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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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描述
价格(含税)
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操作
200V 1A
型号：S1DF 编号：C437597
封装：SMAF
品牌：晶导微电子
特性：适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
数据手册

  • 50+

    ￥0.108

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    耐压:100V 电流:2A 反向恢复时间：150ns
    型号：RS2BF 编号：C437720
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 快速反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
    数据手册

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      ￥0.1085

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    • 立即购买
    电压:100V 电流:200mA
    型号：BAV99WG 编号：C48937469
    封装：SOT-323
    品牌：晶导微电子
    晶导. BAV99WG B99 SOT-323

    • 50+

      ￥0.1092

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      ￥0.0717
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    耐压:47V 电流:2uA
    型号：MM1Z47BW 编号：C4749066
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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      ￥0.0851

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      ￥0.0716
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    • 立即购买
    耐压:24V 电流:0.1uA@19V
    型号：MM1Z24BW 编号：C4749080
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1094

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    耐压:43V 电流:2uA@33V
    型号：MM1Z43BW 编号：C4749067
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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      ￥0.1094

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      ￥0.0851

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      ￥0.0716
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    耐压:36V 电流:0.1uA@27V
    型号：MM1Z36BW 编号：C4749073
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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    稳压二极管 耐压:30V 电流:0.1uA@23V
    型号：MM1Z30BW 编号：C4749075
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%
    数据手册

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    50V 2A
    型号：RS2A 编号：C437735
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 快速反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

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    电压:100V 电流:10A
    型号：MBR10100DT 编号：C668187
    封装：TO-252-2
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1097

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    独立式 耐压:4.7V 电流:2uA@1V
    型号：MM3Z4V7B 编号：C2826559
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大 300mW。宽齐纳反向电压范围 2.0V 至 75V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约 ±2%
    数据手册

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    耐压:20V 电流:0.1uA@15V
    型号：BZX84C20A 编号：C5155273
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
    数据手册

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    独立式 耐压:9.1V 电流:500nA@6V
    型号：BZT52C9V1S 编号：C353503
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z13B 编号：C438312
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@1.5V
    型号：MM1Z5V1BW 编号：C3019270
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

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    耐压:3.9V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C3V9A 编号：C5155263
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
    数据手册

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    耐压:4.3V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C4V3A 编号：C5155262
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

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      ￥0.0706
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    耐压:4.7V 电流:2uA@1V
    型号：BZX84C4V7A 编号：C5155261
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.0875

    • 3000+

      ￥0.0706
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z11B 编号：C438310
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.0689

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      ￥0.0606

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      ￥0.0535

    • 51000+

      ￥0.0496
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:2.7V 电流:120uA
    型号：BZX84C2V7A 编号：C5155268
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1147

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    • 立即购买
    耐压:100V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2BF 编号：C437775
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 高效率。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令，无铅
    数据手册

    • 50+

      ￥0.115

    • 500+

      ￥0.0909

    • 3000+

      ￥0.0717

    • 6000+

      ￥0.0636

    • 24000+

      ￥0.0566

    • 51000+

      ￥0.0529
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:10V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z10BW 编号：C4749054
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:3.6V 电流:10uA@1V
    型号：MM3Z3V6BW 编号：C4749041
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1153

    • 500+

      ￥0.0893

    • 3000+

      ￥0.0721
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    耐压:47V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z47BW 编号：C4749040
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1153

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      ￥0.0893

    • 3000+

      ￥0.0721
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    耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：MM3Z9V1BW 编号：C4749029
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1153

    • 500+

      ￥0.0893

    • 3000+

      ￥0.0721
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：150ns
    型号：RS2D 编号：C437737
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 快速反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1157

    • 500+

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      ￥0.0762
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    耐压:2.4V 电流:120uA
    型号：MM3Z2V4BW 编号：C4749048
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1172

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    40V 1A
    型号：B5819WSFL 编号：C7469119
    封装：SOD-323FL
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。应用：低压、高频逆变器。 续流

    • 20+

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    • 200+

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      ￥0.0556
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    耐压:1000V 电流:1A
    型号：TB10F-10 编号：C382847
    封装：ABF
    品牌：晶导微电子
    特性：玻璃钝化芯片结-反向电压。 100 至 1000 V-正向电流。 1 A-高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1198

    • 500+

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      ￥0.0796
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    • 立即购买
    独立式 耐压:51V 电流:0.1uA@39V
    型号：MM3Z51 编号：C438345
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1212

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      ￥0.0952

    • 3000+

      ￥0.0756
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