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1PS76SB10-HXY

型号：1PS76SB10-HXY 编号：C52754517

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在常温下反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。

20+
￥0.07353 ￥0.0774
200+
￥0.071915 ￥0.0757
600+
￥0.070775 ￥0.0745
3000+
￥0.06973 ￥0.0734

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V

型号：MM5Z3V3 编号：C27975282

封装：SOD-523

品牌：LGE(鲁光)

商品目录稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 3.3V；反向电流(Ir) 20uA@1V；稳压值(范围) 3.1V~3.5V；功率(Pd) 200mW；阻抗(Zzt) 95Ω

20+
￥0.07461 ￥0.0829
200+
￥0.07299 ￥0.0811
600+
￥0.07182 ￥0.0798
3000+
￥0.07074 ￥0.0786

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RB520S-40HE3-HXY

型号：RB520S-40HE3-HXY 编号：C52754610

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明其在阻断状态下的漏电特性优异。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源管理、信号检波以及便携式电子设备中的多种电路场合，兼顾效率与稳定性。

20+
￥0.074765 ￥0.0787
200+
￥0.073055 ￥0.0769
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￥0.07201 ￥0.0758
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￥0.07087 ￥0.0746

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RB510SM-30T2R-HXY

型号：RB510SM-30T2R-HXY 编号：C52754597

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向截止特性。器件能承受最大1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。

20+
￥0.074765 ￥0.0787
200+
￥0.073055 ￥0.0769
600+
￥0.07201 ￥0.0758
3000+
￥0.07087 ￥0.0746

有货

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30V 100mA

型号：RB520G-30 编号：C50176901

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的平均整流电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压、小电流的电源整流与续流应用。其正向导通压降仅为0.45V（VF），可有效降低功耗，提升系统效率。在反向截止状态下，漏电流低至0.5μA（IR），表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理电路，尤其适合对能效和空间布局有较高要求的场合，为高频开关电源、DC-DC转换器等提供可靠的性能支持。

20+
￥0.0787
200+
￥0.0769
600+
￥0.0758

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电压:100V 电流:2A

型号：K210-TD 编号：C48606600

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款肖特基二极管具备2A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，正向电压降VF低至0.85V，有效降低了能量损耗。反向漏电流IR在标准测试条件下不超过20μA，同时支持高达50A的瞬时正向浪涌电流IFSM。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，适用于高频开关电源、整流电路及保护电路中，能够提高系统的整体效率和可靠性，是高性能电子设计的理想选择。

20+
￥0.0812
200+
￥0.0794
600+
￥0.0782

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BAS40X

型号：BAS40X 编号：C52754602

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，正向电流（IF）为0.35A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为5μA，在低功耗应用中表现良好。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及信号箝位等电路场合。

20+
￥0.08721 ￥0.0918
200+
￥0.085215 ￥0.0897
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￥0.08398 ￥0.0884
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￥0.082745 ￥0.0871

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:3uA

型号：BZT52C4V7S 编号：C19267779

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-323封装的微型稳压二极管，提供精准的4.7V稳定电压（VZ），具备较低反向电流IR为2.4uA，在5mA IZT测试下表现出色。最大耗散功率0.2W设计，确保了在紧凑空间中的高效能与稳定运行。适用于对体积和电压精度均有要求的电路设计，是小型化电子设备的理想稳压方案。

50+
￥0.0877
500+
￥0.0688
3000+
￥0.0583
6000+
￥0.052
24000+
￥0.0465
51000+
￥0.0436

有货

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1PS79SB30-HXY

型号：1PS79SB30-HXY 编号：C52754549

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.54V，在导通时具有较低的功耗；反向漏电流（IR）为90μA，表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。

20+
￥0.090915 ￥0.0957
200+
￥0.08892 ￥0.0936
600+
￥0.08759 ￥0.0922
3000+
￥0.08626 ￥0.0908

有货

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1PS76SB40-HXY

型号：1PS76SB40-HXY 编号：C52754581

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，体现出良好的导通效率与关断特性。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对功耗敏感及需要快速响应的整流、信号解调和电源保护等电路中，常见于消费类电子与便携设备的低压直流系统。

20+
￥0.093385 ￥0.0983
200+
￥0.09139 ￥0.0962
600+
￥0.089965 ￥0.0947
3000+
￥0.088635 ￥0.0933

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5.6V 1uA

型号：MMSZ5232BT1G 编号：C50177013

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为5.6V，适用于提供稳定的电压参考。其正向导通电流（IF）为20mA，正向导通压降（VF）为0.9V，具有较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为5μA，表现出良好的阻断性能。该器件常用于电源稳压电路、信号电平转换及过压保护设计中，可有效维持电路工作点的稳定。在精密模拟电路、通信设备及便携式电子产品中，能为敏感模块提供可靠的电压钳位和基准电压支持。

20+
￥0.095095 ￥0.1001
200+
￥0.09291 ￥0.0978
600+
￥0.09139 ￥0.0962
3000+
￥0.089965 ￥0.0947

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电压:70V 电流:70mA

型号：BAS70-04 编号：C7528899

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

二极管配置：1对串联式直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：7mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 反向电流(Ir)：200nA@50V 反向恢复时间(trr)：5ns

50+
￥0.0978
500+
￥0.0762
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

有货

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NSR0340HT1G-HXY

型号：NSR0340HT1G-HXY 编号：C52754585

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流或开关场景，常见于电源管理、信号解调及低压高频电路中。

20+
￥0.099655 ￥0.1049
200+
￥0.09747 ￥0.1026
600+
￥0.09595 ￥0.101
3000+
￥0.094525 ￥0.0995

有货

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PMEG4010BEA-HXY

型号：PMEG4010BEA-HXY 编号：C52754532

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）最大值为1000μA。器件能承受高达9A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关、续流保护及低电压输出场合，具备较快的开关速度和良好的热稳定性。

20+
￥0.099655 ￥0.1049
200+
￥0.09747 ￥0.1026
600+
￥0.09595 ￥0.101
3000+
￥0.094525 ￥0.0995

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耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V

型号：BZT52C12SX 编号：C6423744

封装：SOD-323

品牌：晶扬电子

二极管 VZ@IZT-12Nom(V),IR-0.1μA,VR--8.0V,

50+
￥0.1027
500+
￥0.08
3000+
￥0.0674
6000+
￥0.055614 ￥0.0598
24000+
￥0.049569 ￥0.0533
51000+
￥0.046221 ￥0.0497

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独立式耐压:12V 电流:0.1uA@9V

型号：BZT52B12 编号：C2858522

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.10317 ￥0.1086
100+
￥0.07961 ￥0.0838
300+
￥0.0665 ￥0.07
3000+
￥0.058615 ￥0.0617
6000+
￥0.051775 ￥0.0545
9000+
￥0.04807 ￥0.0506

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B0540WS-7-HXY

型号：B0540WS-7-HXY 编号：C52754523

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中，常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。

20+
￥0.10583 ￥0.1114
200+
￥0.10355 ￥0.109
600+
￥0.101935 ￥0.1073
3000+
￥0.100415 ￥0.1057

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.1uA@11V

型号：BZT52B15 编号：C2858532

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

数据手册

50+
￥0.10678 ￥0.1124
500+
￥0.083125 ￥0.0875
3000+
￥0.067735 ￥0.0713
6000+
￥0.05985 ￥0.063
24000+
￥0.05301 ￥0.0558
51000+
￥0.049305 ￥0.0519

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11V 100nA@8V

型号：MM1ZB11 编号：C6798261

封装：SOD-123

品牌：Huixin(慧芯)

稳压二极管稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.78V~11.22V 精度：±2% 功率：500mW 反向电流(Ir)：0.1μA@8V 阻抗(Zzt)：30Ω

50+
￥0.107536 ￥0.1222
500+
￥0.083776 ￥0.0952
3000+
￥0.070576 ￥0.0802
6000+
￥0.062656 ￥0.0712
24000+
￥0.055792 ￥0.0634
51000+
￥0.052096 ￥0.0592

有货

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4.3V 5uA@1V

型号：MM1Z4B3 编号：C6798268

封装：SOD-123

品牌：Huixin(慧芯)

稳压二极管稳压值(标称值)：4.3V 稳压值(范围)：4.214V~4.386V 精度：±2% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@1V 阻抗(Zzt)：130Ω

50+
￥0.107536 ￥0.1222
500+
￥0.083776 ￥0.0952
3000+
￥0.070576 ￥0.0802
6000+
￥0.062656 ￥0.0712
24000+
￥0.055792 ￥0.0634
51000+
￥0.052096 ￥0.0592

有货

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独立式耐压:24V 电流:0.1uA@19V

型号：BZT52B24S 编号：C2858530

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.120745 ￥0.1271
100+
￥0.09462 ￥0.0996
300+
￥0.080085 ￥0.0843
3000+
￥0.06897 ￥0.0726
6000+
￥0.06137 ￥0.0646
9000+
￥0.05738 ￥0.0604

有货

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BAR43AFILM-HXY

型号：BAR43AFILM-HXY 编号：C52754628

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V，正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）为2μA，具备较低的导通损耗与可控的反向漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于双通道信号整流、电压钳位及电源路径切换等电路，常见于便携式电子设备和低功耗系统中。

20+
￥0.124545 ￥0.1311
200+
￥0.12179 ￥0.1282
600+
￥0.119985 ￥0.1263
3000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

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1PS79SB31-HXY

型号：1PS79SB31-HXY 编号：C52754534

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF低至0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为30μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受1A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低功耗和高效率有要求的整流、箝位及开关电路，在多种通用电子设备中可提供稳定可靠的性能。

20+
￥0.140315 ￥0.1477
200+
￥0.110105 ￥0.1159
600+
￥0.09329 ￥0.0982
3000+
￥0.083125 ￥0.0875
9000+
￥0.074385 ￥0.0783
21000+
￥0.06973 ￥0.0734

有货

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耐压:10V 电流:10uA@7V

型号：MM1W10 编号：C2993524

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.1544
100+
￥0.133
300+
￥0.1212
3000+
￥0.114
6000+
￥0.1079
9000+
￥0.1045

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VR:100V VF:1.25V IFSM:2A

型号：H1N4148WSE308 编号：C42389380

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款开关二极管具备稳定的性能，其正向平均电流（IF/A）为0.15A，适合用于低电流需求的电路中。器件能够承受的最大反向电压（VR/V）为100V，适用于多种电压环境。正向电压降（VF/V）为1.25V，有助于减少导通状态下的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过1uA，显示了良好的阻断特性。此外，它还能承受高达2A的瞬态正向峰值电流（IFSM/A），适用于高频信号处理及电子设备中的数据传输等场合。

20+
￥0.164824 ￥0.1873
200+
￥0.129272 ￥0.1469
600+
￥0.109472 ￥0.1244
3000+
￥0.09768 ￥0.111
9000+
￥0.087384 ￥0.0993
21000+
￥0.08184 ￥0.093

有货

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耐压:8.2V 电流:10uA@6V

型号：1SMA4738A 编号：C23066834

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

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电压:100V 电流:5A

型号：SS510F 编号：C27975283

封装：SMAF

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；正向压降(Vf) 850mV@5A；直流反向耐压(Vr) 100V；平均整流电流(Io) 5A；反向电流(Ir) 1mA@100V

10+
￥0.1988
100+
￥0.1942
300+
￥0.1911
1000+
￥0.188

有货

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电压:50V 电流:200mA

型号：BAS86 编号：C27975281

封装：MiniMELF

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；正向压降(Vf) 900mV@100mA；直流反向耐压(Vr) 50V；平均整流电流(Io) 200mA；反向电流(Ir) 5uA@40V

10+
￥0.2206
100+
￥0.2154
300+
￥0.2119

有货

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100V 5A

型号：S5B 编号：C48578679

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1.1V@5A；直流反向耐压(Vr) 100V；整流电流 5A；反向电流(Ir) 10uA

10+
￥0.3067
100+
￥0.2443
300+
￥0.2131

有货

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电压:100V 电流:8A

型号：SS810 编号：C41424794

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管具备8A的正向电流IF，反向恢复电压VR最高可达100V，正向电压降VF为0.85V，反向漏电流IR在室温下低于20微安，同时能够承受高达150A的瞬时正向浪涌电流IFSM。该二极管适用于高频开关电源中的整流环节，以及电子设备内的瞬态电压抑制，其低VF值有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。此外，快速的开关特性使其成为逆变器和DC-DC转换器中的关键组件，能够有效提升电力转换装置的性能表现。

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