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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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稳压二极管 耐压:30V 电流:0.1uA@23V
型号：MM1Z30BW 编号：C4749075
封装：SOD-123W
品牌：晶导微电子
特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%
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    耐压:39V 电流:2uA@30V
    型号：MM1Z39BW 编号：C4749072
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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    耐压:6.2V 电流:1uA@3V
    型号：MM1Z6V2BW 编号：C4749059
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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    电压:100V 电流:10A
    型号：MBR10100DT 编号：C668187
    封装：TO-252-2
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C10SW 编号：C3019322
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C6V8SW 编号：C3019293
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z18W 编号：C3019212
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z13W 编号：C3019214
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z7V5W 编号：C3019199
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
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    耐压:800V 电流:1A
    型号：MB8S-10 编号：C437890
    封装：MBS
    品牌：晶导微电子
    特性：玻璃钝化芯片结。 反向电压：100至1000V。 正向电流：1A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

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    独立式 耐压:4.7V 电流:2uA@1V
    型号：MM3Z4V7B 编号：C2826559
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大 300mW。宽齐纳反向电压范围 2.0V 至 75V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约 ±2%
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    独立式 耐压:9.1V 电流:500nA@6V
    型号：BZT52C9V1S 编号：C353503
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z13B 编号：C438312
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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    耐压:4.3V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C4V3A 编号：C5155262
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
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    耐压:12V 电流:0.1uA@9V
    型号：BZX84C12A 编号：C5155277
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
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      ￥0.1129

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z11B 编号：C438310
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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    耐压:2.7V 电流:120uA
    型号：BZX84C2V7A 编号：C5155268
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
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    耐压:10V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z10BW 编号：C4749054
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    • 500+

      ￥0.0893

    • 3000+

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  • 有货
    • 立即购买
    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：150ns
    型号：RS2D 编号：C437737
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 快速反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 50+

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  • 有货
    • 立即购买
    耐压:2.4V 电流:120uA
    型号：MM3Z2V4BW 编号：C4749048
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    • 立即购买
    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C2V4 编号：C353542
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至39V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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      ￥0.1178

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  • 订货
    • 我要订货
    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2DF 编号：C437776
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 高效率。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令，无铅
    数据手册

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    耐压:600V 电流:0.8A
    型号：MB6F 编号：C108825
    封装：MBF
    品牌：晶导微电子
    0.8A,42MIL（非标准版）

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    耐压:1000V 电流:1A
    型号：TB10F-10 编号：C382847
    封装：ABF
    品牌：晶导微电子
    特性：玻璃钝化芯片结-反向电压。 100 至 1000 V-正向电流。 1 A-高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
    数据手册

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      ￥0.1198

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    • 立即购买
    独立式 耐压:2.4V 电流:50uA
    型号：BZT52C2V4S 编号：C353541
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

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  • 有货
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z8V2B 编号：C438308
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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      ￥0.0661

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  • 订货
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    1kV 5A
    型号：G510DA 编号：C668168
    封装：TO-252-2
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

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    耐压:1000V 电流:0.5A
    型号：MB10F-05 编号：C3027205
    封装：MBF
    品牌：晶导微电子
    特性：玻璃钝化芯片结。 反向电压：100至1000 V。 正向电流：0.5 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
    数据手册

    • 20+

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    • 200+

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    • 5000+

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    • 20000+

      ￥0.0583
  • 订货
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    电压:100V 电流:3A
    型号：MBR3100DS 编号：C668261
    封装：TO-252
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

    • 20+

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    • 200+

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    • 600+

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  • 有货
    • 立即购买
    1kV 5A
    型号：G510DS 编号：C668169
    封装：TO-252-2
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
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