KIA半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KNP4540A 编号：C455994

封装：TO-220

品牌：KIA

特性：RoHS合规。 RDS(ON)典型值 = 0.8Ω（VGS = 10V时）。低栅极电荷，可降低开关损耗。快速恢复体二极管。应用：适配器。充电器

数据手册

1+
￥1.654
10+
￥1.3264
50+
￥1.186

有货

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型号：KNF6140A 编号：C455993

封装：TO-220F-3

品牌：KIA

特性：专有新平面技术。 RDs(ON)，典型值 = 0.35Ω@Vgs = 10V。低栅极电荷，可降低开关损耗。快速恢复体二极管。应用：镇流器和照明。 DC-AC逆变器

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.31
50+
￥2.04
100+
￥1.7
500+
￥1.55
1000+
￥1.46

有货

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型号：KNH7150A 编号：C709691

封装：TO-3P

品牌：KIA

特性：专有新型平面技术。 RDS(ON)，典型值 = 0.24Ω@VGS = 10V。低栅极电荷，可最小化开关损耗。快速恢复体二极管。应用：适配器充电器。开关电源

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1+
￥8.99
10+
￥7.44
30+
￥6.59

有货

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型号：KND4390A 编号：C7465115

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON)=3.6Ω（典型值），VGS = 10V。专有新平面技术。低栅极电荷，可降低开关损耗。快速恢复体二极管。应用：CRT、电视/显示器。其他应用

单价：
￥0.883 / 个

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型号：KNH3725A 编号：C1509106

封装：TO-3P

品牌：KIA

特性：专有新型平面技术。 RDS(ON)，典型值 = 45mΩ，VGS = 10V。低栅极电荷，最小化开关损耗。快速恢复体二极管。 DC-DC 转换器。 DC-AC 逆变器（用于 UPS）。开关电源和电机控制

数据手册

1+
￥8.32
10+
￥6.88
30+
￥6.09
90+
￥5.2
450+
￥4.8
900+
￥4.62

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型号：KNB2710A 编号：C455975

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：专有新型沟槽技术。 RDS(ON)典型值为4.5mΩ（VGS = 10V时）。低栅极电荷，可降低开关损耗。快速恢复体二极管。应用：高效DC/DC转换器。同步整流

数据手册

1+
￥6.75
10+
￥5.49
30+
￥4.86
100+
￥4.23
500+
￥3.86
800+
￥3.67

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型号：KND3508A 编号：C116513

封装：TO-252

品牌：KIA

N沟道,80V,70A,11mΩ@10V,场效应管，MOSFET

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单价：
￥1.0285 / 个

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型号：KIA50N03BD 编号：C455976

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。 50A，30V，RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。快速开关。改善的dv/dt能力

数据手册

5+
￥0.72
50+
￥0.576
150+
￥0.504
500+
￥0.45
2500+
￥0.3828
5000+
￥0.3612

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型号：KIA3510AD 编号：C116512

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：KIA

特性：RDS(on) = 9mΩ (典型值) @ VSS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.53
30+
￥2.26
100+
￥1.92
500+
￥1.58
1000+
￥1.48

有货

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型号：KCY3310A 编号：C2839426

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：低RDS(on)和FOM。极低的开关损耗。使用先进的SGT技术。出色的稳定性和一致性。快速开关和软恢复。适用于功率开关应用。低导通电阻（典型值）RDS(on)=5.0mΩ。适用于硬开关和高频电路。适用于不间断电源

数据手册

1+
￥3.7386 ￥4.02
10+
￥3.3387 ￥3.59
30+
￥3.1341 ￥3.37
100+
￥2.9388 ￥3.16
500+
￥2.6319 ￥2.83
1000+
￥2.5668 ￥2.76

有货

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型号：KIA20N50HF 编号：C135545

封装：TO-220IS

品牌：KIA

N沟道 20A 500V

数据手册

1+
￥7.1982 ￥7.74
10+
￥6.5286 ￥7.02
50+
￥5.8218 ￥6.26
100+
￥5.4033 ￥5.81
500+
￥5.2173 ￥5.61
1000+
￥5.1336 ￥5.52

有货

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型号：KIA35P10AD 编号：C134933

封装：TO-252

品牌：KIA

-35A -100V

5+
￥2.044
50+
￥1.6407
150+
￥1.4679
500+
￥1.065805 ￥1.1219
2500+
￥0.97451 ￥1.0258
5000+
￥0.91979 ￥0.9682

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型号：KND3308A 编号：C188764

封装：TO-252

品牌：KIA

N沟道,80V,80A,6.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.12
10+
￥1.86
30+
￥1.74
100+
￥1.6
500+
￥1.4
1000+
￥1.36

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型号：KCD3008A 编号：C2839422

封装：TO-252

品牌：KIA

电机驱动。同步整流 (SR)。DC/DC 转换器。通用应用

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥3.01
30+
￥2.65
100+
￥2.3
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：KPD7910A 编号：C2896661

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻Rps(on)。出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥1.146
50+
￥0.9102
150+
￥0.8091
500+
￥0.683
2500+
￥0.6268
5000+
￥0.5931

有货

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型号：KPY3203D 编号：C41369557

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。超低栅极电荷。 100% EAS保证。绿色环保器件。优异的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽工艺

5+
￥1.6242
50+
￥1.4184
150+
￥1.3302
500+
￥1.2201
2500+
￥1.1711

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型号：KNY3403B 编号：C2839428

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：85A, 30V。 RDS(on) 典型值 = 4.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。快速开关。改善的dv/dt能力。应用：UPS。逆变器系统的电源管理

数据手册

1+
￥1.5852
10+
￥1.2727
30+
￥1.1388
100+
￥0.9717
500+
￥0.8973
1000+
￥0.7347

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型号：KND3404B 编号：C1509094

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：RDS(ON)典型值 = 5.0mΩ（典型值），VGS = 10V。使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg x RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

1+
￥1.9946
10+
￥1.5662
30+
￥1.3826
100+
￥1.1535
500+
￥1.0515
1000+
￥0.9903

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型号：KIA78L05T 编号：C90763

封装：SOT-89-3

品牌：KIA

KIA78L05是一款单片式固定电压调节集成电路，适用于所需供电电流高达100 mA的应用场景。

数据手册

10+
￥0.2885
100+
￥0.2309
300+
￥0.2021
1000+
￥0.1699
5000+
￥0.1526

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型号：KND3403B 编号：C2839427

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：85A, 30V, RDS(on) 典型值 = 4.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。快速开关。改善的dv/dt能力。应用：UPS。逆变器系统的电源管理

数据手册

5+
￥0.93632 ￥0.9856
50+
￥0.735205 ￥0.7739
150+
￥0.64904 ￥0.6832
500+
￥0.5415 ￥0.57
2500+
￥0.49362 ￥0.5196
5000+
￥0.46493 ￥0.4894

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型号：KNE4603A2 编号：C455977

封装：SOP-8

品牌：KIA

KNE4603A2是高单元密度沟槽式双N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。KNE4603A2符合RoHS和绿色产品要求。

数据手册

5+
￥0.9547
50+
￥0.7531
150+
￥0.6667
500+
￥0.5589

有货

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型号：KIA840SD 编号：C134928

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：KIA

环保

数据手册

5+
￥1.6408
50+
￥1.298
150+
￥1.1512
500+
￥0.9475

有货

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型号：KIA3510AB 编号：C176865

封装：TO-263

品牌：KIA

N沟道，100V，75A

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.68
30+
￥2.36
100+
￥2.04
500+
￥1.81

有货

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型号：KCP2915B 编号：C5156071

封装：TO-220

品牌：KIA

SGT MOSFET技术先进沟槽MOS技术

数据手册

1+
￥6.45
10+
￥5.85
50+
￥5.52
100+
￥5.15
500+
￥4.99

有货

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型号：KNB2915A 编号：C1509104

封装：TO-263

品牌：KIA

特性：RDS(ON)= 10mΩ(typ.)@ VGS = 10V。使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。根据JEDEC标准合格。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

1+
￥7.04
10+
￥5.62
30+
￥4.84
100+
￥3.95

有货

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型号：KNY8104A 编号：C41369548

封装：DFN-8(5x6)

品牌：KIA

特性：RDS(ON) = 12mΩ (typ.)@VGS = 10V。极低导通电阻RDS(ON)。低Crss。快速开关。 100%雪崩测试。改进的dv/dt能力。应用：PWM应用。电源管理

5+
￥0.492
50+
￥0.432
150+
￥0.402
500+
￥0.3795
2500+
￥0.3615

有货

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型号：KPD6610B 编号：C7465121

封装：TO-252

品牌：KIA

先进沟槽MOS技术。100%保证EAS。可靠且耐用。有环保器件可供选择

5+
￥0.712025 ￥0.7495
50+
￥0.621775 ￥0.6545
150+
￥0.58311 ￥0.6138
500+
￥0.534945 ￥0.5631
2500+
￥0.513475 ￥0.5405
5000+
￥0.500555 ￥0.5269

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型号：KNY3303A 编号：C382144

封装：PDFN-8(5.8x4.9)

品牌：KIA

这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正

数据手册

5+
￥1.353057 ￥1.4549
50+
￥1.062432 ￥1.1424
150+
￥0.937905 ￥1.0085
500+
￥0.782502 ￥0.8414
2500+
￥0.71331 ￥0.767
5000+
￥0.671739 ￥0.7223

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型号：KIA2906A 编号：C135566

封装：TO-220

品牌：KIA

N沟道 130A 60V

数据手册

1+
￥2.793 ￥2.94
10+
￥2.1945 ￥2.31
50+
￥1.938 ￥2.04
100+
￥1.615 ￥1.7
500+
￥1.4725 ￥1.55
1000+
￥1.387 ￥1.46

有货

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型号：KNC2404A 编号：C5156066

封装：TO-263-6L

品牌：KIA

特性：RDS(on)(TP) = 2.2mΩ @ VGS = 10V。提供无铅和环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。应用：电源。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥4.84
10+
￥4.39
30+
￥4.14
100+
￥3.86
500+
￥3.74

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