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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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硅平面齐纳二极管
型号：MM1Z6V2B 编号：C438307
封装：SOD-123
品牌：晶导微电子
特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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    100V 200mA
    型号：MMBD4148CC 编号：C4749122
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：快速开关速度。 适用于通用开关应用。 高电导
    数据手册

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    400V 2A
    型号：S2G 编号：C437620
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
    数据手册

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    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V3S 编号：C353519
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z2V0W 编号：C3027201
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：1SMAF4732A 编号：C353588
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z3V6B 编号：C438302
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C11S 编号：C353561
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    独立式 耐压:39V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z39 编号：C401090
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
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    ES1JF 50MIL
    型号：ES1JF (50MIL) 编号：C169525
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子

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    独立式 耐压:33V 电流:0.1uA
    型号：MM1Z33 编号：C128711
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z9V1B 编号：C438309
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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    耐压:62V 电流:0.2uA@47V
    型号：MM1Z62W 编号：C4749061
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
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    耐压:4.3V 电流:5uA@1V
    型号：MM1Z4V3B 编号：C438303
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C16W 编号：C3019315
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.5uA@5V
    型号：MM1Z8V2 编号：C382806
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z68B 编号：C438325
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1023

    • 500+

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    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.057

    • 24000+

      ￥0.0508

    • 51000+

      ￥0.0474
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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C39W 编号：C4749093
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 50+

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    耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：150ns
    型号：RS2GF 编号：C437722
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 快速反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1027

    • 500+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C33SW 编号：C4749096
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.103

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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2DBF 编号：C128738
    封装：SMBF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。高效率。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
    数据手册

    • 50+

      ￥0.103

    • 500+

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    • 立即购买
    耐压:16V 电流:0.1uA@12V
    型号：MM3Z16BW 编号：C5157062
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:50V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2AF 编号：C437774
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 高效率。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令，无铅
    数据手册

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    • 3000+

      ￥0.0683
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:62V 电流:0.1uA@47V
    型号：MM3Z62W 编号：C4749033
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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    耐压:11V 电流:0.1uA
    型号：BZX84C11A 编号：C4749028
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

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      ￥0.0819

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      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C8V2SW 编号：C4749087
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C3V6SW 编号：C4749091
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

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    耐压:100V 电流:3A 反向恢复时间：35ns
    型号：SF301DS 编号：C668267
    封装：TO-252-2
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

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      ￥0.1059

    • 500+

      ￥0.0816

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  • 有货
    • 立即购买
    200V 2A
    型号：S2DB 编号：C382937
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：晶导微电子
    表面贴装通用硅整流器，反向电压为50至1000V，正向电流为2A。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1059

    • 500+

      ￥0.0831

    • 3000+

      ￥0.0649
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C7V5SW 编号：C4749088
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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