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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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独立式 耐压:62V 电流:0.1uA@47V
型号：MM3Z62 编号：C382958
封装：SOD-323
品牌：晶导微电子
特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
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    独立式 耐压:4.3V 电流:5uA@1V
    型号：MM3Z4V3 编号：C382870
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0888

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    440V
    型号：TB240S 编号：C779319
    封装：MBS
    品牌：晶导微电子
    特性：无铅涂层/符合RoHS标准。 绿色模塑料（无卤素和锑）。 大耐受浪涌电流能力：200A/220A（@8/20μs）。 较低的钳位电压，在振铃波测试中表现出色。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
    数据手册

    • 50+

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    • 500+

      ￥0.0685

    • 3000+

      ￥0.0564
  • 有货
    • 立即购买
    1kV 2A
    型号：S2MF 编号：C108831
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 玻璃钝化芯片结。 易于贴装。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0892

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      ￥0.0697

    • 3000+

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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：MM1Z11 编号：C169498
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约 ±5%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:22V 电流:0.1uA@17V
    型号：BZX84C22A 编号：C5155272
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
    数据手册

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    独立式 耐压:30V 电流:0.1uA@23V
    型号：MM3Z30 编号：C382869
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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      ￥0.0924

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    耐压:2.4V 电流:120uA@1V
    型号：BZX84C2V4A 编号：C5155269
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
    数据手册

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    独立式 耐压:24V 电流:0.1uA@19V
    型号：MM3Z24 编号：C401089
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0924

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      ￥0.0584
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    耐压:27V 电流:0.1uA@21V
    型号：BZX84C27A 编号：C5155270
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0925

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    BZX84C39A
    型号：BZX84C39A 编号：C7528249
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子

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    耐压:36V 电流:0.1uA@27V
    型号：BZX84C36A 编号：C7528217
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%

    • 50+

      ￥0.0929

    • 500+

      ￥0.0724

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      ￥0.061
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    独立式 耐压:27V 电流:0.1uA@21V
    型号：MM3Z27 编号：C128717
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    27V 0.2W
    数据手册

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    1.3kV 2A
    型号：S2N 编号：C2826570
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。低外形封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0936

    • 500+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C36SW 编号：C4749095
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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      ￥0.061
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z75B 编号：C438326
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

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    耐压:3.3V 电流:20uA@1V
    型号：MM3Z3V3BW 编号：C4749042
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

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      ￥0.0953

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    耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：BZX84C9V1A 编号：C5155254
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%和±5%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：MMSZ5240BW 编号：C7528224
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±5%

    • 50+

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    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.0642
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    耐压:3V 电流:50uA@1V
    型号：MMSZ5225BW 编号：C7528253
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±5%

    • 50+

      ￥0.0985

    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.0649
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    电压:100V 电流:3A
    型号：SS310AHE 编号：C2898972
    封装：SMAHE-C
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0989

    • 500+

      ￥0.0772

    • 1500+

      ￥0.0652
  • 有货
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    耐压:150V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：ES2CF 编号：C437833
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 超快反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0995

    • 500+

      ￥0.0779

    • 3000+

      ￥0.0659
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    耐压:4.3V 电流:5uA@1V
    型号：MM1Z4V3B 编号：C438303
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1018

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      ￥0.0649
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    耐压:33V 电流:0.1uA@25V
    型号：MM1Z33BW 编号：C4749074
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±2%
    数据手册

    • 50+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z27B 编号：C438317
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    • 500+

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    耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：150ns
    型号：RS2GF 编号：C437722
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 快速反向恢复时间。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1029

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z68B 编号：C438325
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

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    电压:20V 电流:1A
    型号：SS12F 编号：C116118
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z6V8B 编号：C382777
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

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    耐压:100V 电流:3A 反向恢复时间：35ns
    型号：SF301DS 编号：C668267
    封装：TO-252-2
    品牌：晶导微电子
    特性：高电流能力。 低正向压降。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

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