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首页 > 热门关键词 > KIA半导体二极管
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特性:先进的沟槽技术。 RDS(ON)=2.0mΩ(典型值),VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
  • 5+

    ¥1.0482
  • 50+

    ¥1.0252
  • 150+

    ¥1.0098
  • 有货
  • 特性:先进的高单元密度沟槽技术。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低栅极电荷,实现快速开关。低热阻。100%雪崩测试。100% DVDS测试。应用:MB/VGA Vcore。SMPS 2nd同步整流器
    • 5+

      ¥1.32
    • 50+

      ¥1.29
    • 150+

      ¥1.27
  • 有货
  • 使用先进的SGT技术。高稳健性和可靠性。增加最大电流能力。低功耗,高功率密度。易于并联
    • 单价:

      ¥1.48 / 个
  • 有货
  • 使用先进的SGT技术。高稳健性和可靠性。增加最大电流能力。低功耗,高功率密度。易于并联
    • 单价:

      ¥1.48 / 个
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 2.2mΩ (typ.) @ VCS = 10V。 低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至Tjmax。 无铅,符合RoHS标准。 采用沟槽处理技术实现极低导通电阻。 结工作温度175℃。 快速开关速度。 提高重复雪崩额定值
    数据手册
    • 1+

      ¥1.51
    • 10+

      ¥1.48
    • 30+

      ¥1.46
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) = 7mΩ @VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.58 / 个
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)@VGS = 10 V。 极低导通电阻RDS(ON)。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用:PWM应用。 电源管理
    • 单价:

      ¥1.94 / 个
  • 有货
  • N沟道 160A 60V
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.02 / 个
  • 有货
  • 特性:使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on),典型值为1.25mΩ(VGS = 10V时)。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(FOM)。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    • 单价:

      ¥4.78 / 个
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) = 4.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥4.88
    • 10+

      ¥3.93
    • 30+

      ¥3.46
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 3.5mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件 (符合 RoHS 标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.64
    • 50+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.53
  • 有货
  • 特性:先进的平面工艺。 RDS(ON)(典型值)=170mΩ,VGS = 10V。 低栅极电荷,可最小化开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 无刷直流电机驱动器。 电焊机。 高效开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥6.83
    • 10+

      ¥5.65
    • 50+

      ¥5
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 可提供无铅和环保型器件。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源。 UPS
    数据手册
    • 1+

      ¥6.87
    • 10+

      ¥5.68
    • 30+

      ¥5.03
    • 100+

      ¥4.29
  • 有货
  • KIA-8103A是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9727
    • 50+

      ¥0.7999
    • 150+

      ¥0.7135
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值)@ VGS = 10V。超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。100% ΔVds测试。100% UIS测试
    • 5+

      ¥1.022
    • 50+

      ¥0.9995
    • 150+

      ¥0.9846
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。 RDS(ON)=3.8mΩ(典型值)@VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
    • 5+

      ¥1.0482
    • 50+

      ¥1.0252
    • 150+

      ¥1.0098
  • 有货
  • 特性:先进的SGT技术。 导通电阻RDS(ON) = 1.5 mΩ(典型值),VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
    • 5+

      ¥1.0482
    • 50+

      ¥1.0252
    • 150+

      ¥1.0098
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 完全表征的雪崩电压和电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.056
    • 50+

      ¥0.8292
    • 150+

      ¥0.732
  • 有货
  • KNX4665B通道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计,如高效开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.0727
    • 10+

      ¥1.0511
    • 30+

      ¥1.0367
  • 有货
  • 这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用,如 DC/DC 转换器,以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用
    数据手册
    • 1+

      ¥1.083
    • 10+

      ¥0.8562
    • 30+

      ¥0.759
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 5.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 有无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源。 UPS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2076
    • 50+

      ¥1.1794
    • 150+

      ¥1.1606
  • 有货
  • N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5073
    • 50+

      ¥1.2351
    • 150+

      ¥1.1185
    • 500+

      ¥0.9729
    • 2500+

      ¥0.7529
    • 5000+

      ¥0.714
  • 订货
  • 特性:先进的沟槽技术。 RDS(ON)=4.6mΩ(典型值),VGS = 10V,TO-220封装。 RDS(ON)=4.7mΩ(典型值),VGS = 10V,TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥2.07
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于各种应用。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.18 / 个
  • 有货
  • 台式计算机 DC/DC 转换器中的电源管理。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2292
    • 50+

      ¥1.7504
    • 150+

      ¥1.5452
  • 有货
  • N沟道,100V,75A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.32
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.23
  • 有货
  • 特性:RDS(ON)=0.08Ω (最大值) @VGS=10V。 符合RoHS标准。 低导通电阻。 低栅极电荷。 快速开关。应用:DC-DC转换器。 UPS的DC-AC转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.56 / 个
  • 有货
  • 特性:RDS(on) = 9.5mΩ(典型值),VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.12
    • 50+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.57
  • 有货
  • N沟道,60V,80A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.37
  • 订货
  • N沟道,200V,40A
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.31 / 个
  • 有货
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