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首页 > 热门关键词 > 镁光二极管
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M29W640GB70NA6E
型号：M29W640GB70NA6E 编号：C20569393
封装：48-TSOP
品牌：micron(镁光)

  • 1+

    ￥28.64

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    ￥27.99

  • 30+

    ￥27.56
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    MT41K512M8DA-093:P
    型号：MT41K512M8DA-093:P 编号：C20507845
    封装：78-FBGA (8x10.5)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥29.52 ￥39.36

    • 10+

      ￥28.86 ￥38.48

    • 30+

      ￥28.425 ￥37.9

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      ￥27.9825 ￥37.31
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    MT46V16M16P-5B:M
    型号：MT46V16M16P-5B:M 编号：C22406072
    封装：TSOP-66
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥30.33

    • 10+

      ￥29.67

    • 30+

      ￥29.23
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    256Mb、1.8V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781
    封装：SOP-16-300mil
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

    • 1+

      ￥24.6

    • 20+

      ￥23.6

    • 100+

      ￥23

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      ￥22

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      ￥21.6
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    MT48LC8M16A2P-6A IT:L
    型号：MT48LC8M16A2P-6A IT:L 编号：C20449338
    封装：54-TSOPII
    品牌：micron(镁光)
    该产品是高速CMOS动态随机存取存储器，包含134,217,728位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM（所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存）。x4的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×2,048列×4位；x8的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×1,024列×8位；x16的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×512列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序继续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，然后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0-A11选择行）

    • 1+

      ￥40.19

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      ￥35.19

    • 30+

      ￥32.22
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    2Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM
    型号：MT41K128M16JT-125 XIT:K 编号：C598780
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
    数据手册

    • 1+

      ￥84.34

    • 10+

      ￥76.73

    • 30+

      ￥69.72
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    MT25QU512ABB8E12-0AUT
    型号：MT25QU512ABB8E12-0AUT 编号：C6847463
    封装：FBGA-24
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥151.39

    • 30+

      ￥144.3
  • 有货
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    MT53E512M32D1NP-046 WT:B
    型号：MT53E512M32D1NP-046 WT:B 编号：C21462754
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥239.36

    • 30+

      ￥230.28
  • 有货
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    Micron(镁光)16GB 2RX8 PC4.3200AA-RE2-12 内存条 MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1
    型号：MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 编号：C5128472
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

    • 单价：

      ￥1598.94 / 个
  • 有货
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    MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
    型号：MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G 编号：C5813054
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥17.26

    • 10+

      ￥16.94

    • 30+

      ￥16.72
  • 有货
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    MT29F4G01ABBFDWB-IT:F
    型号：MT29F4G01ABBFDWB-IT:F 编号：C20511638
    封装：UPDFN-8(8x6)
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

    • 1+

      ￥17.96

    • 10+

      ￥17.64

    • 30+

      ￥17.42
  • 有货
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    MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
    型号：MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E 编号：C7307831
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥22.89

    • 10+

      ￥22.47

    • 30+

      ￥22.19
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    MT47H128M8SH-25E:M
    型号：MT47H128M8SH-25E:M 编号：C151070
    封装：FBGA-60
    品牌：micron(镁光)
    SDRAM 1GBIT
    数据手册

    • 1+

      ￥28.18

    • 10+

      ￥24.54

    • 30+

      ￥22.38
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    4Gb、8Gb、16Gb：x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F4G08ABADAH4:D 编号：C6232150
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：micron(镁光)
    Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器，支持异步数据接口。该设备使用高度复用的8位总线传输命令、地址和数据，具备内部4位ECC功能。

    • 1+

      ￥31.07

    • 10+

      ￥30.48

    • 30+

      ￥30.09
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    M25P16-VMF6TP
    型号：M25P16-VMF6TP 编号：C598764
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥43.89

    • 10+

      ￥38.24

    • 30+

      ￥34.79

    • 100+

      ￥31.9
  • 订货
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    128 Mbit、64 Mbit单比特单元（SBC）
    型号：PC28F128P33BF60A 编号：C7325112
    封装：EASYBGA-64(8x10)
    品牌：micron(镁光)
    特性：高性能: -Easy BGA初始访问时间为60ns。TSOP初始访问时间为70ns。8字异步页读模式为25ns。零等待状态下52MHz，17ns时钟到数据输出同步突发读模式。突发模式有4、8、16和连续字选项。使用256字缓冲区，3.0V缓冲编程速度为1.8MB/s（典型值）

    • 1+

      ￥44.02

    • 10+

      ￥38.81

    • 30+

      ￥35.63
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    MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR
    型号：MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 编号：C6232090
    封装：SO-8
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥55.74

    • 10+

      ￥54.49

    • 30+

      ￥53.66
  • 有货
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    MT28EW256ABA1HPC-0SIT
    型号：MT28EW256ABA1HPC-0SIT 编号：C598854
    封装：LBGA-64
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥60.66

    • 10+

      ￥59.52

    • 30+

      ￥58.77
  • 有货
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    MT46H64M16LFBF 5 IT:B
    型号：MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR 编号：C1349302
    封装：VFBGA-60(8x9)
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥67.98

    • 10+

      ￥60.27

    • 30+

      ￥55.58
  • 有货
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    512Mb、3V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QL512ABB8E12-0AAT 编号：C1352294
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz
    数据手册

    • 1+

      ￥70.68

    • 10+

      ￥67.15

    • 30+

      ￥61.02
  • 有货
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    MT25QL01GBBB8ESF-0AAT
    型号：MT25QL01GBBB8ESF-0AAT 编号：C1352146
    封装：SO-16-300mil
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥70.68

    • 10+

      ￥58.67

    • 30+

      ￥52.86
  • 有货
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    512Mb x8/x16 3V嵌入式并行NOR闪存
    型号：MT28EW512ABA1HJS-0SIT 编号：C598858
    封装：TSOP-56-18.5mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）技术。 密度：512Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页读取。 页大小：16字或32字节。 页访问时间：20ns

    • 1+

      ￥76.12

    • 10+

      ￥74.16
  • 有货
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    256Mb x8/x16，3V嵌入式并行NOR
    型号：MT28EW256ABA1LJS-0SIT 编号：C598853
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）工艺技术。 密度：256Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页面读取。 页面大小：16字或32字节。 页面访问：20ns

    • 1+

      ￥84.7

    • 10+

      ￥82.26
  • 有货
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    Micron(镁光)4GB 1RX16 PC4.3200AA 内存条 MTA4ATF51264HZ-3G2R1
    型号：MTA4ATF51264HZ-3G2R1 编号：C5128478
    封装：-
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 单价：

      ￥187.705 / 个 ￥375.41 / 个
  • 有货
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    MT53E1G32D2NP-046 WT:B
    型号：MT53E1G32D2NP-046 WT:B 编号：C20169609
    封装：WFBGA-200(10x14.5)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥209.3

    • 30+

      ￥201.37
  • 有货
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    4Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A256M16LY-062E IT:F 编号：C504879
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O，TC 最高可达 95°C。 64ms，8192 周期刷新，最高可达 85°C。 32ms，8192 周期刷新，在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4,x8)：每组 4 个存储体，共 4 组
    数据手册

    • 1+

      ￥277.02

    • 30+

      ￥242.19
  • 有货
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    MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT
    型号：MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT 编号：C35501263
    封装：VFBGA-168(12x12)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥334.93

    • 30+

      ￥322.05
  • 有货
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    MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C
    型号：MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C 编号：C20450691
    封装：200-TFBGA (10x14.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：超低电压核心和I/O电源: -VDD1 = 1.70-1.95V，标称值1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V，标称值1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V，标称值0.60V或VDDQ = 1.06-1.17V，标称值1.10V。 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）

    • 1+

      ￥625.75

    • 30+

      ￥602.04
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    MT53E1G32D2FW-046 WT:B
    型号：MT53E1G32D2FW-046 WT:B 编号：C20453120
    封装：200-TFBGA(10x14.5)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥753.58

    • 30+

      ￥723.09
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    2.1版UFS内存
    型号：MTFC256GASAONS-IT 编号：C5128485
    封装：TFBGA-153
    品牌：micron(镁光)
    特性：通用闪存存储 (UFS) 控制器和NAND闪存。VCC：2.7-3.6V。VCCQ2：1.7-1.95V。符合JEDEC/UFS规范版本2.1。先进的6信号接口。差分I/O引脚。支持2通道。高速：支持Gear 1/2/3。永久和上电写保护。引导操作（高速引导）。睡眠模式。重放保护内存块 (RPMB)。后台操作。可靠写入。丢弃/擦除。命令队列。FFU。缓存。JEDEC/UFS规范版本3.0特性。REFRESH操作。温度事件通知。保留资格:5年@55°C，PE为10%。1年@55°C，最大PE。封装合规:RoHS认证。BGA，MSL3

    • 单价：

      ￥962.76 / 个
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    共6559页，196749条记录  到  页
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