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首页 > 热门关键词 > 镁光二极管
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描述
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128Mb，x4、x8、x16 SDRAM
型号：MT48LC4M16A2P-6A:J 编号：C1351881
封装：TSOPII-54-10.2mm
品牌：micron(镁光)
128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。

  • 1+

    ￥39.96

  • 10+

    ￥35.22

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    ￥32.4
  • 有货
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    即将停产 64 Mbit低压串行闪存，具备75 MHz SPI总线接口
    型号：M25P64-VME6TG 编号：C524848
    封装：VDFN-8(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    M25P64 是一款 64 Mbit（8M×8）的串行闪存，通过高速 SPI 兼容总线访问，时钟频率最高可达 75 MHz。使用页编程指令，每次可对 1 至 256 字节进行编程。此外，还提供增强型快速编程/擦除模式
    数据手册

    • 1+

      ￥42.03

    • 10+

      ￥36.43

    • 30+

      ￥29.8
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    MTFC4GACAALT-4M IT
    型号：MTFC4GACAALT-4M IT 编号：C2909877
    封装：TBGA-100
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥77.22

    • 10+

      ￥73.77

    • 30+

      ￥64.72
  • 有货
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    MT40A1G16RC-062E:B
    型号：MT40A1G16RC-062E:B 编号：C22437475
    封装：FBGA-96(10x13)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调 VREFDQ 生成。1.2V 伪开漏 I/O

    • 1+

      ￥114.47

    • 10+

      ￥110.12

    • 30+

      ￥102.58
  • 有货
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    MT40A512M16JY-075E:B
    型号：MT40A512M16JY-075E:B 编号：C2887887
    封装：BGA-96
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥267.68

    • 30+

      ￥257.39
  • 有货
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    16Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A2G8SA-062E:F 编号：C20416157
    封装：FBGA-78
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

    • 1+

      ￥712.06

    • 10+

      ￥705.55
  • 有货
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    4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器
    型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402
    封装：FBGA-96(8x14)
    品牌：micron(镁光)
    DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。
    数据手册

    • 1+

      ￥32.9

    • 10+

      ￥27.98

    • 30+

      ￥25.59
  • 有货
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    256Mb，x8/x16bit 宽，3V，嵌入式并行NOR
    型号：MT28EW256ABA1HJS-0SIT 编号：C6847445
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）处理技术。 密度：256Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页读取。 页大小：16字或32字节。 页访问：20ns

    • 1+

      ￥48.82

    • 10+

      ￥47.91

    • 30+

      ￥47.31
  • 有货
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    4Gb、3.3V、x1/x2/x4接口的SPI NAND闪存
    型号：MT29F4G01ABAFDWB-IT:F 编号：C2909506
    封装：UPDFN-8
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

    • 1+

      ￥56.08

    • 10+

      ￥49.16

    • 30+

      ￥44.94
  • 有货
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    512Mb：X16、x32汽车级LPDDR SDRAM
    型号：MT46H32M16LFBF-5 IT:C 编号：C2061960
    封装：VFBGA-60(8x9)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。 每字节数据双向数据选通 (DQS)。 内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。 差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    数据手册

    • 1+

      ￥63.43

    • 10+

      ￥54.05

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      ￥48.33

    • 100+

      ￥43.53
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    4Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A256M16GE-083EIT:B 编号：C598794
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O，TC最高可达95°C。 64ms，8192周期刷新，最高可达85°C

    • 1+

      ￥75.7

    • 10+

      ￥72.24

    • 30+

      ￥66.25
  • 有货
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    512Mb移动同步动态随机存取存储器
    型号：MT48H32M16LFB4-6 IT:C 编号：C2061935
    封装：VFBGA-54(8x8)
    品牌：micron(镁光)
    该移动SDRAM具有32兆位x16位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

    • 1+

      ￥80.84

    • 10+

      ￥76.79

    • 30+

      ￥69.78

    • 100+

      ￥63.67
  • 有货
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    MT47H128M16RT-25E:C
    型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C524858
    封装：FBGA-84
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥85.35

    • 10+

      ￥71.46

    • 30+

      ￥64.81
  • 有货
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    MT41K512M16VRN-107 IT:P
    型号：MT41K512M16VRN-107 IT:P 编号：C477950
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥118.21

    • 10+

      ￥113.06

    • 30+

      ￥104.15
  • 有货
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    Micron(镁光) Micro SD存储卡 1TB TF卡 MTSD1T0AKC7MS-1WT
    型号：MTSD1T0AKC7MS-1WT 编号：C5128501
    封装：-
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 单价：

      ￥1459.906 / 个 ￥2085.58 / 个
  • 有货
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    MT41K128M16JT-107:K
    型号：MT41K128M16JT-107:K 编号：C2841151
    封装：FBGA-96(8x14)
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。
    数据手册

    • 1+

      ￥21.93

    • 10+

      ￥19.21

    • 30+

      ￥17.59
  • 有货
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    512Mb移动同步动态随机存取存储器
    型号：MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR 编号：C2062060
    封装：VFBGA-90(8x13)
    品牌：micron(镁光)
    该移动SDRAM具有16兆位x32位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

    • 1+

      ￥40.75

    • 10+

      ￥40

    • 30+

      ￥39.5
  • 有货
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    512Mb：X4、X8、X16 DDR SDRAM
    型号：MT46V32M16P-5B:J 编号：C524862
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：micron(镁光)
    512Mb DDR SDRAM，具有双数据速率架构，支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字，在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作，提高有效带宽。
    数据手册

    • 1+

      ￥44.06

    • 10+

      ￥38.84

    • 30+

      ￥35.66
  • 有货
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    256Mb x4、x8、x16 SDRAM
    型号：MT48LC16M16A2B4-6A IT:G 编号：C1352087
    封装：VFBGA-54(8x8)
    品牌：micron(镁光)
    256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
    数据手册

    • 1+

      ￥55.71

    • 10+

      ￥49.77

    • 30+

      ￥42.55
  • 有货
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    4Gb、8Gb、16Gb：x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F8G08ADADAH4-IT:D 编号：C2917794
    封装：VFBGA-63
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥56.57

    • 10+

      ￥55.33

    • 30+

      ￥54.5
  • 有货
    • 立即购买
    8Gb、16Gb：x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C 编号：C2889127
    封装：FBGA-63
    品牌：micron(镁光)
    Micron 8Gb NAND Flash Memory是一款支持异步接口和ONFI 1.0协议的闪存设备。它使用高度复用的8位总线(I/Ox)传输命令、地址和数据。该设备包括五个控制信号：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。此外，还包括硬件写保护和状态监测信号(WP#和R/B#)。该设备在工业温度范围内(-40°C至+85°C)工作，支持单平面和双平面操作。

    • 1+

      ￥72.02

    • 10+

      ￥63.04

    • 30+

      ￥57.56

    • 100+

      ￥52.97
  • 有货
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    128Mb，x4、x8、x16 SDRAM
    型号：MT48LC8M16A2B4-6A IT:L 编号：C22437472
    封装：VFBGA-54(8x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：PC100和PC133兼容。 完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。 内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。 内部存储体用于隐藏行访问/预充电。 可编程突发长度（BL）：1、2、4、8或整页。 自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。 自刷新模式：标准和低功耗（AT设备不可用）。 自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。 单3.3V±0.3V电源

    • 1+

      ￥85.21

    • 10+

      ￥75.33

    • 30+

      ￥69.3
  • 有货
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    MT25QL01GBBB8E12-0AAT
    型号：MT25QL01GBBB8E12-0AAT 编号：C1352029
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥113.16

    • 10+

      ￥102.96

    • 30+

      ￥93.58
  • 有货
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    MT28EW01GABA1HPC 0SIT TR
    型号：MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 编号：C2061797
    封装：LBGA-64(11x13)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥113.56

    • 10+

      ￥109.14

    • 30+

      ￥101.48
  • 有货
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    8Gb X4/X8/X16 DDR4 同步动态随机存取存储器
    型号：MT40A1G8SA-062E:R 编号：C2859183
    封装：FBGA-78
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms
    数据手册

    • 1+

      ￥362.25

    • 10+

      ￥346.5

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      ￥340.2
    我要订货
    Micron(镁光)8GB 1RX8 PC4.3200AA 内存条 MTA9ASF1G72HZ-3G2R1
    型号：MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 编号：C5128482
    封装：-
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 单价：

      ￥778.617 / 个 ￥1112.31 / 个
  • 有货
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    Micron(镁光) Micro SD存储卡 512G TF卡 MTSD512AKC7MS-1WTCS
    型号：MTSD512AKC7MS-1WTCS 编号：C5128504
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

    • 单价：

      ￥888.459 / 个 ￥1139.05 / 个
  • 有货
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    Micron(镁光))5300 MAX TCG-OPAL 2.5 1920G 固态硬盘 MTFDDAK1T9TDT-1AW15ABYY
    型号：MTFDDAK1T9TDT-1AW15ABYY 编号：C5128492
    封装：-
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 单价：

      ￥4588.2595 / 个 ￥8342.29 / 个
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    Micron(镁光)5300 MAX 2.5 1920G 固态硬盘 MTFDDAK1T9TDT-1AW1ZABYY
    型号：MTFDDAK1T9TDT-1AW1ZABYY 编号：C5128493
    封装：-
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 单价：

      ￥5166.36 / 个 ￥8610.6 / 个
  • 有货
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    512Mb：X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
    型号：MT47H32M16NF-25E:H 编号：C2841140
    封装：FBGA-84
    品牌：micron(镁光)
    512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项。

    • 1+

      ￥28.07

    • 10+

      ￥24.9

    • 30+

      ￥23.01

    • 100+

      ￥19.8
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