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首页 > 热门关键词 > 镁光二极管
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描述
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128Mb，X32 SDRAM
型号：MT48LC4M32B2P-6A IT:L 编号：C2062095
封装：TSOP-86-10.2mm
品牌：micron(镁光)
特性：PC100兼容。 完全同步：所有信号在系统时钟的正沿注册。 内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。 内部存储体用于隐藏行访问/预充电。 可编程突发长度：1、2、4、8或整页。 自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。 自刷新模式（AT设备不可用）。 自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。 单3.3V±0.3V电源。 支持1、2和3的CAS延迟（CL）
数据手册

  • 1+

    ￥155.06

  • 30+

    ￥148.33
  • 有货
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    MT53E1G32D2FW-046 IT:B
    型号：MT53E1G32D2FW-046 IT:B 编号：C20451987
    封装：200-TFBGA(10x14.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。 频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）

    • 1+

      ￥715.05

    • 30+

      ￥687.95
  • 有货
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    2Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM
    型号：MT41K256M8DA-125:K 编号：C393874
    封装：FBGA-78
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
    数据手册

    • 1+

      ￥27.21

    • 10+

      ￥23.72

    • 30+

      ￥21.65
  • 有货
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    2Gb:x8 NAND闪存
    型号：MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 编号：C2891524
    封装：TFSOP-48-18.4mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块。设备大小：2Gb，2048个块

    • 1+

      ￥29.98

    • 10+

      ￥29.41

    • 30+

      ￥29.03
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    2Gb，x8、x16汽车级DDR3L SDRAM
    型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868
    封装：FBGA-96(8x14)
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

    • 1+

      ￥39.69

    • 10+

      ￥33.65

    • 30+

      ￥30.72
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    1Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM
    型号：MT41K64M16TW-107 IT:J 编号：C524855
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。
    数据手册

    • 1+

      ￥40.99

    • 10+

      ￥36.5

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      ￥33.83

    • 100+

      ￥28.44
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    MT41K128M16JT 107 IT:K
    型号：MT41K128M16JT-107 IT:K 编号：C1351618
    封装：FBGA-96(8x14)
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

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      ￥69.24

    • 10+

      ￥67.03
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    512Mb、1.8V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QU512ABB8E12-0SIT 编号：C2061934
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR中所有协议最高166 MHz；DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议、双I/O协议、四I/O协议。就地执行 (XIP)
    数据手册

    • 1+

      ￥70.81

    • 10+

      ￥61.93

    • 30+

      ￥56.52
  • 有货
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    1Gb、1.8V多I/O串行闪存
    型号：MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 编号：C17366270
    封装：WPDFN-8(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

    • 1+

      ￥120

    • 25+

      ￥110.4

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      ￥90.2
    我要订货
    1Gb, 3V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QL01GBBB8E12-0SIT 编号：C5128467
    封装：TPBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（两个512Mb管芯）。 SPI兼容串行总线接口。 单双传输速率（STR/DTR）。 所有STR协议的时钟频率最高133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最高90MHz。 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90MB/s
    数据手册

    • 1+

      ￥161.79

    • 10+

      ￥155.5

    • 30+

      ￥144.6
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    MTFC256GBCAVHF-WT
    型号：MTFC256GBCAVHF-WT 编号：C27864528
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥292.32

    • 30+

      ￥284.2
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    128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存
    型号：MT25QU128ABA8ESF-0SIT 编号：C598848
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

    • 1+

      ￥15.33

    • 10+

      ￥13.37

    • 30+

      ￥12.15
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    128Mb、3V 多输入输出串行闪存
    型号：MT25QL128ABA8E12-0SIT 编号：C2062174
    封装：TPBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议
    数据手册

    • 1+

      ￥23.02

    • 10+

      ￥20.01

    • 30+

      ￥18.13
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    MT47H128M8SH-25E:M
    型号：MT47H128M8SH-25E:M 编号：C151070
    封装：FBGA-60
    品牌：micron(镁光)
    SDRAM 1GBIT
    数据手册

    • 1+

      ￥28.18

    • 10+

      ￥24.54

    • 30+

      ￥22.38
  • 有货
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    128Mb、3V 多输入输出串行闪存
    型号：MT25QL128ABA1EW9-0SIT 编号：C2655471
    封装：W-PDFN-8-EP(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议
    数据手册

    • 1+

      ￥34.17

    • 10+

      ￥29.78

    • 30+

      ￥27.17
  • 有货
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    MT41K512M16HA-125:A
    型号：MT41K512M16HA-125:A 编号：C410866
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥188.34

    • 5+

      ￥168.94

    • 30+

      ￥160.14
  • 有货
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    8Gb：X4、X8、X16 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A512M16LY-075:E 编号：C598779
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
    数据手册

    • 1+

      ￥61

    • 10+

      ￥60

    • 50+

      ￥57.5

    • 100+

      ￥55

    • 200+

      ￥54
    我要订货
    MT53D512M32D2DS-046 WT:D
    型号：MT53D512M32D2DS-046 WT:D 编号：C22437469
    封装：WFBGA-200(10x14.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称1.10V），VDDQ(overline) = 1.10V（标称）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称0.60V）。 频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体，可并发操作

    • 1+

      ￥258.4

    • 30+

      ￥247
  • 有货
    • 立即购买
    16Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A1G16TB-062E IT:F 编号：C20562221
    封装：FBGA-96(7.5x13)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

    • 1+

      ￥881.57

    • 30+

      ￥836
  • 有货
    • 立即购买
    并行NOR闪存嵌入式存储器
    型号：JS28F256P30TFE 编号：C598859
    封装：TSOP-56-14.0mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：高性能。简易球栅阵列（Easy BGA）初始访问时间为100ns。薄小外形封装（TSOP）初始访问时间为110ns。25ns 16字异步页读取模式。零等待状态下52MHz（Easy BGA）和17ns时钟到数据输出同步突发读取模式。突发模式提供4、8、16和连续字选项
    数据手册

    • 1+

      ￥21.25

    • 10+

      ￥20.38

    • 30+

      ￥19.86

    • 100+

      ￥19.34
  • 有货
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    128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存
    型号：MT25QU128ABA1EW7-0SIT 编号：C1523871
    封装：W-PDFN-8-EP(5x6)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

    • 1+

      ￥22.01

    • 10+

      ￥19.04

    • 30+

      ￥16.58
  • 有货
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    1Gb x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C2912232
    封装：TSOPI-48
    品牌：micron(镁光)
    特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。 单级单元 (SLC) 技术。 页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。 页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。 块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。 平面大小：2 个平面，每个平面 512 块
    数据手册

    • 1+

      ￥23.23

    • 10+

      ￥20.01

    • 30+

      ￥18.1
  • 有货
    • 立即购买
    128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存
    型号：MT25QU128ABA8E12-0SIT 编号：C6847460
    封装：FBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率: 所有STR协议下最大166 MHz。 所有DTR协议下最大90 MHz

    • 1+

      ￥30.68

    • 10+

      ￥30.11

    • 30+

      ￥29.74
  • 有货
    • 立即购买
    128Mb x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存
    型号：MT28EW128ABA1LJS-0SIT 编号：C598856
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）工艺技术。 密度：128Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页读取。 页大小：16字或32字节。 页访问：20ns

    • 1+

      ￥41.82

    • 10+

      ￥36.87

    • 30+

      ￥33.85
  • 有货
    • 立即购买
    128Mb x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存
    型号：MT28EW128ABA1HPC-0SIT 编号：C438960
    封装：LBGA-64
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）工艺技术。 密度：128Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页读取。 页大小：16字或32字节。 页访问：20ns
    数据手册

    • 1+

      ￥50.3125 ￥143.75

    • 10+

      ￥48.048 ￥137.28

    • 30+

      ￥44.1245 ￥126.07

    • 100+

      ￥40.7015 ￥116.29
  • 有货
    • 立即购买
    128Mb、3V 多输入输出串行闪存
    型号：MT25QL128ABB8E12-0AUT 编号：C5678136
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：STR和DTR中的扩展、双和四I/O

    • 1+

      ￥51.72

    • 10+

      ￥45.72

    • 30+

      ￥42.07
  • 有货
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    1Gb：X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
    型号：MT47H128M8SH-25E IT:M 编号：C2839094
    封装：FBGA-60(8x10)
    品牌：micron(镁光)
    1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。
    数据手册

    • 1+

      ￥56.62

    • 10+

      ￥50.12

    • 30+

      ￥46.16

    • 100+

      ￥42.84
  • 有货
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    2Gb：X4、X8、X16 DDR3 SDRAM
    型号：MT41J128M16JT-093:K 编号：C395383
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。 差分双向数据选通。 8n位预取架构
    数据手册

    • 1+

      ￥56.75

    • 10+

      ￥50.23

    • 30+

      ￥46.26

    • 100+

      ￥42.93
  • 有货
    • 立即购买
    MT29F8G08ABACAWP-IT:C
    型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C400999
    封装：TSOPI-48
    品牌：micron(镁光)
    Micron 8Gb NAND Flash Memory，支持单次编程操作，具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作，通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。
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    2Gb、3V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QL02GCBB8E12-0SIT 编号：C1348729
    封装：TPBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 所有STR协议的时钟频率最大为133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最大为90MHz。 双/四I/O命令，吞吐量高达90MB/s
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