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价格(含税)

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：KND2803A 编号：C382147

封装：TO-252

特性：RDS(on)=2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。低导通电阻。快速开关。 100%雪崩测试。允许重复雪崩至最高结温。无铅，符合RoHS标准。采用沟槽工艺技术实现极低导通电阻。结工作温度为175℃。开关速度快。重复雪崩额定值提高

数据手册

5+
￥2.2292
50+
￥1.7504
150+
￥1.5452

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:80A

型号：KNB3306B 编号：C176838

封装：TO-263

N沟道，60V，80A

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.92
30+
￥1.69

有货

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10A、800V N沟道MOSFET

型号：KNF6180B 编号：C20623382

封装：TO-220F

KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

1+
￥3.53
10+
￥3.13
30+
￥2.93
100+
￥2.74

有货

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130A，60V N沟道功率MOSFET

型号：KNH2906C 编号：C51883055

封装：TO-3P

特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=4.6mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-220封装。 RDS(ON)=4.7mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-3P封装。超低栅极电荷。有绿色环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

1+
￥3.78
10+
￥3.07
30+
￥2.71

有货

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P沟道MOSFET

型号：KPE4403B 编号：C5156070

封装：SOP-8

特性：RDS(ON) = 40mΩ (典型值) @ VGS = -10V。 -5V逻辑电平控制。 P沟道SOP-8封装。无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。开关电路

数据手册

单价：
￥0.3006 / 个

有货

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耐压:20V 电流:6A

型号：KIA2300 编号：C114186

封装：SOT-23

N沟道,20V,6A,40mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2300

数据手册

1+
￥0.3071
10+
￥0.2446
30+
￥0.2134
100+
￥0.19
500+
￥0.1712
1000+
￥0.1619

有货

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40V 130A

型号：KNP2904A 编号：C7465107

封装：TO-220

特性：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值），VGS = 10V（DFN 5*6）。 RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值），VGS = 10V（TO-252、TO-263、TO-220）。极低导通电阻 RDS(ON)。低 Crss。快速开关。 100% 雪崩测试。应用：PWM 应用。负载开关

单价：
￥1.0189 / 个

有货

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120A，40V N沟道功率MOSFET

型号：KNY3004B 编号：C49328623

封装：DFN-8(5x6)

特性：先进的沟槽技术。导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为2.4mΩ。超低栅极电荷。有环保型产品可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试

5+
￥1.3335
50+
￥1.0563
150+
￥0.9375

有货

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60V 130A

型号：KND2906A 编号：C709680

封装：TO-252-2

特性：RDS(on) = 5.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。有无铅和环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 UPS

数据手册

5+
￥2.2996
50+
￥1.8057
150+
￥1.594

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:130A

型号：KIA2906AP 编号：C2905928

封装：TO-220-3

特性：RDS(on) = 5.5mΩ（典型值），VGS = 10V。提供无铅环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 UPS

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.32
50+
￥2.05
100+
￥1.71

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:130A

型号：KNP2908B 编号：C2896651

封装：TO-220

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥3.37
50+
￥2.87

有货

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N沟道 100V 260A

型号：KCT1810A 编号：C7465113

封装：TOLL-8

特性：使用先进的SGT技术。极低的RDS(on)，典型值为1.6mΩ（VGS = 10V时）。出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。应用：电机控制和驱动。电池管理

单价：
￥4.84 / 个

有货

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500V 28A

型号：KIA28N50HH 编号：C7465114

封装：TO-3P

特性：RDS(ON) = 0.16Ω (typ.)@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。 100%雪崩测试。改善dv/dt能力。符合RoHS标准。应用：LED电源。手机充电器

1+
￥5.78
10+
￥4.44
30+
￥3.77

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:25A

型号：KNF7650A 编号：C455998

封装：TO-220F

特性：先进的平面工艺。 RDS(ON)（典型值）=170mΩ，VGS = 10V。低栅极电荷，可最小化开关损耗。坚固的多晶硅栅极结构。无刷直流电机驱动器。电焊机。高效开关电源

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.65
50+
￥5

有货

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N沟道MOSFET

型号：KNK7880A 编号：C20623383

封装：TO-264

特性：先进的平面工艺。 RDS(ON)=280mΩ（典型值），VGS = 10V。低栅极电荷，可降低开关损耗。坚固的多晶硅栅极结构。应用：无刷直流电机驱动器。电焊机

1+
￥16.65
10+
￥14.09
24+
￥12.49
96+
￥10.85

有货

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0V~36V 并联

型号：KIA431A 编号：C116375

封装：SOT-23

0.5%精度电压参考基准

数据手册

50+
￥0.837
500+
￥0.775
1000+
￥0.744
5000+
￥0.713
10000+
￥0.6944

我要订货

P沟道耐压:30V 电流:5.3A

型号：KIA9435 编号：C2896662

封装：SOP-8

高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合 RoHS 标准和绿色产品要求。

数据手册

10+
￥0.4233
100+
￥0.3369
300+
￥0.2937

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:4.2A

型号：KIA3414 编号：C116045

封装：SOT-23

N沟道,20V,4.2A,50mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3414

数据手册

1+
￥0.4267
10+
￥0.3399
30+
￥0.2965

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5A

型号：KPE4403A 编号：C2924929

封装：SOP-8

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合RoHS标准和绿色产品要求。

数据手册

5+
￥0.5898
50+
￥0.4698
150+
￥0.4098

有货

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90A、30V N沟道MOSFET

型号：KND3303C 编号：C41369537

封装：TO-252

特性：RDS(ON) = 2.6mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3/5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:2.8A

型号：KND4360A 编号：C176869

封装：TO-252-2(DPAK)

N沟道，600V，2.8A

数据手册

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133

有货

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KCD3406B

型号：KCD3406B 编号：C52145850

封装：TO-252

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861

有货

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150V 10A

型号：KPD6115A 编号：C49328616

封装：TO-252

特性：先进的高单元密度沟槽技术。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低栅极电荷，实现快速开关。低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227

有货

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45V 130A

型号：KCP2904A 编号：C7465105

封装：TO-220

使用先进的SGT技术。高稳健性和可靠性。增加最大电流能力。低功耗，高功率密度。易于并联

单价：
￥1.48 / 个

有货

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N沟道MOSFET

型号：KNB2706A 编号：C7465110

封装：TO-263

特性：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）@VGS = 10 V。极低导通电阻RDS(ON)。高耐用性。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

单价：
￥1.94 / 个

有货

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P沟道 150V 20A

型号：KPD7115A 编号：C49328617

封装：TO-252

特性：先进的高单元密度沟槽技术。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低栅极电荷，实现快速开关。低热阻。100%雪崩测试。100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。SMPS 2nd同步整流器

5+
￥2.43
50+
￥1.93
150+
￥1.71

有货

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200V 40A

型号：KIA40N20AP 编号：C5156074

封装：TO-220

特性：RDS(ON)=0.08Ω (最大值) @VGS=10V。符合RoHS标准。低导通电阻。低栅极电荷。快速开关。应用：DC-DC转换器。 UPS的DC-AC转换器

数据手册

单价：
￥2.56 / 个

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:40A

型号：KNH9120A 编号：C176879

封装：TO-3P

N沟道，200V，40A

数据手册

单价：
￥3.31 / 个

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:130A

型号：KIA2906AH 编号：C176848

封装：TO-3P-3

N沟道，60V，130A

数据手册

1+
￥5.1
10+
￥4.11
30+
￥3.61
90+
￥3.12

有货

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3A、1500V N沟道MOSFET

型号：KNF42150A 编号：C41369543

封装：TO-220F

特性：高速开关。 RDS(ON) = 5.5Ω（典型值）@VGS = 10V。全隔离塑料封装。应用：适配器。充电器

1+
￥6.58
10+
￥5.47
50+
￥4.72
100+
￥4.03

有货

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