IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

本产品为快恢复二极管，额定正向电流IF为1A，反向耐压VR高达1000V，适用于需要快速开关特性的电路环境。在导通状态下，正向压降VF为1.7V，保证了较低的能量损耗；反向漏电流IR仅为5μA，表现出良好的阻断性能。同时具备较强的抗浪涌能力，最大非重复正向浪涌电流IFSM可达30A，确保在瞬态工况下的稳定运行。该器件广泛应用于电源转换、整流电路及高频开关系统中，满足对效率与可靠性有较高要求的场景需求。

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￥0.79596 ￥0.8844
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￥0.62919 ￥0.6991
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￥0.54585 ￥0.6065
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￥0.4833 ￥0.537
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￥0.43326 ￥0.4814
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￥0.40824 ￥0.4536

有货

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型号：SK106B 编号：C41424788

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管设计精良，具备10A的正向电流（IF/A）承载能力，同时拥有60V的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为0.85V，保证了高效能表现。在反向偏置下，漏电流（IR/uA）控制在1000微安以下，显示出良好的阻断特性。此外，它能够承受250A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了可靠性和耐用性。适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他注重快速恢复时间和低功耗的电子设备中，是提升电路性能的理想选择。

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￥0.81624 ￥0.8592
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￥0.64524 ￥0.6792
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￥0.55974 ￥0.5892
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￥0.444315 ￥0.4677
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￥0.418665 ￥0.4407

有货

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型号：SB10200 编号：C41424806

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种高性能的电子元器件，适用于高频电路中的整流与保护作用。此款二极管的最大正向平均电流IF为10A，反向阻断电压VR达到200V，正向电压降VF为0.9V，在导通状态下能有效降低电力损耗。反向漏电流IR在常温下为150微安，保证了在非导通状态下的低功耗特性。此外，它能够承受高达150A的瞬时正向峰值电流IFSM，确保在突发大电流情况下的安全性和可靠性。这款二极管特别适合应用于需要快速开关特性和高效率的电子装置中。

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￥1.2027
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￥0.9407
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￥0.8283

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型号：SK315SMA-AQ-HXY 编号：C52988641

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在VR条件下反向漏电流（IR）为100μA，体现出较低的导通损耗与良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及各类需要快速恢复特性的电路中，有助于提升整体能效与运行稳定性。

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￥1.58935 ￥1.673
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￥1.25894 ￥1.3252
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￥0.94069 ￥0.9902
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￥0.86203 ￥0.9074
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￥0.814815 ￥0.8577

有货

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型号：HNRVTSS3100ET3G 编号：C42389397

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR），适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。其正向压降（VF）仅为0.85V，在大电流工作条件下能够有效降低功耗。二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，表明其具备良好的阻断性能。瞬态的最大正向浪涌电流（IFSM）可达70A，适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。

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￥3.825 ￥4.25
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￥3.078 ￥3.42
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￥2.709 ￥3.01
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￥2.007 ￥2.23

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型号：F60UP30DN 编号：C41433068

封装：TO-3P

品牌：minos(迈诺斯)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：300V 连续正向电流IF(AV)：2*30A 正向压降(Vf)：0.85V@40A 反向电流(Ir)：100μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

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￥5.092 ￥5.36
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￥4.066 ￥4.28
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￥3.7905 ￥3.99
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.812 ￥2.96

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型号：HFFSH10120ADNF155 编号：C42389181

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管提供10安培的最大连续正向电流（IF/A），并具备高达1200伏特的反向重复电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4伏特，在大电流通过时保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在150微安，确保了在无正向偏压时的良好隔离性。此外，该二极管支持最高46安培的正向浪涌电流（IFSM/A），适合用于需要处理瞬时电流峰值的电路设计中。其优异的性能使其成为高频开关电路及需提升效率与可靠性的电子装置的理想选择。

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￥18.9821 ￥22.87
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￥16.2265 ￥19.55
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￥14.5914 ￥17.58
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￥12.1678 ￥14.66
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￥11.8275 ￥14.25

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型号：HFFSH3065BF085 编号：C42389216

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF)，以及650V的反向电压(VR)耐受能力，适合应用于高压环境中。其正向压降(VF)为1.3V，有助于减少在导通状态下的能量损失。反向漏电流(IR)在室温下为150微安，表明其拥有较好的绝缘性能。此外，该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择，适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。

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￥31.6536 ￥35.97
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￥27.3416 ￥31.07
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￥24.7808 ￥28.16
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￥20.9968 ￥23.86
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￥20.4512 ￥23.24

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型号：MM1Z22W 编号：C50177014

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的稳定电压为22V（VR），在正常工作条件下具备良好的电压调节性能。其最大正向电流（IF）为5mA，正向导通压降为0.9V（VF），反向漏电流极低，仅为0.1μA（IR），表现出优异的反向阻断特性。器件适用于需要精确电压参考或过压保护的电路，常见于消费类电子设备、便携式装置及小型电源模块中。可用于信号电平箝位、电源稳压电路及模拟电路中的基准电压源，适合对电路稳定性与功耗控制有要求的应用场景。

50+
￥0.1075
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￥0.0838
3000+
￥0.0706

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型号：HBAT54SW7F 编号：C42389384

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高效能与紧凑设计，适用于多种电子设备。其正向平均整流电流(IF)为0.2A，反向电压(VR)达到30V，确保了在低功耗应用中的稳定表现。正向压降(VF)仅为1V，有助于减少能量损耗；而反向漏电流(IR)控制在2μA以下，表明该二极管拥有良好的绝缘性能。此外，最大非重复峰值浪涌电流(IFSM)可达0.6A，增强了对瞬间高电流冲击的耐受力。这些特性使得它成为消费电子产品、电源管理电路等领域中理想的解决方案。

50+
￥0.107536 ￥0.1222
500+
￥0.083776 ￥0.0952
3000+
￥0.070576 ￥0.0802
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￥0.062656 ￥0.0712
24000+
￥0.055792 ￥0.0634
51000+
￥0.052096 ￥0.0592

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型号：RB520SM-30T2R-HXY 编号：C52754542

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向电压（VR）能力。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为1μA，体现出优异的关断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适合应对短时过流情况。这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。

50+
￥0.111815 ￥0.1177
500+
￥0.087685 ￥0.0923
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￥0.07429 ￥0.0782
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￥0.06631 ￥0.0698
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￥0.05928 ￥0.0624
51000+
￥0.055575 ￥0.0585

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型号：HBAV99W115 编号：C42389372

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款开关二极管设计紧凑，具备0.2A的标称正向电流(IF)，并能承受高达70V的最大反向电压(VR)。当正向电压(VF)为1.25V时，其性能稳定可靠。该二极管在室温条件下的反向漏电流(IR)不超过2.5μA，同时支持最高达2A的瞬态正向电流(IFSM)。这些电气特性使其成为电子设备中用于高速开关应用的理想选择，如在日常电子装置里的信号检测与保护电路中发挥关键作用。

20+
￥0.111848 ￥0.1271
200+
￥0.08712 ￥0.099
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￥0.073392 ￥0.0834
3000+
￥0.06512 ￥0.074
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￥0.057992 ￥0.0659
21000+
￥0.054208 ￥0.0616

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型号：MMBZ5234B 编号：C50168058

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 6.2V；反向电流(Ir) 5uA@4V；稳压值(范围) 5.89V~6.51V；耗散功率(Pd) -；阻抗(Zzt) 7Ω

50+
￥0.1127
500+
￥0.0884
3000+
￥0.0749

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型号：MMBZ5235B 编号：C50168052

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 6.8V；反向电流(Ir) 3uA@5V；稳压值(范围) 6.46V~6.8V；耗散功率(Pd) -；阻抗(Zzt) 5Ω

50+
￥0.1127
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￥0.0884
3000+
￥0.0749

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型号：MMBZ5248B 编号：C50168053

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 18V；反向电流(Ir) 100nA@14V；稳压值(范围) 17.1V~18.9V；耗散功率(Pd) 350mW；阻抗(Zzt) 21Ω

50+
￥0.1127
500+
￥0.0884
3000+
￥0.0749

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型号：SDM10U45-7-HXY 编号：C52754600

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路场合。

50+
￥0.11419 ￥0.1202
500+
￥0.089585 ￥0.0943
3000+
￥0.075905 ￥0.0799
6000+
￥0.06764 ￥0.0712
24000+
￥0.060515 ￥0.0637
51000+
￥0.056715 ￥0.0597

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型号：1SS389 编号：C5766547

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管专为高效能应用设计，具有0.35A的正向电流IF，适用于多种电子设备中的整流与保护功能。其反向电压VR可达40V，确保在常见应用场景下的可靠性。正向电压VF仅为0.6V，有效降低了能量损耗，提升了电路效率。反向漏电流IR低至5uA，减少了不必要的能耗。此外，该二极管的非重复峰值正向浪涌电流IFSM高达2A，增强了对瞬时过载的承受能力。此款二极管非常适合应用于需要高效电能转换及精细电源管理的消费电子产品中。

20+
￥0.11718 ￥0.1302
200+
￥0.09189 ￥0.1021
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￥0.07785 ￥0.0865
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￥0.06948 ￥0.0772
9000+
￥0.06219 ￥0.0691
21000+
￥0.05823 ￥0.0647

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型号：HBAV99W7F 编号：C42389376

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具备优异的电气特性，其正向平均整流电流(IF)为0.2A，能够承受高达70V的反向峰值电压(VR)，保证了在多种应用场景下的可靠性能。其正向压降(VF)仅为1.25V，有助于减少系统功耗；同时，低至2.5μA的反向漏电流(IR)确保了设备在非导通状态下的高效能。此外，该二极管支持的最大单次浪涌电流(IFSM)达到2A，提升了面对瞬态过载时的安全性。适用于需要精确控制与快速切换电路的各种电子装置中。

20+
￥0.11728 ￥0.1466
200+
￥0.09152 ￥0.1144
600+
￥0.0772 ￥0.0965
3000+
￥0.06592 ￥0.0824
9000+
￥0.05848 ￥0.0731
21000+
￥0.05448 ￥0.0681

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型号：ES2G 编号：C41419583

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复、高效率二极管设计用于高效能电路中，具有2安培的平均正向电流（IF/A），以及最高可承受400伏特的反向电压（VR/V）。在其正常工作状态下，该二极管展现出仅1.25伏特的正向电压降（VF/V），这有助于减少能量损耗。此外，它在反向偏置条件下展示出低至5微安的反向漏电流（IR/uA），保证了在待机模式下的低功耗表现。瞬态条件下，此元件能够处理高达50安培的正向浪涌电流（IFSM/A），确保了在突发大电流情况下的可靠性与稳定性。适用于各种高性能电子设备中的整流和其他关键功能。

50+
￥0.1195
500+
￥0.0931
3000+
￥0.0785
6000+
￥0.0697
24000+
￥0.062
51000+
￥0.0579

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型号：B0520WS 编号：C5766580

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管拥有0.35A的最大连续正向电流IF，以及40V的最大反向电压VR，适用于需要高效能及稳定性的电路设计。其正向电压降VF为0.6V，在确保低能耗的同时提供了优良的导通特性。反向漏电流IR在标准测试条件下仅为5微安，表明了出色的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达1.5A的瞬态峰值电流IFSM，适合应用于高频开关电路、小型电源适配器及便携式电子产品的整流环节中，确保了系统的可靠性和效率。

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

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型号：SD103AX 编号：C5766558

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流IF为0.35A，最大反向电压VR为40V。其正向压降VF为0.6V，在40V反向电压下漏电流IR仅为5μA，表现出优异的低功耗特性。器件可承受2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对体积和效率敏感的小功率整流、信号检波及电源管理等电路，尤其适合便携式或低电流应用场景。

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
3000+
￥0.0832

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型号：HBAT54SWT1G 编号：C42389390

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流（IF），以及30V的最高反向电压（VR），确保了在多种电路设计中的可靠性。它在正向导通时的电压降（VF）为1V，有助于减少能量损耗。该二极管在无正向电流时的反向漏电流（IR）小于2微安，表明其良好的阻断性能。此外，它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流（IFSM）。鉴于这些特点，这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

20+
￥0.13107 ￥0.1542
200+
￥0.102085 ￥0.1201
600+
￥0.08602 ￥0.1012
3000+
￥0.07633 ￥0.0898
9000+
￥0.068 ￥0.08
21000+
￥0.063495 ￥0.0747

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型号：BAS70WX-HXY 编号：C52754515

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，正向平均电流（IF）为0.07A，反向重复峰值电压（VR）为70V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，具备良好的阻断与导通特性。其正向浪涌电流（IFSM）能力为0.1A，适用于对功耗和体积要求较高的电子设备，如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。

20+
￥0.13319 ￥0.1402
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￥0.1045 ￥0.11
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￥0.08854 ￥0.0932
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￥0.078945 ￥0.0831
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￥0.07068 ￥0.0744
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￥0.066215 ￥0.0697

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型号：H1N4148WE308 编号：C42389374

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具备0.3安培的正向电流（IF），能够承受最高100伏特的反向电压（VR），其正向电压（VF）为1.25伏特，且在室温条件下反向电流（IR）不大于1微安，瞬态正向浪涌电流（IFSM）峰值可达2安培。这些特性使其非常适合用于高速开关应用，如在数字电路中的信号切换或是在电源管理方案里的保护作用，确保了数据传输的可靠性和电源电路的稳定性。

20+
￥0.134045 ￥0.1577
200+
￥0.105145 ￥0.1237
600+
￥0.08908 ￥0.1048
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￥0.079475 ￥0.0935
9000+
￥0.071145 ￥0.0837
21000+
￥0.06664 ￥0.0784

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型号：NSVBAT54HT1G-HXY 编号：C52754521

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

20+
￥0.135565 ￥0.1427
200+
￥0.106305 ￥0.1119
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￥0.09006 ￥0.0948
3000+
￥0.08037 ￥0.0846
9000+
￥0.071915 ￥0.0757
21000+
￥0.067355 ￥0.0709

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型号：MM1W15 编号：C364306

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.14214 ￥0.2369
100+
￥0.11136 ￥0.1856
300+
￥0.09426 ￥0.1571
3000+
￥0.08112 ￥0.1352
6000+
￥0.07224 ￥0.1204
9000+
￥0.06744 ￥0.1124

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型号：BZT52-B3V6X-HXY 编号：C53262782

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为3.6V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）为5μA，额定功耗（PD）为0.5W。其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合，同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中，作为电压基准、信号箝位或过压保护元件，确保电路在低电压环境下的稳定运行。

20+
￥0.14269 ￥0.1502
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￥0.11191 ￥0.1178
600+
￥0.09481 ￥0.0998
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型号：RB520S-40HE3-HXY 编号：C52754610

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明其在阻断状态下的漏电特性优异。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源管理、信号检波以及便携式电子设备中的多种电路场合，兼顾效率与稳定性。

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型号：RB510SM-30T2R-HXY 编号：C52754597

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向截止特性。器件能承受最大1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。

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￥0.14269 ￥0.1502
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型号：MM5Z3V3 编号：C27975282

封装：SOD-523

品牌：LGE(鲁光)

商品目录稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 3.3V；反向电流(Ir) 20uA@1V；稳压值(范围) 3.1V~3.5V；功率(Pd) 200mW；阻抗(Zzt) 95Ω

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￥0.14445 ￥0.1605
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