IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态维持较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、信号检波、电源极性保护以及低电压、低功耗电子系统中的续流与箝位等应用场景。

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型号：HBAS321JX 编号：C42389373

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有0.25A的正向电流(IF)，可承受高达250V的反向电压(VR)，确保了在高压环境下的可靠性。其正向电压降(VF)为1.25V，表明在导通状态下的能量损失较低。反向漏电流(IR)仅为0.1μA，体现了优异的阻断能力。瞬态正向电流(IFSM)峰值可达4.5A，适合短时过载情况。这些特性使它成为高频开关电路中进行整流或保护的理想选择，适用于多种消费电子产品的设计中。

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型号：BAT760 编号：C52754590

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V，正向压降（VF）低至0.45V，在20V反向电压下漏电流（IR）不超过1000μA。器件具备高达25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、电源转换、电池充放电管理及高频开关电路等应用，其低导通压降有助于提升系统效率并减少热损耗。

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型号：ES3D 编号：C41419584

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复、高效率二极管具备3安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1伏特，在保证性能的同时降低了能耗。在反向偏置下，该二极管的漏电流（IR/uA）控制在5微安，有效减少了非工作状态下的电能浪费。此外，它还能承受瞬间高达80安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在不稳定条件下的可靠性和耐用性。此二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速开关特性的电子装置中。

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型号：B140-13-F-HXY 编号：C52988597

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关以及对效率和热性能有要求的电子电路中。

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￥0.102125 ￥0.1075
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型号：BAS70-05 编号：C7528900

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io):7mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 反向电流(Ir)：200nA@50V 反向恢复时间(trr)：5ns

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型号：1SS388 编号：C5766546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于高频整流、信号解调、电源极性保护及低功耗电子设备中的续流与箝位功能。

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￥0.1049
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型号：RKD700KL#R1-HXY 编号：C52754615

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和功耗敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

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型号：ES3JBG 编号：C41419585

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款快恢复、高效率二极管具有3安培的额定正向电流（IF/A），并能承受最高600伏特的反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.7伏特，有助于降低电力损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过5微安，确保了较低的待机功耗。此元件还具备处理高达80安培瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）的能力，使其在应对短时过载情况时表现出色。适用于高频开关电源、逆变电路以及其它需要高效转换的应用场合。

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型号：MBR0530-HXY 编号：C52754439

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下为80μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。

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型号：PMEG2010EA-HXY 编号：C52754593

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和20V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在低耐压条件下维持基本阻断性能。器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态过流有一定容忍需求的场合。常见用途包括低压整流、开关电源次级侧输出、电池供电设备中的防反接保护及高频信号检波等电路。

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型号：B0540W-7-F-HXY 编号：C52754440

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.5A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其典型正向压降（VF）为0.55V，有助于提升系统能效；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）为80μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频信号检波以及对导通损耗敏感的电子电路中。

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型号：BAT760-7-HXY 编号：C52754528

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在正常工作条件下维持合理水平。器件可承受的峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合，凭借较低的VF值和快速恢复特性，有助于提升系统整体效率与响应速度。

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型号：MMSZ5254BT1G-HXY 编号：C50177016

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有27V的反向击穿电压（VR），在0.01A的正向电流（IF）下，正向导通压降（VF）为0.9V，表现出较低的功耗特性。反向漏电流（IR）低至0.1μA，说明其在截止状态下的电流抑制能力较强，有助于提升电路的稳定性与能效。该器件适用于需要精确电压基准和过压保护的场合，常见于电源管理模块、信号调理电路及精密电子设备中，为敏感电路提供可靠的电压钳位与保护功能。

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型号：RB531SM-40FHT2R-HXY 编号：C52754599

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗和高效率有要求的电源整流、信号检波及保护电路，常见于便携式电子设备与小型电源模块中。

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型号：BAT43WS-7-F-HXY 编号：C52754519

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的低功耗特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力为0.2A，适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源管理等应用场景，能够在紧凑空间内实现稳定的单向导通功能。

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型号：BAT42WS-7-F-HXY 编号：C52754518

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，正向平均电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.5μA，体现出良好的导通与截止性能。器件的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）为0.2A，适用于对功耗和信号完整性要求较高的低电压整流、信号检波、电源箝位及高频开关等电子电路中。

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型号：BAR43CFILM-HXY 编号：C52754629

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为2μA，具备较低的导通损耗与优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源极性保护等电路场合。

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型号：BAT54CTA-HXY 编号：C52754630

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置时漏电流（IR）仅为2μA，表现出较低的导通损耗与优异的截止特性。器件的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要双通道同步工作的电路，如便携设备中的电源管理、信号整流、电压钳位及高频开关功能等场景。

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型号：SK210HE3-LTP-HXY 编号：C52988682

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）最大为100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗和较快的开关特性，适用于高频整流、电源转换、适配器以及各类电子设备中的续流、保护和箝位功能。

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型号：B140WS-7-HXY 编号：C52754531

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为1A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）最大为1000μA。器件可承受高达9A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的整流、续流及高频开关电路，表现出良好的热稳定性和快速恢复特性。

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型号：B140HW-7-HXY 编号：C52754444

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）在最大反向电压下为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适合用于电源整流、信号箝位及低电压输出场合，具备较快的开关响应特性。

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型号：B160-13-F-HXY 编号：C52988609

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF为0.7V，在导通时维持较低的功率损耗；在最大反向电压下，反向漏电流IR不超过500μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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￥0.13699 ￥0.1442
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型号：BAT54JFILM-HXY 编号：C52754586

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

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￥0.14193 ￥0.1494
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型号：BAS70JFILM-HXY 编号：C52754514

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.07A，最大反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1V，在关断状态下反向漏电流（IR）仅为0.1μA，体现出良好的低功耗特性。器件可承受的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对空间和能效敏感的小型电子系统，如便携设备、消费类电子产品中的整流、箝位及高频开关功能。

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型号：STPS140A-HXY 编号：C52988605

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。结构设计兼顾稳定性和紧凑性，适合多种通用电子电路中的电源管理与信号处理功能。

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￥0.149435 ￥0.1573
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型号：SK24-LTP-HXY 编号：C52988690

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源转换、便携设备供电管理及对能效与瞬态响应有明确要求的电子电路中。

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型号：S100-HXY 编号：C52988591

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的浪涌电流承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达30A。该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合，凭借较低的VF值有助于提升系统效率，同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。

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型号：SBAS40-04LT1G-HXY 编号：C52754626

封装：SOT-23-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号检波场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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型号：1PS76SB70-HXY 编号：C52754512

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，平均正向电流（IF）为0.07A，反向重复峰值电压（VR）为70V。其正向压降（VF）典型值为1V，在低电流工作条件下保持稳定导通特性；反向漏电流（IR）低至0.1μA，展现出优异的反向截止能力。器件的非重复浪涌正向电流（IFSM）为0.1A，适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。

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