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  • 1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3(1.5V)SDRAM 数据手册规格。
    数据手册
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      ¥56.63
  • 订货
  • 特性:VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。 每字节数据的双向数据选通 (DQS)。 内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构;每个时钟周期两次数据访问。 差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    数据手册
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      ¥102.77
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      ¥207.38
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  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V;标称值 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V;标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值 1.10V
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    • 30+

      ¥343.77
  • 订货
  • 特性:架构: -每通道最大带宽17.1 GB/s。频率范围:1067-5 MHz(每引脚数据速率范围:8533-40 Mb/s,WCK:CK = 4:1)。可选CKR(WCK:CK = 2:1或4:1)。LPDDR5X/LPDDR5数据接口。单x16通道/裸片。双倍数据速率命令/地址输入。差分命令时钟(CK_t/CK_c),用于高速操作。差分数据时钟(WCK_t/WCK_c)
    • 1+

      ¥379.52
    • 30+

      ¥369.6
  • 订货
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      ¥508.72
  • 订货
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      ¥6.17
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  • 订货
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      ¥15.05
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      ¥14.82
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  • 订货
  • 特性:对称128-KB块。128 Mbit(128块)。64 Mbit(64块)。32 Mbit(32块)
    数据手册
    • 1+

      ¥19.06875
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      ¥18.306
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      ¥17.6958
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      ¥17.57
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      ¥10.62
  • 订货
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    • 100+

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  • 订货
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      ¥6.325
    • 200+

      ¥6.095
    • 300+

      ¥5.61
    MT29F2G01ABBGDWB-IT是一款2Gb密度的串行NAND闪存,采用FBGA封装,支持-40°C至+85°C的工作温度。
    • 1+

      ¥30
    • 10+

      ¥29.29
    • 30+

      ¥28.83
    • 100+

      ¥28.36
  • 订货
  • 该产品是高速CMOS动态随机存取存储器,包含134,217,728位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM(所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存)。x4的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×2,048列×4位;x8的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×1,024列×8位;x16的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×512列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的;访问从选定位置开始,并按编程顺序继续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始,然后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行(BA0、BA1选择存储体;A0-A11选择行)
    • 1+

      ¥61.02
    • 10+

      ¥58.308
    • 50+

      ¥49.3584
    • 100+

      ¥47.234
    • 500+

      ¥46.9854
    特性:SPI兼容串行总线接口,最大时钟频率108 MHz。 单电源电压2.7-3.6V。 双/四I/O指令,吞吐量最高可达432 MHz。 支持扩展SPI、双I/O和四I/O协议。 三种协议均支持执行即取(XIP)模式,可通过易失性或非易失性寄存器配置,上电后可直接在XIP模式下工作。 支持PROGRAM/ERASE SUSPEND操作,可通过单条命令连续读取整个内存
    • 1+

      ¥40.39
    • 10+

      ¥34.94
    • 30+

      ¥31.63
    • 100+

      ¥28.84
  • 订货
  • 特性:单级单元(SLC)工艺技术。 密度:256Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取);VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页面读取。 页面大小:16字或32字节。 页面访问:20ns
    • 1+

      ¥100.61
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      ¥96.29
    • 30+

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      ¥82.26
  • 订货
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    • 200+

      ¥67.44
    • 500+

      ¥65.19
    • 1000+

      ¥64.08
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V;标称值1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V;标称值1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V;标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值1.10V
    • 1+

      ¥236.65
    • 30+

      ¥223.92
  • 订货
  • 特性:2Gb堆叠设备(两个1Gb裸片)。 单级单元(SLC)工艺技术。 电源电压: -VCC = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取)。 -VCCQ = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页面读取。 页面大小:16字
    数据手册
    • 1+

      ¥391.42
    • 10+

      ¥379.49
  • 订货
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      ¥9.048
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      ¥8.2128
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      ¥7.9344
    • 1000+

      ¥7.7952
    DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.21
    • 10+

      ¥24.97
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      ¥18.73
    • 1000+

      ¥18.2
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