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首页 > 热门关键词 > 光宇睿芯二极管
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1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
型号：SE3401 编号：C238684
封装：SOT-23
品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。
数据手册

  • 6+

    ￥0.232

  • 60+

    ￥0.1808

  • 180+

    ￥0.1523

  • 900+

    ￥0.1352

  • 2700+

    ￥0.1204

  • 6300+

    ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：SE2305Q 编号：C5116036
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2451

    • 100+

      ￥0.2399

    • 300+

      ￥0.2365

    • 1000+

      ￥0.233
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
    型号：SE9435 编号：C238691
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3603

    • 50+

      ￥0.3519

    • 150+

      ￥0.3464

    • 500+

      ￥0.3408
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止
    型号：MSEMF05LC 编号：C355243
    封装：SOT-553
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这款集成式瞬态电压抑制器（TVS）专为需要瞬态过压保护的应用而设计，适用于打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其集成设计仅用一个封装就能为独立线路提供非常有效且可靠的保护。这些器件非常适合电路板空间有限的场景。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3764

    • 100+

      ￥0.3044

    • 300+

      ￥0.2684

    • 3000+

      ￥0.2414

    • 6000+

      ￥0.2198

    • 9000+

      ￥0.209
  • 订货
    • 我要订货
    TVS 24V截止 停产
    型号：SEBLC24C 编号：C355201
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌和其他感应电压引起的瞬变影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4033

    • 100+

      ￥0.3247

    • 300+

      ￥0.2854

    • 3000+

      ￥0.2278

    • 6000+

      ￥0.2042

    • 9000+

      ￥0.1925
  • 订货
    • 我要订货
    1个P沟道 耐压:12V 电流:21A
    型号：SE1216 编号：C417336
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    P沟道,-12V,-21A,11mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4472

    • 50+

      ￥0.4369

    • 150+

      ￥0.43

    • 500+

      ￥0.423
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 15V截止
    型号：SEBLC15C 编号：C355197
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.492

    • 50+

      ￥0.3864

    • 150+

      ￥0.3336

    • 500+

      ￥0.294

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      ￥0.2623

    • 6000+

      ￥0.2464
  • 订货
    • 我要订货
    2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
    型号：SE8810(ESD) 编号：C238661
    封装：TSSOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6093

    • 50+

      ￥0.4749

    • 150+

      ￥0.4077

    • 500+

      ￥0.3573

    • 3000+

      ￥0.317

    • 6000+

      ￥0.2968
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:55V 电流:110A
    型号：SE3205A 编号：C2920976
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.09

    • 10+

      ￥2.47

    • 50+

      ￥2.01

    • 100+

      ￥1.67

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      ￥1.53

    • 1000+

      ￥1.44
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：SE30150A 编号：C238627
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计实现超低导通电阻，全面表征雪崩电压和电流，改善直通品质因数。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.4

    • 10+

      ￥2.72

    • 50+

      ￥2.2

    • 100+

      ￥1.84

    • 500+

      ￥1.67

    • 1000+

      ￥1.58
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE10060B 编号：C359177
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.64

    • 10+

      ￥2.94

    • 50+

      ￥2.51

    • 100+

      ￥2.17

    • 500+

      ￥1.97

    • 800+

      ￥1.86
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
    型号：SE60210GA 编号：C396088
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 60V 210A
    数据手册

    • 1+

      ￥4.63

    • 10+

      ￥3.78

    • 50+

      ￥3.11

    • 100+

      ￥2.69

    • 500+

      ￥2.43
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：SE80100GA 编号：C238630
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；雪崩电压和电流完全表征；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.86

    • 50+

      ￥3.39

    • 100+

      ￥2.93

    • 500+

      ￥2.65

    • 1000+

      ￥2.51
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE7N70 编号：C5272820
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这是一款高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩特性。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.01

    • 10+

      ￥4.06

    • 50+

      ￥3.46

    • 100+

      ￥2.98

    • 500+

      ￥2.7

    • 1000+

      ￥2.56
  • 有货
    • 立即购买
    SE7N65
    型号：SE7N65 编号：C5272813
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

    • 1+

      ￥5.7

    • 10+

      ￥4.62

    • 50+

      ￥3.93

    • 100+

      ￥3.39

    • 500+

      ￥3.07

    • 1000+

      ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:288A
    型号：SE40300GTS 编号：C238616
    封装：TO-247AC-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改善直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥9.36

    • 10+

      ￥7.74

    • 30+

      ￥6.85

    • 90+

      ￥5.85

    • 510+

      ￥5.4

    • 1200+

      ￥5.2
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：SE30P09D 编号：C238702
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电压和低工作电压。该器件适用于作为负载开关或在脉宽调制（PWM）应用中使用。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6348

    • 50+

      ￥0.6218

    • 150+

      ￥0.6132

    • 500+

      ￥0.6045
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:650V 电流:4A
    型号：SE4N65 编号：C2920980
    封装：TO-220F-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    该系列是高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0984

    • 50+

      ￥1.0229

    • 150+

      ￥1.0066

    • 500+

      ￥0.9903
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:500V 电流:12A
    型号：SE12N50FRA 编号：C2920983
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改进直通品质因数。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1277

    • 50+

      ￥0.9628

    • 150+

      ￥0.9474

    • 500+

      ￥0.932
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET,电流:80A,耐压:68V
    型号：SE6880 编号：C238618
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2076

    • 50+

      ￥1.1794

    • 150+

      ￥1.1606

    • 500+

      ￥1.1417
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道 耐压:650V 电流:8A
    型号：SE8N65A 编号：C2920981
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于多种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3198

    • 50+

      ￥1.1433

    • 150+

      ￥1.125

    • 500+

      ￥1.1068
  • 订货
    • 我要订货
    2个N沟道 耐压:60V
    型号：SE4946 编号：C238649
    封装：SOIC-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.2784

    • 500+

      ￥1.0763

    • 3000+

      ￥0.9391

    • 6000+

      ￥0.885
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:650V 电流:7.4A
    型号：MT7N65L 编号：C2920982
    封装：TO-220F-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这是一系列高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.97

    • 10+

      ￥1.93

    • 50+

      ￥1.64

    • 100+

      ￥1.61
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:130A
    型号：SE80130G 编号：C396082
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 80V 130A
    数据手册

    • 1+

      ￥2.32

    • 10+

      ￥2.27

    • 30+

      ￥2.23

    • 100+

      ￥2.2
  • 有货
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：SE30150B 编号：C238629
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；简单的驱动要求；小封装尺寸；表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3348

    • 50+

      ￥1.8539

    • 150+

      ￥1.6478

    • 500+

      ￥1.3906

    • 2500+

      ￥1.0803

    • 5000+

      ￥1.0116
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE2N65 编号：C5272819
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥2.55

    • 10+

      ￥2.5

    • 30+

      ￥2.46

    • 100+

      ￥2.42
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：SE540A 编号：C2920977
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完整雪崩电压和电流特性；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装尺寸小；为表面贴装器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.79

    • 10+

      ￥2.24

    • 50+

      ￥1.79

    • 100+

      ￥1.5

    • 500+

      ￥1.37

    • 1000+

      ￥1.29
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
    型号：SE40160A 编号：C393136
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道，40V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.09

    • 10+

      ￥3.02

    • 50+

      ￥2.84

    • 100+

      ￥2.79
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
    型号：SE8090A 编号：C238632
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。具备完整的雪崩电压和电流特性。改进了直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
    型号：SE100130A 编号：C393137
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道，100V
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