IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：Z2E16B 编号：C7466349

封装：SMB

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：16V 精度：±5% 功率：2W 反向电流(Ir)：500nA@12.2V 阻抗(Zzt)：8Ω 2W

10+
￥0.39178 ￥0.4124
100+
￥0.3097 ￥0.326
300+
￥0.26866 ￥0.2828
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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型号：Z2E12B 编号：C7466348

封装：SMB

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：12V 精度：±5% 功率：2W 反向电流(Ir)：1000nA@9.1V 阻抗(Zzt)：5Ω 2W

10+
￥0.39178 ￥0.4124
100+
￥0.3097 ￥0.326
300+
￥0.26866 ￥0.2828
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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型号：SS5200B 编号：C41424787

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备5A的最大连续正向电流（IF），能够承受高达200V的反向电压（VR），确保了在高压环境下的可靠性。其低至0.95V的正向电压降（VF）使其在导通状态下能有效降低功耗。尽管在反向偏置下，最大反向漏电流（IR）为100微安，但在大多数应用中仍能提供足够的隔离效果。该二极管还支持最高150A的瞬态正向浪涌电流（IFSM），适合用于需要快速开关动作的场合，比如高频开关电源、同步整流以及电子设备中的过压保护环节。

5+
￥0.51129 ￥0.5382
50+
￥0.41097 ￥0.4326
150+
￥0.36081 ￥0.3798
500+
￥0.32319 ￥0.3402
3000+
￥0.293075 ￥0.3085
6000+
￥0.27797 ￥0.2926

有货

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型号：HER605 编号：C48578694

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1.3V@ 6A；直流反向耐压(Vr) 400V；整流电流 6A；反向电流(Ir) 10uA@400V反向恢复时间(Trr) 50ns；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.6186
50+
￥0.489
150+
￥0.4242

有货

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型号：SS1045 编号：C41424791

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种高性能的半导体元件，适用于高频电路设计。本产品支持最大10A的正向电流IF，可在最高45V的反向电压VR下稳定工作。其低至0.65V的正向电压VF有助于减少能量损耗，提高系统效率。反向漏电流IR在常温下不超过1000微安，表明其具有良好的隔离性能。此外，二极管还能承受高达250A的瞬时峰值电流IFSM，确保在瞬变条件下的可靠性。此款肖特基二极管因其快速的开关速度和低导通电压，非常适合用于各种高频开关电源、整流电路以及电子设备中的保护电路中。

5+
￥0.6211
50+
￥0.4939
150+
￥0.4303
500+
￥0.3826
3000+
￥0.3364
6000+
￥0.3174

有货

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型号：MBR3080DS 编号：C42924196

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 780mV@30A 直流反向耐压(Vr) 80V 整流电流 30A 反向电流(Ir) 50uA@80V 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.97451 ￥1.0258
50+
￥0.76114 ￥0.8012
150+
￥0.669655 ￥0.7049
500+
￥0.55556 ￥0.5848
3000+
￥0.504735 ￥0.5313
6000+
￥0.47424 ￥0.4992

有货

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型号：60F30 编号：C41433069

封装：TO-3P

品牌：minos(迈诺斯)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：300V 连续正向电流IF(AV)：2*30A 正向压降(Vf)：0.85V@40A 反向电流(Ir)：100μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

1+
￥3.8095 ￥4.01
10+
￥3.382 ￥3.56
30+
￥3.1635 ￥3.33
90+
￥2.9545 ￥3.11
510+
￥2.8215 ￥2.97
990+
￥2.755 ￥2.9

有货

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型号：DSEI2X30-06C-HXY 编号：C53133708

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，展现出低导通损耗与高阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统，在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。

1+
￥133.589 ￥140.62
10+
￥127.452 ￥134.16
26+
￥116.8215 ￥122.97
104+
￥107.54 ￥113.2

有货

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型号：BZT52C18S 编号：C19267781

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-323封装的微型稳压二极管，提供精准的18V稳定电压（VZ），并具备极低反向电流IR仅0.04uA，在5mA IZT条件下展现卓越性能。最大耗散功率为0.2W，确保高效、低温运行。专为紧凑空间及高精度电路设计，是您在小型化电子设备中实现稳定电压控制的理想选择。

50+
￥0.0457
500+
￥0.0447
3000+
￥0.0409
6000+
￥0.0403

有货

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型号：1N4001W 编号：C42432663

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款通用二极管具备稳健的电气特性，最大整流电流IF可达1A，在反向电压VR最高为50V的情况下保证了电路的安全运行。其正向电压降VF仅为1V，有助于减少能量损耗。在室温条件下，该二极管的反向饱和电流IR小于5微安，显示出良好的阻断性能。瞬时正向浪涌电流IFSM能够承受高达30A的峰值冲击，增强了元件在面对突发大电流时的可靠性。此款二极管适用于各种消费电子产品中的整流、保护和其他基本电路功能。

100+
￥0.0462
1000+
￥0.036
3000+
￥0.0303
9000+
￥0.0269
51000+
￥0.024
99000+
￥0.0224

有货

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型号：ZMM4V7-TD 编号：C46550820

封装：LL-34

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款LL-34封装稳压二极管，专为4.7V电压提供精密稳压，具有0.5uA的低反向电流（IR），确保设备在微功耗状态下持久稳定运行。5mA瞬态IZT电流赋予其出色的响应速度和负载适应性。最大功率耗散0.5W，适用于各类精密稳压及电路保护应用场景，以其高效能与稳定性满足您的设计需求。

50+
￥0.0487
500+
￥0.0378
2500+
￥0.0317

有货

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型号：HL1N4148WT1G 编号：C42389383

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有典型正向电流（IF/A）0.3A的特点，其最大反向电压（VR/V）可达100V，确保了在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.25V，在通过电流时能量损失较小。同时，反向漏电流（IR/uA）低至1µA，表明其在阻断状态下的漏电极少。瞬态峰电流（IFSM/A）为2A，表明该元件能承受短时过载电流。这些特性使得该二极管适用于高频信号处理及电源管理电路中的快速切换应用。

50+
￥0.05517 ￥0.0613
500+
￥0.04347 ￥0.0483
3000+
￥0.03699 ￥0.0411
6000+
￥0.03312 ￥0.0368
24000+
￥0.02979 ￥0.0331
51000+
￥0.0279 ￥0.031

有货

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型号：1N914W 编号：C41419582

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管设计精良，适用于多种高频信号切换场合。其最大整流电流IF/A为0.15安培，反向击穿电压VR/V可达100伏特，正向电压降VF/V为1.25伏特，在微安级别的反向漏电流IR/uA仅为1，显示出优秀的阻断性能。此外，瞬时峰值电流IFSM/A可承受2安培，使其在快速开关应用中表现出色。该二极管凭借其可靠的电气特性，成为数字电路及通信设备中的理想选择。

50+
￥0.059985 ￥0.0645
500+
￥0.047058 ￥0.0506
3000+
￥0.038502 ￥0.0414
6000+
￥0.034224 ￥0.0368
24000+
￥0.030411 ￥0.0327
51000+
￥0.028458 ￥0.0306

有货

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型号：BZT52C20 编号：C19267777

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装的稳压二极管，具有稳定的20V电压（VZ）和超低反向漏电流IR仅0.04uA，在5mA IZT条件下表现卓越。最大耗散功率高达0.5W，确保在各类应用中实现高效能与稳定工作。特别适用于对电压精度及耐热性能有较高要求的电路设计，是理想的高端稳压解决方案。

50+
￥0.06624 ￥0.0736
500+
￥0.05211 ￥0.0579
3000+
￥0.04185 ￥0.0465
6000+
￥0.03717 ￥0.0413
24000+
￥0.03312 ￥0.0368
51000+
￥0.03096 ￥0.0344

有货

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型号：BZT52B15 编号：C2858532

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

数据手册

50+
￥0.06744 ￥0.1124
500+
￥0.0525 ￥0.0875
3000+
￥0.04278 ￥0.0713
6000+
￥0.0378 ￥0.063
24000+
￥0.03348 ￥0.0558
51000+
￥0.03114 ￥0.0519

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型号：BZT52C15 编号：C19267774

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装的稳压二极管，具有精准的15V稳定电压（VZ）和超低反向漏电流IR仅为0.04uA，在5mA IZT条件下展现卓越性能。最大耗散功率达0.5W，确保在各类应用中保持高效能与长期稳定性。专为小型化及高精度电路设计，是您实现精密稳压控制的理想解决方案。

50+
￥0.0726 ￥0.0825
500+
￥0.057112 ￥0.0649
3000+
￥0.045848 ￥0.0521
6000+
￥0.040744 ￥0.0463
24000+
￥0.036256 ￥0.0412
51000+
￥0.03388 ￥0.0385

有货

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型号：BZT52C16S 编号：C5221600

封装：SOD-323

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.3V~17.1V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@11.2V 阻抗(Zzt)：40Ω

数据手册

50+
￥0.07344 ￥0.0816
500+
￥0.05742 ￥0.0638
3000+
￥0.04671 ￥0.0519
6000+
￥0.0414 ￥0.046
24000+
￥0.03672 ￥0.0408
51000+
￥0.03429 ￥0.0381

有货

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型号：1PS79SB31-HXY 编号：C52754534

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF低至0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为30μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受1A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低功耗和高效率有要求的整流、箝位及开关电路，在多种通用电子设备中可提供稳定可靠的性能。

20+
￥0.07353 ￥0.0774
200+
￥0.071915 ￥0.0757
600+
￥0.070775 ￥0.0745
3000+
￥0.06973 ￥0.0734

有货

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型号：BZT52C24 编号：C19267778

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装的高精度稳压二极管，具有出色的24V稳定电压（VZ）及超低反向电流IR仅0.04uA，在5mA IZT条件下表现卓越。其最大耗散功率为0.2W，确保在各类应用中实现高效能与低发热运行。适用于对电压稳定性要求极高的精密电路设计，是您理想的高端稳压解决方案。

50+
￥0.075944 ￥0.0863
500+
￥0.059752 ￥0.0679
3000+
￥0.048048 ￥0.0546
6000+
￥0.042592 ￥0.0484
24000+
￥0.037928 ￥0.0431
51000+
￥0.035464 ￥0.0403

有货

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型号：SDM20U40-7-HXY 编号：C52754611

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

20+
￥0.077235 ￥0.0813
200+
￥0.075525 ￥0.0795
600+
￥0.074385 ￥0.0783
3000+
￥0.073245 ￥0.0771

有货

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型号：RB541SM-40T2R-HXY 编号：C52754605

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗、高效率有要求的电源整流、信号检波及高频开关等电子电路中。

50+
￥0.07847 ￥0.0826
500+
￥0.06156 ￥0.0648
3000+
￥0.052155 ￥0.0549
6000+
￥0.04655 ￥0.049
24000+
￥0.04161 ￥0.0438
51000+
￥0.039045 ￥0.0411

有货

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型号：BZT52C3V3 编号：C19267769

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123封装的稳压二极管，具备精准的3.3V稳定电压（VZ），并具有较低反向电流IR为4uA，在5mA IZT条件下表现卓越。最大耗散功率达0.5W，确保在各类应用中提供高效、稳定的电压控制。专为小型化及高精度电路设计，是3.3V电源稳压需求的理想之选。

50+
￥0.08265 ￥0.087
500+
￥0.06517 ￥0.0686
3000+
￥0.051775 ￥0.0545
6000+
￥0.04598 ￥0.0484
24000+
￥0.040945 ￥0.0431
51000+
￥0.038285 ￥0.0403

有货

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型号：BZT52C7V5S 编号：C523831

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.087264 ￥0.0909
100+
￥0.06864 ￥0.0715
300+
￥0.058272 ￥0.0607
3000+
￥0.050304 ￥0.0524
6000+
￥0.044928 ￥0.0468
9000+
￥0.042048 ￥0.0438

有货

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型号：ES2G 编号：C5140014

封装：SMA

品牌：MSKSEMI(美森科)

二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@6A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj)

数据手册

50+
￥0.090355 ￥0.1063
500+
￥0.0697 ￥0.082
2000+
￥0.056695 ￥0.0667
4000+
￥0.04981 ￥0.0586
24000+
￥0.043775 ￥0.0515
50000+
￥0.040545 ￥0.0477

有货

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型号：S2M(SMAF) 编号：C49296798

封装：SMAF

品牌：LGE(鲁光)

商品目录通用二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 1.1V@2A；直流反向耐压(Vr) 1kV；整流电流 2A；反向电流(Ir) 5uA@1kV 无卤

50+
￥0.0952
500+
￥0.0746
3000+
￥0.0632

有货

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型号：ES2D 编号：C41419594

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF，能够处理较大的电流负载，同时具备200V的反向耐压VR，适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V，有助于减少电力损耗，提升效率。在反向偏置条件下，漏电流IR不超过5微安，确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A，表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏，适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。

50+
￥0.1027
500+
￥0.08
2000+
￥0.0674

有货

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型号：MMSZ5240B 编号：C2993574

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.110304 ￥0.1149
100+
￥0.08592 ￥0.0895
300+
￥0.072384 ￥0.0754
3000+
￥0.064224 ￥0.0669
6000+
￥0.057216 ￥0.0596
9000+
￥0.053472 ￥0.0557

有货

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型号：RB521SM-40T2R-HXY 编号：C52754553

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.54V，有助于提升能效，同时在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为90μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、钳位及电源管理等电路场合。

50+
￥0.11894 ￥0.1252
500+
￥0.09329 ￥0.0982
3000+
￥0.07904 ￥0.0832
6000+
￥0.07049 ￥0.0742
24000+
￥0.06308 ￥0.0664
51000+
￥0.05909 ￥0.0622

有货

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型号：BZX84C3V9 编号：C7471754

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：SOT-23 3.9V 稳压值(范围)：3.7V~4.1V 功率：350mW 反向电流(Ir)：3uA@1V 阻抗(Zzt)：90Ω 3.9V,5mA,

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

有货

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型号：SDM20U30-7-HXY 编号：C52754547

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.5V，有助于降低导通损耗，同时在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为30μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

20+
￥0.14744 ￥0.1552
200+
￥0.11571 ￥0.1218
600+
￥0.09804 ￥0.1032
3000+
￥0.0874 ￥0.092
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