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首页 > 热门关键词 > KIA半导体二极管
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特性:SGT MOSFET技术。 高耐用性。 导通电阻 RDS(ON)=2.9mΩ(典型值)@ VGS = 10V。 低栅极电荷(典型值151nC)。 改善的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用:同步整流。 电机控制
  • 1+

    ¥7.91
  • 10+

    ¥6.54
  • 30+

    ¥5.79
  • 100+

    ¥4.94
  • 500+

    ¥4.56
  • 有货
  • N沟道,30V,3.5A,94mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2306
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3228
    • 100+

      ¥0.258
    • 300+

      ¥0.2256
    • 3000+

      ¥0.1878
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.0A,70mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3401
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3303
    • 100+

      ¥0.2631
    • 300+

      ¥0.2295
  • 有货
  • 特性:RDS(ON)=12mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用:PWM应用。 电源管理
    • 5+

      ¥0.41
    • 50+

      ¥0.36
    • 150+

      ¥0.335
    • 500+

      ¥0.3163
    • 2500+

      ¥0.3013
  • 有货
  • 特性:使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 通过JEDEC标准认证。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    • 1+

      ¥5.61
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.5
  • 有货
  • N沟道,30V,4.0A,75mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3402
    数据手册
    • 1+

      ¥0.1934
    • 100+

      ¥0.177928 ¥0.1934
  • 有货
  • P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2301
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2289
    • 200+

      ¥0.1809
    • 600+

      ¥0.1569
  • 有货
  • N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2302
    数据手册
    • 1+

      ¥0.272503 ¥0.3539
    • 10+

      ¥0.217063 ¥0.2819
    • 30+

      ¥0.189343 ¥0.2459
    • 100+

      ¥0.168553 ¥0.2189
    • 500+

      ¥0.151921 ¥0.1973
    • 1000+

      ¥0.143605 ¥0.1865
  • 有货
  • N沟道,30V,4.8A,42mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3400
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3225
    • 100+

      ¥0.2553
    • 300+

      ¥0.2217
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.0A,45mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3415
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3322
    • 100+

      ¥0.2626
    • 300+

      ¥0.2278
    • 3000+

      ¥0.2017
    • 6000+

      ¥0.1809
    • 9000+

      ¥0.1704
  • 有货
  • N沟道 7A 30V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4192
    • 100+

      ¥0.3328
    • 300+

      ¥0.2896
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5811
    • 50+

      ¥0.4611
    • 150+

      ¥0.4011
    • 500+

      ¥0.3561
    • 2500+

      ¥0.3201
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) = 5.2mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用:PWM应用。 电源管理
    • 5+

      ¥0.9042
    • 50+

      ¥0.7026
    • 150+

      ¥0.6162
    • 500+

      ¥0.5084
  • 有货
  • 设计用于高压、高速功率开关应用,如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2264 ¥2.19
    • 10+

      ¥1.0808 ¥1.93
    • 50+

      ¥1.0136 ¥1.81
    • 100+

      ¥0.9352 ¥1.67
    • 500+

      ¥0.9016 ¥1.61
    • 1000+

      ¥0.8792 ¥1.57
  • 有货
  • 环保
    数据手册
    • 1+

      ¥2.62
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.54
    • 500+

      ¥1.4
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.828 ¥4.35
    • 10+

      ¥3.1504 ¥3.58
    • 50+

      ¥2.7104 ¥3.08
    • 100+

      ¥2.3672 ¥2.69
    • 500+

      ¥2.1648 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.0592 ¥2.34
  • 有货
  • 特性:使用Geener先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(POM)。 符合JEDEC标准。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.48
    • 30+

      ¥3.07
    • 100+

      ¥2.67
  • 有货
  • N沟道,80V,150A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6023 ¥6.67
    • 10+

      ¥3.8295 ¥5.55
    • 30+

      ¥3.4086 ¥4.94
    • 100+

      ¥2.9325 ¥4.25
    • 500+

      ¥2.7186 ¥3.94
    • 800+

      ¥2.622 ¥3.8
  • 有货
  • 特性:先进的平面工艺。 RDS(ON)(典型值)= 170mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 无刷直流电机驱动器。 电焊机。 高效开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥10.593 ¥11.77
    • 10+

      ¥9.018 ¥10.02
    • 30+

      ¥8.037 ¥8.93
    • 90+

      ¥7.029 ¥7.81
    • 450+

      ¥6.579 ¥7.31
    • 900+

      ¥6.381 ¥7.09
  • 有货
  • 特性:先进的平面工艺。 RDS(ON)=280mΩ(典型值),VGS = 10V。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。应用:无刷直流电机驱动器。 电焊机
    • 1+

      ¥15.8175 ¥16.65
    • 10+

      ¥13.3855 ¥14.09
    • 24+

      ¥11.8655 ¥12.49
    • 96+

      ¥10.3075 ¥10.85
    • 504+

      ¥9.6045 ¥10.11
    • 1008+

      ¥9.3005 ¥9.79
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.1A,90mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3407
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • P沟道,-20V,-3.5A,55mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2305
    数据手册
    • 1+

      ¥0.3667
    • 10+

      ¥0.2899
    • 30+

      ¥0.2515
    • 100+

      ¥0.2227
    • 500+

      ¥0.1996
    • 1000+

      ¥0.1881
  • 有货
  • 环保
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9231
    • 50+

      ¥0.7407
    • 150+

      ¥0.6495
    • 500+

      ¥0.5811
    • 2500+

      ¥0.4454
  • 有货
  • 特性:80A, 30V, RDS(on)(典型值) = 5.0mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用:UPS。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 1+

      ¥0.9698
    • 10+

      ¥0.7682
    • 30+

      ¥0.6818
    • 100+

      ¥0.574
    • 500+

      ¥0.526
    • 1000+

      ¥0.4972
  • 有货
  • 特性:RDS(on)=1.25Ω(典型值),Vgs=10V。 符合RoHS标准。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。应用:适配器。 充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥0.985768 ¥1.6996
    • 10+

      ¥0.646224 ¥1.3463
    • 30+

      ¥0.454062 ¥1.1949
    • 100+

      ¥0.382242 ¥1.0059
    • 500+

      ¥0.350284 ¥0.9218
    • 1000+

      ¥0.331132 ¥0.8714
  • 有货
  • N管 50A 60V Rds7.5-9.0mΩ Ciss 3000PF TO-252
    • 5+

      ¥1.0911
    • 50+

      ¥0.8643
    • 150+

      ¥0.7671
    • 500+

      ¥0.6458
    • 2500+

      ¥0.5918
  • 有货
  • N沟道 13A 500V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.615 ¥4.75
    • 10+

      ¥1.3056 ¥3.84
    • 50+

      ¥1.0438 ¥3.07
    • 100+

      ¥0.8908 ¥2.62
    • 500+

      ¥0.799 ¥2.35
    • 1000+

      ¥0.7548 ¥2.22
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.4 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
    • 5+

      ¥1.6972
    • 50+

      ¥1.3444
    • 150+

      ¥1.1932
    • 800+

      ¥1.0045
  • 有货
  • 是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用LVMOS技术制造。改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻,提供卓越的开关性能。该器件广泛用于二次同步整流、逆变器系统的电源管理。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.842
    • 10+

      ¥1.4489
    • 30+

      ¥1.2804
    • 100+

      ¥1.0702
    • 500+

      ¥0.9766
  • 有货
  • 特性:快速开关。 导通电阻RDS(ON) = 0.35Ω(典型值),VGS = 10V。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用:适配器和充电器的电源开关电路
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥1.89
    • 50+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.56
  • 有货
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