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首页 > 热门关键词 > 镁光二极管
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  • 1+

    ¥276.91
  • 30+

    ¥263.96
  • 有货
  • 32Gb TwinDie DDR4 SDRAM 是高速CMOS动态随机存取存储器设备,内部配置为两个16-bank DDR4 SDRAM设备。每个die在双die封装内单独测试。
    • 单价:

      ¥288.83 / 个
  • 有货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V;标称值1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V;标称值1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V;标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值1.10V
    • 1+

      ¥320.78
    • 30+

      ¥308.04
  • 有货
  • 特性:堆叠设备(四个512Mb裸片)。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率(STR/DTR)。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz
    • 1+

      ¥368.36
    • 30+

      ¥355.08
  • 有货
    • 1+

      ¥372.56
    • 30+

      ¥355.14
  • 有货
    • 1+

      ¥533.06
    • 30+

      ¥508.72
  • 有货
  • 特性:- SPI兼容串行总线接口,支持单传输速率和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz,DTR中所有协议最高90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 支持协议:扩展、双和四I/O,STR和DTR均支持。 即插即用(XIP)。 编程/擦除暂停操作
    数据手册
    • 1+

      ¥82.96
    • 10+

      ¥78.81
    • 30+

      ¥71.61
  • 有货
  • 特性:堆叠设备(两个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s
    • 1+

      ¥120
    • 25+

      ¥110.4
    • 50+

      ¥100.8
    • 100+

      ¥94.6
    • 320+

      ¥90.2
    特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND Flash。JEDEC/MMC 标准版本 5.1 兼容 (JEDEC 标准号 JESD84-B51)。VCC 2.7-3.6V。VCCQ (双电压): 1.70-1.95V; 2.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥196.3
    • 30+

      ¥188.5
  • 有货
    • 10+

      ¥4.8816
    • 100+

      ¥4.7008
    • 200+

      ¥4.3392
    • 1000+

      ¥4.1584
    • 2000+

      ¥3.9776
    特性:单级单元(SLC)技术。1Gb密度。页面大小x1:2176字节(2048 + 128字节)。块大小:64页(128K + 8K字节)。平面大小:1Gb(1个平面,每个平面1024个块)。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
    数据手册
    • 10+

      ¥14.69
    • 50+

      ¥12.995
    • 100+

      ¥12.43
    • 1000+

      ¥12.091
    特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率(STR/DTR)。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz
    • 1+

      ¥20.86
    • 10+

      ¥17.68
    • 30+

      ¥16.02
    • 100+

      ¥14.32
    • 500+

      ¥13.55
    • 1000+

      ¥13.22
  • 订货
  • Micron的多芯片封装(PoP)产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装(MCP)中,适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口(无共享地址、控制、数据或电源球)。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥118.48
    • 10+

      ¥113.41
    • 30+

      ¥104.62
  • 有货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥143.09
    • 10+

      ¥136.82
    • 30+

      ¥125.96
    • 100+

      ¥116.48
  • 订货
    • 10+

      ¥4.5225
    • 100+

      ¥4.355
    • 200+

      ¥4.02
    • 1000+

      ¥3.8525
    • 2000+

      ¥3.685
    特性:Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。 单级单元 (SLC) 技术。 组织架构:页面大小 x8:2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16:1056 字 (1024 + 32 字)。块大小:64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小:2 个平面,每个平面 2048 块
    • 1+

      ¥36.31
    • 10+

      ¥35.63
    • 30+

      ¥35.17
    • 100+

      ¥34.72
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口,最大时钟频率108 MHz。 单电源电压2.7-3.6V。 双/四I/O指令,吞吐量最高可达432 MHz。 支持扩展SPI、双I/O和四I/O协议。 三种协议均支持执行即取(XIP)模式,可通过易失性或非易失性寄存器配置,上电后可直接在XIP模式下工作。 支持PROGRAM/ERASE SUSPEND操作,可通过单条命令连续读取整个内存
    • 5+

      ¥27.612
    • 50+

      ¥24.426
    • 100+

      ¥23.364
    • 1000+

      ¥22.7268
    • 1+

      ¥34.7475
    • 20+

      ¥33.335
    • 100+

      ¥32.4875
    • 200+

      ¥31.075
    • 500+

      ¥30.51
    特性:堆叠设备(两个512Mb管芯)。 SPI兼容串行总线接口。 单双传输速率(STR/DTR)。 所有STR协议的时钟频率最高133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最高90MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90MB/s
    数据手册
    • 1+

      ¥88.05
    • 10+

      ¥78.13
    • 30+

      ¥72.08
    • 100+

      ¥67.02
  • 订货
    • 1+

      ¥120.292
    • 10+

      ¥118.32
    • 50+

      ¥113.39
    • 100+

      ¥108.46
    • 200+

      ¥106.488
    这款16Gb(TwinDie™)DDR4 SDRAM采用美光的8Gb DDR4 SDRAM芯片;将两片x8芯片组合成一片x16芯片。其信号与单x16芯片类似,多一个ZQ连接以实现更快的ZQ校准,并且x8寻址需要一个BG1控制信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥345.78
    • 30+

      ¥332.22
  • 订货
  • DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.21
    • 10+

      ¥24.97
    • 30+

      ¥22.45
    • 100+

      ¥19.9
    • 500+

      ¥18.73
    • 1000+

      ¥18.2
  • 订货
    • 1+

      ¥35.07
    • 200+

      ¥14
    • 500+

      ¥13.53
    • 1000+

      ¥13.3
  • 订货
    • 1+

      ¥40.4
    • 10+

      ¥39.55
    • 30+

      ¥38.98
    • 100+

      ¥38.41
  • 订货
  • 特性:VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V;VDD = 2.6V ± 0.1V, VDDQ = 2.6V ± 0.1V (DDR400)。双向数据选通 (DQS) 与数据一起发送/接收,即源同步数据捕获 (x16 每字节有一个)。内部流水线双数据速率 (DDR) 架构;每个时钟周期进行两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    • 1+

      ¥51.7
    • 10+

      ¥44.66
    • 30+

      ¥40.37
    • 100+

      ¥36.78
  • 订货
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