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100V 1A

型号：B110WS 编号：C50176892

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有1A的正向电流（IF）和100V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流场合。其正向导通压降（VF）典型值为0.9V，有助于降低功耗，提升转换效率。在额定电压下，反向漏电流（IR）为100μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于电源适配器、开关模式电源、DC-DC转换器以及极性保护电路，尤其适合对效率和散热有要求的紧凑型电子设备，可有效满足高频整流与续流应用的技术需求。

20+
￥0.1009
200+
￥0.0987
600+
￥0.0972
3000+
￥0.0958

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：ES2D 编号：C41419594

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF，能够处理较大的电流负载，同时具备200V的反向耐压VR，适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V，有助于减少电力损耗，提升效率。在反向偏置条件下，漏电流IR不超过5微安，确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A，表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏，适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。

50+
￥0.1027
500+
￥0.08
2000+
￥0.0674

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VR:100V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HMMSD4148T1G 编号：C42389371

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有典型的正向电流(IF)为0.3A，能够承受的最大反向电压(VR)为100V，在正向电压(VF)为1.25V时工作。其反向漏电流(IR)在室温下不大于1μA，瞬态正向电流(IFSM)峰值可达2A。这些特性使得它适用于高频开关电路中作为快速切换元件，适用于消费电子产品中的信号隔离或电源管理领域。

20+
￥0.112376 ￥0.1277
200+
￥0.088176 ￥0.1002
600+
￥0.074712 ￥0.0849
3000+
￥0.066616 ￥0.0757
9000+
￥0.059576 ￥0.0677
21000+
￥0.055792 ￥0.0634

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RB520S30T1G-HXY

型号：RB520S30T1G-HXY 编号：C52754541

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为1μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于存在短暂电流冲击的电路环境。此类参数组合使其常用于低电压整流、信号箝位、电源极性保护及便携式电子设备中的高效能开关路径。

20+
￥0.126065 ￥0.1327
200+
￥0.098895 ￥0.1041
600+
￥0.08379 ￥0.0882
3000+
￥0.07467 ￥0.0786
9000+
￥0.06688 ￥0.0704
21000+
￥0.062605 ￥0.0659

有货

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电压:100V 电流:2A

型号：DSS210 编号：C41364886

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款二极管具有100V的最大电压和2A的最大电流能力，正向压降VF仅为0.85V，在保证高效导通的同时降低了能量损耗。反向电流IR仅为20μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。该二极管还能承受50A的浪涌电流IFSM，适用于需要快速开关和高可靠性的应用，如消费电子产品中的整流电路、电池充电器及各类电源管理系统。

20+
￥0.163587 ￥0.1759
200+
￥0.127503 ￥0.1371
600+
￥0.107415 ￥0.1155
3000+
￥0.095325 ￥0.1025
9000+
￥0.084909 ￥0.0913
21000+
￥0.079236 ￥0.0852

有货

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51V 1uA

型号：1SMB5942B 编号：C22438310

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.17708 ￥0.1864
100+
￥0.172995 ￥0.1821
300+
￥0.17024 ￥0.1792
1000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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耐压:10V 电流:5uA

型号：1SMB5925B 编号：C23066846

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.17708 ￥0.1864
100+
￥0.172995 ￥0.1821
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￥0.17024 ￥0.1792
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￥0.167485 ￥0.1763

有货

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耐压:16V 电流:1uA

型号：1SMB5930B 编号：C23066845

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.17708 ￥0.1864
100+
￥0.172995 ￥0.1821
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￥0.167485 ￥0.1763

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75V 150mA

型号：BAV70W 编号：C20618084

封装：SOT-323

品牌：LGE(鲁光)

开关二极管二极管配置：1对共阴极；正向压降(Vf)：1.25V@150mA；直流反向耐压(Vr)：75V：平均整流电流(Io)：150mA；功率：200mW；反向电流(Ir)：2.5uA@75V；反向恢复时间(trr)：4ns

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1352
9000+
￥0.1204
21000+
￥0.1124

有货

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PMEG4010EH-HXY

型号：PMEG4010EH-HXY 编号：C52754576

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过200μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

10+
￥0.268945 ￥0.2831
100+
￥0.214225 ￥0.2255
300+
￥0.186865 ￥0.1967
3000+
￥0.166345 ￥0.1751
6000+
￥0.14991 ￥0.1578
9000+
￥0.14174 ￥0.1492

有货

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耐压:18V 电流:1uA

型号：1SMB5931B 编号：C23066843

封装：SMB

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMB)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

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1kV 1A

型号：HUS1MFA 编号：C42402119

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，额定正向电流IF为1A，反向耐压VR高达1000V，适用于需要快速开关特性的电路环境。在导通状态下，正向压降VF为1.7V，保证了较低的能量损耗；反向漏电流IR仅为5μA，表现出良好的阻断性能。同时具备较强的抗浪涌能力，最大非重复正向浪涌电流IFSM可达30A，确保在瞬态工况下的稳定运行。该器件广泛应用于电源转换、整流电路及高频开关系统中，满足对效率与可靠性有较高要求的场景需求。

5+
￥0.45522 ￥0.5058
50+
￥0.44523 ￥0.4947
150+
￥0.43857 ￥0.4873
500+
￥0.43182 ￥0.4798

有货

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1kV 1A

型号：HNRVUS1MFA 编号：C42402117

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为快恢复二极管，额定正向电流IF为1A，反向耐压VR为1000V，适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。导通状态下正向压降VF为1.7V，在高频工作条件下仍能保持稳定性能；反向漏电流IR仅为5μA，具有良好的阻断特性和低损耗优势。器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A，具备较强的瞬态过载能力。该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

5+
￥0.47168 ￥0.5896
50+
￥0.46136 ￥0.5767
150+
￥0.4544 ￥0.568
500+
￥0.44752 ￥0.5594

有货

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电压:200V 电流:10A

型号：SB10200 编号：C41424806

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种高性能的电子元器件，适用于高频电路中的整流与保护作用。此款二极管的最大正向平均电流IF为10A，反向阻断电压VR达到200V，正向电压降VF为0.9V，在导通状态下能有效降低电力损耗。反向漏电流IR在常温下为150微安，保证了在非导通状态下的低功耗特性。此外，它能够承受高达150A的瞬时正向峰值电流IFSM，确保在突发大电流情况下的安全性和可靠性。这款二极管特别适合应用于需要快速开关特性和高效率的电子装置中。

5+
￥0.6233
50+
￥0.6083
150+
￥0.5983

有货

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45V 10A

型号：SR1045 编号：C49296801

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 550mV@10A；直流反向耐压(Vr) 45V；整流电流 10A；反向电流(Ir) 100uA

5+
￥0.7077
50+
￥0.5637
150+
￥0.4917

有货

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电压:60V 电流:10A

型号：SK106C 编号：C41424797

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管设计精良，具备10安培的最大正向电流（IF/A）和高达100伏特的反向耐压（VR/V），适用于多种电子应用。其正向导通电压（VF/V）为0.9伏特，在保证高效导通的同时，有效降低了能量损耗。反向漏电流（IR/uA）被严格控制在500微安以下，确保了在无正向偏置条件下的低功耗表现。此外，该二极管支持最高150安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），增强了应对突发大电流的能力。适用于高速开关电路、电源转换模块以及便携式电子产品中的整流与保护环节。

5+
￥0.913995 ￥0.9621
50+
￥0.717725 ￥0.7555
150+
￥0.633555 ￥0.6669
500+
￥0.52858 ￥0.5564
3000+
￥0.48184 ￥0.5072
6000+
￥0.453815 ￥0.4777

有货

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电压:45V 电流:15A

型号：SL1545 编号：C41424808

封装：TO-277

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高效的电流处理能力，最大平均正向电流（IF/A）可达15A，最高反向电压（VR/V）为45V，而在正向导通状态下的电压降（VF/V）低至0.47V，漏电流（IR/uA）在常温条件下为200微安。此外，它能够承受高达175A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）。凭借其低功耗和快速开关速度，此二极管非常适合用于各种电子设备中的高速开关应用及电源管理部分，能够有效提升转换效率并减少能量损失。

5+
￥1.942212 ￥2.0884
50+
￥1.525107 ￥1.6399
150+
￥1.346268 ￥1.4476
500+
￥1.123254 ￥1.2078
2500+
￥1.02393 ￥1.101
5000+
￥0.964317 ￥1.0369

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH3065BF085 编号：C42389216

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF)，以及650V的反向电压(VR)耐受能力，适合应用于高压环境中。其正向压降(VF)为1.3V，有助于减少在导通状态下的能量损失。反向漏电流(IR)在室温下为150微安，表明其拥有较好的绝缘性能。此外，该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择，适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。

1+
￥30.3688 ￥34.51
10+
￥26.0568 ￥29.61
30+
￥23.496 ￥26.7
90+
￥20.9088 ￥23.76
510+
￥19.712 ￥22.4
990+
￥19.1752 ￥21.79

有货

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HC6D25170H

型号：HC6D25170H 编号：C42389279

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流（IF/A），能够承受高达1700V的反向电压（VR/V），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR/uA）控制在200微安以下，显示出了良好的阻断性能。瞬态条件下，此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对瞬时过载的能力。这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中，如高性能电源转换及高频开关电路等场景。

1+
￥77.3245 ￥90.97
10+
￥73.7715 ￥86.79
30+
￥67.6175 ￥79.55
90+
￥62.254 ￥73.24

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HRB520S30FJTE61 编号：C42389393

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有0.2A的额定正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到30V时提供稳定的阻断功能。其较低的正向电压（VF）为0.6V，有助于减少在导通状态下的功耗。反向漏电流（IR）控制在1微安以下，体现了其出色的绝缘性能。同时，该二极管能够承受1A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了其在复杂环境下的可靠性。基于这些特性，此二极管适合应用于高速开关电路、小信号整流以及需要快速响应时间的场合。

50+
￥0.051255 ￥0.0603
500+
￥0.05015 ￥0.059
3000+
￥0.04726 ￥0.0556
6000+
￥0.046495 ￥0.0547

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA

型号：BZT52B3V3 编号：C41419602

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款稳压二极管具有稳定的电压调节特性，其稳压值（VR）为3.3伏特，正向电压（VF）仅为0.9伏特，在轻负载条件下反向漏电流（IR）不超过5微安，功率耗散能力（PD）达到0.2瓦。此元件适用于多种电子设备中的电压稳定环节，能够有效保障电路中的电压处于一个预定的标准值，从而保护连接在其后的敏感组件免受电压波动的影响。它广泛应用于消费电子产品中，作为电源管理和信号处理部分的关键组件，确保系统的可靠性和稳定性。

50+
￥0.0514
500+
￥0.0502
3000+
￥0.0495
6000+
￥0.0487

有货

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22V 100nA@17V

型号：MM1Z22W 编号：C50177014

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的稳定电压为22V（VR），在正常工作条件下具备良好的电压调节性能。其最大正向电流（IF）为5mA，正向导通压降为0.9V（VF），反向漏电流极低，仅为0.1μA（IR），表现出优异的反向阻断特性。器件适用于需要精确电压参考或过压保护的电路，常见于消费类电子设备、便携式装置及小型电源模块中。可用于信号电平箝位、电源稳压电路及模拟电路中的基准电压源，适合对电路稳定性与功耗控制有要求的应用场景。

50+
￥0.0551
500+
￥0.0538
3000+
￥0.0529

有货

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HBAT54SWQ7F 编号：C42389389

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一款具有快速开关特性的半导体器件。本款二极管的最大平均正向电流（IF）为0.2A，在反向电压（VR）达到30V的情况下能够保持非导通状态。当正向电压（VF）为1V时，该二极管处于导通状态。在无外部偏压情况下，其反向漏电流（IR）不超过2微安。瞬态条件下，最大瞬间正向电流（IFSM）可达0.6A。这些特性使得此二极管适用于高频开关电源、信号整流及保护电路等场合。

50+
￥0.056496 ￥0.0642
500+
￥0.055264 ￥0.0628
3000+
￥0.054472 ￥0.0619
6000+
￥0.05368 ￥0.061

有货

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电压:30V 电流:0.2A

型号：HBAT54SW7F 编号：C42389384

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高效能与紧凑设计，适用于多种电子设备。其正向平均整流电流(IF)为0.2A，反向电压(VR)达到30V，确保了在低功耗应用中的稳定表现。正向压降(VF)仅为1V，有助于减少能量损耗；而反向漏电流(IR)控制在2μA以下，表明该二极管拥有良好的绝缘性能。此外，最大非重复峰值浪涌电流(IFSM)可达0.6A，增强了对瞬间高电流冲击的耐受力。这些特性使得它成为消费电子产品、电源管理电路等领域中理想的解决方案。

50+
￥0.057728 ￥0.0656
500+
￥0.056408 ￥0.0641
3000+
￥0.055616 ￥0.0632
6000+
￥0.054736 ￥0.0622

有货

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RB520SM-30T2R-HXY

型号：RB520SM-30T2R-HXY 编号：C52754542

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向电压（VR）能力。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）仅为1μA，体现出优异的关断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适合应对短时过流情况。这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。

50+
￥0.05852 ￥0.0616
500+
￥0.057285 ￥0.0603
3000+
￥0.05643 ￥0.0594
6000+
￥0.055575 ￥0.0585

有货

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SDM10U45-7-HXY

型号：SDM10U45-7-HXY 编号：C52754600

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路场合。

50+
￥0.059755 ￥0.0629
500+
￥0.05852 ￥0.0616
3000+
￥0.05757 ￥0.0606
6000+
￥0.056715 ￥0.0597

有货

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VR:70V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HBAV99W115 编号：C42389372

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款开关二极管设计紧凑，具备0.2A的标称正向电流(IF)，并能承受高达70V的最大反向电压(VR)。当正向电压(VF)为1.25V时，其性能稳定可靠。该二极管在室温条件下的反向漏电流(IR)不超过2.5μA，同时支持最高达2A的瞬态正向电流(IFSM)。这些电气特性使其成为电子设备中用于高速开关应用的理想选择，如在日常电子装置里的信号检测与保护电路中发挥关键作用。

20+
￥0.060016 ￥0.0682
200+
￥0.058696 ￥0.0667
600+
￥0.057816 ￥0.0657
3000+
￥0.056936 ￥0.0647

有货

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20uA

型号：1SS389 编号：C5766547

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管专为高效能应用设计，具有0.35A的正向电流IF，适用于多种电子设备中的整流与保护功能。其反向电压VR可达40V，确保在常见应用场景下的可靠性。正向电压VF仅为0.6V，有效降低了能量损耗，提升了电路效率。反向漏电流IR低至5uA，减少了不必要的能耗。此外，该二极管的非重复峰值正向浪涌电流IFSM高达2A，增强了对瞬时过载的承受能力。此款二极管非常适合应用于需要高效电能转换及精细电源管理的消费电子产品中。

20+
￥0.06138 ￥0.0682
200+
￥0.06003 ￥0.0667
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￥0.05913 ￥0.0657
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RB521SM-40T2R-HXY

型号：RB521SM-40T2R-HXY 编号：C52754553

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于提升能效，同时在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、钳位及电源管理等电路场合。

50+
￥0.06232 ￥0.0656
500+
￥0.060895 ￥0.0641
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￥0.06004 ￥0.0632
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￥0.05909 ￥0.0622

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SD103AX

型号：SD103AX 编号：C5766558

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流IF为0.35A，最大反向电压VR为40V。其正向压降VF为0.6V，在40V反向电压下漏电流IR仅为5μA，表现出优异的低功耗特性。器件可承受2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对体积和效率敏感的小功率整流、信号检波及电源管理等电路，尤其适合便携式或低电流应用场景。

50+
￥0.0656
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