KIA半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KCT040N10N 编号：C49328630

封装：TOLL-8

品牌：KIA

特性：使用先进的MOS技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

1+
￥3.85
10+
￥3.12
30+
￥2.76
100+
￥2.4

有货

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型号：KIA431A 编号：C116375

封装：SOT-23

品牌：KIA

0.5%精度电压参考基准

数据手册

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729

有货

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型号：KIA2300 编号：C114186

封装：SOT-23

品牌：KIA

N沟道,20V,6A,40mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2300

数据手册

1+
￥0.3071
10+
￥0.2446
30+
￥0.2134
100+
￥0.19
500+
￥0.1712
1000+
￥0.1619

有货

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型号：KPY6115A 编号：C49328615

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：先进的高单元密度沟槽技术。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低栅极电荷，实现快速开关。低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器

5+
￥0.8517
50+
￥0.8329
150+
￥0.8205
500+
￥0.808

有货

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型号：KCB3010A 编号：C2839424

封装：TO-263

品牌：KIA

KCX3010A是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电机驱动器和高速开关应用的器件。

数据手册

1+
￥2.02
10+
￥1.97
30+
￥1.94

有货

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型号：KIA65R700FS 编号：C135555

封装：TO-220F-3

品牌：KIA

N沟道 7A 650V

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.93
50+
￥2.55
100+
￥2.1582 ￥2.18
500+
￥1.9305 ￥1.95
1000+
￥1.8216 ￥1.84

有货

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型号：KNP2404A 编号：C455982

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：Rds(on)(TYP) = 2.2 mΩ @ Vgs = 10 V。可提供无铅和环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥4.44
10+
￥3.57
50+
￥3.14

有货

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型号：KCT1810A 编号：C7465113

封装：TOLL-8

品牌：KIA

特性：使用先进的SGT技术。极低的RDS(on)，典型值为1.6mΩ（VGS = 10V时）。出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。应用：电机控制和驱动。电池管理

单价：
￥4.84 / 个

有货

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型号：KIA2906AH 编号：C176848

封装：TO-3P-3

品牌：KIA

N沟道，60V，130A

数据手册

1+
￥4.88
10+
￥3.93
30+
￥3.46

有货

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型号：KNP2915A 编号：C455990

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：RDS(ON)= 10mΩ( typ.)@ VGS=10V。使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

1+
￥7.49
10+
￥6.2
50+
￥5.48
100+
￥4.68
500+
￥4.32
1000+
￥4.16

有货

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型号：KND4360A 编号：C176869

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：KIA

N沟道，600V，2.8A

数据手册

5+
￥0.6161
50+
￥0.6017
150+
￥0.5921

有货

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型号：KPD6115A 编号：C49328616

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的高单元密度沟槽技术。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低栅极电荷，实现快速开关。低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器

5+
￥0.7862
50+
￥0.7689
150+
￥0.7574

有货

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型号：KCY3406B 编号：C52145849

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

5+
￥0.8517
50+
￥0.8329
150+
￥0.8205

有货

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型号：KNB3306C 编号：C7465109

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值），@VGS = 10 V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

单价：
￥1.0189 / 个

有货

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型号：KNY6610A 编号：C5156067

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。极低的导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。电源管理

数据手册

1+
￥1.0349
10+
￥0.8181
30+
￥0.7253
100+
￥0.6094

有货

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型号：KNP2906C 编号：C51883056

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。导通电阻RDS(ON) = 4.6 mΩ（典型值），VGS = 10 V，TO-220封装。导通电阻RDS(ON) = 4.7 mΩ（典型值），VGS = 10 V，TO-3P封装。超低栅极电荷。有环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

5+
￥1.2447
50+
￥1.2174
150+
￥1.1991

有货

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型号：KNB3403C 编号：C49328614

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3 / DFN5*6。 RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252 / TO-263。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。电源管理

5+
￥1.3335
50+
￥1.0563
150+
￥0.9375
800+
￥0.7893

有货

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型号：KIA28N50HH 编号：C7465114

封装：TO-3P

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 0.16Ω (typ.)@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。 100%雪崩测试。改善dv/dt能力。符合RoHS标准。应用：LED电源。手机充电器

1+
￥5.78
10+
￥4.44
30+
￥3.77

有货

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型号：KNF42150A 编号：C41369543

封装：TO-220F

品牌：KIA

特性：高速开关。 RDS(ON) = 5.5Ω（典型值）@VGS = 10V。全隔离塑料封装。应用：适配器。充电器

1+
￥6.58
10+
￥5.47
50+
￥4.72
100+
￥4.03

有货

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型号：KPE4403A 编号：C2924929

封装：SOP-8

品牌：KIA

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合RoHS标准和绿色产品要求。

数据手册

5+
￥0.3276
50+
￥0.3204
150+
￥0.3156

有货

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型号：KIA3414 编号：C116045

封装：SOT-23

品牌：KIA

N沟道,20V,4.2A,50mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3414

数据手册

1+
￥0.39
10+
￥0.3032
30+
￥0.2598
100+
￥0.2272

有货

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型号：KIA9435 编号：C2896662

封装：SOP-8

品牌：KIA

高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合 RoHS 标准和绿色产品要求。

数据手册

10+
￥0.4233
100+
￥0.3369
300+
￥0.2937

有货

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型号：KND2803T 编号：C51883042

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。超低栅极电荷。有绿色环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试

5+
￥0.6289
50+
￥0.6151
150+
￥0.6059

有货

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型号：KND3203B 编号：C382145

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(on)=3.1mΩ@ VGS=10V。使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的QxRDS(on)乘积(FOM)。通过JEDEC标准认证。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

单价：
￥0.6675 / 个

有货

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型号：KND3306C 编号：C7465108

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值），@VGS = 10 V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

单价：
￥0.6793 / 个

有货

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型号：KND2904A 编号：C7465106

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值），VGS = 10V（DFN 5*6）。 RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值），VGS = 10V（TO-252、TO-263、TO-220）。极低导通电阻 RDS(ON)。低 Crss。快速开关。 100% 雪崩测试。应用：PWM 应用。负载开关

单价：
￥0.7698 / 个

有货

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型号：KCD3406B 编号：C52145850

封装：TO-252

品牌：KIA

5+
￥0.7862
50+
￥0.7689
150+
￥0.7574
500+
￥0.7458

有货

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型号：KIA50N06CY 编号：C51883041

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管，采用LVMoset技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。

5+
￥0.9172
50+
￥0.897
150+
￥0.8836

有货

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型号：KND3303C 编号：C41369537

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.6mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3/5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507

有货

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型号：KNP2904A 编号：C7465107

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值），VGS = 10V（DFN 5*6）。 RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值），VGS = 10V（TO-252、TO-263、TO-220）。极低导通电阻 RDS(ON)。低 Crss。快速开关。 100% 雪崩测试。应用：PWM 应用。负载开关

单价：
￥1.0189 / 个

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