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电压:150V 电流:3A

型号：SS3150 编号：C41424785

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管，具有3A的最大正向电流（IF/A），以及150V的最大反向电压（VR/V），使其能够在需要高效能整流的应用中发挥出色表现。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为0.85V，在高电流条件下也能保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了在待机模式下的低功耗特性。此外，瞬时峰值电流（IFSM/A）可达70A，适用于需要快速响应和处理瞬时大电流需求的电路设计中。此款二极管凭借其优良的电气性能，适用于高频开关电源、逆变器以及其他注重效率与可靠性的电子设备中。

10+
￥0.134425 ￥0.1415
100+
￥0.13148 ￥0.1384
300+
￥0.12958 ￥0.1364
1000+
￥0.127585 ￥0.1343

有货

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IF:5A VR:1000V VF:1.1V IFSM:120A

型号：S5MB 编号：C41419596

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管设计精良，具备稳定的电气性能，最大正向电流(IF)为5A，可承受的峰值反向电压(VR)高达1000V，使其成为高压应用的理想选择。该二极管的正向电压降(VF)为1.1V，有助于减少电力损耗，提高系统效率。其微小的反向漏电流(IR)不超过5μA，在无信号通过时几乎不消耗电能。此外，瞬时正向浪涌电流(IFSM)可达120A，意味着它能够在短时间内处理极大的电流波动。适用于各类整流、保护电路以及需要高可靠性的电子装置中。

20+
￥0.142598 ￥0.1517
200+
￥0.111108 ￥0.1182
600+
￥0.093624 ￥0.0996
3000+
￥0.083096 ￥0.0884
9000+
￥0.073978 ￥0.0787
21000+
￥0.06909 ￥0.0735

有货

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SDM20U40-7-HXY

型号：SDM20U40-7-HXY 编号：C52754611

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

20+
￥0.14744 ￥0.1552
200+
￥0.11571 ￥0.1218
600+
￥0.09804 ￥0.1032
3000+
￥0.0874 ￥0.092
9000+
￥0.078185 ￥0.0823
21000+
￥0.073245 ￥0.0771

有货

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电压:60V 电流:1A

型号：MBRX160 编号：C41424801

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备高性能特点，适用于多种电子设备中的高速开关和整流应用。其最大连续正向电流IF/A为1安培，反向阻断电压VR/V高达60伏特，同时正向电压降VF/V仅为0.72伏特，有助于减少能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流IR/uA为300微安，显示了良好的隔离效果。瞬时正向峰值电流IFSM/A可达20安培，确保了在极端条件下的稳定表现。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，非常适合用于便携式设备及通信系统的电源转换和保护电路中。

20+
￥0.18624 ￥0.2328
200+
￥0.14608 ￥0.1826
600+
￥0.12376 ￥0.1547
3000+
￥0.10632 ￥0.1329
9000+
￥0.09464 ￥0.1183
21000+
￥0.0884 ￥0.1105

有货

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耐压:56V 电流:1uA@42V

型号：1SMA4758A 编号：C22438306

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AC(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.11229 ￥0.1182
10000+
￥0.09994 ￥0.1052
20000+
￥0.09329 ￥0.0982

有货

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75V 150mA

型号：BAV70W 编号：C20618084

封装：SOT-323

品牌：LGE(鲁光)

开关二极管二极管配置：1对共阴极；正向压降(Vf)：1.25V@150mA；直流反向耐压(Vr)：75V：平均整流电流(Io)：150mA；功率：200mW；反向电流(Ir)：2.5uA@75V；反向恢复时间(trr)：4ns

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1352
9000+
￥0.1204
21000+
￥0.1124

有货

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40V 2A

型号：SB240 编号：C49296800

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

商品目录肖特基二极管;正向压降(Vf) 500mV@2A;直流反向耐压(Vr) 40V;整流电流 2A;反向电流(Ir) 500uA@40V

10+
￥0.3229
100+
￥0.2557
300+
￥0.2221

有货

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400V 6A

型号：HER605 编号：C48578694

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1.3V@ 6A；直流反向耐压(Vr) 400V；整流电流 6A；反向电流(Ir) 10uA@400V反向恢复时间(Trr) 50ns；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.6186
50+
￥0.489
150+
￥0.4242

有货

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耐压:24V 电流:0.5uA

型号：1N5359B(DO-27) 编号：C48578683

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式;稳压值(标称值) 24V;反向电流(Ir) 500nA@18.2V;耗散功率(Pd) 1W

5+
￥0.8493
50+
￥0.6765
150+
￥0.5901

有货

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电压:100V 电流:3A

型号：HNRVTSS3100ET3G 编号：C42389397

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR），适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。其正向压降（VF）仅为0.85V，在大电流工作条件下能够有效降低功耗。二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，表明其具备良好的阻断性能。瞬态的最大正向浪涌电流（IFSM）可达70A，适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。

1+
￥3.951 ￥4.39
10+
￥3.204 ￥3.56
30+
￥2.835 ￥3.15
100+
￥2.466 ￥2.74
500+
￥2.241 ￥2.49
1000+
￥2.124 ￥2.36

有货

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1kV 1A

型号：US1MW 编号：C50177022

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复二极管具有1A的正向平均电流（IF）和高达1000V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压隔离与整流场景。其正向导通压降（VF）为1.7V，确保较低的导通损耗，同时反向漏电流（IR）典型值仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件恢复时间短，可有效减少开关过程中的反向恢复电荷，提升系统效率。常用于开关电源、逆变电路、DC-DC转换器及高频率整流模块中，适用于对电压耐受与响应速度有要求的通用电力电子电路。

50+
￥0.0338
500+
￥0.033
3000+
￥0.0325
6000+
￥0.032

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IF:1A VR:1000V VF:1.1V

型号：1N4007L 编号：C41419598

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有IF/A 1安培的额定正向电流，能够在高达1000伏特的反向电压VR/V下正常工作，适用于多种高压应用场合。其正向电压降VF/V为1.1伏特，提供了较低的能量损耗。反向漏电流IR/uA仅为5微安，确保了在非导通状态下的低功耗表现。瞬时峰值电流IFSM/A为30安培，使其能够应对短时电流突增的情况。适用于各种电子设备中的整流、保护以及其他基本电路功能，是设计灵活性与可靠性的良好选择。

100+
￥0.0391
1000+
￥0.0305
3000+
￥0.0257

有货

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100V 200mA

型号：MMSD914 编号：C27975268

封装：SOD-123

品牌：LGE(鲁光)

商品目录开关二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1V@10mA；直流反向耐压(Vr) 100V；平均整流电流(Io) 200mA；反向电流(Ir) 5uA@75V；反向恢复时间(trr) 4ns；工作温度 -

50+
￥0.03942 ￥0.0438
500+
￥0.03852 ￥0.0428
3000+
￥0.03789 ￥0.0421
6000+
￥0.03735 ￥0.0415

有货

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RB541SM-40T2R-HXY

型号：RB541SM-40T2R-HXY 编号：C52754605

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗、高效率有要求的电源整流、信号检波及高频开关等电子电路中。

50+
￥0.041135 ￥0.0433
500+
￥0.040185 ￥0.0423
3000+
￥0.039615 ￥0.0417
6000+
￥0.039045 ￥0.0411

有货

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独立式耐压:12V 电流:0.1uA@8V

型号：BZT52C12S 编号：C19267780

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-323封装的微型稳压二极管，具有精确的12V稳定电压（VZ）和超低反向漏电流IR仅0.08uA，在5mA IZT条件下表现卓越。最大耗散功率为0.2W，确保在小型化电子设备中实现高效、稳定的电压控制。适用于紧凑空间及高精度电路设计，是精密稳压应用的理想选择。

50+
￥0.041492 ￥0.0451
500+
￥0.040664 ￥0.0442
3000+
￥0.036524 ￥0.0397
6000+
￥0.035972 ￥0.0391

有货

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70V 200mA

型号：BAV70LT1G-HYX 编号：C50176902

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流（IF）和70V的反向耐压（VR），适用于中等电压的整流与续流场景。其正向导通压降为1.25V（VF），在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。反向漏电流为2.5μA（IR），在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路，可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合，为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。

50+
￥0.04522 ￥0.0476
500+
￥0.044175 ￥0.0465
3000+
￥0.043415 ￥0.0457
6000+
￥0.04275 ￥0.045

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：ES2G 编号：C41421179

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款快恢复、高效率二极管具有稳定的性能，其最大正向电流IF为2A，能够承受最高400V的反向电压VR，适用于多种高压电路环境中。正向电压降VF仅为1.25V，有助于减少电力损耗，增强电路效率。在非导通状态下，反向漏电流IR低至5μA，有助于降低不必要的能耗。此外，它能够承受高达50A的瞬态峰值电流IFSM，确保了在突发电流情况下的可靠性和耐用性，适用于高频开关电源及其他注重效率与可靠性的电路设计。

50+
￥0.0538
500+
￥0.0526
2000+
￥0.0517

有货

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耐压:3V 电流:8uA@1V

型号：BZT52C3V0 编号：C41364885

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于3V稳压应用，具有0.85V的低正向压降VF，反向电流IR仅为8μA，在保证稳定性的同时减少了能耗。其最大功耗PD为0.5W，适用于需要精确电压控制的电子设备，如便携式电子产品、通信设备及精密测量仪器中的电压调节和保护电路。

50+
￥0.06302 ￥0.0685
500+
￥0.049036 ￥0.0533
3000+
￥0.041308 ￥0.0449
6000+
￥0.036708 ￥0.0399
24000+
￥0.03266 ￥0.0355
51000+
￥0.030544 ￥0.0332

有货

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9.1V 100nA@6.8V

型号：BZV55B9V1 编号：C49296782

封装：LL-34

品牌：LGE(鲁光)

商品目录稳压二极管；二极管配置独立式；稳压值(标称值) 9.1V；反向电流(Ir) 500nA@6V；稳压值(范围) 8.92V~9.28V；耗散功率(Pd) 500mW；阻抗(Zzt) 15Ω

50+
￥0.0656
500+
￥0.0641
2500+
￥0.0632

有货

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独立式耐压:20V 电流:0.04uA@14V

型号：BZT52C20 编号：C19267777

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装的稳压二极管，具有稳定的20V电压（VZ）和超低反向漏电流IR仅0.04uA，在5mA IZT条件下表现卓越。最大耗散功率高达0.5W，确保在各类应用中实现高效能与稳定工作。特别适用于对电压精度及耐热性能有较高要求的电路设计，是理想的高端稳压解决方案。

50+
￥0.06624 ￥0.0736
500+
￥0.05211 ￥0.0579
3000+
￥0.04185 ￥0.0465
6000+
￥0.03717 ￥0.0413
24000+
￥0.03312 ￥0.0368
51000+
￥0.03096 ￥0.0344

有货

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SS110FA(SMAF）

型号：SS110FA(SMAF) 编号：C48578700

封装：SMAF

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 850mV@1.0A；直流反向耐压(Vr) 100V；整流电流 1A；反向电流(Ir) 50uA@100V

20+
￥0.0721
200+
￥0.0705
600+
￥0.0695

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.04uA@11V

型号：BZT52C15 编号：C19267774

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装的稳压二极管，具有精准的15V稳定电压（VZ）和超低反向漏电流IR仅为0.04uA，在5mA IZT条件下展现卓越性能。最大耗散功率达0.5W，确保在各类应用中保持高效能与长期稳定性。专为小型化及高精度电路设计，是您实现精密稳压控制的理想解决方案。

50+
￥0.0726 ￥0.0825
500+
￥0.057112 ￥0.0649
3000+
￥0.045848 ￥0.0521
6000+
￥0.040744 ￥0.0463
24000+
￥0.036256 ￥0.0412
51000+
￥0.03388 ￥0.0385

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.1uA@11.2V

型号：BZT52C16S 编号：C5221600

封装：SOD-323

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.3V~17.1V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@11.2V 阻抗(Zzt)：40Ω

数据手册

50+
￥0.07344 ￥0.0816
500+
￥0.05742 ￥0.0638
3000+
￥0.04671 ￥0.0519
6000+
￥0.0414 ￥0.046
24000+
￥0.03672 ￥0.0408
51000+
￥0.03429 ￥0.0381

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:0.16uA@7V

型号：BZT52C9V1 编号：C19267773

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装稳压二极管，提供精准的9.1V稳定电压（VZ），具有低至0.16uA的反向电流IR，在5mA IZT下表现出色。其最大耗散功率达0.5W，确保在各种应用中保持高效稳定运行。适用于对电压精度和热稳定性有较高要求的小型电路设计，是精密稳压控制的理想选择。

50+
￥0.0801
500+
￥0.0629
3000+
￥0.0533
6000+
￥0.0475
24000+
￥0.0425
51000+
￥0.0398

有货

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耐压:2.2V 电流:120uA

型号：BZT52C2V2 编号：C523828

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

50+
￥0.0822
500+
￥0.0643
3000+
￥0.0529
6000+
￥0.047
24000+
￥0.0419
51000+
￥0.0391

订货

我要订货

独立式耐压:2.7V 电流:120uA@1V

型号：BZT52C2V7S 编号：C173442

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

1+
￥0.0836 ￥0.088
10+
￥0.06517 ￥0.0686
30+
￥0.05491 ￥0.0578
100+
￥0.048735 ￥0.0513
500+
￥0.043415 ￥0.0457
1000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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100V 1A

型号：B110WS 编号：C50176892

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有1A的正向电流（IF）和100V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流场合。其正向导通压降（VF）典型值为0.9V，有助于降低功耗，提升转换效率。在额定电压下，反向漏电流（IR）为100μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于电源适配器、开关模式电源、DC-DC转换器以及极性保护电路，尤其适合对效率和散热有要求的紧凑型电子设备，可有效满足高频整流与续流应用的技术需求。

20+
￥0.1009
200+
￥0.0987
600+
￥0.0972

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：ES2D 编号：C41419594

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF，能够处理较大的电流负载，同时具备200V的反向耐压VR，适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V，有助于减少电力损耗，提升效率。在反向偏置条件下，漏电流IR不超过5微安，确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A，表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏，适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。

50+
￥0.1027
500+
￥0.08
2000+
￥0.0674

有货

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VR:100V VF:1.25V IFSM:2A

型号：HMMSD4148T1G 编号：C42389371

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有典型的正向电流(IF)为0.3A，能够承受的最大反向电压(VR)为100V，在正向电压(VF)为1.25V时工作。其反向漏电流(IR)在室温下不大于1μA，瞬态正向电流(IFSM)峰值可达2A。这些特性使得它适用于高频开关电路中作为快速切换元件，适用于消费电子产品中的信号隔离或电源管理领域。

20+
￥0.112376 ￥0.1277
200+
￥0.088176 ￥0.1002
600+
￥0.074712 ￥0.0849
3000+
￥0.066616 ￥0.0757
9000+
￥0.059576 ￥0.0677
21000+
￥0.055792 ￥0.0634

有货

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RB520S30T1G-HXY

型号：RB520S30T1G-HXY 编号：C52754541

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为1μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于存在短暂电流冲击的电路环境。此类参数组合使其常用于低电压整流、信号箝位、电源极性保护及便携式电子设备中的高效能开关路径。

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