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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
120V 250mA
型号：BAV19W 编号：C382962
封装：SOD-123
品牌：晶导微电子
特性：适用于表面贴装应用。 玻璃钝化芯片结。 快速反向恢复时间。 适合自动贴装。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
数据手册

  • 50+

    ￥0.0703

  • 500+

    ￥0.0542

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    ￥0.0453

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    ￥0.0352

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    ￥0.0327
  • 订货
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    40V 350mA
    型号：SD103AWSFL 编号：C7469118
    封装：SOD-323FL
    品牌：晶导微电子
    特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。可忽略的反向恢复时间。低电容

    • 50+

      ￥0.0707

    • 500+

      ￥0.0545

    • 3000+

      ￥0.0455

    • 6000+

      ￥0.0401

    • 24000+

      ￥0.0354

    • 51000+

      ￥0.0329
  • 订货
    • 我要订货
    电压:40V 电流:200mA
    型号：BAS40 编号：C18215196
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：低正向电压。 快速开关

    • 20+

      ￥0.0721

    • 200+

      ￥0.0705

    • 600+

      ￥0.0695
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:33V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C33S 编号：C353535
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0736

    • 500+

      ￥0.0573

    • 3000+

      ￥0.0483

    • 6000+

      ￥0.0429

    • 24000+

      ￥0.0382

    • 51000+

      ￥0.0356
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:20V 电流:0.1uA@14V
    型号：BZT52C20S 编号：C353549
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.074

    • 500+

      ￥0.0578

    • 3000+

      ￥0.0488
  • 有货
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    电压:30V 电流:1A
    型号：RB550V-30 编号：C438016
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0763

    • 200+

      ￥0.0746

    • 600+

      ￥0.0734
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    耐压:200V 电流:3A 反向恢复时间：35ns
    型号：ES3DBF 编号：C128701
    封装：SMBF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。玻璃钝化芯片结。超快反向恢复时间。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0777

    • 500+

      ￥0.0611

    • 1500+

      ￥0.0518
  • 有货
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    电压:30V 电流:350mA
    型号：SD103BW 编号：C438002
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：低正向压降。带保护环结构，用于瞬态保护。反向恢复时间可忽略不计。低电容
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0777

    • 500+

      ￥0.0604

    • 3000+

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    • 51000+

      ￥0.0342
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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C33 编号：C353536
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至39V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0778

    • 500+

      ￥0.0605

    • 3000+

      ￥0.0509

    • 6000+

      ￥0.0451

    • 24000+

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      ￥0.0375
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:10V 电流:0.1uA@7V
    型号：MM1Z10W 编号：C3019288
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约 ±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0783

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      ￥0.0604

    • 3000+

      ￥0.0505
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：MM3Z11BW 编号：C5157073
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0811

    • 500+

      ￥0.063

    • 3000+

      ￥0.0529
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:27V 电流:0.1uA@18.9V
    型号：BZT52C27S 编号：C353543
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0824

    • 500+

      ￥0.0651

    • 3000+

      ￥0.0513

    • 6000+

      ￥0.0456

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      ￥0.0406

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      ￥0.0379
  • 订货
    • 我要订货
    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z39B 编号：C438320
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0825

    • 500+

      ￥0.0647

    • 3000+

      ￥0.0505
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA
    型号：MM1Z18W 编号：C2962417
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0837

    • 500+

      ￥0.0648

    • 3000+

      ￥0.0543

    • 6000+

      ￥0.048

    • 24000+

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    • 51000+

      ￥0.0396
  • 订货
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    独立式 耐压:22V 电流:100nA@15.4V
    型号：BZT52C22S 编号：C353547
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0848

    • 500+

      ￥0.0665

    • 3000+

      ￥0.0546
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:4.3V 电流:5uA@1V
    型号：MM1Z4V3BW 编号：C4749065
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0851

    • 500+

      ￥0.0662

    • 3000+

      ￥0.0557
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:3.9V 电流:5uA@1V
    型号：MM1Z3V9BW 编号：C4749068
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0854

    • 500+

      ￥0.0659

    • 3000+

      ￥0.0551
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:47V 电流:2uA@36V
    型号：MM1Z47B 编号：C438322
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0918

    • 500+

      ￥0.0723

    • 3000+

      ￥0.0615
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z36W 编号：C3019205
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0921

    • 500+

      ￥0.0717

    • 3000+

      ￥0.0581
  • 有货
    • 立即购买
    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C3V6W 编号：C3019306
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0947

    • 500+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0629
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C11S 编号：C353561
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.097

    • 500+

      ￥0.0765

    • 3000+

      ￥0.061
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:0.2A
    型号：BAT54WA 编号：C5155281
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0977

    • 500+

      ￥0.0761

    • 3000+

      ￥0.0617
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:27V 电流:0.1uA@21V
    型号：MMSZ5254BW 编号：C7528228
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±5%

    • 50+

      ￥0.0978

    • 500+

      ￥0.0762

    • 3000+

      ￥0.0642
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:2.7V 电流:120uA@1V
    型号：MM3Z2V7 编号：C382865
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0978

    • 500+

      ￥0.0771

    • 3000+

      ￥0.0616
  • 有货
    • 立即购买
    3.9V 5uA@1V
    型号：MM1Z3V9B 编号：C382778
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0995

    • 500+

      ￥0.0779

    • 3000+

      ￥0.0659
  • 有货
    • 立即购买
    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C2V0W 编号：C4749100
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1

    • 500+

      ￥0.0773

    • 3000+

      ￥0.0647
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z2V4B 编号：C438298
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1004

    • 500+

      ￥0.0788

    • 3000+

      ￥0.0668

    • 6000+

      ￥0.0596

    • 24000+

      ￥0.0534

    • 51000+

      ￥0.05
  • 订货
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    耐压:62V 电流:0.2uA@47V
    型号：MM1Z62W 编号：C4749061
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1009

    • 500+

      ￥0.0782

    • 3000+

      ￥0.0631
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:68V 电流:0.2uA
    型号：MM1Z68W 编号：C4749060
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1009

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      ￥0.0782

    • 3000+

      ￥0.0631
  • 有货
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    耐压:22V 电流:0.1uA@17V
    型号：MM1Z22BW 编号：C4749081
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

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