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首页 > 热门关键词 > KIA半导体二极管
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KCX3010A是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术制造,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电机驱动器和高速开关应用的器件。
数据手册
  • 1+

    ¥3.6
  • 10+

    ¥2.91
  • 30+

    ¥2.56
  • 100+

    ¥2.22
  • 500+

    ¥1.97
  • 800+

    ¥1.86
  • 有货
  • 特性:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Device Available。 Excellent CdV/dt effect decline。 100% ΔVds TESTED。 100% UIS TESTED
    • 10+

      ¥0.4718
    • 100+

      ¥0.3758
    • 300+

      ¥0.3278
  • 有货
  • KNE4603A2是高单元密度沟槽式双N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。KNE4603A2符合RoHS和绿色产品要求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9507
    • 50+

      ¥0.7491
    • 150+

      ¥0.6627
    • 500+

      ¥0.5549
  • 有货
  • 专为高压、高速功率开关应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.4
    • 50+

      ¥2.13
    • 100+

      ¥1.79
    • 500+

      ¥1.56
  • 有货
  • N沟道,100V,75A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.37
    • 10+

      ¥2.73
    • 30+

      ¥2.4
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥1.85
  • 有货
  • 特性:RDS(ON)=4.8mΩ(典型值)@VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.14
    • 500+

      ¥1.95
  • 有货
  • 特性:使用先进的SGT技术。 极低的RDS(on),典型值为4.5mΩ(Vgs = 10V时)。 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积(FOM)。 电机驱动。 同步整流(SR)。 DC/DC转换。 通用应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.31
    • 500+

      ¥2.09
  • 有货
  • 特性:SGT MOSFET技术。 高耐用性。 导通电阻 RDS(ON)=2.9mΩ(典型值)@ VGS = 10V。 低栅极电荷(典型值151nC)。 改善的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用:同步整流。 电机控制
    • 1+

      ¥7.91
    • 10+

      ¥6.54
    • 30+

      ¥5.79
    • 100+

      ¥4.94
    • 500+

      ¥4.56
  • 有货
  • N沟道,30V,4.0A,75mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3402
    数据手册
    • 1+

      ¥0.092832 ¥0.1934
    • 10+

      ¥0.073492 ¥0.1934
    • 30+

      ¥0.054152 ¥0.1934
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.0A,45mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3415
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3322
    • 100+

      ¥0.2626
    • 300+

      ¥0.2278
    • 3000+

      ¥0.2017
    • 6000+

      ¥0.1809
    • 9000+

      ¥0.1704
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.1A,90mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3407
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • P沟道,-20V,-3.5A,55mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2305
    数据手册
    • 1+

      ¥0.3667
    • 10+

      ¥0.2899
    • 30+

      ¥0.2515
    • 100+

      ¥0.2227
    • 500+

      ¥0.1996
    • 1000+

      ¥0.1881
  • 有货
  • 特性:80A, 30V, RDS(on)(典型值) = 5.0mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用:UPS。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 1+

      ¥0.9698
    • 10+

      ¥0.7682
    • 30+

      ¥0.6818
    • 100+

      ¥0.574
    • 500+

      ¥0.526
    • 1000+

      ¥0.4972
  • 有货
  • N管 50A 60V Rds7.5-9.0mΩ Ciss 3000PF TO-252
    • 5+

      ¥1.0911
    • 50+

      ¥0.8643
    • 150+

      ¥0.7671
    • 500+

      ¥0.6458
  • 有货
  • N沟道 13A 500V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.443 ¥4.81
    • 10+

      ¥0.78 ¥3.9
    • 50+

      ¥0.345 ¥3.45
    • 100+

      ¥0.3 ¥3
    • 500+

      ¥0.273 ¥2.73
    • 1000+

      ¥0.259 ¥2.59
  • 有货
  • N沟道,80V,80A
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.69 / 个
  • 有货
  • 环保
    数据手册
    • 1+

      ¥2.77
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.55
  • 有货
  • N沟道,80V,80A,6.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.98
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.74
  • 有货
  • 特性:使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 通过JEDEC标准认证。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    • 1+

      ¥5.61
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.5
  • 有货
  • N沟道 5.4A 100V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.527
    • 50+

      ¥0.4166
    • 150+

      ¥0.3614
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6109
    • 50+

      ¥0.4909
    • 150+

      ¥0.4309
    • 500+

      ¥0.3859
  • 有货
  • 先进沟槽MOS技术。100%保证EAS。可靠且耐用。有环保器件可供选择
    • 5+

      ¥0.7495
    • 50+

      ¥0.6545
    • 150+

      ¥0.6138
    • 500+

      ¥0.5631
    • 2500+

      ¥0.5405
  • 有货
  • 特性:RDS(on)=1.25Ω(典型值),Vgs=10V。 符合RoHS标准。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。应用:适配器。 充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥0.866796 ¥1.6996
    • 10+

      ¥0.551983 ¥1.3463
    • 30+

      ¥0.370419 ¥1.1949
    • 100+

      ¥0.311829 ¥1.0059
    • 500+

      ¥0.285758 ¥0.9218
    • 1000+

      ¥0.270134 ¥0.8714
  • 有货
  • 特性:先进的SGT技术,RDS(ON) = 6.2 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 提供绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
    • 5+

      ¥0.8965
    • 50+

      ¥0.7141
    • 150+

      ¥0.6229
    • 500+

      ¥0.5545
    • 2500+

      ¥0.4997
  • 有货
  • 特性:85A, 30V, RDS(on) 典型值 = 4.5mΩ(典型值)@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用:UPS。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9856
    • 50+

      ¥0.7739
    • 150+

      ¥0.6832
    • 500+

      ¥0.57
  • 有货
  • KNX3610A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.203 ¥4.01
    • 10+

      ¥0.65 ¥3.25
    • 50+

      ¥0.288 ¥2.88
    • 100+

      ¥0.25 ¥2.5
    • 500+

      ¥0.228 ¥2.28
    • 1000+

      ¥0.216 ¥2.16
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 9.5mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.4 / 个
  • 有货
  • 特性:先进的高单元密度沟槽技术。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低栅极电荷,实现快速开关。 低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用:MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器
    • 5+

      ¥1.576
    • 50+

      ¥1.2484
    • 150+

      ¥1.108
    • 500+

      ¥0.9328
  • 有货
  • 特性:快速开关。 导通电阻RDS(ON) = 0.35Ω(典型值),VGS = 10V。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用:适配器和充电器的电源开关电路
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥1.89
    • 50+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.56
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 可提供无铅和环保型器件。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源。 UPS
    数据手册
    • 1+

      ¥2.196 ¥7.32
    • 10+

      ¥1.22 ¥6.1
    • 50+

      ¥0.542 ¥5.42
    • 100+

      ¥0.466 ¥4.66
    • 500+

      ¥0.433 ¥4.33
    • 1000+

      ¥0.417 ¥4.17
  • 有货
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