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首页 > 热门关键词 > 光宇睿芯二极管
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关键参数
描述
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双向TVS 15V截止
型号：SEBLC15C 编号：C355197
封装：SOD-323
品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。
数据手册

  • 5+

    ￥0.492

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    互补增强型MOSFET
    型号：SE4625 编号：C730094
    封装：DFN-6L-EP(2x2)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。低RDS(on)、小封装尺寸、ESD保护
    数据手册

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    2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
    型号：SE8810(ESD) 编号：C238661
    封装：TSSOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6093

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    P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
    型号：SE9435 编号：C238691
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

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      ￥0.6644

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      ￥0.5252

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      ￥0.3617

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    1个P沟道 耐压:12V 电流:21A
    型号：SE1216 编号：C417336
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    P沟道,-12V,-21A,11mΩ@-4.5V
    数据手册

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      ￥0.8248

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:110A
    型号：SE20N110 编号：C238673
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完整雪崩电压和电流特性；改进直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件。
    数据手册

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      ￥1.356

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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:55V 电流:110A
    型号：SE3205A 编号：C2920976
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

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    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.2A
    型号：SE7401U 编号：C238678
    封装：SOT-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。；高密单元设计可实现超低导通电阻；雪崩电压和电流特性完备；改善了直通品质因数
    数据手册

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    互补增强模式场效应晶体管 N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:7A 停产
    型号：SE4606L 编号：C238713
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：n沟道: -漏源电压（VDS） = 20V。 -漏极电流（ID） = 7A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 20.0mΩ（VGS = 4.5V）。 p沟道: -漏源电压（VDS） = -18V。 -漏极电流（ID） = -5A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 30mΩ（VGS = -4.5V）。应用：台式机或DC/DC转换器中的电源管理
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    2个N沟道 耐压:60V
    型号：SE4946 编号：C238649
    封装：SOIC-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:500V 电流:12A
    型号：SE12N50FRA 编号：C2920983
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改进直通品质因数。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:650V 电流:4A
    型号：SE4N65 编号：C2920980
    封装：TO-220F-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    该系列是高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
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    N沟道增强型MOSFET,电流:80A,耐压:68V
    型号：SE6880 编号：C238618
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
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    N沟道 耐压:650V 电流:8A
    型号：SE8N65A 编号：C2920981
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于多种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3784

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      ￥1.1752

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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：SE540A 编号：C2920977
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完整雪崩电压和电流特性；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装尺寸小；为表面贴装器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.79

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      ￥1.29
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：SE30150A 编号：C238627
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计实现超低导通电阻，全面表征雪崩电压和电流，改善直通品质因数。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.4

    • 10+

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      ￥2.2

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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:650V 电流:7.4A
    型号：MT7N65L 编号：C2920982
    封装：TO-220F-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这是一系列高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.5

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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
    型号：SE8090A 编号：C238632
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。具备完整的雪崩电压和电流特性。改进了直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.55

    • 10+

      ￥2.86

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      ￥2.51

    • 100+

      ￥2.17

    • 500+

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    • 1000+

      ￥1.86
  • 有货
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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE10060B 编号：C359177
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.64

    • 10+

      ￥2.94

    • 50+

      ￥2.51

    • 100+

      ￥2.17

    • 500+

      ￥1.97

    • 800+

      ￥1.86
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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE2N65 编号：C5272819
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.51

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE7N70 编号：C5272820
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这是一款高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩特性。
    数据手册

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      ￥5.01

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
    型号：SE40160A 编号：C393136
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道，40V
    数据手册

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      ￥5.46

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      ￥4.42

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      ￥2.79
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    SE7N65
    型号：SE7N65 编号：C5272813
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

    • 1+

      ￥5.7

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE100300 编号：C5138327
    封装：TOLL
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：SE30150B 编号：C238629
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；简单的驱动要求；小封装尺寸；表面贴装器件
    数据手册

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      ￥1.8457

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      ￥1.0755

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      ￥1.007
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:130A
    型号：SE80130G 编号：C396082
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 80V 130A
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：SE80100GA 编号：C238630
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；雪崩电压和电流完全表征；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件
    数据手册

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE20NS65F 编号：C19631227
    封装：TO-220F
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。具备完全表征的雪崩电压和电流。改善了直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
    型号：SE100130A 编号：C393137
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道，100V
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
    型号：SE1991G 编号：C238608
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    该系列是高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
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      ￥6.43

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