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首页 > 热门关键词 > 光宇睿芯二极管
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符合条件商品：共192318件
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描述
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操作
1个N沟道 耐压:80V 电流:130A
型号：SE80130GA 编号：C396080
封装：TO-220
品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
N沟道 80V 130A
数据手册

  • 1+

    ￥6.61

  • 10+

    ￥5.32

  • 50+

    ￥4.68

  • 100+

    ￥4.04

  • 500+

    ￥3.66

  • 1000+

    ￥3.46
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:160A
    型号：SE80160G 编号：C393142
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道，80V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.74

    • 10+

      ￥7.23

    • 30+

      ￥6.4

    • 100+

      ￥5.46

    • 500+

      ￥5.04

    • 1000+

      ￥4.85
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:1500V 电流:3A
    型号：SE3N150P 编号：C2920986
    封装：TO-3PF-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这系列是高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.81

    • 10+

      ￥7.33

    • 30+

      ￥6.27

    • 100+

      ￥5.35

    • 500+

      ￥4.94

    • 1000+

      ￥4.76
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:288A
    型号：SE40300GTS 编号：C238616
    封装：TO-247AC-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改善直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥9.36

    • 10+

      ￥7.74

    • 30+

      ￥6.85

    • 90+

      ￥5.85

    • 510+

      ￥5.4

    • 1200+

      ￥5.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:110A
    型号：SE150110G 编号：C238604
    封装：TO-263-2
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。简单的驱动要求，小封装外形，表面贴装器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥14.69

    • 10+

      ￥12.43

    • 30+

      ￥11.02

    • 100+

      ￥9.57

    • 500+

      ￥8.92

    • 800+

      ￥8.63
  • 有货
    • 立即购买
    停产 网络接口三极过压保护
    型号：LT3010 编号：C359181
    封装：SO-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    LT3010是一款低电容瞬态浪涌抑制器，专为高速率通信网络保护而设计。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.89

    • 10+

      ￥2.29

    • 30+

      ￥2.03

    • 100+

      ￥1.7

    • 500+

      ￥1.36

    • 1000+

      ￥1.28
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 3V截止
    型号：SEBLC03C 编号：C355196
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3539

    • 100+

      ￥0.2819

    • 300+

      ￥0.2459

    • 3000+

      ￥0.2189

    • 6000+

      ￥0.1973

    • 9000+

      ￥0.1865
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：SE100130GA 编号：C238633
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    使用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.55

    • 10+

      ￥4.47

    • 50+

      ￥3.93

    • 100+

      ￥3.39

    • 500+

      ￥3.07

    • 1000+

      ￥2.9
  • 订货
    • 我要订货
    SEMF05LCC
    型号：SEMF05LCC 编号：C355235
    封装：SOT-363
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0574

    • 500+

      ￥0.056

    • 3000+

      ￥0.055

    • 6000+

      ￥0.054
  • 订货
    • 我要订货
    TVS
    型号：SESOT12CLC 编号：C355246
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

    • 20+

      ￥0.2256

    • 200+

      ￥0.1797

    • 600+

      ￥0.1542

    • 3000+

      ￥0.1389

    • 9000+

      ￥0.1256

    • 21000+

      ￥0.1185
  • 订货
    • 我要订货
    停产 双通道增强型MOSFET 2个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A
    型号：SE7314 编号：C238694
    封装：SOIC-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SE7314采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，且在极小外形尺寸的表面贴装中需要低在线功耗。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4261

    • 50+

      ￥0.4161

    • 150+

      ￥0.4093

    • 500+

      ￥0.4026
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：SED3030M 编号：C238665
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于多种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6876

    • 50+

      ￥0.6732

    • 150+

      ￥0.6636

    • 500+

      ￥0.654
  • 订货
    • 我要订货
    SE6080GLB
    型号：SE6080GLB 编号：C5272818
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0474

    • 50+

      ￥1.0237

    • 150+

      ￥1.008

    • 500+

      ￥0.9922
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：SE3080G 编号：C238669
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.7484

    • 10+

      ￥1.3553

    • 30+

      ￥1.1868

    • 100+

      ￥0.9766

    • 500+

      ￥0.883

    • 1000+

      ￥0.8268
  • 订货
    • 我要订货
    MOS管
    型号：SE60130G 编号：C5182600
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥2.18

    • 10+

      ￥2.13

    • 30+

      ￥2.09

    • 100+

      ￥2.06
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE40160G 编号：C5182598
    封装：DFN(5x6)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完全表征的雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.32

    • 10+

      ￥2.27

    • 30+

      ￥2.24

    • 100+

      ￥2.2
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE60210G 编号：C19631221
    封装：TO-263
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

    • 1+

      ￥2.43

    • 10+

      ￥2.38

    • 30+

      ￥2.34

    • 100+

      ￥2.3
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET
    型号：SE40200G 编号：C5182599
    封装：DFN(5x6)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.45

    • 10+

      ￥3.38

    • 30+

      ￥3.33

    • 100+

      ￥3.27
  • 订货
    • 我要订货
    SE20NS60TS
    型号：SE20NS60TS 编号：C5272816
    封装：TO-247S
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥11.5

    • 10+

      ￥9.72

    • 30+

      ￥8.25

    • 90+

      ￥7.11

    • 510+

      ￥6.6

    • 1200+

      ￥6.38
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
    型号：SE100250GTS 编号：C238614
    封装：TO-247AC-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥14.78

    • 10+

      ￥12.52

    • 30+

      ￥11.02

    • 90+

      ￥9.57

    • 510+

      ￥8.92

    • 1200+

      ￥8.63
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:150V 电流:180A
    型号：SE150180GTS 编号：C396089
    封装：TO-247S
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥18.61

    • 10+

      ￥15.75

    • 30+

      ￥13.96

    • 90+

      ￥12.12

    • 510+

      ￥11.29

    • 990+

      ￥10.94
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：SE110NS65FR 编号：C19631226
    封装：TO-247
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

    • 1+

      ￥36.52

    • 10+

      ￥35.66

    • 30+

      ￥35.08

    • 90+

      ￥34.5
  • 订货
    • 我要订货
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A 停产
    型号：SE3407 编号：C390576
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2758

    • 100+

      ￥0.2182

    • 300+

      ￥0.1894

    • 3000+

      ￥0.167

    • 6000+

      ￥0.1497

    • 9000+

      ￥0.141
  • 订货
    • 我要订货
    TVS 24V截止 停产
    型号：SEBLC24C 编号：C355201
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌和其他感应电压引起的瞬变影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4033

    • 100+

      ￥0.3247

    • 300+

      ￥0.2854

    • 3000+

      ￥0.2278

    • 6000+

      ￥0.2042

    • 9000+

      ￥0.1925
  • 订货
    • 我要订货
    互补增强模式场效应晶体管 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
    型号：SE4606 编号：C238710
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：n沟道，VDS(V) = 30V ，ID = 8.5A，RDS(ON) < 26mΩ (VGS=10V)，RDS(ON) < 40mΩ (VGS=4.5V)。 p沟道，VDS(V) = -30V ，ID = -4.9A，RDS(ON) < 53mΩ (VGS=10V)，RDS(ON) < 85mΩ (VGS=4.5V)。应用：台式机或DC/DC转换器的电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3603

    • 50+

      ￥0.3519

    • 150+

      ￥0.3464

    • 500+

      ￥0.3408
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:650V 电流:14A
    型号：SED14N65G 编号：C729821
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改进直通FOM。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥5.2

    • 10+

      ￥4.17

    • 30+

      ￥3.65

    • 100+

      ￥3.14

    • 500+

      ￥2.78

    • 1000+

      ￥2.62
  • 订货
    • 我要订货
    停产 N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:200V
    型号：SE200100G 编号：C238599
    封装：TO-247
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.66

    • 10+

      ￥8.44

    • 30+

      ￥8.29

    • 100+

      ￥8.15
  • 订货
    • 我要订货
    100V 150mA
    型号：1N4148W 编号：C7420318
    封装：SOD-123
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：快速开关器件 (Trr < 4ns)。 功率耗散400mW。 高稳定性和高可靠性。 低反向泄漏。应用：小信号开关。 超高速开关应用

    • 100+

      ￥0.0344

    • 1000+

      ￥0.0295

    • 3000+

      ￥0.0241

    • 9000+

      ￥0.0224

    • 51000+

      ￥0.0218

    • 99000+

      ￥0.0214
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:3A
    型号：SS34 编号：C7420365
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 带保护环，用于过压保护。 低功耗，高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：高速开关应用。 电路保护

    • 20+

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    100V 150mA
    型号：1N4148WT 编号：C7420320
    封装：SOD-523
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VR = 100V。 I(AV) = 150mA。 功率耗散为150mW。 快速开关速度。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：用于低电压高频电路信号

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