稳定可靠。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
2000+
￥0.138605 ￥0.1459
10000+
￥0.124925 ￥0.1315
20000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

立即购买

共6478页，194322条记录到页

<上一页
1
...
14
15
16
17
18
...
6478
下一页

立创商城为您提供IR二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买IR二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content