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首页 > 热门关键词 > KIA半导体二极管
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    ¥8.63 / 个
  • 有货
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      ¥16.11 / 个
  • 有货
  • N沟道,600V,4A
    数据手册
    • 1+

      ¥1.7303
    • 10+

      ¥1.3876
    • 30+

      ¥1.2407
  • 有货
  • 采用沟槽处理技术实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括150℃结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起,使该设计成为电机应用和各种其他应用中极其高效可靠的器件。
    • 1+

      ¥2.2727
    • 10+

      ¥1.7897
    • 30+

      ¥1.5827
  • 有货
  • N沟道 7A 650V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.93
    • 50+

      ¥2.55
  • 有货
  • N沟道,100V,75A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.35
    • 50+

      ¥2.95
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于各种应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.66
    • 10+

      ¥3.75
    • 30+

      ¥3.3
  • 有货
  • 电机驱动。同步整流。DC/DC转换器。通用应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.04
    • 10+

      ¥4.09
    • 30+

      ¥3.61
  • 有货
  • N沟道,500V,18A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.67
    • 10+

      ¥4.63
    • 50+

      ¥3.63
  • 有货
  • 特性:RDS(on)(TP) = 2.2mΩ @ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.14
  • 有货
  • KNX2912A采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可应用于多种场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.24
    • 10+

      ¥5.16
    • 30+

      ¥4.57
  • 有货
  • N沟道 5A 650V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.95
    • 10+

      ¥3.23
    • 50+

      ¥2.88
  • 有货
  • N沟道 11A 650V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.05
    • 10+

      ¥4.01
    • 50+

      ¥3.49
  • 有货
  • N沟道 15A 650V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.89
    • 10+

      ¥5.78
    • 50+

      ¥4.55
  • 有货
  • 特性:使用Geener先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(POM)。 符合JEDEC标准。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    • 1+

      ¥4.41
    • 10+

      ¥3.6
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.8
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.44
  • 订货
  • 特性:RDS(ON) = 7mΩ @VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用:电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.58 / 个
  • 订货
  • 特性:RDS(on)=3.1mΩ@ VGS=10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QxRDS(on)乘积(FOM)。 通过JEDEC标准认证。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.6675 / 个
  • 订货
  • 特性:先进的SGT技术。 导通电阻RDS(ON) = 1.5 mΩ(典型值),VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
    • 5+

      ¥1.0482
    • 50+

      ¥1.0252
    • 150+

      ¥1.0098
    • 500+

      ¥0.9944
  • 订货
    • 单价:

      ¥0.3998 / 个
  • 订货
    • 5+

      ¥0.4472
    • 50+

      ¥0.4369
    • 150+

      ¥0.43
    • 500+

      ¥0.423
  • 订货
  • N沟道,600V,7A,1Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2185
    • 10+

      ¥1.1917
    • 30+

      ¥1.1739
    • 100+

      ¥1.156
  • 订货
  • N沟道,650V,4A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.416
    • 50+

      ¥1.1388
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    • 500+

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    • 2500+

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    • 5000+

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  • 订货
  • N沟道,650V,7.5A
    数据手册
    • 1+

      ¥1.49
    • 10+

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    • 30+

      ¥1.44
    • 100+

      ¥1.42
  • 订货
  • -23A -100V
    • 1+

      ¥1.9593
    • 10+

      ¥1.5712
    • 30+

      ¥1.4049
    • 100+

      ¥1.1974
    • 500+

      ¥1.105
    • 1000+

      ¥1.0495
  • 订货
  • 环保
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

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    • 100+

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  • 订货
  • N沟道,400V,10A
    • 1+

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    • 10+

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    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.62
  • 订货
  • N沟道,60V,80A
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.37
  • 订货
  • 特性:RDS(ON), typ.=3.0mΩ(typ.)@Vss=10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    数据手册
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