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设计用于混合厚膜和薄膜电路中的高速开关应用。小型表面贴装类型(LL-34)
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  • DO-214AC (SMA) 塑封封装整流二极管。Rectifier diode in DO-214AC(SMA) Plastic Package.
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  • SOT-23 塑封封装快速开关二极管
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  • SOD-123 塑封封装二极管
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  • SOT-23 塑封封装二极管
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  • 特性:电压范围宽(18V—1.8KV)。反应速度快(毫微秒级)。非线性指数大。无极性。通流量大(2000A/cm²)。无续流。应用:防浪涌通用型:IC、二极管、可控硅元件、民用电器、工业电器通讯、计测控制装置的保护。防雷型:半导体元件、铁路信号、通信、计测装置、通讯中转站、低压配电盘等电气设备的浪涌吸收和防雷保卫
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  • 多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器,采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件,能为被保护元件(电路)提供强有力的保护,同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构,其寄生电感非常小、响应速度非常快(响应时间 < 0.5ns),因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似,具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。
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  • 多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器,采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件,能为被保护元件(电路)提供强有力的保护,同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构,其寄生电感非常小、响应速度非常快(响应时间 < 0.5ns),因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似,具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。
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  • 多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器,采用先进的叠层片式化技术制造,是半导体陶瓷元件,能为被保护元件(电路)提供强有力的保护,具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是无引线的片式结构,寄生电感非常小、响应速度非常快(响应时间 < 0.5ns),具有优良的 ESD 及各种浪涌噪声的抑制能力,与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似,具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。
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  • 特性:电压范围宽(18V—1.8KV)。反应速度快(毫微秒级)。非线性指数大。无极性。通流量大(2000A/cm²)。无续流。应用:防浪涌通用型:IC、二极管、可控硅元件、民用电器、工业电器通讯、计测控制装置的保护。防雷型:半导体元件、铁路信号、通信、计测装置、通讯中转站、低压配电盘等电气设备的浪涌吸收和防雷保卫
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  • 多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器,采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件,能为被保护元件(电路)提供强有力的保护,同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构,其寄生电感非常小、响应速度非常快(响应时间 < 0.5ns),因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似,具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。
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  • 多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器,采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件,能为被保护元件(电路)提供强有力的保护,同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构,其寄生电感非常小、响应速度非常快(响应时间 < 0.5ns),因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似,具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。
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