KIA半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KNB3306B 编号：C176838

封装：TO-263

品牌：KIA

N沟道，60V，80A

数据手册

1+
￥2.47
10+
￥1.94
30+
￥1.71
100+
￥1.43
500+
￥1.3
800+
￥1.23

有货

立即购买

型号：KIA2906AP 编号：C2905928

封装：TO-220-3

品牌：KIA

特性：RDS(on) = 5.5mΩ（典型值），VGS = 10V。提供无铅环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 UPS

数据手册

1+
￥2.8025 ￥2.95
10+
￥2.204 ￥2.32
50+
￥1.9475 ￥2.05
100+
￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.482 ￥1.56
1000+
￥1.3965 ￥1.47

有货

立即购买

型号：KNF6140S 编号：C5156069

封装：TO-220F

品牌：KIA

专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.4
50+
￥2.13
100+
￥1.79
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

立即购买

型号：KNB2908D 编号：C49328618

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。提供无铅和环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95

有货

立即购买

型号：KND3080 编号：C49328624

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Device Available。 Excellent CdV/dt effect decline。 100% ΔVds TESTED。 100% UIS TESTED

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623

有货

立即购买

型号：KNS5610A 编号：C135559

封装：SOT-89

品牌：KIA

N沟道 5.4A 100V

数据手册

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
1000+
￥0.32

有货

立即购买

型号：KPE4403A2 编号：C1509092

封装：SOP-8

品牌：KIA

高单元密度沟槽式双 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合 RoHS 标准和绿色产品要求。

数据手册

1+
￥0.6874
10+
￥0.5434
30+
￥0.4714
100+
￥0.4174
500+
￥0.3742
1000+
￥0.3525

有货

立即购买

型号：KNG3303C 编号：C41369538

封装：DFN-8(3x3)

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

立即购买

型号：KNY3303C 编号：C41369539

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.8706
50+
￥0.6882
150+
￥0.597
500+
￥0.5286

有货

立即购买

型号：KCD3304A 编号：C51883046

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的SGT技术，RDS(ON) = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。超低栅极电荷。提供绿色环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

5+
￥0.8965
50+
￥0.7141
150+
￥0.6229
500+
￥0.5545
2500+
￥0.4997

有货

立即购买

型号：KNG3703A 编号：C455979

封装：DFN-8(3x3)

品牌：KIA

特性：RDS(on)(典型值) = 7.5mΩ，VGS = 10V。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征的雪崩电压和电流。应用：笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡的高频负载点同步降压转换器。网络直流-直流电源系统

数据手册

5+
￥1.1728
50+
￥0.9209
150+
￥0.8129
500+
￥0.6783

有货

立即购买

型号：KNP3610A 编号：C2896653

封装：TO-220

品牌：KIA

KNX3610A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥1.203 ￥4.01
10+
￥0.65 ￥3.25
50+
￥0.288 ￥2.88
100+
￥0.25 ￥2.5
500+
￥0.228 ￥2.28
1000+
￥0.216 ￥2.16

有货

立即购买

型号：KNB2908B 编号：C2896650

封装：TO-263

品牌：KIA

KNX2908B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥1.635 ￥5.45
10+
￥0.884 ￥4.42
30+
￥0.391 ￥3.91
100+
￥0.34 ￥3.4
500+
￥0.309 ￥3.09
800+
￥0.294 ￥2.94

有货

立即购买

型号：KCD3406A 编号：C5156064

封装：TO-252

品牌：KIA

KCX3406A是一款采用KIA公司的LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统的电源管理

数据手册

1+
￥1.9396
10+
￥1.5364
30+
￥1.3636
100+
￥1.148
500+
￥1.052

有货

立即购买

型号：KND2803A 编号：C382147

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(on)=2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。低导通电阻。快速开关。 100%雪崩测试。允许重复雪崩至最高结温。无铅，符合RoHS标准。采用沟槽工艺技术实现极低导通电阻。结工作温度为175℃。开关速度快。重复雪崩额定值提高

数据手册

5+
￥2.1865
50+
￥1.7077
150+
￥1.5025

有货

立即购买

型号：KNP1906A 编号：C1509100

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：RDS(on) = 2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。可提供无铅和环保型器件。低RDS(on)以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 UPS

数据手册

1+
￥2.196 ￥7.32
10+
￥1.22 ￥6.1
50+
￥0.542 ￥5.42
100+
￥0.466 ￥4.66
500+
￥0.433 ￥4.33
1000+
￥0.417 ￥4.17

有货

立即购买

型号：KCY3008A 编号：C2839421

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

采用先进的SGT技术；极低的RDS(on).typ=4.5 mΩ@Vgs=10V；优异的栅极电荷x RDS(on)product(FOM)

数据手册

1+
￥2.41
10+
￥2.14
30+
￥2.01
100+
￥1.87
500+
￥1.79

有货

立即购买

型号：KNP2408A 编号：C2896646

封装：TO-220

品牌：KIA

KNX2408A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥2.583 ￥8.61
10+
￥1.434 ￥7.17
50+
￥0.638 ￥6.38
100+
￥0.549 ￥5.49
500+
￥0.509 ￥5.09
1000+
￥0.491 ￥4.91

有货

立即购买

型号：KNB2408A 编号：C2896645

封装：TO-263

品牌：KIA

使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥2.712 ￥9.04
10+
￥1.506 ￥7.53
30+
￥0.67 ￥6.7
100+
￥0.576 ￥5.76
500+
￥0.534 ￥5.34
800+
￥0.516 ￥5.16

有货

立即购买

型号：KPE4403B 编号：C5156070

封装：SOP-8

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 40mΩ (典型值) @ VGS = -10V。 -5V逻辑电平控制。 P沟道SOP-8封装。无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。开关电路

数据手册

单价：
￥0.3006 / 个

有货

立即购买

型号：KNS8104A 编号：C41369547

封装：SOT-89

品牌：KIA

特性：RDS(ON)=12mΩ（典型值）@VGS=10V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改进的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

5+
￥0.3106
50+
￥0.3034
150+
￥0.2986

有货

立即购买

型号：KND3903A 编号：C7465101

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值），@VGS = 10V。极低的导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。负载开关

单价：
￥0.3995 / 个

有货

立即购买

型号：KIA78L05FG 编号：C116376

封装：SOT-89-3

品牌：KIA

是一款单片固定电压调节集成电路，适用于需要高达100mA电源电流的应用。

数据手册

5+
￥0.6962
50+
￥0.5454
150+
￥0.47

有货

立即购买

型号：KNY3004B 编号：C49328623

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：先进的沟槽技术。导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为2.4mΩ。超低栅极电荷。有环保型产品可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试

5+
￥0.7206
50+
￥0.7048
150+
￥0.6942

有货

立即购买

型号：KNB3508A 编号：C382149

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(on) = 9.5mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

数据手册

单价：
￥1.3 / 个

有货

立即购买

型号：KIA50N06CD 编号：C2931913

封装：TO-252

品牌：KIA

KIA50N06C是一款N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管。其经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能而设计。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统的电源管理领域

数据手册

5+
￥1.3839
50+
￥1.1117
150+
￥0.9951

有货

立即购买

型号：KND3404C 编号：C455981

封装：TO-252

品牌：KIA

是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.423
50+
￥1.1206
150+
￥0.991
500+
￥0.8293

有货

立即购买

型号：KNP2910B 编号：C2896655

封装：TO-220

品牌：KIA

KNX2910B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可应用于各种领域。

数据手册

1+
￥1.602 ￥5.34
10+
￥0.866 ￥4.33
50+
￥0.383 ￥3.83
100+
￥0.333 ￥3.33
500+
￥0.303 ￥3.03
1000+
￥0.288 ￥2.88

有货

立即购买

型号：KNB3308A 编号：C176861

封装：TO-263

品牌：KIA

N沟道，80V，80A

数据手册

单价：
￥1.69 / 个

有货

立即购买

型号：KNF6180B 编号：C20623382

封装：TO-220F

品牌：KIA

KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

1+
￥3.53
10+
￥3.13
30+
￥2.93
100+
￥2.74

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示