KIA半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KIA2803AB 编号：C128800

封装：TO-263

品牌：KIA

N沟道

数据手册

5+
￥2.2577
50+
￥1.7789
150+
￥1.5737
800+
￥1.2892
2400+
￥1.1752
4800+
￥1.1068

有货

立即购买

型号：KCY3008A 编号：C2839421

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

采用先进的SGT技术；极低的RDS(on).typ=4.5 mΩ@Vgs=10V；优异的栅极电荷x RDS(on)product(FOM)

数据手册

1+
￥2.41
10+
￥2.14
30+
￥2.01
100+
￥1.87
500+
￥1.79

有货

立即购买

型号：KCT050N08N 编号：C49328632

封装：TOLL-8

品牌：KIA

特性：使用先进的MOS技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积(POM)。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

1+
￥2.48
10+
￥1.96
30+
￥1.74

有货

立即购买

型号：KNP2408A 编号：C2896646

封装：TO-220

品牌：KIA

KNX2408A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥2.583 ￥8.61
10+
￥1.434 ￥7.17
50+
￥0.638 ￥6.38
100+
￥0.549 ￥5.49
500+
￥0.509 ￥5.09
1000+
￥0.491 ￥4.91

有货

立即购买

型号：KIA2301 编号：C114185

封装：SOT-23

品牌：KIA

P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2301

数据手册

20+
￥0.2289
200+
￥0.1809
600+
￥0.1569

有货

立即购买

型号：KIA2306 编号：C116006

封装：SOT-23

品牌：KIA

N沟道,30V,3.5A,94mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2306

数据手册

10+
￥0.3228
100+
￥0.258
300+
￥0.2256
3000+
￥0.1878

有货

立即购买

型号：KIA4603AE 编号：C135558

封装：SOP-8

品牌：KIA

N沟道 7A 30V

数据手册

10+
￥0.4171
100+
￥0.3307
300+
￥0.2875

有货

立即购买

型号：KPE4403A2 编号：C1509092

封装：SOP-8

品牌：KIA

高单元密度沟槽式双 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合 RoHS 标准和绿色产品要求。

数据手册

1+
￥0.6874
10+
￥0.5434
30+
￥0.4714
100+
￥0.4174
500+
￥0.3742
1000+
￥0.3525

有货

立即购买

型号：KNG3303C 编号：C41369538

封装：DFN-8(3x3)

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

立即购买

型号：KNY3404D 编号：C7465103

封装：DFN5x6

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 5.2mΩ (typ.)@VGS = 10V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

5+
￥0.9042
50+
￥0.7026
150+
￥0.6162

有货

立即购买

型号：KNB3306C 编号：C7465109

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值），@VGS = 10 V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

单价：
￥0.945 / 个

有货

立即购买

型号：KNG3703A 编号：C455979

封装：DFN-8(3x3)

品牌：KIA

特性：RDS(on)(典型值) = 7.5mΩ，VGS = 10V。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征的雪崩电压和电流。应用：笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡的高频负载点同步降压转换器。网络直流-直流电源系统

数据手册

5+
￥1.1728
50+
￥0.9209
150+
￥0.8129

有货

立即购买

型号：KNB3403C 编号：C49328614

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3 / DFN5*6。 RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252 / TO-263。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。电源管理

5+
￥1.3335
50+
￥1.0563
150+
￥0.9375

有货

立即购买

型号：KND3404C 编号：C455981

封装：TO-252

品牌：KIA

是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.423
50+
￥1.1206
150+
￥0.991
500+
￥0.8293

有货

立即购买

型号：KNY3303A 编号：C382144

封装：PDFN-8(5.8x4.9)

品牌：KIA

这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正

数据手册

5+
￥1.4549
50+
￥1.1424
150+
￥1.0085

有货

立即购买

型号：KNP2910B 编号：C2896655

封装：TO-220

品牌：KIA

KNX2910B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可应用于各种领域。

数据手册

1+
￥1.602 ￥5.34
10+
￥0.866 ￥4.33
50+
￥0.383 ￥3.83
100+
￥0.333 ￥3.33
500+
￥0.303 ￥3.03
1000+
￥0.288 ￥2.88

有货

立即购买

型号：KCY3406A 编号：C5156065

封装：DFN5x6-8

品牌：KIA

是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用LVMOS技术制造。改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能。该器件广泛用于二次同步整流、逆变器系统的电源管理。

数据手册

1+
￥1.8446
10+
￥1.4514
30+
￥1.283
100+
￥1.0728

有货

立即购买

型号：KNP6140S 编号：C5156068

封装：TO-220

品牌：KIA

设计用于高压、高速功率开关应用，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。

数据手册

1+
￥2.19
10+
￥1.93
50+
￥1.81
100+
￥1.67
500+
￥1.61
1000+
￥1.57

有货

立即购买

型号：KIA2906A 编号：C135566

封装：TO-220

品牌：KIA

N沟道 130A 60V

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.23
50+
￥1.96
100+
￥1.62
500+
￥1.47
1000+
￥1.38

有货

立即购买

型号：KNH7650A 编号：C443720

封装：TO-3P

品牌：KIA

特性：先进的平面工艺。 RDS(ON)（典型值）= 170mΩ @ VGS = 10V。低栅极电荷，可降低开关损耗。坚固的多晶硅栅极结构。无刷直流电机驱动器。电焊机。高效开关电源

数据手册

1+
￥3.6487 ￥11.77
10+
￥2.1042 ￥10.02
30+
￥0.9823 ￥8.93
90+
￥0.8591 ￥7.81
450+
￥0.8041 ￥7.31
900+
￥0.7799 ￥7.09

有货

立即购买

型号：KCT040N10N 编号：C49328630

封装：TOLL-8

品牌：KIA

特性：使用先进的MOS技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

1+
￥3.85
10+
￥3.12
30+
￥2.76
100+
￥2.4

有货

立即购买

型号：KIA2302 编号：C114184

封装：SOT-23

品牌：KIA

N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2302

数据手册

1+
￥0.3539
10+
￥0.2819
30+
￥0.2459

有货

立即购买

型号：KND3903A 编号：C7465101

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值），@VGS = 10V。极低的导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。负载开关

单价：
￥0.3995 / 个

有货

立即购买

型号：KNS8104A 编号：C41369547

封装：SOT-89

品牌：KIA

特性：RDS(ON)=12mΩ（典型值）@VGS=10V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改进的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

5+
￥0.6079
50+
￥0.4879
150+
￥0.4279

有货

立即购买

型号：KNY3303C 编号：C41369539

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.8706
50+
￥0.6882
150+
￥0.597
500+
￥0.5286

有货

立即购买

型号：KNY6610A 编号：C5156067

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。极低的导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。电源管理

数据手册

1+
￥1.0221
10+
￥0.8054
30+
￥0.7125
100+
￥0.5966

有货

立即购买

型号：KIA50N06CD 编号：C2931913

封装：TO-252

品牌：KIA

KIA50N06C是一款N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管。其经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能而设计。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统的电源管理领域

数据手册

5+
￥1.4091
50+
￥1.1369
150+
￥1.0203

有货

立即购买

型号：KCY3406B 编号：C52145849

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

5+
￥1.576
50+
￥1.2484
150+
￥1.108

有货

立即购买

型号：KNB2803T 编号：C51883043

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。低导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。超低栅极电荷。环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

5+
￥1.6972
50+
￥1.3444
150+
￥1.1932
800+
￥1.0045

有货

立即购买

型号：KCD3406A 编号：C5156064

封装：TO-252

品牌：KIA

KCX3406A是一款采用KIA公司的LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统的电源管理

数据手册

1+
￥1.9396
10+
￥1.5364
30+
￥1.3636
100+
￥1.148
500+
￥1.052

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示