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首页 > 热门关键词 > 光宇睿芯二极管
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符合条件商品：共190970件
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描述
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操作
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
型号：SE30100B 编号：C417340
封装：TO-252
品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
N沟道,30V,100A,3mΩ@10V
数据手册

  • 5+

    ￥0.7979

  • 50+

    ￥0.7813

  • 150+

    ￥0.7703

  • 500+

    ￥0.7592
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
    型号：SE4020B 编号：C396085
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 40V 20A
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0064

    • 50+

      ￥0.8047

    • 150+

      ￥0.7183

    • 500+

      ￥0.6104

    • 2500+

      ￥0.4611

    • 5000+

      ￥0.4323
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：SE10015 编号：C238621
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。 简单的驱动要求。 小封装尺寸。 表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1689

    • 50+

      ￥0.9366

    • 150+

      ￥0.8371

    • 500+

      ￥0.7129

    • 2500+

      ￥0.5701

    • 5000+

      ￥0.5369
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：SE6050B 编号：C238622
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的出色导通电阻，可用于多种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1736

    • 50+

      ￥0.9215

    • 150+

      ￥0.8135

    • 500+

      ￥0.6787

    • 2500+

      ￥0.6187

    • 5000+

      ￥0.5827
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:85V 电流:130A
    型号：SE85130GA 编号：C2920985
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.74

    • 10+

      ￥2.2

    • 50+

      ￥1.76

    • 100+

      ￥1.47

    • 500+

      ￥1.34

    • 1000+

      ￥1.26
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
    型号：SE100180GA 编号：C359175
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 100V 180A
    数据手册

    • 1+

      ￥6.51

    • 10+

      ￥5.3

    • 50+

      ￥4.4

    • 100+

      ￥3.8

    • 500+

      ￥3.44

    • 1000+

      ￥3.25
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：SEBT9015 编号：C393127
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：AM/FM放大器，FM/VHF调谐器的本地振荡器。 高电流增益带宽积。应用：逆变器。 接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1344

    • 200+

      ￥0.1047

    • 600+

      ￥0.0882

    • 3000+

      ￥0.0783

    • 9000+

      ￥0.0697

    • 21000+

      ￥0.0651
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：SE2101E 编号：C238677
    封装：SOT-523-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    P-Channel增强模式功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，尤其是电池供电电路，其微小而纤薄的外形节省了PCB消耗。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
    型号：SE2102M 编号：C393133
    封装：SOT-723
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET 具备快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.1808

    • 600+

      ￥0.1523

    • 2000+

      ￥0.1352

    • 8000+

      ￥0.1204

    • 16000+

      ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 12V截止
    型号：SEBLC12C 编号：C355199
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.248

    • 100+

      ￥0.1976

    • 300+

      ￥0.1724

    • 3000+

      ￥0.1461

    • 6000+

      ￥0.131

    • 9000+

      ￥0.1234
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：20.5A
    型号：SMBJ18CA 编号：C355274
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.326

    • 300+

      ￥0.2828

    • 3000+

      ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.2115
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：12.4A
    型号：SMBJ30CA 编号：C355272
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4439

    • 100+

      ￥0.3575

    • 300+

      ￥0.3143

    • 3000+

      ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.2115
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V
    型号：SE1003 编号：C729820
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。雪崩电压和电流完全表征。改进的直通品质因数。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5107

    • 50+

      ￥0.4051

    • 150+

      ￥0.3523

    • 500+

      ￥0.3127

    • 3000+

      ￥0.2744

    • 6000+

      ￥0.2585
  • 有货
    • 立即购买
    互补增强型MOSFET
    型号：SE4625 编号：C730094
    封装：DFN-6L-EP(2x2)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。低RDS(on)、小封装尺寸、ESD保护
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5867

    • 50+

      ￥0.4667

    • 150+

      ￥0.4067

    • 500+

      ￥0.3617

    • 2500+

      ￥0.3118

    • 5000+

      ￥0.2938
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：SED3022M 编号：C359176
    封装：DFN-8(3.2x3.2)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 VDS = 30V RDS(ON) = 20mΩ@VGS=10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9387

    • 50+

      ￥0.7371

    • 150+

      ￥0.6507

    • 500+

      ￥0.5429

    • 2500+

      ￥0.4949

    • 5000+

      ￥0.4661
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:19A
    型号：SE20P03 编号：C238708
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这一系列是高压功率MOSFET，旨在拥有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0826

    • 50+

      ￥0.8562

    • 150+

      ￥0.7591

    • 500+

      ￥0.638
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
    型号：SE30P12 编号：C238696
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1046

    • 50+

      ￥0.8778

    • 150+

      ￥0.7806

    • 500+

      ￥0.6593

    • 2500+

      ￥0.541

    • 5000+

      ￥0.5086
  • 有货
    • 立即购买
    80V 100A TO-263
    型号：SE80100G 编号：C5116038
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥3.14

    • 10+

      ￥2.8

    • 30+

      ￥2.63

    • 100+

      ￥2.46

    • 500+

      ￥2.25

    • 800+

      ￥2.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:60A
    型号：SE100P60A 编号：C238705
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥5.04

    • 10+

      ￥4.13

    • 50+

      ￥3.3

    • 100+

      ￥2.85

    • 500+

      ￥2.58

    • 1000+

      ￥2.44
  • 有货
    • 立即购买
    SESMF3V3C
    型号：SESMF3V3C 编号：C355255
    封装：SOT-563
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 50+

      ￥0.0626

    • 500+

      ￥0.0611

    • 3000+

      ￥0.0602

    • 6000+

      ￥0.0592
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:60V 电流:200mA
    型号：SE2N7002E 编号：C238634
    封装：SOT-523-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0655

    • 200+

      ￥0.0638

    • 600+

      ￥0.0627

    • 3000+

      ￥0.0616
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：SEBT3906U 编号：C393130
    封装：SOT-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    PNP开关晶体管，采用SOT323塑料封装。NPN互补型号：SEBT3904U
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0688

    • 200+

      ￥0.0672

    • 600+

      ￥0.0662

    • 3000+

      ￥0.0651
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:60V 电流:0.22A
    型号：SE138U 编号：C2920968
    封装：SOT-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。具备完全表征的雪崩电压和电流。改善了直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小巧。表面贴装器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1246

    • 200+

      ￥0.1221

    • 600+

      ￥0.1204

    • 3000+

      ￥0.1042
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 3V截止
    型号：MSEMF3V3LC 编号：C355242
    封装：SOT-553
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这款集成式瞬态电压抑制器（TVS）专为需要瞬态过压保护的应用而设计，适用于打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其集成化设计仅用一个封装就能为独立线路提供非常有效且可靠的保护。这些器件非常适合印刷电路板空间有限的情况
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1864

    • 100+

      ￥0.1821

    • 300+

      ￥0.1792

    • 1000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 45V截止 峰值脉冲电流：5.5A
    型号：SMAJ45CA 编号：C355277
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。 快速响应时间：对于单向类型，通常从0V/lts到VBR小于1.0ps。 典型反向电流：在10V以上小于1μA
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2274

    • 100+

      ￥0.2222

    • 300+

      ￥0.2187

    • 1000+

      ￥0.2153
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SE3401B 编号：C396092
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    P沟道 -20V -2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.231

    • 200+

      ￥0.1824

    • 600+

      ￥0.1554

    • 3000+

      ￥0.1177

    • 9000+

      ￥0.1036

    • 21000+

      ￥0.0961
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强型场效应晶体管,电流:6A,耐压:20V
    型号：SE8205A 编号：C238644
    封装：SOT-23-6
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) = 21mΩ @ VGS=4.5。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 20+

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    双向TVS 8V截止
    型号：SEBLC08C 编号：C355198
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。
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    PNP晶体管,电流:0.3A,耐压:20V
    型号：SE720 编号：C238662
    封装：DFN-6L-EP(2x2)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    结合了PNP低VCEsat小信号晶体管和N沟道沟槽MOSFET。驱动要求简单。小封装外形。表面贴装器件
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
    型号：SED8830A 编号：C393124
    封装：DFNWB-6L(2x5)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道，20V
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