IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

该肖特基二极管具有0.5A的正向平均整流电流(IF)和30V的反向耐压(VR)，适用于需要高效能、低电压降的应用场景。其正向电压降(VF)仅为0.47V，确保了在导通状态下功耗较低。反向漏电流(IR)控制在100μA以内，表明其优秀的反向阻断能力。此外，它能够承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)，为电路提供额外的安全保护。这款二极管适合于对效率和稳定性有较高要求的电子设备中使用。

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￥0.172142 ￥0.2074
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￥0.134958 ￥0.1626
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￥0.114291 ￥0.1377
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￥0.098106 ￥0.1182
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￥0.087316 ￥0.1052
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￥0.081506 ￥0.0982

有货

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型号：MBRX160 编号：C41424801

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高性能特点，适用于多种电子设备中的高速开关和整流应用。其最大连续正向电流IF/A为1安培，反向阻断电压VR/V高达60伏特，同时正向电压降VF/V仅为0.72伏特，有助于减少能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流IR/uA为300微安，显示了良好的隔离效果。瞬时正向峰值电流IFSM/A可达20安培，确保了在极端条件下的稳定表现。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，非常适合用于便携式设备及通信系统的电源转换和保护电路中。

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￥0.18592 ￥0.2324
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￥0.14568 ￥0.1821
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￥0.12336 ￥0.1542
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￥0.10592 ￥0.1324
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￥0.09432 ￥0.1179
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￥0.08808 ￥0.1101

有货

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型号：NSR0340HT1G-HXY 编号：C52754585

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流或开关场景，常见于电源管理、信号解调及低压高频电路中。

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￥0.190285 ￥0.2003
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￥0.149245 ￥0.1571
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￥0.126445 ￥0.1331
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￥0.112765 ￥0.1187
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￥0.10089 ￥0.1062
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￥0.094525 ￥0.0995

有货

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型号：1SMA4758A 编号：C22438306

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.19266 ￥0.2028
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￥0.1501 ￥0.158
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￥0.126445 ￥0.1331
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￥0.11229 ￥0.1182
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￥0.09994 ￥0.1052
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￥0.09329 ￥0.0982

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型号：SR160 编号：C49009623

封装：DO-41

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) -；直流反向耐压(Vr) 60V；整流电流 1A；反向电流(Ir) 200uA@60V

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￥0.2359
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￥0.1879
600+
￥0.1639

有货

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型号：BAT54TW 编号：C20618078

封装：SOT-363

品牌：LGE(鲁光)

肖特基二极管二极管配置: 3个独立式；正向压降(Vf)：1V@100mA；直流反向耐压(Vr)：30V；平均整流电流(Io)：200mA；反向电流(Ir)：2uA@25V

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￥0.2406
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￥0.1867
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￥0.1568
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￥0.1388
9000+
￥0.1233
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￥0.1149

有货

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型号：ES1DB(SMB) 编号：C48578695

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 950mV@1A；直流反向耐压(Vr) 200V；整流电流 1A；反向电流(Ir) 5uA@200V反向恢复时间(Trr) 35ns；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

10+
￥0.2595
100+
￥0.2067
300+
￥0.1803

有货

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型号：1SMB5931B 编号：C23066843

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.326515 ￥0.3437
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￥0.258115 ￥0.2717
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￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
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￥0.167485 ￥0.1763

有货

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型号：1SMB5936B 编号：C23066838

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

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￥0.34789 ￥0.3662
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￥0.27949 ￥0.2942
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￥0.24529 ￥0.2582
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￥0.21964 ￥0.2312
6000+
￥0.19912 ￥0.2096
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￥0.188765 ￥0.1987

有货

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型号：SS10100B 编号：C41424790

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种具备快速开关特性的半导体器件，适用于高频电路中。本款肖特基二极管的最大正向电流IF可达10A，在反向电压VR下可承受的最大电压为100V，同时在正向电压VF仅为0.85V时能提供高效的电流传输。其反向漏电流IR在室温下小于1000微安，展现了良好的阻断性能。此外，该二极管的瞬态峰值电流IFSM能够达到250A，使其在需要快速响应和高效率转换的应用中表现出色，如开关电源中的整流环节或是保护电路中的瞬态抑制等。此器件以其低导通电压降和高速度特性满足了现代电子设备对高效能组件的需求。

5+
￥0.691827 ￥0.7439
50+
￥0.551211 ￥0.5927
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￥0.480903 ￥0.5171
500+
￥0.428172 ￥0.4604
3000+
￥0.38595 ￥0.415
6000+
￥0.364839 ￥0.3923

有货

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型号：HNRVUS1MFA 编号：C42402117

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，额定正向电流IF为1A，反向耐压VR为1000V，适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。导通状态下正向压降VF为1.7V，在高频工作条件下仍能保持稳定性能；反向漏电流IR仅为5μA，具有良好的阻断特性和低损耗优势。器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A，具备较强的瞬态过载能力。该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

5+
￥0.83688 ￥1.0461
50+
￥0.65544 ￥0.8193
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￥0.57768 ￥0.7221
500+
￥0.48064 ￥0.6008
3000+
￥0.43744 ￥0.5468
6000+
￥0.41152 ￥0.5144

有货

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型号：RB068LAM-40TR-HXY 编号：C52988751

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下可有效减少功率损耗；反向漏电流（IR）低至100μA，表现出优异的反向截止性能。该器件适用于对能效和热管理要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频信号检波等电子电路中。

5+
￥0.84645 ￥0.891
50+
￥0.82783 ￥0.8714
150+
￥0.815385 ￥0.8583
500+
￥0.803035 ￥0.8453

有货

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型号：SK106C 编号：C41424797

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管设计精良，具备10安培的最大正向电流（IF/A）和高达100伏特的反向耐压（VR/V），适用于多种电子应用。其正向导通电压（VF/V）为0.9伏特，在保证高效导通的同时，有效降低了能量损耗。反向漏电流（IR/uA）被严格控制在500微安以下，确保了在无正向偏置条件下的低功耗表现。此外，该二极管支持最高150安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），增强了应对突发大电流的能力。适用于高速开关电路、电源转换模块以及便携式电子产品中的整流与保护环节。

5+
￥0.94297 ￥0.9926
50+
￥0.75145 ￥0.791
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￥0.66937 ￥0.7046
500+
￥0.56696 ￥0.5968
3000+
￥0.52136 ￥0.5488
6000+
￥0.493905 ￥0.5199

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型号：A-SP158IR1C-A02-2D 编号：C5179598

封装：SMD,3x1.2mm

品牌：Amicc(欧密格光电)

Amicc A-SP158IR1C-A02-2D贴片式发光二极管（SMD LED）是一款采用微型侧视SMD封装的红外发射二极管，其采用透明塑料模制而成。该器件与硅光电二极管和光电晶体管完美匹配。

数据手册

5+
￥0.9737
50+
￥0.7621
150+
￥0.6713
500+
￥0.5582
2000+
￥0.4922
4000+
￥0.462

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型号：CMDSH-4ETR-HXY 编号：C52754522

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下保持较低的功率损耗。反向漏电流（IR）低至0.2μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率、稳定性和低漏电要求较高的电源整流、信号解调及高频开关等电子电路中。

5+
￥1.12024 ￥1.1792
50+
￥1.095635 ￥1.1533
150+
￥1.0792 ￥1.136
500+
￥1.062765 ￥1.1187

有货

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型号：SS10100(TO-277) 编号：C7370886

封装：TO-277

品牌：SY(顺烨)

二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：900mV@10A 二极管配置：独立式反向电流(Ir)：500uA@100V

5+
￥1.226545 ￥1.2911
50+
￥0.965295 ￥1.0161
150+
￥0.853385 ￥0.8983
500+
￥0.713735 ￥0.7513
2500+
￥0.641155 ￥0.6749
5000+
￥0.60382 ￥0.6356

有货

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型号：HSCS210KNHRTRL 编号：C42389228

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向平均电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，适用于高电压环境。其正向电压(VF)为1.4V，有助于保持较低的导通损耗。该器件拥有100μA的反向漏电流(IR)，确保了良好的电性能。最大浪涌电流(IFSM)可达90A，提高了应对瞬态大电流的能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及其他需要高效能与稳定性的电子设备的理想选择。

1+
￥26.352 ￥29.28
10+
￥22.734 ￥25.26
30+
￥20.583 ￥22.87
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￥18.405 ￥20.45
500+
￥17.406 ￥19.34
800+
￥16.947 ￥18.83

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型号：HFFSH2065BDNF085 编号：C42389263

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能碳化硅二极管，具备优异的电学特性。最大正向电流（IF）可达20A，反向耐压（VR）高达650V，适用于高效率电源转换系统。其正向导通压降（VF）仅为1.3V，显著降低导通损耗，提升整体能效。在高温或高压环境下仍能保持稳定工作，反向漏电流（IR）低至100μA，确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。此外，具备70A的浪涌电流（IFSM）承受能力，增强了对瞬态过流的适应性。广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中，满足高频、高密度电源设计需求。

1+
￥29.4982 ￥35.54
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￥25.2154 ￥30.38
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￥22.6756 ￥27.32
90+
￥20.1026 ￥24.22
510+
￥18.9157 ￥22.79
990+
￥18.3762 ￥22.14

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型号：FFSH2065A-HXY 编号：C45896871

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计，提供20A的正向电流（IF）和650V的反向电压（VR）能力，确保在高压环境下的稳定操作。其正向电压（VF）低至1.35V，有效降低能耗，同时反向漏电流（IR）仅为10uA，进一步提高了能源效率。瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达150A，赋予产品卓越的抗冲击能力。此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统，如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。

1+
￥32.283 ￥35.87
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￥27.702 ￥30.78
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￥24.975 ￥27.75
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￥22.221 ￥24.69
510+
￥20.952 ￥23.28
990+
￥20.376 ￥22.64

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型号：BZT52B3V3 编号：C41419602

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款稳压二极管具有稳定的电压调节特性，其稳压值（VR）为3.3伏特，正向电压（VF）仅为0.9伏特，在轻负载条件下反向漏电流（IR）不超过5微安，功率耗散能力（PD）达到0.2瓦。此元件适用于多种电子设备中的电压稳定环节，能够有效保障电路中的电压处于一个预定的标准值，从而保护连接在其后的敏感组件免受电压波动的影响。它广泛应用于消费电子产品中，作为电源管理和信号处理部分的关键组件，确保系统的可靠性和稳定性。

50+
￥0.0514
500+
￥0.0502
3000+
￥0.0495
6000+
￥0.0487

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型号：BZT52C3V0 编号：C41364885

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于3V稳压应用，具有0.85V的低正向压降VF，反向电流IR仅为8μA，在保证稳定性的同时减少了能耗。其最大功耗PD为0.5W，适用于需要精确电压控制的电子设备，如便携式电子产品、通信设备及精密测量仪器中的电压调节和保护电路。

50+
￥0.06302 ￥0.0685
500+
￥0.049036 ￥0.0533
3000+
￥0.041308 ￥0.0449
6000+
￥0.036708 ￥0.0399
24000+
￥0.03266 ￥0.0355
51000+
￥0.030544 ￥0.0332

有货

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型号：US1MW 编号：C50177022

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复二极管具有1A的正向平均电流（IF）和高达1000V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压隔离与整流场景。其正向导通压降（VF）为1.7V，确保较低的导通损耗，同时反向漏电流（IR）典型值仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件恢复时间短，可有效减少开关过程中的反向恢复电荷，提升系统效率。常用于开关电源、逆变电路、DC-DC转换器及高频率整流模块中，适用于对电压耐受与响应速度有要求的通用电力电子电路。

50+
￥0.066
500+
￥0.0514
3000+
￥0.0433
6000+
￥0.0385
24000+
￥0.0343
51000+
￥0.032

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型号：1PS76SB10-HXY 编号：C52754517

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在常温下反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。

20+
￥0.07353 ￥0.0774
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￥0.071915 ￥0.0757
600+
￥0.070775 ￥0.0745
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￥0.06973 ￥0.0734

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型号：MMSD914 编号：C27975268

封装：SOD-123

品牌：LGE(鲁光)

商品目录开关二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1V@10mA；直流反向耐压(Vr) 100V；平均整流电流(Io) 200mA；反向电流(Ir) 5uA@75V；反向恢复时间(trr) 4ns；工作温度 -

50+
￥0.07704 ￥0.0856
500+
￥0.06003 ￥0.0667
3000+
￥0.05058 ￥0.0562
6000+
￥0.04491 ￥0.0499
24000+
￥0.03996 ￥0.0444
51000+
￥0.03735 ￥0.0415

有货

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型号：BZT52C12S 编号：C19267780

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-323封装的微型稳压二极管，具有精确的12V稳定电压（VZ）和超低反向漏电流IR仅0.08uA，在5mA IZT条件下表现卓越。最大耗散功率为0.2W，确保在小型化电子设备中实现高效、稳定的电压控制。适用于紧凑空间及高精度电路设计，是精密稳压应用的理想选择。

50+
￥0.07774 ￥0.0845
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￥0.061272 ￥0.0666
3000+
￥0.048668 ￥0.0529
6000+
￥0.04324 ￥0.047
24000+
￥0.038548 ￥0.0419
51000+
￥0.035972 ￥0.0391

有货

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型号：BZT52C9V1 编号：C19267773

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装稳压二极管，提供精准的9.1V稳定电压（VZ），具有低至0.16uA的反向电流IR，在5mA IZT下表现出色。其最大耗散功率达0.5W，确保在各种应用中保持高效稳定运行。适用于对电压精度和热稳定性有较高要求的小型电路设计，是精密稳压控制的理想选择。

50+
￥0.0801
500+
￥0.0629
3000+
￥0.0533
6000+
￥0.0475
24000+
￥0.0425
51000+
￥0.0398

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型号：BZT52C4V7S 编号：C19267779

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-323封装的微型稳压二极管，提供精准的4.7V稳定电压（VZ），具备较低反向电流IR为2.4uA，在5mA IZT测试下表现出色。最大耗散功率0.2W设计，确保了在紧凑空间中的高效能与稳定运行。适用于对体积和电压精度均有要求的电路设计，是小型化电子设备的理想稳压方案。

50+
￥0.0877
500+
￥0.0688
3000+
￥0.0583
6000+
￥0.052
24000+
￥0.0465
51000+
￥0.0436

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型号：BAV70LT1G-HXY 编号：C50176902

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流（IF）和70V的反向耐压（VR），适用于中等电压的整流与续流场景。其正向导通压降为1.25V（VF），在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。反向漏电流为2.5μA（IR），在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路，可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合，为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。

50+
￥0.088255 ￥0.0929
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￥0.06878 ￥0.0724
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￥0.05795 ￥0.061
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￥0.051395 ￥0.0541
24000+
￥0.04579 ￥0.0482
51000+
￥0.04275 ￥0.045

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型号：1PS79SB30-HXY 编号：C52754549

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.54V，在导通时具有较低的功耗；反向漏电流（IR）为90μA，表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。

20+
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200+
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3000+
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型号：BAS70-04 编号：C7528899

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

二极管配置：1对串联式直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：7mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 反向电流(Ir)：200nA@50V 反向恢复时间(trr)：5ns

50+
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500+
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3000+
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