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价格(含税)

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停产单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：12A

型号：SESDFBP05V 编号：C355206

封装：WBFBP-02C

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESDFBPxxV静电放电（ESD）保护二极管专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与多层压敏电阻相比，不会出现器件性能退化的问题。

数据手册

50+
￥0.0733
500+
￥0.0571
1500+
￥0.0481
5000+
￥0.0427
25000+
￥0.0381
50000+
￥0.0355

订货

我要订货

单向TVS 12V截止

型号：SESOT12C 编号：C355228

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESOTXXC是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬变，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器工作。

数据手册

20+
￥0.1356
200+
￥0.1327
600+
￥0.1308
3000+
￥0.1175

有货

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单向TVS 24V截止

型号：SESOT24C 编号：C355229

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESOTXXC是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正向瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负向瞬变，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。仅连接引脚1和2时，它还可作为双向抑制器工作。

数据手册

10+
￥0.1549
100+
￥0.151
300+
￥0.1484
1000+
￥0.1458

订货

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双向TVS 64V截止峰值浪涌电流：29.1A@10/1000us

型号：SMDJ64CA 编号：C2920973

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

这款贴片二极管用于保护应用电路，具备出色的钳位能力。

数据手册

5+
￥0.4012
50+
￥0.3931
150+
￥0.3877
500+
￥0.3823

订货

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双向ESD 5V截止峰值脉冲电流：12A

型号：SESDFBP05CL 编号：C355205

封装：WBFBP-02L

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESDFBP05CL静电保护二极管旨在取代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。

数据手册

20+
￥0.0749
200+
￥0.073
600+
￥0.0718
2000+
￥0.0706

订货

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双向ESD 5V截止

型号：TVSS5VCES-02GP-J 编号：C355254

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

TVSS5VCES - 02GP - J 旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。

数据手册

20+
￥0.1855
200+
￥0.142
600+
￥0.1179
3000+
￥0.0999
9000+
￥0.0873
21000+
￥0.0805

有货

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TVS 5V截止

型号：SESD5Z5V 编号：C19631222

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z 系列旨在保护电压敏感器件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。

20+
￥0.1695
200+
￥0.1317
600+
￥0.1107
5000+
￥0.0981
10000+
￥0.0872
20000+
￥0.0813

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:70A

型号：SED10070GG 编号：C396083

封装：DFN-8(5x6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 100V 70A

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.45
30+
￥2.15
100+
￥1.77
500+
￥1.58
1000+
￥1.48

有货

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N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:40V 电流:60A

型号：SED4060GM 编号：C238672

封装：DFN-8(3x3)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于各种应用。

数据手册

5+
￥2.0753
50+
￥1.6217
150+
￥1.4273
500+
￥1.1847
2500+
￥1.0767
5000+
￥1.0119

有货

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P沟道耐压:20V 电流:0.9A

型号：SE2101 编号：C2920967

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

这是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，特别是电池供电电路。

数据手册

20+
￥0.1377
200+
￥0.1215
600+
￥0.1124
3000+
￥0.0926
9000+
￥0.0879
21000+
￥0.0854

有货

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P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-30V

型号：SE30P50B 编号：C238706

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计，实现超低导通电阻、完全表征的雪崩电压和电流、改进的直通 FOM、简单的驱动要求；小封装外形；表面贴装器件

数据手册

5+
￥1.6497
50+
￥1.4502
150+
￥1.3647
500+
￥1.2581
3000+
￥1.1353
6000+
￥1.1068

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:13A

型号：SE01P13K 编号：C238707

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件

5+
￥2.0812
50+
￥1.6376
150+
￥1.4476
500+
￥1.2104
2500+
￥1.1048
5000+
￥1.0414

有货

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N沟道增强型MOSFET 2个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：SE3082G 编号：C238670

封装：DFN-8(5.2x5.6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改善直通品质因数。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件

数据手册

5+
￥2.3664
50+
￥1.8725
150+
￥1.6608
500+
￥1.3967
2500+
￥1.1027
5000+
￥1.0321

有货

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双向ESD 5V截止

型号：SESD3Z08C 编号：C355245

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

用于保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。

数据手册

20+
￥0.229
200+
￥0.1777
600+
￥0.1492
3000+
￥0.1321
9000+
￥0.1173
21000+
￥0.1093

有货

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N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:45V 电流:56A

型号：SE4060GB 编号：C238624

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件

数据手册

5+
￥1.9463
50+
￥1.5331
150+
￥1.3559
500+
￥1.1349
2500+
￥1.0144
5000+
￥0.9553

有货

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MOSFET

型号：SE30150G 编号：C19631229

封装：DFN5X6-8L

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SE30150G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为

5+
￥2.3231
50+
￥1.8241
150+
￥1.6103
500+
￥1.3435
2500+
￥1.2247
5000+
￥1.1534

有货

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N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:150V

型号：SE150180G 编号：C238602

封装：TO-263

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。驱动要求简单。封装外形小。为表面贴装器件。

数据手册

1+
￥16.11
10+
￥13.97
30+
￥12.62
100+
￥9.09
500+
￥8.47
800+
￥8.2

有货

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NPN 电流:500mA 电压:25V

型号：SEBT9013 编号：C393128

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：AM/FM放大器，FM/VHF调谐器的本地振荡器。高电流增益带宽积。应用：逆变器。接口

数据手册

50+
￥0.1161
500+
￥0.0891
3000+
￥0.0741
6000+
￥0.0651
24000+
￥0.0573
51000+
￥0.053

有货

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小信号MOSFET

型号：SE2102E 编号：C5116037

封装：SOT-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

数据手册

20+
￥0.1968
200+
￥0.154
600+
￥0.1303
3000+
￥0.1128
9000+
￥0.1004
21000+
￥0.0937

有货

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双向ESD 5V截止

型号：SESD5Z5CL 编号：C393122

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z5CL旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523
2000+
￥0.1352
8000+
￥0.1087
16000+
￥0.1007

有货

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N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：SED3080M 编号：C238667

封装：DFN-8(3x3)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。

数据手册

5+
￥1.0621
50+
￥0.8353
150+
￥0.7381
500+
￥0.6168
2500+
￥0.5313
5000+
￥0.4989

有货

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N沟道耐压:650V 电流:18A

型号：SE18NS65F 编号：C2920979

封装：TO-220F

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥3.04
50+
￥2.53
100+
￥2.36
500+
￥2.26
1000+
￥2.2

有货

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双向ESD 12V截止

型号：SESD3Z12C 编号：C355241

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3ZxxC 旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。

数据手册

20+
￥0.191
200+
￥0.1505
600+
￥0.128
3000+
￥0.1021
9000+
￥0.0904
21000+
￥0.084

有货

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互补增强模式场效应晶体管 1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:4.2A

型号：SE4607 编号：C238650

封装：SO-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：N-Channel。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 20mΩ @ VGS=4.5V。 P-Channel。 VDS = -20V。 RDS(ON) = 100mΩ @ VGS=4.5V。应用：台式机或DC/DC LCD显示器转换器中的电源管理

数据手册

10+
￥0.3365
100+
￥0.2965
300+
￥0.2765
1000+
￥0.2615
4000+
￥0.241
8000+
￥0.235

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：SE6003C 编号：C417334

封装：TO-251

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道,60V,3A,85mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.4805
50+
￥0.4175
160+
￥0.386
480+
￥0.3624
2480+
￥0.3435
4960+
￥0.334

有货

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LED开路保护器件

型号：SEDA 编号：C730095

封装：SMA

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

5+
￥0.605
50+
￥0.527
150+
￥0.488
500+
￥0.4587
2500+
￥0.4353
5000+
￥0.4236

有货

立即购买

1个P沟道耐压:40V 电流:20A

型号：SE40P20B 编号：C396091

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

P沟道 -40V -20A

数据手册

5+
￥1.0958
50+
￥0.8539
150+
￥0.7502
500+
￥0.6208
2500+
￥0.5607
5000+
￥0.5262

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:60A

型号：SED4060G 编号：C238671

封装：DFN-8(5x6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)，可用于各种应用。

数据手册

5+
￥2.3887
50+
￥1.8948
150+
￥1.6831
500+
￥1.2368
2500+
￥1.1192
5000+
￥1.0486

有货

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单向ESD 3V截止

型号：SESD9D3V3 编号：C355226

封装：SOD-923

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD9D系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求较高的便携式应用。

数据手册

20+
￥0.133
200+
￥0.1033
600+
￥0.0868
2000+
￥0.0769
8000+
￥0.0683
16000+
￥0.0637

有货

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TVS 6V截止

型号：SESD5Z6V 编号：C355218

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。

数据手册

20+
￥0.1628
200+
￥0.1277
600+
￥0.1082
3000+
￥0.0849
9000+
￥0.0748
21000+
￥0.0693

有货

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