IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

该肖特基二极管采用独立式配置，平均正向电流（IF）为0.07A，反向重复峰值电压（VR）为70V。其正向压降（VF）典型值为1V，在低电流工作条件下保持稳定导通特性；反向漏电流（IR）低至0.1μA，展现出优异的反向截止能力。器件的非重复浪涌正向电流（IFSM）为0.1A，适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。

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￥0.29811 ￥0.3138
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￥0.166155 ￥0.1749
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￥0.15713 ￥0.1654

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型号：SB240 编号：C49296800

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管;正向压降(Vf) 500mV@2A;直流反向耐压(Vr) 40V;整流电流 2A;反向电流(Ir) 500uA@40V

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￥0.3229
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￥0.2557
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￥0.2221

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型号：1SMB5937B 编号：C23066842

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.326515 ￥0.3437
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￥0.258115 ￥0.2717
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￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.198265 ￥0.2087
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￥0.177745 ￥0.1871
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：1SMB5918B 编号：C22438307

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.326515 ￥0.3437
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￥0.258115 ￥0.2717
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￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：1SMB5930B 编号：C23066845

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.326515 ￥0.3437
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￥0.258115 ￥0.2717
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￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.198265 ￥0.2087
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型号：SK36B-LTP-HXY 编号：C52988701

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。在反向偏置条件下，最大反向漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及各类低压高频电路中。

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￥0.345135 ￥0.3633
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￥0.27493 ￥0.2894
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￥0.239875 ￥0.2525
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￥0.213465 ￥0.2247
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￥0.19247 ￥0.2026
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￥0.181925 ￥0.1915

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型号：SS510F 编号：C27975283

封装：SMAF

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；正向压降(Vf) 850mV@5A；直流反向耐压(Vr) 100V；平均整流电流(Io) 5A；反向电流(Ir) 1mA@100V

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￥0.3666
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￥0.2898
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￥0.2514

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型号：ES2MSA 编号：C53243825

封装：SMA

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向恢复时间（TRR）:35ns 正向压降(VF) 3.2V@2A；直流反向耐压(VR) 1000V；平均整流电流(IF) 2A；正向浪涌电流（IFSM）：50A ；反向电流(IR) 5uA@1000V ；

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￥0.3775
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￥0.3007
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￥0.2623
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￥0.2335

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型号：BAT54-02V-G3-08-HXY 编号：C52754535

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF为0.8V，在导通状态下维持适中的功耗水平；反向漏电流IR低至2μA，展现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低漏电和稳定整流性能有要求的电源管理、信号解调及保护电路等应用场景。

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￥0.40565 ￥0.427
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￥0.323095 ￥0.3401
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￥0.281865 ￥0.2967
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￥0.250895 ￥0.2641
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￥0.226195 ￥0.2381
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￥0.21375 ￥0.225

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型号：PMEG3010CEJ-HXY 编号：C52754530

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）最大为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合，表现出良好的开关特性和稳定性。

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￥0.40793 ￥0.4294
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￥0.3249 ￥0.342
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￥0.283385 ￥0.2983
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￥0.25232 ￥0.2656
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￥0.22743 ￥0.2394
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￥0.214985 ￥0.2263

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型号：HZMY5.6G 编号：C42389412

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管拥有0.2A的额定电流（IF），并在反向方向上提供精确的5.6V稳压值（VR）。其正向电压（VF）为1.2V，确保了在正向偏置条件下的低能耗特性。反向漏电流（IR）限制在10微安，体现了良好的隔离性能。该二极管的最大允许功耗（PD）为1W，适合用于需要精密电压控制的电子产品中，如个人设备或家用电器内的电源管理电路，以实现可靠的电压稳定功能。

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￥0.440792 ￥0.5009
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￥0.348392 ￥0.3959
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￥0.30228 ￥0.3435
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￥0.267608 ￥0.3041
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￥0.239888 ￥0.2726
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￥0.226072 ￥0.2569

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

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￥0.44821 ￥0.4718
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￥0.31141 ￥0.3278
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￥0.23617 ￥0.2486

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型号：SS5150B 编号：C41424793

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一款低电压降、高速切换的理想选择，其特征参数包括正向电流IF最高可达5A，反向击穿电压VR最大为150V，正向电压降VF仅为0.95V，在反向电压下漏电流IR不超过100微安，瞬态正向浪涌电流IFSM可承受高达150A。此款二极管适用于需要高效能与快速响应的应用中，例如在电源转换电路中的整流作用或是保护敏感电子设备免受瞬时电压波动的影响。其低正向压降特性使其能够在多种电压敏感的设计中实现更高效的能量转换。

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￥0.483912 ￥0.5499
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￥0.293832 ￥0.3339
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￥0.263384 ￥0.2993
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￥0.24816 ￥0.282

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型号：SK1045C 编号：C41424795

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管具有10A的正向电流IF能力，反向阻断电压VR为45V，正向电压降VF仅为0.55V，反向漏电流IR在测试条件下为100微安，且能够承受峰值为175A的瞬时正向浪涌电流IFSM。这款二极管适合用于要求低功耗和快速开关的应用中，如便携式电子设备的电源管理电路，或是在通信系统中作为高效的整流元件。其低VF特性有助于减少导通时的能量损失，从而提升整个电路的能源利用效率。

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￥0.4954
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￥0.4838
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型号：ES3MB 编号：C53243823

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向恢复时间 (TRR) :35ns 正向压降(Vf)3.2V@3A 直流反向耐压(Vr)1kV 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)60A

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￥0.519
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￥0.4134
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￥0.3606
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￥0.321

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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

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￥0.56031 ￥0.5898
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￥0.44631 ￥0.4698
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￥0.38931 ￥0.4098
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￥0.29526 ￥0.3108

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型号：BAT6402VH6327-HXY 编号：C52754606

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。

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￥0.59394 ￥0.6252
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￥0.31293 ￥0.3294

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型号：MBR140SFT1G-HXY 编号：C52754461

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过200μA，体现出良好的隔离性能。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、箝位及开关电源等电路，常见于消费电子、电源适配器及便携式设备中。

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￥0.60515 ￥0.637
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￥0.48203 ￥0.5074
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￥0.42047 ￥0.4426
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￥0.3743 ￥0.394
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￥0.337345 ￥0.3551
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￥0.318915 ￥0.3357

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型号：B2100A-13-F-HXY 编号：C52988617

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

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￥0.63878 ￥0.6724
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￥0.50882 ￥0.5356
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￥0.44384 ￥0.4672
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￥0.35606 ￥0.3748
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￥0.336585 ￥0.3543

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型号：SL04-E3-08-HXY 编号：C52754572

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）为200μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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￥0.663385 ￥0.6983
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￥0.369835 ￥0.3893
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￥0.3496 ￥0.368

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型号：ZHCS350TA 编号：C154768

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

这款新增的Zetex肖特基二极管采用SOD523封装，具备出色的低正向压降（VF）/反向电流（IR）性能，且封装高度仅为0.9mm，使其适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。

数据手册

5+
￥0.736
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￥0.7191
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￥0.7078

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型号：NSVR1020MW2T1G-HXY 编号：C52754592

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）为0.45V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在低电压应用中表现稳定。器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。

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￥0.739575 ￥0.7785
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￥0.589095 ￥0.6201
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￥0.513855 ￥0.5409
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￥0.4123 ￥0.434
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￥0.38969 ￥0.4102

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型号：SR1045 编号：C49296801

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 550mV@10A；直流反向耐压(Vr) 45V；整流电流 10A；反向电流(Ir) 100uA

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￥0.7549
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￥0.6013
150+
￥0.5245

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型号：BAT165E6874HTMA1-HXY 编号：C52754589

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，在40V反向电压下的漏电流（IR）不超过1000μA。器件可承受高达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、电池保护、开关电源输出级以及高频信号处理等场合，兼顾较高的电流承载能力与较快的开关响应特性。

5+
￥0.806835 ￥0.8493
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￥0.642675 ￥0.6765
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￥0.560595 ￥0.5901
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￥0.499035 ￥0.5253
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￥0.44973 ￥0.4734
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￥0.425125 ￥0.4475

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型号：MUR560CS 编号：C22365355

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.6V@5A 直流反向耐压(Vr) 600V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 1uA@600V 反向恢复时间(trr) 35ns 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.824885 ￥0.8683
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￥0.65208 ￥0.6864
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￥0.56563 ￥0.5954
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￥0.50084 ￥0.5272
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￥0.44897 ￥0.4726
6000+
￥0.423035 ￥0.4453

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型号：1N5359B(DO-27) 编号：C48578683

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式;稳压值(标称值) 24V;反向电流(Ir) 500nA@18.2V;耗散功率(Pd) 1W

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￥0.8493
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￥0.6765
150+
￥0.5901

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型号：ZM4740A-GS08-HXY 编号：C50177008

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有10V的稳定反向击穿电压（VR），在正常工作条件下可提供精确的电压参考。正向导通电流（IF）为0.091A，正向导通压降（VF）为1.2V，具备较低的导通损耗。反向漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性与能效表现。器件适用于小功率电源管理、电压钳位、电路保护及信号电平调节等应用，常用于消费类电子、便携式设备和通信模块中，为敏感电路提供可靠的电压稳定与瞬态保护功能。

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￥1.151685 ￥1.2123
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￥0.912285 ￥0.9603
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￥0.809685 ￥0.8523
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￥0.681625 ￥0.7175
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￥0.624625 ￥0.6575
5000+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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型号：MBRA2H100T3G-HXY 编号：C52988618

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子电路中。

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￥1.151685 ￥1.2123
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￥0.912285 ￥0.9603
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￥0.809685 ￥0.8523
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￥0.681625 ￥0.7175
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￥0.624625 ￥0.6575
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￥0.590425 ￥0.6215

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型号：ZM4735A-GS08-HXY 编号：C50177007

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为6.2V，适用于提供稳定的参考电压，广泛用于模拟信号处理和电源电压钳位电路中。其正向导通电流（IF）可达0.146A，正向压降（VF）为1.2V，具备一定的电流承载能力。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性。器件常用于低功率电源模块、电压检测电路、过压保护单元以及信号电平转换场合，适合对电压精度和工作稳定性有一定要求的电子设备应用。

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型号：MPG06GHE3_A/73 编号：C5377598

封装：MPG06

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。低正向压降。低泄漏电流，典型 IR 小于 0.1 μA。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10 s（符合 JESD 22-B106）。通过 AEC-Q101 认证。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用

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