镁光二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MTA18ASF2G72PZ-3G2R1 编号：C5128473

封装：-

品牌：micron(镁光)

单价：
￥1529.42 / 个

有货

立即购买

型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR 编号：C401001

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态（R/B#）。该设备具有内部4位ECC，可以通过GET/SET特性命令启用。

数据手册

1+
￥23.98
10+
￥20.63
30+
￥18.64
100+
￥16.63
500+
￥15.7
1000+
￥15.28

订货

我要订货

型号：MT41K128M8DA-107 IT:J 编号：C2061978

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥25.01
10+
￥24.58
30+
￥24.29

有货

立即购买

型号：MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F 编号：C7307835

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

Micron 1Gb x8 NAND Flash Memory是一款高性能、低引脚数的NAND闪存设备，支持异步接口，具有内部ECC功能。

1+
￥44.05
10+
￥37.53
30+
￥33.56

有货

立即购买

型号：MT41K64M16TW-107 AAT:J 编号：C1351825

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

1+
￥52.13
30+
￥49.36

有货

立即购买

型号：MT47H256M8EB-25E:C 编号：C1348744

封装：FBGA-60(9x11.5)

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥122.94
10+
￥117.18
30+
￥107.19

有货

立即购买

型号：MT28EW512ABA1LPC-0SIT 编号：C598814

封装：LBGA-64

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。密度：512Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问时间：20ns

1+
￥123.04
10+
￥116.88
30+
￥106.21

有货

立即购买

型号：MT53E512M16D1FW-046 WT:D 编号：C30096089

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥167.86
30+
￥163.5

有货

立即购买

型号：MTA4ATF51264HZ-3G2J1 编号：C2880458

封装：-

品牌：micron(镁光)

数据手册

单价：
￥180.75 / 个￥361.5 / 个

有货

立即购买

型号：MT28FW01GABA1LPC-0AAT 编号：C5128468

封装：LBGA-64

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元 (SLC) 工艺技术。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16 字。页访问：20ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)。随机访问：105ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)

数据手册

单价：
￥208.83 / 个

有货

立即购买

型号：MTSD128AKC7MS-1WTCS 编号：C5128500

封装：-

品牌：micron(镁光)

单价：
￥216.9024 / 个￥278.08 / 个

有货

立即购买

型号：MT25QU256ABA8E12-1SIT 编号：C2061023

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥33.63558
20+
￥32.26828
100+
￥31.4479
200+
￥30.0806
500+
￥29.53368

我要订货

型号：JS28F128J3F75A 编号：C598830

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：对称128 KB块。初始访问速度：75 ns。25 ns 8字异步页面模式读取。x16模式下256字写缓冲区，x8模式下256字节写缓冲区；每字节有效编程时间1.41 μs

数据手册

1+
￥40.21
10+
￥35.25
30+
￥32.22

有货

立即购买

型号：MT25QU128ABB1ESE-0AUT 编号：C6313669

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

1+
￥56.45
10+
￥55.19
30+
￥54.35

有货

立即购买

型号：MT48LC2M32B2B5-6A IT:J 编号：C1351490

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥63.64
10+
￥56.34
30+
￥51.89

有货

立即购买

型号：MT25QU512ABB8ESF-0AAT 编号：C1351422

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

1+
￥79.98
10+
￥76.55
30+
￥70.62

有货

立即购买

型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

1+
￥82.716
10+
￥81.36
50+
￥77.97
100+
￥74.58
200+
￥73.224

我要订货

型号：MT35XU512ABA1G12-0AAT 编号：C6105763

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

1+
￥119.07
10+
￥113.71
30+
￥104.42

有货

立即购买

型号：MT25QL512ABB8ESF-0AAT 编号：C6847457

封装：SOIC-16-300mil

品牌：micron(镁光)

1+
￥122.01
10+
￥116.52
30+
￥107.01

有货

立即购买

型号：MT28EW256ABA1LPC-0SIT 编号：C6847446

封装：LBGA-64

品牌：micron(镁光)

1+
￥138.63
10+
￥132.39
30+
￥121.58

有货

立即购买

型号：MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 编号：C22347150

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥229.55
30+
￥218.82

有货

立即购买

型号：MT62F512M32D2DS-031 AIT:B 编号：C20554863

封装：WFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：架构：每通道最大带宽12.8 GB/s；频率范围800-5 MHz（每引脚数据速率范围6400-40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）；可选CKR。 LPDDR5数据接口：单x16通道/管芯；双倍数据速率命令/地址输入；差分命令时钟（CK_t/CK_c），用于高速操作；差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）；差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）；16n位或32n位预取架构；4KB页大小，8存储体（8B模式），2KB页大小，存储体组（BBG模式），或16存储体（16B模式）操作；命令可选突发长度BL = 16或32（在存储体组或16存储体模式下）；背景ZQ校准/基于命令的ZQ校准；链路保护（链路ECC）支持；部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR），带段掩码。超低电压核心和I/O电源：VDD1 = 1.70–1.95V；1.8V标称值；VDD2H = 1.01–1.12V；1.05V标称值；VDD2L = VDD2H或0.87-0.97V；0.9V标称值；VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值（ODT关闭）。 I/O特性：接口-LVSTL 0.5/0.3 I/O类型：低摆幅单端，VSS端接，VOH补偿输出驱动；可编程VSS片上终端（ODT）；非目标ODT支持；DVFSQ支持。低功耗特性：DVFSC：动态电压频率缩放核心；单端CK，单端WCK和单端RDQS；数据复制；写入X。选项：LPDDR5 VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ：1.8V/1.05V/0.9V/0.5V；阵列配置-512兆x 32（2通道x16 I/O）512M32；1吉x 32（2通道x16 I/O）1G32；器件配置-封装中2个管芯D2；封装中4个管芯D4；FBGA“绿色”封装-315球TFBGA（12.4mm x 15.0mm，安装高度：最大1.1mm，Ø0.48 SMD）；速度等级，周期时间（t'WCK）-6400 Mb/s-031；功能安全（FuSa）F1；美光硬件评估（ISO 26262-8:2018，第13条）；FMEDA（ISO 26262-5:2018，第8、9条）；适用于高达ASILD的系统；汽车级A-AEC-Q100；PPAP；工作温度：- 40°C ≤ TC ≤ +95°C IT；- 40°C ≤ TC ≤ +105°C AT；- 40°C ≤ TC ≤ +125°C UT2；版本：B

1+
￥230.23
30+
￥220.57

有货

立即购买

型号：MT62F2G32D8DR-031 WT:B 编号：C21818977

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥323.58
30+
￥311.31

有货

立即购买

型号：MT41K128M8DA-107:J 编号：C1348932

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥17.28
10+
￥16.96
30+
￥16.74

有货

立即购买

型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C5355152

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

1+
￥21.41
10+
￥20.98
30+
￥20.69

有货

立即购买

型号：MT41K64M16TW-107:J 编号：C75475

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。

数据手册

1+
￥27.33
10+
￥24.19
30+
￥22.32
100+
￥18.69
500+
￥17.82
1000+
￥17.43

订货

我要订货

型号：MT47H64M8SH-25E:H 编号：C1353826

封装：FBGA-60

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 4个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册