KIA半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KNB1906A 编号：C1509097

封装：TO-263-2

品牌：KIA

特性：RDS(on) = 2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。可提供无铅和环保型器件。低RDS(on)以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 UPS

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.68
30+
￥5.03
100+
￥4.29

有货

立即购买

型号：KND3306C 编号：C7465108

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值），@VGS = 10 V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

单价：
￥0.6793 / 个

有货

立即购买

型号：KND2904A 编号：C7465106

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值），VGS = 10V（DFN 5*6）。 RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值），VGS = 10V（TO-252、TO-263、TO-220）。极低导通电阻 RDS(ON)。低 Crss。快速开关。 100% 雪崩测试。应用：PWM 应用。负载开关

单价：
￥0.7698 / 个

有货

立即购买

型号：KND8103A 编号：C709687

封装：TO-252

品牌：KIA

KIA-8103A是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.9727
50+
￥0.7999
150+
￥0.7135

有货

立即购买

型号：KNE6303A 编号：C455978

封装：SOP-8

品牌：KIA

特性：先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。完全表征的雪崩电压和电流

数据手册

5+
￥1.056
50+
￥0.8292
150+
￥0.732

有货

立即购买

型号：KND8606B 编号：C5156062

封装：TO-252

品牌：KIA

这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如 DC/DC 转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用

数据手册

1+
￥1.083
10+
￥0.8562
30+
￥0.759

有货

立即购买

型号：KND2803T 编号：C51883042

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。超低栅极电荷。有绿色环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试

5+
￥1.1638
50+
￥0.9219
150+
￥0.8182

有货

立即购买

型号：KCB2904A 编号：C7465104

封装：TO-263

品牌：KIA

使用先进的SGT技术。高稳健性和可靠性。增加最大电流能力。低功耗，高功率密度。易于并联

单价：
￥1.48 / 个

有货

立即购买

型号：KIA50N06CY 编号：C51883041

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管，采用LVMoset技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。

5+
￥1.6972
50+
￥1.3444
150+
￥1.1932

有货

立即购买

型号：KND2803C 编号：C51883044

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V。超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。100% ΔVds测试。100% UIS测试

5+
￥1.8912
50+
￥1.498
150+
￥1.3296

有货

立即购买

型号：KND4665B 编号：C709686

封装：TO-252

品牌：KIA

KNX4665B通道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥1.9084
10+
￥1.5304
30+
￥1.3684

有货

立即购买

型号：KNB2803C 编号：C51883045

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS = 10V。超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636

有货

立即购买

型号：KNB3004A 编号：C49328621

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=3.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。超低栅极电荷。有环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636

有货

立即购买

型号：KNB3610A 编号：C2896652

封装：TO-263

品牌：KIA

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。

数据手册

单价：
￥2.18 / 个

有货

立即购买

型号：KCY3303S 编号：C1509089

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

台式计算机 DC/DC 转换器中的电源管理。

数据手册

5+
￥2.2292
50+
￥1.7504
150+
￥1.5452

有货

立即购买

型号：KNP2906C 编号：C51883056

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。导通电阻RDS(ON) = 4.6 mΩ（典型值），VGS = 10 V，TO-220封装。导通电阻RDS(ON) = 4.7 mΩ（典型值），VGS = 10 V，TO-3P封装。超低栅极电荷。有环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试