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首页 > 热门关键词 > 光宇睿芯二极管
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先进的沟槽技术可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于 PWM 应用。低 RDS(on),小封装外形,ESD 保护。
数据手册
  • 5+

    ¥0.8121
  • 50+

    ¥0.7092
  • 150+

    ¥0.6651
  • 500+

    ¥0.6101
  • 2500+

    ¥0.5856
  • 5000+

    ¥0.5709
  • 有货
  • SMCJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变影响。它们具备出色的钳位能力、高浪涌承受能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0474
    • 50+

      ¥1.0229
    • 150+

      ¥1.0066
    • 500+

      ¥0.9903
  • 有货
  • VBR=71.1V,Vc=103V,Ipp=48.5A,单向
    数据手册
    • 1+

      ¥2.17
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.81
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • SEDFN2105C 专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,并且与 MLV 相比,不会出现器件性能退化的问题。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0924
    • 200+

      ¥0.0905
    • 600+

      ¥0.0892
    • 2000+

      ¥0.088
  • 有货
  • SESD9D系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1685
    • 200+

      ¥0.1317
    • 600+

      ¥0.1113
    • 2000+

      ¥0.0991
    • 8000+

      ¥0.0862
    • 16000+

      ¥0.0805
  • 有货
  • 特性:与SEBT8050互补。应用:高电流应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1749
    • 200+

      ¥0.1371
    • 600+

      ¥0.1161
    • 3000+

      ¥0.0911
    • 9000+

      ¥0.0801
    • 21000+

      ¥0.0742
  • 有货
  • SESD3Z5CL旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2193
    • 200+

      ¥0.1707
    • 600+

      ¥0.1437
    • 3000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.1135
    • 21000+

      ¥0.1059
  • 有货
  • SEDFN05V4是超低电容TVS阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件,使其免受由ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3141
    • 100+

      ¥0.2517
    • 300+

      ¥0.2205
    • 3000+

      ¥0.1971
    • 6000+

      ¥0.1784
    • 9000+

      ¥0.169
  • 有货
  • SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3554
    • 50+

      ¥0.3121
    • 150+

      ¥0.2904
    • 500+

      ¥0.2742
    • 3000+

      ¥0.2612
    • 6000+

      ¥0.2547
  • 有货
  • 采用高单元密度DMOS沟槽技术生产,该技术专门用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低压应用,如便携式设备、电源管理和其他电池供电电路,并且在非常小的外形表面贴装中需要低在线功耗。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5281
    • 50+

      ¥0.4177
    • 150+

      ¥0.3625
    • 500+

      ¥0.3211
    • 3000+

      ¥0.2673
    • 6000+

      ¥0.2507
  • 有货
  • 特性:n 通道:VDS(V) = 30V,ID = 8.5A。RDS(ON) = 18mΩ (VGS=4.5V),RDS(ON) = 21mΩ (VGS=2.5V)。 p 通道:VDS(V) = -30V,ID = -4.9A。RDS(ON) = 18mΩ (VGS = -4.5V),RDS(ON) = 23mΩ (VGS=-2.5V)。应用:台式机或 DC/DC 转换器中的电源管理
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8935
    • 50+

      ¥0.7063
    • 150+

      ¥0.6127
    • 500+

      ¥0.5425
    • 2500+

      ¥0.4864
    • 4000+

      ¥0.4583
  • 有货
  • 先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0718
    • 50+

      ¥0.8308
    • 150+

      ¥0.7276
    • 500+

      ¥0.5987
    • 2500+

      ¥0.5413
    • 5000+

      ¥0.5069
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2497
    • 50+

      ¥1.0062
    • 150+

      ¥0.9019
    • 500+

      ¥0.7716
    • 2500+

      ¥0.5977
    • 5000+

      ¥0.5629
  • 有货
  • -
    • 20+

      ¥0.0697
    • 200+

      ¥0.0681
    • 600+

      ¥0.067
    • 2000+

      ¥0.066
  • 有货
  • SESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0814
    • 500+

      ¥0.0625
    • 3000+

      ¥0.052
    • 6000+

      ¥0.0456
    • 24000+

      ¥0.0402
    • 51000+

      ¥0.0372
  • 有货
  • 标准 TVS 旨在保护低电压集成电路免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1222
    • 500+

      ¥0.0952
    • 3000+

      ¥0.0802
    • 6000+

      ¥0.0712
    • 24000+

      ¥0.0634
    • 51000+

      ¥0.0592
  • 有货
  • 设计用于保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.202
    • 200+

      ¥0.1615
    • 600+

      ¥0.139
    • 3000+

      ¥0.1068
    • 9000+

      ¥0.0951
    • 21000+

      ¥0.0888
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 每个偏置电阻都是薄膜电阻,完全绝缘,输入可以负偏置,且绝缘消除了大部分寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.1281
    • 9000+

      ¥0.1141
    • 21000+

      ¥0.1065
  • 有货
  • SESD3ZxxC 旨在保护电压敏感元件免受静电放电 (ESD) 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.232
    • 200+

      ¥0.184
    • 600+

      ¥0.1573
    • 3000+

      ¥0.1267
    • 9000+

      ¥0.1128
    • 21000+

      ¥0.1053
  • 有货
  • 该器件采用“基岛”布局的低压PNP平面技术制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4124
    • 100+

      ¥0.326
    • 300+

      ¥0.2828
    • 3000+

      ¥0.2504
    • 6000+

      ¥0.2245
    • 9000+

      ¥0.2115
  • 有货
  • 这是一种高压功率MOSFET,旨在具备更好的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.974
    • 50+

      ¥0.9544
    • 150+

      ¥0.9413
    • 500+

      ¥0.9283
  • 有货
  • 该产品采用先进的半导体技术和设计,提供出色的导通电阻(RDS(ON)),具有低栅极电荷和低工作电压。它适用于多种应用场景,拥有出色的封装以实现卓越的热阻性能,采用优化技术用于DC/DC转换器,且易于使用和并联。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.13
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3.23
    • 500+

      ¥2.97
    • 800+

      ¥2.9
  • 有货
  • -
    • 50+

      ¥0.0647
    • 500+

      ¥0.0632
    • 3000+

      ¥0.0602
    • 6000+

      ¥0.0592
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2198
    • 200+

      ¥0.1717
    • 600+

      ¥0.145
    • 3000+

      ¥0.1268
    • 9000+

      ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.1054
  • 有货
  • MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。高密单元设计,实现超低导通电阻;具备完全表征的雪崩电压和电流;改善了直通品质因数;驱动要求简单;封装外形小;为表面贴装器件;可提供无铅封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2347
    • 200+

      ¥0.1871
    • 600+

      ¥0.1607
    • 3000+

      ¥0.1253
    • 9000+

      ¥0.1115
    • 21000+

      ¥0.1042
  • 有货
  • SESD3Z 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使这些器件成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2902
    • 100+

      ¥0.2326
    • 300+

      ¥0.2038
    • 3000+

      ¥0.167
    • 6000+

      ¥0.1497
    • 9000+

      ¥0.141
  • 有货
  • 超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
    • 3000+

      ¥0.2189
    • 6000+

      ¥0.1973
    • 9000+

      ¥0.1865
  • 有货
  • 旨在保护对电压敏感的组件免受高电压、高能量瞬态影响。具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4304
    • 100+

      ¥0.344
    • 300+

      ¥0.3008
    • 3000+

      ¥0.2504
    • 6000+

      ¥0.2245
    • 9000+

      ¥0.2115
  • 有货
  • SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。它适用于各种应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4938
    • 50+

      ¥0.393
    • 150+

      ¥0.3426
    • 500+

      ¥0.3048
    • 2500+

      ¥0.2619
    • 4000+

      ¥0.2468
  • 有货
  • 高密单元设计,实现超低导通电阻;具备完整雪崩电压和电流特性;改善直通品质因数;驱动要求简单;封装外形小;为表面贴装器件。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.734
    • 50+

      ¥0.6458
    • 150+

      ¥0.608
    • 500+

      ¥0.5608
    • 3000+

      ¥0.5019
    • 6000+

      ¥0.4893
  • 有货
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