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首页 > 热门关键词 > 光宇睿芯二极管
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符合条件商品：共190970件
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描述
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库存
操作
TVS 22V截止 峰值浪涌电流：16.9A
型号：SMBJ22CA 编号：C355273
封装：SMB(DO-214AA)
品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
600W

  • 10+

    ￥0.4465

  • 100+

    ￥0.3595

  • 300+

    ￥0.3159

  • 3000+

    ￥0.2524

  • 6000+

    ￥0.2263

  • 9000+

    ￥0.2132
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应管 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SE9926 编号：C238653
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：VDS = 20V, I = 6A。 RDS(ON) < 37.5mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 27.5mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5063

    • 100+

      ￥0.4103

    • 300+

      ￥0.3623

    • 3000+

      ￥0.2783

    • 6000+

      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    P1800SB
    型号：P1800SB 编号：C2920972
    封装：SMB
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    P1800SB是一款固态撬棒器件，旨在保护电信设备免受危险瞬态情况的影响。它是一种两端固态器件，当两端之间出现瞬态电压，且达到由器件最大转折电压所限定的特定最大电压时，能够将浪涌电流脉冲泄放到地。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5481

    • 50+

      ￥0.4425

    • 150+

      ￥0.3897

    • 500+

      ￥0.3501

    • 3000+

      ￥0.2744

    • 6000+

      ￥0.2585
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:70A
    型号：SE4606S 编号：C2920987
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6831

    • 50+

      ￥0.546

    • 150+

      ￥0.4774

    • 500+

      ￥0.426

    • 2500+

      ￥0.3563

    • 5000+

      ￥0.3357
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 100V 120A
    型号：SE1991G 编号：C7419529
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    该系列是高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。

    • 1+

      ￥3.22

    • 10+

      ￥2.87

    • 30+

      ￥2.7

    • 100+

      ￥2.52

    • 500+

      ￥2.32

    • 800+

      ￥2.27
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：SE100130GA 编号：C238633
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    使用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.55

    • 10+

      ￥4.47

    • 50+

      ￥3.93

    • 100+

      ￥3.39

    • 500+

      ￥3.07

    • 1000+

      ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
    型号：SE100150G 编号：C476674
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥8.01

    • 10+

      ￥6.63

    • 30+

      ￥5.86

    • 100+

      ￥5

    • 500+

      ￥4.62

    • 800+

      ￥4.45
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 12V截止
    型号：SEMF12 编号：C355237
    封装：SOT-353
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    标准TVS设计用于保护低电压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0626

    • 500+

      ￥0.0611

    • 3000+

      ￥0.0602

    • 6000+

      ￥0.0592
  • 订货
    • 我要订货
    SESD3Z36V
    型号：SESD3Z36V 编号：C355250
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 20+

      ￥0.0726

    • 200+

      ￥0.0709

    • 600+

      ￥0.0698

    • 3000+

      ￥0.0687
  • 有货
    • 立即购买
    SESD3Z3.3C
    型号：SESD3Z3.3C 编号：C355247
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 20+

      ￥0.0746

    • 200+

      ￥0.0727

    • 600+

      ￥0.0715

    • 3000+

      ￥0.0702
  • 订货
    • 我要订货
    单向ESD 5V截止
    型号：SEMF05LC 编号：C355236
    封装：SOT-353
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    该集成瞬态电压抑制器 (TVS) 适用于需要瞬态过电压保护的应用，如打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其集成设计仅用一个封装就能为独立线路提供非常有效和可靠的保护，适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1161

    • 500+

      ￥0.0891

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0651

    • 24000+

      ￥0.0573

    • 51000+

      ￥0.053
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：SE3400 编号：C238643
    封装：SOT-23-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1237

    • 100+

      ￥0.1205

    • 300+

      ￥0.1184

    • 1000+

      ￥0.1163
  • 有货
    • 立即购买
    SESD3Z36C
    型号：SESD3Z36C 编号：C355251
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042

    • 3000+

      ￥0.0925

    • 9000+

      ￥0.0824

    • 21000+

      ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
    型号：SE2N7002K(ESD) 编号：C238638
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1864

    • 100+

      ￥0.1821

    • 300+

      ￥0.1792

    • 1000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：SE2N7002 编号：C238637
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1953

    • 100+

      ￥0.191

    • 300+

      ￥0.1881

    • 1000+

      ￥0.1853
  • 有货
    • 立即购买
    停产 TVS 5V截止
    型号：SE0503 编号：C355216
    封装：SOT-143
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    表面贴装阵列系列产品旨在抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件。这些阵列用于满足国际电工兼容性（IEC）瞬态抗扰度标准 IEC 61000-4-2 的静电放电要求。该系列产品有助于保护数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路，其电压最高可达 5VDC。单片硅阵列由专门设计的瞬态电压抑制（TVS）结构组成。这些结构的尺寸和形状经过定制，以实现瞬态保护。低电容和钳位电压使其非常适合高速信号线保护。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2033

    • 200+

      ￥0.1612

    • 600+

      ￥0.1378

    • 3000+

      ￥0.111

    • 9000+

      ￥0.0989

    • 21000+

      ￥0.0923
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：80A@10/1000us
    型号：P0080SB 编号：C2920971
    封装：SMB
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    双对称瞬态电压抑制器是固态撬棒式器件，专门设计用于保护敏感的电信设备免受雷击和其他瞬态过电压的影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2192

    • 100+

      ￥0.2148

    • 300+

      ￥0.212

    • 1000+

      ￥0.2091
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强模式场效应晶体管 耐压:20V 电流:7A
    型号：SE8810A(ESD) 编号：C238647
    封装：SOT-23-6
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：对于单个MOSFET。 VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.2858

    • 50+

      ￥0.2791

    • 150+

      ￥0.2747

    • 500+

      ￥0.2703
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：SE2333 编号：C729826
    封装：SOT-23-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适用于用作负载开关或 PWM 应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3177

    • 50+

      ￥0.3105

    • 150+

      ￥0.3057

    • 500+

      ￥0.3009
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.3A
    型号：SE3018 编号：C417335
    封装：SOT-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道,50V,0.3A,2.3Ω@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1001

    • 200+

      ￥0.0978

    • 600+

      ￥0.0962

    • 3000+

      ￥0.0947
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V
    型号：SE2302 编号：C238641
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1188

    • 200+

      ￥0.1161

    • 600+

      ￥0.1143

    • 3000+

      ￥0.1124
  • 订货
    • 我要订货
    单向TVS 5V截止
    型号：SEBLC05 编号：C355200
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT)、浪涌和其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2032

    • 200+

      ￥0.1573

    • 600+

      ￥0.1318

    • 3000+

      ￥0.1089

    • 9000+

      ￥0.0956

    • 21000+

      ￥0.0884
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
    型号：SE2300 编号：C359182
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 20V 5.9A 50mΩ@2.5V,
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2196

    • 200+

      ￥0.1711

    • 600+

      ￥0.1441

    • 3000+

      ￥0.128

    • 9000+

      ￥0.1139

    • 21000+

      ￥0.1064
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.3A
    型号：SMBJ36CA 编号：C355276
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2543

    • 100+

      ￥0.2491

    • 300+

      ￥0.2456

    • 1000+

      ￥0.2422
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 70V截止 峰值浪涌电流：5.3A
    型号：SMBJ70CA 编号：C2920975
    封装：SMB
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.513

    • 50+

      ￥0.4141

    • 150+

      ￥0.3647

    • 500+

      ￥0.3276

    • 3000+

      ￥0.2568

    • 6000+

      ￥0.242
  • 有货
    • 立即购买
    互补增强模式场效应晶体管 N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:7A
    型号：SE4606L 编号：C238713
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：n沟道: -漏源电压（VDS） = 20V。 -漏极电流（ID） = 7A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 20.0mΩ（VGS = 4.5V）。 p沟道: -漏源电压（VDS） = -18V。 -漏极电流（ID） = -5A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 30mΩ（VGS = -4.5V）。应用：台式机或DC/DC转换器中的电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6834

    • 50+

      ￥0.5538

    • 150+

      ￥0.489

    • 500+

      ￥0.4404

    • 2500+

      ￥0.3367

    • 5000+

      ￥0.3173
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:110A
    型号：SE20N110 编号：C238673
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完整雪崩电压和电流特性；改进直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.356

    • 50+

      ￥1.0824

    • 150+

      ￥0.9651

    • 500+

      ￥0.8188

    • 3000+

      ￥0.6559

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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
    型号：SE30150 编号：C238628
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE20NS65F 编号：C19631227
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。具备完全表征的雪崩电压和电流。改善了直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件

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    双向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：23.1A@10/1000us
    型号：SMBJ16A 编号：C355271
    封装：SMB
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
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