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首页 > 热门关键词 > 镁光二极管
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操作
特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2112字节 (2048 + 64 字节)。页面大小x16:1056字 (1024 + 32 字)。块大小:64页 (128K + 4K 字节)。平面大小:2个平面,每个平面1024个块
  • 1+

    ¥45.94
  • 10+

    ¥39.15
  • 30+

    ¥35
  • 有货
  • Micron 2Gb x8/x16 SLC NAND Flash Memory是一款高性能的NAND闪存,支持异步接口,具有2112字节(2048 + 64字节)的页面大小,64个页面的块大小,以及128K + 4K字节的数据容量。该设备支持1.8V和3.3V供电,具有10年的数据保留时间和100,000次编程/擦除周期。
    数据手册
    • 1+

      ¥48.62
    • 10+

      ¥47.48
    • 30+

      ¥46.72
  • 有货
    • 1+

      ¥53.48
    • 10+

      ¥52.23
    • 30+

      ¥51.39
  • 有货
    • 1+

      ¥56.51
    • 10+

      ¥55.25
    • 30+

      ¥54.41
  • 有货
  • 4Gb x16 Automotive DDR3L SDRAM,支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容。工作温度范围为-40°C至+125°C。
    • 1+

      ¥60.61
    • 10+

      ¥52.08
    • 30+

      ¥46.88
  • 有货
  • 512Mb DDR SDRAM,具有双数据速率架构,支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字,在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作,提高有效带宽。
    数据手册
    • 1+

      ¥64.04
    • 10+

      ¥54.92
    • 30+

      ¥46.98
  • 有货
    • 1+

      ¥64.1
    • 10+

      ¥62.67
    • 30+

      ¥61.72
  • 有货
  • 特性:VDD = 1.8V ± 0.1V,VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS与CK转换对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms,8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范。 AEC-Q100。 PPAP提交。 8D响应时间
    数据手册
    • 1+

      ¥68.7
    • 10+

      ¥58.53
    • 30+

      ¥52.34
  • 有货
    • 1+

      ¥72.98
    • 10+

      ¥62.18
    • 30+

      ¥55.6
  • 有货
  • 特性:VDD = 1.8V ± 0.1V。 VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项
    数据手册
    • 1+

      ¥79.13
    • 10+

      ¥64.92
    • 30+

      ¥58.05
  • 有货
  • 特性:VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。 每字节数据的双向数据选通 (DQS)。 内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构;每个时钟周期两次数据访问。 差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    数据手册
    • 1+

      ¥92.43
    • 10+

      ¥87.8
    • 30+

      ¥79.79
  • 有货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构
    数据手册
    • 1+

      ¥96.41
    • 10+

      ¥89.35
    • 30+

      ¥82.86
  • 有货
    • 1+

      ¥106.91
    • 10+

      ¥102.1
    • 30+

      ¥93.76
  • 有货
    • 1+

      ¥107.91
    • 10+

      ¥103.15
    • 30+

      ¥94.91
  • 有货
  • 特性:VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。 每字节数据的双向数据选通 (DQS)。 内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构;每个时钟周期两次数据访问。 差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    数据手册
    • 1+

      ¥126.62
    • 5+

      ¥120.23
    • 30+

      ¥113.85
  • 有货
  • 1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM数据手册规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥128.29
    • 10+

      ¥116.71
    • 30+

      ¥106.06
  • 有货
  • 特性:工业和汽车温度兼容,VDD = 1.8V ± 0.1V,VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构
    • 1+

      ¥145.36
    • 30+

      ¥137.65
  • 有货
    • 1+

      ¥217.56
    • 30+

      ¥207.38
  • 有货
  • 特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 JEDEC/MMC 标准版本 5.1 兼容(JEDEC 标准号 JESD84-B51)。 VCC:2.7-3.6V。 VCCQ:1.70-1.95V。 VCCQ(双电压):1.70-1.95V;2.7-3.6V(仅适用于 DW 封装)。 先进的 12 信号接口
    • 1+

      ¥233.74
    • 10+

      ¥223.95
  • 有货
    • 1+

      ¥244.23
    • 30+

      ¥234.33
  • 有货
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