光宇睿芯二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SE80130GA 编号：C396080

封装：TO-220

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 80V 130A

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥3.58
50+
￥3.52
100+
￥3.46

有货

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型号：SE80160G 编号：C393142

封装：TO-263

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道，80V

数据手册

1+
￥5.14
10+
￥5.01
30+
￥4.93
100+
￥4.85

有货

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型号：SE120120GA 编号：C393145

封装：TO-220

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 120V

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥4.71
50+
￥4.01
100+
￥3.46
500+
￥3.14
1000+
￥2.97

有货

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型号：SE3N150P 编号：C2920986

封装：TO-3PF-3

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

这系列是高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。

数据手册

1+
￥8.81
10+
￥7.33
30+
￥6.27
100+
￥5.35
500+
￥4.94
1000+
￥4.76

有货

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型号：SE100300 编号：C5138327

封装：TOLL

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。小封装外形。表面贴装器件

数据手册

1+
￥9.59
10+
￥9.37
30+
￥9.23
100+
￥8.63

有货

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型号：SE150110G 编号：C238604

封装：TO-263-2

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。简单的驱动要求，小封装外形，表面贴装器件。

数据手册

1+
￥14.69
10+
￥12.43
30+
￥11.02
100+
￥9.57
500+
￥8.92
800+
￥8.63

有货

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型号：SE100250GTS 编号：C238614

封装：TO-247AC-3

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件

数据手册

1+
￥14.78
10+
￥12.52
30+
￥11.02
90+
￥9.57
510+
￥8.92
1200+
￥8.63

有货

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型号：SE1991G 编号：C238608

封装：TO-263

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

该系列是高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。

数据手册

1+
￥6.43
10+
￥5.22
50+
￥4.4
100+
￥3.8
500+
￥3.44
800+
￥3.25

有货

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型号：LT3010 编号：C359181

封装：SO-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

LT3010是一款低电容瞬态浪涌抑制器，专为高速率通信网络保护而设计。

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1+
￥1.55
10+
￥1.52
30+
￥1.5
100+
￥1.47

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型号：SE6020DB 编号：C396090

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 60V 20A

数据手册

5+
￥1.0326
50+
￥0.8058
150+
￥0.7086
500+
￥0.5873
2500+
￥0.505
5000+
￥0.4725

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型号：SEMF05LCC 编号：C355235

封装：SOT-363

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

数据手册

50+
￥0.0574
500+
￥0.056
3000+
￥0.055
6000+
￥0.054

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型号：LT3021 编号：C359180

封装：SO-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

LT3021 是一种低电容瞬态浪涌抑制器，专为高比特率通信网络的保护而设计。其低电容特性避免了信号失真，使其适用于 T1/E1 和以太网网络。

数据手册

5+
￥1.5282
50+
￥1.1955
150+
￥1.053
500+
￥0.8751
2500+
￥0.7761
4000+
￥0.7286

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型号：SESOT12CLC 编号：C355246

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

20+
￥0.2256
200+
￥0.1797
600+
￥0.1542
3000+
￥0.1389
9000+
￥0.1256
21000+
￥0.1185

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型号：SE7314 编号：C238694

封装：SOIC-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SE7314采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，且在极小外形尺寸的表面贴装中需要低在线功耗。

数据手册

5+
￥0.4261
50+
￥0.4161
150+
￥0.4093
500+
￥0.4026

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型号：SED3030M 编号：C238665

封装：DFN-8(3x3)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于多种应用。

数据手册

5+
￥0.6876
50+
￥0.6732
150+
￥0.6636
500+
￥0.654

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型号：SE6080GLB 编号：C5272818

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

数据手册

5+
￥1.0474
50+
￥1.0237
150+
￥1.008
500+
￥0.9922

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型号：SE3080G 编号：C238669

封装：DFN-8(5x6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

数据手册

1+
￥1.7484
10+
￥1.3553
30+
￥1.1868
100+
￥0.9766
500+
￥0.883
1000+
￥0.8268

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型号：SE60130G 编号：C5182600

封装：TO-263

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

数据手册

1+
￥2.18
10+
￥2.13
30+
￥2.09
100+
￥2.06

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型号：SE40160G 编号：C5182598

封装：DFN(5x6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完全表征的雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件。

数据手册

1+
￥2.32
10+
￥2.27
30+
￥2.24
100+
￥2.2

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型号：SE60210G 编号：C19631221

封装：TO-263

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

1+
￥2.43
10+
￥2.38
30+
￥2.34
100+
￥2.3

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型号：SE40200G 编号：C5182599

封装：DFN(5x6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

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1+
￥3.45
10+
￥3.38
30+
￥3.33
100+
￥3.27

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型号：SE20NS60TS 编号：C5272816

封装：TO-247S

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

数据手册

1+
￥11.5
10+
￥9.72
30+
￥8.25
90+
￥7.11
510+
￥6.6
1200+
￥6.38

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型号：SE150180GTS 编号：C396089

封装：TO-247S

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

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1+
￥18.61
10+
￥15.75
30+
￥13.96
90+
￥12.12
510+
￥11.29
990+
￥10.94

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型号：SE110NS65FR 编号：C19631226

封装：TO-247

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

1+
￥36.52
10+
￥35.66
30+
￥35.08
90+
￥34.5

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型号：SESD5L5V 编号：C355208

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

ESD5L5V 旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。由于其电容较低，它适用于 USB 2 等高频设计

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20+
￥0.2201
200+
￥0.1726
600+
￥0.1462
3000+
￥0.1238
9000+
￥0.11
21000+
￥0.1026

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型号：SE3407 编号：C390576

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件

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10+
￥0.2758
100+
￥0.2182
300+
￥0.1894
3000+
￥0.167
6000+
￥0.1497
9000+
￥0.141

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型号：SE4606 编号：C238710

封装：SOP-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n沟道，VDS(V) = 30V ，ID = 8.5A，RDS(ON) < 26mΩ (VGS=10V)，RDS(ON) < 40mΩ (VGS=4.5V)。 p沟道，VDS(V) = -30V ，ID = -4.9A，RDS(ON) < 53mΩ (VGS=10V)，RDS(ON) < 85mΩ (VGS=4.5V)。应用：台式机或DC/DC转换器的电源管理

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