IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。

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型号：RB520G-30 编号：C50176901

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的平均整流电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压、小电流的电源整流与续流应用。其正向导通压降仅为0.45V（VF），可有效降低功耗，提升系统效率。在反向截止状态下，漏电流低至0.5μA（IR），表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理电路，尤其适合对能效和空间布局有较高要求的场合，为高频开关电源、DC-DC转换器等提供可靠的性能支持。

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型号：K210-TD 编号：C48606600

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款肖特基二极管具备2A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，正向电压降VF低至0.85V，有效降低了能量损耗。反向漏电流IR在标准测试条件下不超过20μA，同时支持高达50A的瞬时正向浪涌电流IFSM。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，适用于高频开关电源、整流电路及保护电路中，能够提高系统的整体效率和可靠性，是高性能电子设计的理想选择。

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型号：H1N4148WSE308 编号：C42389380

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款开关二极管具备稳定的性能，其正向平均电流（IF/A）为0.15A，适合用于低电流需求的电路中。器件能够承受的最大反向电压（VR/V）为100V，适用于多种电压环境。正向电压降（VF/V）为1.25V，有助于减少导通状态下的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过1uA，显示了良好的阻断特性。此外，它还能承受高达2A的瞬态正向峰值电流（IFSM/A），适用于高频信号处理及电子设备中的数据传输等场合。

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型号：BAS40X 编号：C52754602

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，正向电流（IF）为0.35A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为5μA，在低功耗应用中表现良好。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及信号箝位等电路场合。

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型号：HSD103AWE308 编号：C42389395

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.35安培的正向电流（IF），可承受高达40伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为0.6伏特，且在反向条件下，漏电流（IR）仅为5微安。该二极管还支持2安培的瞬态峰值电流（IFSM），适合用于需要快速开关特性和低功耗的应用中，例如在消费电子产品中的数据线保护或者小型设备的电源管理电路中。

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型号：DSS210 编号：C41364886

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款二极管具有100V的最大电压和2A的最大电流能力，正向压降VF仅为0.85V，在保证高效导通的同时降低了能量损耗。反向电流IR仅为20μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。该二极管还能承受50A的浪涌电流IFSM，适用于需要快速开关和高可靠性的应用，如消费电子产品中的整流电路、电池充电器及各类电源管理系统。

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型号：BAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754537

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，有助于提升系统能效。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。

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型号：BAT46JFILM-HXY 编号：C52754516

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有100V的反向重复峰值电压（VR）和0.15A的正向平均电流（IF）。其正向压降（VF）典型值为1V，在25℃环境下反向漏电流（IR）低至2μA，具备良好的导通与关断特性。器件可承受高达0.75A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合。

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型号：NSR1020MW2T1G-HXY 编号：C52754591

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）典型值为0.45V，在导通时可有效降低功耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件具备25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、高频开关、电源极性保护及便携式电子设备中的续流和钳位功能。

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型号：RB530SM-40FHT2R-HXY 编号：C52754598

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于在导通状态维持较低的功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、信号检波、电源极性保护以及低电压、低功耗电子系统中的续流与箝位等应用场景。

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￥0.180785 ￥0.1903
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型号：PMEG4010BEA-HXY 编号：C52754532

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）最大值为1000μA。器件能承受高达9A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关、续流保护及低电压输出场合，具备较快的开关速度和良好的热稳定性。

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型号：BAT760 编号：C52754590

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V，正向压降（VF）低至0.45V，在20V反向电压下漏电流（IR）不超过1000μA。器件具备高达25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、电源转换、电池充放电管理及高频开关电路等应用，其低导通压降有助于提升系统效率并减少热损耗。

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型号：1SMA4749A 编号：C23066829

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4741A 编号：C23066836

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4740A 编号：C23066832

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4738A 编号：C23066834

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4734A 编号：C22438304

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：1SMA4750A 编号：C23066837

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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型号：B140-13-F-HXY 编号：C52988597

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关以及对效率和热性能有要求的电子电路中。

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￥0.195035 ￥0.2053
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型号：ES3D 编号：C41419584

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复、高效率二极管具备3安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1伏特，在保证性能的同时降低了能耗。在反向偏置下，该二极管的漏电流（IR/uA）控制在5微安，有效减少了非工作状态下的电能浪费。此外，它还能承受瞬间高达80安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在不稳定条件下的可靠性和耐用性。此二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速开关特性的电子装置中。

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型号：MBR0530-HXY 编号：C52754439

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下为80μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。

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￥0.207204 ￥0.2228
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￥0.102951 ￥0.1107

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型号：B0540W-7-F-HXY 编号：C52754440

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.5A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其典型正向压降（VF）为0.55V，有助于提升系统能效；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）为80μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频信号检波以及对导通损耗敏感的电子电路中。

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型号：MMSZ5254BT1G-HXY 编号：C50177016

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有27V的反向击穿电压（VR），在0.01A的正向电流（IF）下，正向导通压降（VF）为0.9V，表现出较低的功耗特性。反向漏电流（IR）低至0.1μA，说明其在截止状态下的电流抑制能力较强，有助于提升电路的稳定性与能效。该器件适用于需要精确电压基准和过压保护的场合，常见于电源管理模块、信号调理电路及精密电子设备中，为敏感电路提供可靠的电压钳位与保护功能。

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￥0.124925 ￥0.1315
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￥0.118085 ￥0.1243

有货

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型号：BAT54CTA-HXY 编号：C52754630

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置时漏电流（IR）仅为2μA，表现出较低的导通损耗与优异的截止特性。器件的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要双通道同步工作的电路，如便携设备中的电源管理、信号整流、电压钳位及高频开关功能等场景。

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型号：ES1MSA 编号：C53243824

封装：SMA

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向恢复时间（TRR）:35ns 正向压降(VF) 2.4V@1A；直流反向耐压(VR) 1000V；平均整流电流(IF) 1A；正向浪涌电流（IFSM）：30A ；反向电流(IR) 5uA@800V ；

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￥0.2359
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型号：1SMA4754A 编号：C840772

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

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￥0.124128 ￥0.1293

有货

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型号：SS5200C 编号：C41424800

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

92此款肖特基二极管设计用于高性能应用，其最大正向电流（IF/A）为5A，能够承受高达200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，电压降（VF/V）为0.92V，有助于降低功耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过20微安。同时，它还能承受最高175A的瞬时峰值电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电源、整流以及其他需要快速开关速度和低正向电压降的电子设备的理想选择。

5+
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型号：PMEG4010EH-HXY 编号：C52754576

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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型号：HBAV21WSE308 编号：C42389375

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有0.2安培的正向电流（IF），能承受高达200伏特的反向电压（VR），其正向电压降（VF）为1.25伏特，并且在室温下反向漏电流（IR）仅为0.1微安，支持的最大瞬态正向浪涌电流（IFSM）为2安培。这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择，适用于各种需要快速切换的应用场景，如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。

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