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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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硅平面齐纳二极管
型号：MM3Z2V0W 编号：C3027201
封装：SOD-323W
品牌：晶导微电子
特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
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    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V3S 编号：C353519
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：1SMAF4732A 编号：C353588
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z3V6B 编号：C438302
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

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    独立式 耐压:39V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z39 编号：C401090
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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    ES1JF 50MIL
    型号：ES1JF (50MIL) 编号：C169525
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子

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    独立式 耐压:33V 电流:0.1uA
    型号：MM1Z33 编号：C128711
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    33V 0.5W
    数据手册

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    200V 2A
    型号：S2DF 编号：C5155226
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。薄型封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
    数据手册

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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：MM3Z11 编号：C382867
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C2V7W 编号：C4749098
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.5uA@5V
    型号：MM1Z8V2 编号：C382806
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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    耐压:18V 电流:0.1uA
    型号：MM1Z18BW 编号：C3019284
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C2V4W 编号：C4749099
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C39W 编号：C4749093
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1025

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      ￥0.0799

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      ￥0.0647
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    耐压:16V 电流:0.1uA@12V
    型号：MM3Z16BW 编号：C5157062
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1033

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    • 3000+

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    耐压:50V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2AF 编号：C437774
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 高效率。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令，无铅
    数据手册

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      ￥0.1044

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    • 3000+

      ￥0.0683
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    耐压:2V 电流:120uA@0.5V
    型号：MM1Z2V0W 编号：C3027203
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:11V 电流:0.1uA
    型号：BZX84C11A 编号：C4749028
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C8V2SW 编号：C4749087
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

    • 500+

      ￥0.0819

    • 3000+

      ￥0.0661
  • 有货
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    耐压:68V 电流:0.1uA@52V
    型号：MM3Z68W 编号：C4749032
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

    • 500+

      ￥0.0819

    • 3000+

      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    200V 2A
    型号：S2DB 编号：C382937
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：晶导微电子
    表面贴装通用硅整流器，反向电压为50至1000V，正向电流为2A。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1059

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      ￥0.0649
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z27W 编号：C3019209
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1065

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      ￥0.0828

    • 3000+

      ￥0.0696
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:3V 电流:50uA@1V
    型号：MM1Z3V0BW 编号：C4749071
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1067

    • 500+

      ￥0.0824

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      ￥0.0689
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@1.5V
    型号：MM1Z5V1BW 编号：C3019270
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1067

    • 500+

      ￥0.0824

    • 3000+

      ￥0.0689
  • 有货
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C4V3SW 编号：C3019303
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1074

    • 500+

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    • 3000+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C7V5SW 编号：C4749088
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1074

    • 500+

      ￥0.0837

    • 3000+

      ￥0.0678
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    耐压:50V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：ES2AF 编号：C437831
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 超快反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1075

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      ￥0.0574

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      ￥0.0507

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    200V 1A
    型号：S1DF 编号：C437597
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 50+

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    • 3000+

      ￥0.0707
  • 有货
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    耐压:47V 电流:2uA
    型号：MM1Z47BW 编号：C4749066
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:43V 电流:2uA@33V
    型号：MM1Z43BW 编号：C4749067
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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      ￥0.1094

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