IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMA

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及续流保护等电路场合。

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￥0.17309 ￥0.1822
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￥0.16929 ￥0.1782
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￥0.166725 ￥0.1755
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￥0.16416 ￥0.1728

有货

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型号：PMEG4010CEGWJ-HXY 编号：C52754446

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在高频或高温环境下仍能维持基本性能。器件可承受峰值达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、开关模式电源中的续流保护、信号解调以及各类低电压、高效率要求的电子电路中，表现出较快的开关响应与较低的热损耗。

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￥0.17556 ￥0.1848
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￥0.171665 ￥0.1807
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￥0.1691 ￥0.178
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￥0.166535 ￥0.1753

有货

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型号：1SMB5937B 编号：C23066842

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.17708 ￥0.1864
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￥0.172995 ￥0.1821
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￥0.17024 ￥0.1792
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￥0.167485 ￥0.1763

有货

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型号：1SMB5935B 编号：C23066844

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.17708 ￥0.1864
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￥0.172995 ￥0.1821
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￥0.17024 ￥0.1792
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：SBAS40-06LT1G-HXY 编号：C52754627

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，具备良好的导通与阻断性能。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路同步整流或信号钳位的电路结构，常见于消费类电子设备中的电源管理、电池保护及逻辑电平转换等应用。

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￥0.17803 ￥0.1874
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￥0.174135 ￥0.1833
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￥0.171475 ￥0.1805
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型号：NSR1020MW2T1G-HXY 编号：C52754591

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）典型值为0.45V，在导通时可有效降低功耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件具备25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、高频开关、电源极性保护及便携式电子设备中的续流和钳位功能。

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￥0.1805 ￥0.19
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￥0.173945 ￥0.1831
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有货

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型号：1SMA4741A 编号：C23066836

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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￥0.126445 ￥0.1331
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￥0.09994 ￥0.1052
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有货

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型号：1SMA4740A 编号：C23066832

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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型号：1SMA4734A 编号：C22438304

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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型号：1SMA4745A 编号：C23066831

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4739A 编号：C23066833

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4742A 编号：C23066822

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4750A 编号：C23066837

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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型号：1SMA4751A 编号：C23066825

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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￥0.1501 ￥0.158
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￥0.126445 ￥0.1331
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￥0.11229 ￥0.1182
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￥0.09994 ￥0.1052
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￥0.09329 ￥0.0982

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型号：BAT54TW 编号：C20618078

封装：SOT-363

品牌：LGE(鲁光)

肖特基二极管二极管配置: 3个独立式；正向压降(Vf)：1V@100mA；直流反向耐压(Vr)：30V；平均整流电流(Io)：200mA；反向电流(Ir)：2uA@25V

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￥0.20628 ￥0.2292
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￥0.14148 ￥0.1572
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￥0.12528 ￥0.1392
9000+
￥0.11232 ￥0.1248
21000+
￥0.10575 ￥0.1175

有货

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型号：HSMMSD4148T1G 编号：C42389379

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有0.3A的正向平均电流（IF/A），可承受高达100V的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.25V，在反向条件下，漏电流（IR/uA）不大于1微安。此外，该二极管支持瞬时峰值为2A的正向电流（IFSM/A）。这些参数表明它适合用于要求快速切换的应用场景，如数据通信中的信号处理、电源管理电路中的保护以及电子设备中的逻辑电平转换等。

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￥0.220088 ￥0.2501
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型号：PMEG6020ELRX-HXY 编号：C52754490

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

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￥0.22287 ￥0.2346
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￥0.211375 ￥0.2225

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型号：SD107WS-7-F-HXY 编号：C52754583

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为0.8V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，体现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率和响应速度有要求的低功率电路，如便携设备电源整流、信号箝位及高频开关应用中的续流保护。

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￥0.224105 ￥0.2359
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￥0.219165 ￥0.2307
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型号：MM1W15 编号：C364306

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

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￥0.225055 ￥0.2369
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￥0.10678 ￥0.1124

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型号：PMEG3010CEJ-HXY 编号：C52754530

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）最大为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合，表现出良好的开关特性和稳定性。

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￥0.226575 ￥0.2385
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￥0.221635 ￥0.2333
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型号：1SMA4754A 编号：C840772

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

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￥0.239495 ￥0.2521
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￥0.189335 ￥0.1993
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￥0.122835 ￥0.1293

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型号：1SMA4736A 编号：C2858511

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

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￥0.24833 ￥0.2614
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￥0.19817 ￥0.2086
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￥0.15428 ￥0.1624
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￥0.13927 ￥0.1466
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￥0.11495 ￥0.121

有货

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

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￥0.248995 ￥0.2621
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￥0.243485 ￥0.2563
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￥0.239875 ￥0.2525
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型号：SS5200C 编号：C41424800

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

92此款肖特基二极管设计用于高性能应用，其最大正向电流（IF/A）为5A，能够承受高达200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，电压降（VF/V）为0.92V，有助于降低功耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过20微安。同时，它还能承受最高175A的瞬时峰值电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电源、整流以及其他需要快速开关速度和低正向电压降的电子设备的理想选择。

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￥0.254169 ￥0.2733
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￥0.24831 ￥0.267
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￥0.244404 ￥0.2628
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￥0.240405 ￥0.2585

有货

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型号：ES3MB 编号：C53243823

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向恢复时间 (TRR) :35ns 正向压降(Vf)3.2V@3A 直流反向耐压(Vr)1kV 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)60A

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￥0.2883
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￥0.282
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￥0.2777
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￥0.2735

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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

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￥0.29526 ￥0.3108

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型号：SK5150B-LTP-HXY 编号：C52988703

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为5A，最大反向重复峰值电压（VR）达150V。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在导通状态下保持较低的功率损耗；反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和瞬态响应有明确要求的各类电子系统中。

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￥0.30438 ￥0.3204
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型号：SK56B-LTP-HXY 编号：C52988705

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源及高频逆变器等应用场景。