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首页 > 热门关键词 > 晶导微电子二极管
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独立式 耐压:3.6V 电流:10uA@1V
型号：MM3Z3V6 编号：C401091
封装：SOD-323
品牌：晶导微电子
特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
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    独立式 耐压:16V 电流:0.1uA@12V
    型号：MM3Z16 编号：C123915
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    16V 0.2W
    数据手册

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：BZT52C15W 编号：C3019317
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至39V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：50ns
    型号：US2GBF 编号：C382798
    封装：SMBF
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。低轮廓封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。高效率。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅
    数据手册

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    独立式 耐压:7.5V 电流:1uA@5V
    型号：BZT52C7V5S 编号：C353507
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@1.5V
    型号：MM3Z5V1B 编号：C382873
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%
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    独立式 耐压:56V 电流:0.1uA@43V
    型号：MM3Z56 编号：C382957
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
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    型号：MM3Z5V6W 编号：C2962423
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
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    独立式 耐压:6.8V 电流:0.5uA@3.5V
    型号：MM3Z6V8W 编号：C2962425
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大300mW。 齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。 小型塑料封装，适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C5V6SW 编号：C3019297
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

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    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA@10V
    型号：MM1Z13 编号：C169497
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约 ±5%
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    型号：MM1Z7V5BW 编号：C3019267
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%
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    型号：MM1Z3V0 编号：C382863
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约 ±5%
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z18B 编号：C382834
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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    独立式 耐压:3V 电流:50uA
    型号：MM1Z3V0W 编号：C3019276
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0862

    • 500+

      ￥0.0673

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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：MM1Z11W 编号：C2763579
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

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    耐压:51V 电流:1uA@39V
    型号：MM1Z51W 编号：C3019271
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

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    电压:30V 电流:0.1A
    型号：BAT54WB 编号：C2972951
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：低正向压降。快速开关时间。表面贴装封装，非常适合自动插入。无铅、无卤和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件
    数据手册

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    独立式 耐压:6.2V 电流:3uA@4V
    型号：BZT52C6V2S 编号：C353511
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0873

    • 500+

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    • 3000+

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    独立式 耐压:3.9V 电流:5uA@1V
    型号：MM1Z3V9 编号：C382779
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    4.1V 500mW
    数据手册

    • 50+

      ￥0.088

    • 500+

      ￥0.0691

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      ￥0.0586

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      ￥0.0523

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      ￥0.0438
  • 订货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@1.5V
    型号：MM3Z5V1W 编号：C2763563
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0883

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      ￥0.0694

    • 3000+

      ￥0.0588
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：MM1Z9V1 编号：C169488
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    齐纳电压：9.1V 功率损耗：0.5W
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0888

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      ￥0.0693

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    独立式 耐压:2.7V 电流:120uA@1V
    型号：MM1Z2V7 编号：C382864
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约 ±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0894

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z3V3B 编号：C438301
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    耐压:50V 电流:1A 反向恢复时间：50ns
    型号：US1A 编号：C437786
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 高效率。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 50+

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      ￥0.0599
  • 有货
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    独立式 耐压:36V 电流:0.1uA
    型号：MM1Z36 编号：C169494
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约 ±5%
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z20B 编号：C438315
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0933

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C3V3SW 编号：C2838490
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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    耐压:3.6V 电流:10uA
    型号：BZX84C3V6A 编号：C5155264
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大350mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%和±5%
    数据手册

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    耐压:20V 电流:0.1uA@15V
    型号：MMSZ5250BW 编号：C7528227
    封装：SOD-123W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±5%

    • 50+

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