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1PS79SB30-HXY

型号：1PS79SB30-HXY 编号：C52754549

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.54V，在导通时具有较低的功耗；反向漏电流（IR）为90μA，表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。

20+
￥0.090915 ￥0.0957
200+
￥0.08892 ￥0.0936
600+
￥0.08759 ￥0.0922
3000+
￥0.08626 ￥0.0908

有货

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电压:70V 电流:70mA

型号：BAS70-04 编号：C7528899

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

二极管配置：1对串联式直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：7mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 反向电流(Ir)：200nA@50V 反向恢复时间(trr)：5ns

50+
￥0.09291 ￥0.0978
500+
￥0.07239 ￥0.0762
3000+
￥0.06099 ￥0.0642
6000+
￥0.05415 ￥0.057
24000+
￥0.048165 ￥0.0507
51000+
￥0.04503 ￥0.0474

有货

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HRB520S30FJTE61 编号：C42389393

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有0.2A的额定正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到30V时提供稳定的阻断功能。其较低的正向电压（VF）为0.6V，有助于减少在导通状态下的功耗。反向漏电流（IR）控制在1微安以下，体现了其出色的绝缘性能。同时，该二极管能够承受1A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了其在复杂环境下的可靠性。基于这些特性，此二极管适合应用于高速开关电路、小信号整流以及需要快速响应时间的场合。

50+
￥0.09775 ￥0.115
500+
￥0.076585 ￥0.0901
3000+
￥0.06273 ￥0.0738
6000+
￥0.055675 ￥0.0655
24000+
￥0.049555 ￥0.0583
51000+
￥0.046325 ￥0.0545

有货

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耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V

型号：BZT52C12SX 编号：C6423744

封装：SOD-323

品牌：晶扬电子

二极管 VZ@IZT-12Nom(V),IR-0.1μA,VR--8.0V,

50+
￥0.1027
500+
￥0.08
3000+
￥0.0674
6000+
￥0.0598
24000+
￥0.0533
51000+
￥0.0497

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：ES2G 编号：C41421179

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复、高效率二极管具有稳定的性能，其最大正向电流IF为2A，能够承受最高400V的反向电压VR，适用于多种高压电路环境中。正向电压降VF仅为1.25V，有助于减少电力损耗，增强电路效率。在非导通状态下，反向漏电流IR低至5μA，有助于降低不必要的能耗。此外，它能够承受高达50A的瞬态峰值电流IFSM，确保了在突发电流情况下的可靠性和耐用性，适用于高频开关电源及其他注重效率与可靠性的电路设计。

50+
￥0.1051
500+
￥0.0819
2000+
￥0.069

有货

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HBAT54SWQ7F 编号：C42389389

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一款具有快速开关特性的半导体器件。本款二极管的最大平均正向电流（IF）为0.2A，在反向电压（VR）达到30V的情况下能够保持非导通状态。当正向电压（VF）为1V时，该二极管处于导通状态。在无外部偏压情况下，其反向漏电流（IR）不超过2微安。瞬态条件下，最大瞬间正向电流（IFSM）可达0.6A。这些特性使得此二极管适用于高频开关电源、信号整流及保护电路等场合。

50+
￥0.105424 ￥0.1198
500+
￥0.082104 ￥0.0933
3000+
￥0.069168 ￥0.0786
6000+
￥0.061424 ￥0.0698
24000+
￥0.054648 ￥0.0621
51000+
￥0.05104 ￥0.058

有货

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11V 100nA@8V

型号：MM1ZB11 编号：C6798261

封装：SOD-123

品牌：Huixin(慧芯)

稳压二极管稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.78V~11.22V 精度：±2% 功率：500mW 反向电流(Ir)：0.1μA@8V 阻抗(Zzt)：30Ω

50+
￥0.107536 ￥0.1222
500+
￥0.083776 ￥0.0952
3000+
￥0.070576 ￥0.0802
6000+
￥0.062656 ￥0.0712
24000+
￥0.055792 ￥0.0634
51000+
￥0.052096 ￥0.0592

有货

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4.3V 5uA@1V

型号：MM1Z4B3 编号：C6798268

封装：SOD-123

品牌：Huixin(慧芯)

稳压二极管稳压值(标称值)：4.3V 稳压值(范围)：4.214V~4.386V 精度：±2% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@1V 阻抗(Zzt)：130Ω

50+
￥0.107536 ￥0.1222
500+
￥0.083776 ￥0.0952
3000+
￥0.070576 ￥0.0802
6000+
￥0.062656 ￥0.0712
24000+
￥0.055792 ￥0.0634
51000+
￥0.052096 ￥0.0592

有货

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VR:100V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HMMSD4148T1G 编号：C42389371

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有典型的正向电流(IF)为0.3A，能够承受的最大反向电压(VR)为100V，在正向电压(VF)为1.25V时工作。其反向漏电流(IR)在室温下不大于1μA，瞬态正向电流(IFSM)峰值可达2A。这些特性使得它适用于高频开关电路中作为快速切换元件，适用于消费电子产品中的信号隔离或电源管理领域。

20+
￥0.109648 ￥0.1246
200+
￥0.085448 ￥0.0971
600+
￥0.071984 ￥0.0818
3000+
￥0.063888 ￥0.0726
9000+
￥0.056936 ￥0.0647
21000+
￥0.053152 ￥0.0604

有货

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HRB521S30TE61 编号：C42389392

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.2A的正向平均整流电流(IF)及30V的反向耐压(VR)，适用于多种电子设备。其正向电压降(VF)为0.5V，有助于减少电路中的能量损耗。该器件的反向漏电流(IR)低至30μA，表现出色的绝缘性能。同时，它能够承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强电路在瞬态情况下的可靠性。此款二极管适合用于需要高效率和稳定性的各类消费电子产品中。

20+
￥0.11396 ￥0.1295
200+
￥0.088792 ￥0.1009
600+
￥0.0748 ￥0.085
3000+
￥0.06644 ￥0.0755
9000+
￥0.059136 ￥0.0672
21000+
￥0.055176 ￥0.0627

有货

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独立式耐压:24V 电流:0.1uA@19V

型号：BZT52B24S 编号：C2858530

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.122016 ￥0.1271
100+
￥0.095616 ￥0.0996
300+
￥0.080928 ￥0.0843
3000+
￥0.069696 ￥0.0726
6000+
￥0.062016 ￥0.0646
9000+
￥0.057984 ￥0.0604

有货

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BAR43CFILM-HXY

型号：BAR43CFILM-HXY 编号：C52754629

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为2μA，具备较低的导通损耗与优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源极性保护等电路场合。

20+
￥0.124545 ￥0.1311
200+
￥0.12179 ￥0.1282
600+
￥0.119985 ￥0.1263
3000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

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RB520S30T1G-HXY

型号：RB520S30T1G-HXY 编号：C52754541

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为1μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于存在短暂电流冲击的电路环境。此类参数组合使其常用于低电压整流、信号箝位、电源极性保护及便携式电子设备中的高效能开关路径。

20+
￥0.126065 ￥0.1327
200+
￥0.098895 ￥0.1041
600+
￥0.08379 ￥0.0882
3000+
￥0.07467 ￥0.0786
9000+
￥0.06688 ￥0.0704
21000+
￥0.062605 ￥0.0659

有货

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SS110FA(SMAF）

型号：SS110FA(SMAF) 编号：C48578700

封装：SMAF

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 850mV@1.0A；直流反向耐压(Vr) 100V；整流电流 1A；反向电流(Ir) 50uA@100V

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915

有货

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耐压:10V 电流:10uA@7V

型号：MM1W10 编号：C2993524

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.148224 ￥0.1544
100+
￥0.12768 ￥0.133
300+
￥0.116352 ￥0.1212
3000+
￥0.10944 ￥0.114
6000+
￥0.103584 ￥0.1079
9000+
￥0.10032 ￥0.1045

有货

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1PS76SB40-HXY

型号：1PS76SB40-HXY 编号：C52754581

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，体现出良好的导通效率与关断特性。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对功耗敏感及需要快速响应的整流、信号解调和电源保护等电路中，常见于消费类电子与便携设备的低压直流系统。

20+
￥0.17841 ￥0.1878
200+
￥0.139935 ￥0.1473
600+
￥0.11856 ￥0.1248
3000+
￥0.105735 ￥0.1113
9000+
￥0.09462 ￥0.0996
21000+
￥0.088635 ￥0.0933

有货

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100V 1A

型号：B110WS 编号：C50176892

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有1A的正向电流（IF）和100V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流场合。其正向导通压降（VF）典型值为0.9V，有助于降低功耗，提升转换效率。在额定电压下，反向漏电流（IR）为100μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于电源适配器、开关模式电源、DC-DC转换器以及极性保护电路，尤其适合对效率和散热有要求的紧凑型电子设备，可有效满足高频整流与续流应用的技术需求。

20+
￥0.18316 ￥0.1928
200+
￥0.14364 ￥0.1512
600+
￥0.121695 ￥0.1281
3000+
￥0.10849 ￥0.1142
9000+
￥0.09709 ￥0.1022
21000+
￥0.09101 ￥0.0958

有货

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耐压:15V 电流:5uA@11V

型号：1SMA4744A 编号：C23066827

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

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齐纳二极管

型号：AZ23C3V3 编号：C50168057

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 3.3V；反向电流(Ir) 5uA@1V；稳压值(范围) 3.1V~3.5V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 95Ω

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331

有货

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PMEG2010EA-HXY

型号：PMEG2010EA-HXY 编号：C52754593

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和20V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在低耐压条件下维持基本阻断性能。器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态过流有一定容忍需求的场合。常见用途包括低压整流、开关电源次级侧输出、电池供电设备中的防反接保护及高频信号检波等电路。

20+
￥0.214035 ￥0.2253
200+
￥0.167865 ￥0.1767
600+
￥0.142215 ￥0.1497
3000+
￥0.126825 ￥0.1335
9000+
￥0.113525 ￥0.1195
21000+
￥0.106305 ￥0.1119

有货

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耐压:1000V 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：HUS1ME361T 编号：C42389402

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µA），保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30A，适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。

10+
￥0.21536 ￥0.2692
100+
￥0.17384 ￥0.2173
300+
￥0.15312 ￥0.1914
2000+
￥0.1328 ￥0.166
4000+
￥0.12032 ￥0.1504
10000+
￥0.11408 ￥0.1426

有货

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BAR43AFILM-HXY

型号：BAR43AFILM-HXY 编号：C52754628

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V，正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）为2μA，具备较低的导通损耗与可控的反向漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于双通道信号整流、电压钳位及电源路径切换等电路，常见于便携式电子设备和低功耗系统中。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
3000+
￥0.138605 ￥0.1459
9000+
￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

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BAT760-7-HXY

型号：BAT760-7-HXY 编号：C52754528

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在正常工作条件下维持合理水平。器件可承受的峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合，凭借较低的VF值和快速恢复特性，有助于提升系统整体效率与响应速度。

20+
￥0.22591 ￥0.2378
200+
￥0.177175 ￥0.1865
600+
￥0.1501 ￥0.158
3000+
￥0.133855 ￥0.1409
9000+
￥0.119795 ￥0.1261
21000+
￥0.112195 ￥0.1181

有货

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75V 150mA

型号：BAV70W 编号：C20618084

封装：SOT-323

品牌：LGE(鲁光)

开关二极管二极管配置：1对共阴极；正向压降(Vf)：1.25V@150mA；直流反向耐压(Vr)：75V：平均整流电流(Io)：150mA；功率：200mW；反向电流(Ir)：2.5uA@75V；反向恢复时间(trr)：4ns

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1352
9000+
￥0.1204
21000+
￥0.1124

有货

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B140WS-7-HXY

型号：B140WS-7-HXY 编号：C52754531

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为1A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）最大为1000μA。器件可承受高达9A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的整流、续流及高频开关电路，表现出良好的热稳定性和快速恢复特性。

10+
￥0.237595 ￥0.2501
100+
￥0.18924 ￥0.1992
300+
￥0.16511 ￥0.1738
3000+
￥0.146965 ￥0.1547
6000+
￥0.13243 ￥0.1394
9000+
￥0.12521 ￥0.1318

有货

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耐压:10V 电流:5uA

型号：1SMB5925B 编号：C23066846

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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ES2MB

型号：ES2MB 编号：C53243822

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf)1.7V@2.0A 直流反向耐压(Vr)1kV 整流电流 2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)40A

10+
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40V 3A

型号：SK34C 编号：C50168050

封装：SMC

品牌：LGE(鲁光)

肖特基二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 0.55V@3A；直流反向耐压(Vr) 40V；整流电流 3A；反向电流(Ir) 500uA

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BAS3010B03WE6327HTSA1-HXY

型号：BAS3010B03WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754527

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及高频开关等应用场景，具备响应速度快、导通损耗小的特点。

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12V

型号：1SMB5927BT3G 编号：C50177012

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有12V的反向击穿电压（VR），在正常工作时正向导通电流（IF）为31.2mA，正向导通压降（VF）为1.5V，表现出良好的导通特性。在反向截止状态下，漏电流（IR）仅为1μA，具备优异的阻断能力。该器件适用于需要稳定参考电压的电路，常用于电源管理、信号调理及电压钳位等场景，可为敏感电路提供过压保护，同时在直流电源转换和小型电子设备中实现电压基准功能，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。

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