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描述

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45V 5A

型号：SS5150 编号：C50176894

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有5A的正向电流（IF）和150V的反向耐压（VR），适用于较高功率的整流与续流应用。其正向导通压降（VF）为0.95V，在大电流工作条件下有助于降低导通损耗，提升系统能效。在额定电压下，反向漏电流（IR）为200μA，具备可接受的关断特性。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电源及电池管理系统中的整流与防反接电路，适合对导通效率和热稳定性有要求的高密度电子设备。

10+
￥0.361
100+
￥0.2875
300+
￥0.2508

有货

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1kV 3A

型号：HS3MB13F 编号：C42402118

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该通用二极管具备良好的电性能，其正向电流IF可达3A，反向电压VR为1000V，确保了在高压环境下的稳定运行。正向电压VF仅为1.1V，降低了功耗；反向漏电流IR控制在5μA，保证了低损耗特性。此外，该二极管具有高达100A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。这款二极管是设计者在构建高效、可靠的电子电路时的理想选择。

5+
￥0.517352 ￥0.5879
50+
￥0.412104 ￥0.4683
150+
￥0.35948 ￥0.4085
500+
￥0.319968 ￥0.3636
3000+
￥0.288376 ￥0.3277
6000+
￥0.272624 ￥0.3098

有货

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6.8V 10uA@4V

型号：SML4736-E3/61-HXY 编号：C50177009

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有6.8V的稳定电压（VR），在正向导通时电流为0.037A（IF），反向漏电流低至10μA（IR），表现出良好的反向阻断特性。器件在反向击穿区工作时能维持电压稳定，适用于需要精确电压参考的电路。常用于电源管理模块、模拟信号调理电路及电压检测单元中，为敏感电子组件提供可靠的电压钳位与保护，确保系统在波动环境中稳定运行。

5+
￥0.622345 ￥0.6551
50+
￥0.608665 ￥0.6407
150+
￥0.599545 ￥0.6311
500+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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NSVR1020MW2T1G-HXY

型号：NSVR1020MW2T1G-HXY 编号：C52754592

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）为0.45V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在低电压应用中表现稳定。器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。

5+
￥0.739575 ￥0.7785
50+
￥0.589095 ￥0.6201
150+
￥0.513855 ￥0.5409
500+
￥0.457425 ￥0.4815
3000+
￥0.4123 ￥0.434
6000+
￥0.38969 ￥0.4102

有货

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电压:80V 电流:8A

型号：SK86C 编号：C41424798

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种具有快速开关特性和低正向电压降的半导体器件。本款肖特基二极管的最大平均正向电流（IF/A）为8A，最大反向电压（VR/V）可达60V，正向电压降（VF/V）仅为0.7V，在反向偏置下，其漏电流（IR/uA）不超过100微安。此外，该二极管的瞬时峰值电流（IFSM/A）能够承受高达150A。这些特性使其适用于需要高效能和低能耗的应用中，如电源转换和整流电路中的快速切换场合。

5+
￥0.7836
50+
￥0.6194
150+
￥0.5373
500+
￥0.4758
3000+
￥0.4265
6000+
￥0.4019

有货

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电压:40V 电流:10A

型号：SK104C 编号：C41424796

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管以其低正向电压降和快速开关特性著称，本次介绍的型号具备10安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高40伏特的反向电压（VR/V）。在正向导通状态下，其电压降仅为0.55伏特（VF/V），有助于提高电路效率。此外，该二极管在反向电压下的漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了良好的阻断性能。值得一提的是，它还拥有高达175安培的瞬时峰值整流电流（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能二极管的电子设备中。

5+
￥0.9621
50+
￥0.7555
150+
￥0.6669

有货

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S110FA-HXY

型号：S110FA-HXY 编号：C52754451

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.84V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过40μA，体现出良好的隔离性能。凭借肖特基势垒带来的快速开关特性和较低的导通压降，该器件适用于整流、续流、箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电源相关电路中。

5+
￥0.967385 ￥1.0183
50+
￥0.766365 ￥0.8067
150+
￥0.680105 ￥0.7159
500+
￥0.572565 ￥0.6027
3000+
￥0.524685 ￥0.5523
6000+
￥0.495995 ￥0.5221

有货

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100V 10A

型号：SS10100(TO-277) 编号：C7370886

封装：TO-277

品牌：SY(顺烨)

二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：900mV@10A 二极管配置：独立式反向电流(Ir)：500uA@100V

5+
￥1.2911
50+
￥1.0161
150+
￥0.8983
500+
￥0.7513
2500+
￥0.6749
5000+
￥0.6356

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SK315SMA-AQ-HXY

型号：SK315SMA-AQ-HXY 编号：C52988641

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在VR条件下反向漏电流（IR）为100μA，体现出较低的导通损耗与良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及各类需要快速恢复特性的电路中，有助于提升整体能效与运行稳定性。

5+
￥1.58935 ￥1.673
50+
￥1.25894 ￥1.3252
150+
￥1.11739 ￥1.1762
500+
￥0.94069 ￥0.9902
2000+
￥0.86203 ￥0.9074
4000+
￥0.814815 ￥0.8577

有货

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通用型塑封整流器

型号：BY255P-E3/54 编号：C167646

封装：DO-201AD

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低漏电流，IR 小于 0.1μA。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10s。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用

数据手册

5+
￥2.2135
50+
￥1.744
150+
￥1.5429

有货

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H1D04065BF-HXY

型号：H1D04065BF-HXY 编号：C52145208

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）为1.3V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。在反向关断状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置，有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。

1+
￥2.698 ￥2.84
10+
￥2.1375 ￥2.25
30+
￥1.8905 ￥1.99
100+
￥1.596 ￥1.68
500+
￥1.463 ￥1.54
1000+
￥1.3775 ￥1.45

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D05120E 编号：C42389273

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以内，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达45A，表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。

1+
￥10.3044 ￥11.08
10+
￥8.7606 ￥9.42
30+
￥7.7934 ￥8.38
100+
￥6.8076 ￥7.32
500+
￥6.3612 ￥6.84
1000+
￥6.1659 ￥6.63

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12BTR 编号：C42389196

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR)，适用于需要承受高电压的应用。其正向电压降(VF)为1.4V，有助于减少热损耗。该器件还表现出优秀的电性能，包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力，能够有效应对突发的大电流情况。它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。

1+
￥17.3304 ￥20.88
10+
￥14.8736 ￥17.92
30+
￥13.4128 ￥16.16
100+
￥11.9354 ￥14.38
500+
￥11.2465 ￥13.55
1000+
￥10.9394 ￥13.18

有货

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HFFSH2065BDNF085

型号：HFFSH2065BDNF085 编号：C42389263

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达20A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备70A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

1+
￥30.1539 ￥36.33
10+
￥25.8711 ￥31.17
30+
￥23.323 ￥28.1
90+
￥20.75 ￥25
510+
￥19.5631 ￥23.57
990+
￥19.0319 ￥22.93

有货

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BZT52C5V1 W8-TD(0.33)

型号：BZT52C5V1 W8-TD(0.33) 编号：C53064181

封装：SOD-123

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.0287
500+
￥0.028
3000+
￥0.0276
6000+
￥0.0272

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6.2V 5uA@4.0V

型号：MMBZ5234B 编号：C50168058

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 6.2V；反向电流(Ir) 5uA@4V；稳压值(范围) 5.89V~6.51V；耗散功率(Pd) -；阻抗(Zzt) 7Ω

50+
￥0.059
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0568

有货

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6.8V 3uA@5.0V

型号：MMBZ5235B 编号：C50168052

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 6.8V；反向电流(Ir) 3uA@5V；稳压值(范围) 6.46V~6.8V；耗散功率(Pd) -；阻抗(Zzt) 5Ω

50+
￥0.059
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0568

有货

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18V 100nA@14V

型号：MMBZ5248B 编号：C50168053

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 18V；反向电流(Ir) 100nA@14V；稳压值(范围) 17.1V~18.9V；耗散功率(Pd) 350mW；阻抗(Zzt) 21Ω

50+
￥0.059
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0568

有货

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HRB521S30TE61 编号：C42389392

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.2A的正向平均整流电流(IF)及30V的反向耐压(VR)，适用于多种电子设备。其正向电压降(VF)为0.5V，有助于减少电路中的能量损耗。该器件的反向漏电流(IR)低至30μA，表现出色的绝缘性能。同时，它能够承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强电路在瞬态情况下的可靠性。此款二极管适合用于需要高效率和稳定性的各类消费电子产品中。

20+
￥0.06116 ￥0.0695
200+
￥0.05984 ￥0.068
600+
￥0.058872 ￥0.0669
3000+
￥0.057992 ￥0.0659

有货

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电压:20V 电流:350mA

型号：B0520WS 编号：C5766580

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管拥有0.35A的最大连续正向电流IF，以及40V的最大反向电压VR，适用于需要高效能及稳定性的电路设计。其正向电压降VF为0.6V，在确保低能耗的同时提供了优良的导通特性。反向漏电流IR在标准测试条件下仅为5微安，表明了出色的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达1.5A的瞬态峰值电流IFSM，适合应用于高频开关电路、小型电源适配器及便携式电子产品的整流环节中，确保了系统的可靠性和效率。

50+
￥0.0626
500+
￥0.0611
3000+
￥0.0602
6000+
￥0.0592

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VR:70V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HBAV99W7F 编号：C42389376

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具备优异的电气特性，其正向平均整流电流(IF)为0.2A，能够承受高达70V的反向峰值电压(VR)，保证了在多种应用场景下的可靠性能。其正向压降(VF)仅为1.25V，有助于减少系统功耗；同时，低至2.5μA的反向漏电流(IR)确保了设备在非导通状态下的高效能。此外，该二极管支持的最大单次浪涌电流(IFSM)达到2A，提升了面对瞬态过载时的安全性。适用于需要精确控制与快速切换电路的各种电子装置中。

20+
￥0.06264 ￥0.0783
200+
￥0.0612 ￥0.0765
600+
￥0.06032 ￥0.0754
3000+
￥0.0568 ￥0.071

有货

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VR:100V VF:1.25V IFSM:2A

型号：H1N4148WE308 编号：C42389374

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具备0.3安培的正向电流（IF），能够承受最高100伏特的反向电压（VR），其正向电压（VF）为1.25伏特，且在室温条件下反向电流（IR）不大于1微安，瞬态正向浪涌电流（IFSM）峰值可达2安培。这些特性使其非常适合用于高速开关应用，如在数字电路中的信号切换或是在电源管理方案里的保护作用，确保了数据传输的可靠性和电源电路的稳定性。

20+
￥0.07021 ￥0.0826
200+
￥0.06868 ￥0.0808
600+
￥0.06766 ￥0.0796
3000+
￥0.063665 ￥0.0749

有货

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RB521S30T1G-HXY

型号：RB521S30T1G-HXY 编号：C52754543

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。

20+
￥0.076 ￥0.08
200+
￥0.07429 ￥0.0782
600+
￥0.07315 ￥0.077
3000+
￥0.072105 ￥0.0759

有货

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SDM20U30-7-HXY

型号：SDM20U30-7-HXY 编号：C52754547

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.5V，有助于降低导通损耗，同时在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为30μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

20+
￥0.077235 ￥0.0813
200+
￥0.075525 ￥0.0795
600+
￥0.074385 ￥0.0783
3000+
￥0.073245 ￥0.0771

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BZT52-B3V6X-HXY

型号：BZT52-B3V6X-HXY 编号：C53262782

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为3.6V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）为5μA，额定功耗（PD）为0.5W。其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合，同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中，作为电压基准、信号箝位或过压保护元件，确保电路在低电压环境下的稳定运行。

20+
￥0.0787
200+
￥0.0769
600+
￥0.0758

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VR:250V VF:1.25V

型号：HBAS321QF 编号：C42389377

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有以下特性：正向电流（IF/A）可达0.25安培，反向电压（VR/V）最高为250伏特，正向电压降（VF/V）仅为1.25伏特，在反向电压下漏电流（IR/uA）小于0.1微安，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）则可达到4.5安培。该二极管适用于高频开关电路中，能够提供快速的开关响应，同时保持较低的功耗，适用于消费电子产品中的信号整流或保护电路。

20+
￥0.089225 ￥0.1075
200+
￥0.087233 ￥0.1051
600+
￥0.085905 ￥0.1035
3000+
￥0.080925 ￥0.0975

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电压:40V 电流:0.35A

型号：HSD103AWE308 编号：C42389395

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.35安培的正向电流（IF），可承受高达40伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为0.6伏特，且在反向条件下，漏电流（IR）仅为5微安。该二极管还支持2安培的瞬态峰值电流（IFSM），适合用于需要快速开关特性和低功耗的应用中，例如在消费电子产品中的数据线保护或者小型设备的电源管理电路中。

20+
￥0.09016 ￥0.1127
200+
￥0.08816 ￥0.1102
600+
￥0.08688 ￥0.1086
3000+
￥0.08176 ￥0.1022

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电压:30V 电流:0.5A

型号：HRB551V30TE17 编号：C42389391

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.5A的正向平均整流电流(IF)和30V的反向耐压(VR)，适用于需要高效能、低电压降的应用场景。其正向电压降(VF)仅为0.47V，确保了在导通状态下功耗较低。反向漏电流(IR)控制在100μA以内，表明其优秀的反向阻断能力。此外，它能够承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)，为电路提供额外的安全保护。这款二极管适合于对效率和稳定性有较高要求的电子设备中使用。

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BAT54XV2T5G-HXY

型号：BAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754537

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，有助于提升系统能效。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。

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BAT46JFILM-HXY

型号：BAT46JFILM-HXY 编号：C52754516

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有100V的反向重复峰值电压（VR）和0.15A的正向平均电流（IF）。其正向压降（VF）典型值为1V，在25℃环境下反向漏电流（IR）低至2μA，具备良好的导通与关断特性。器件可承受高达0.75A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合。

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