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价格(含税)

库存

操作

2Gb：X4、X8、X16 DDR2 SDRAM

型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册

1+
￥123.21
10+
￥117.57
30+
￥97.22

有货

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MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X

型号：MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 编号：C21603959

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥266.22
30+
￥257.27

有货

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1Gb、3.3V、x1/x2/x4 SPI 接口 NAND 闪存

型号：MT29F1G01ABAFDWB-IT:F 编号：C2905686

封装：UPDFN-8

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。1Gb密度。页面大小x1：2176字节（2048 + 128字节）。块大小：64页（128K + 8K字节）。平面大小：1Gb（1个平面，每个平面1024个块）。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

数据手册

1+
￥28.1
10+
￥27.46
30+
￥27.04

有货

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4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器

型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

数据手册

1+
￥72.48
10+
￥60.17
30+
￥54.22

有货

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MT41K128M16JT 107 IT:K

型号：MT41K128M16JT-107 IT:K 编号：C1351618

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥73.98
10+
￥70.52
30+
￥64.51

有货

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512Mb、1.8V 多 I/O 串行闪存

型号：MT25QU512ABB8E12-0SIT 编号：C2061934

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR中所有协议最高166 MHz；DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议、双I/O协议、四I/O协议。就地执行 (XIP)

数据手册

1+
￥209.64
30+
￥201.24

有货

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1Gb、1.8V多I/O串行闪存

型号：MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 编号：C17366270

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

1+
￥218.61
10+
￥211.31

有货

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MT41K512M16HA-125:A

型号：MT41K512M16HA-125:A 编号：C410866

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥289.73
5+
￥259.9
30+
￥246.34

有货

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512Mb、3V 多 I/O 串行闪存

型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT TR 编号：C1351495

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥433.47
30+
￥413.82

有货

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MT53D1024M32D4DT-053WT:D

型号：MT53D1024M32D4DT-053 WT:D 编号：C2911184

封装：BGA

品牌：micron(镁光)

1+
￥525.15
30+
￥501.88

有货

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X32 低功耗双倍数据速率 4（LPDDR4）/低功耗双倍数据速率 4X（LPDDR4X）同步动态随机存取存储器（SDRAM）

型号：MT53D512M32D2DS-053 WT:D 编号：C476209

封装：WFBGA-200

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V），VDDQ(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V）或低VDDQ = 0.57-0.65V（标称值0.60V）。频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n预取DDR架构。每个通道8个内部存储体，用于并发操作

1+
￥779.8
30+
￥688.66

有货

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16Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM

型号：MT40A1G16KD-062E IT:E 编号：C5330483

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

数据手册

1+
￥906.07
3+
￥865.39
30+
￥824.73

有货

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256Mb、3V 多输入输出串行闪存

型号：MT25QL256ABA8E12-1SIT 编号：C598832

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

1+
￥54.44
10+
￥53.15
30+
￥52.29

有货

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1Gb, 3V 多 I/O 串行闪存

型号：MT25QL01GBBB8E12-0SIT 编号：C5128467

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb管芯）。 SPI兼容串行总线接口。单双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高133MHz。所有DTR协议的时钟频率最高90MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90MB/s

数据手册

1+
￥687.03
30+
￥659.92

有货

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MT53E1G32D2FW-046 WT:B

型号：MT53E1G32D2FW-046 WT:B 编号：C20453120

封装：200-TFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥1066.21
30+
￥1009.12

有货

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1Gb x8、x16 NAND闪存

型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C2912232

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

数据手册

1+
￥17.83
10+
￥17.42
30+
￥17.14

有货

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128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存

型号：MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR 编号：C2065307

封装：W-PDFN-8-EP(8x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

1+
￥43.35
10+
￥37.44
30+
￥34.58

有货

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2Gb:x8 NAND闪存

型号：MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 编号：C2891524

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块。设备大小：2Gb，2048个块

1+
￥46.22
10+
￥45.04
30+
￥44.25

有货

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2Gb，x8、x16汽车级DDR3L SDRAM

型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

1+
￥63.65
10+
￥52.15
30+
￥46.59

有货

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128Mb x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存

型号：MT28EW128ABA1HJS-0SIT 编号：C598842

封装：TSOP-56

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：128Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问：20ns

1+
￥75.86
10+
￥72.38
30+
￥66.34

有货

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MT47H128M16RT-25E:C

型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C524858

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥108.88
10+
￥91.35
30+
￥82.95

有货

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2Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM

型号：MT41K256M8DA-125:K 编号：C393874

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

数据手册

1+
￥121.88
10+
￥116.12
30+
￥112.61

有货

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2Gb：X4、X8、X16 DDR2 SDRAM

型号：MT47H128M16RT-25E IT:C 编号：C477948

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-FBGA（9x12.5）

数据手册

1+
￥139.15
30+
￥132.25

有货

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4Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM

型号：MT40A256M16LY-062E IT:F 编号：C504879

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O，TC 最高可达 95°C。 64ms，8192 周期刷新，最高可达 85°C。 32ms，8192 周期刷新，在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4,x8)：每组 4 个存储体，共 4 组

数据手册

1+
￥210.67
30+
￥175.84

有货

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8Gb：X4、x8、x16 DDR4 SDRAM

型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

数据手册

1+
￥269.88
30+
￥250

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X32 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

型号：MT53D512M32D2DS-046 WT:D 编号：C22437469

封装：WFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称1.10V），VDDQ(overline) = 1.10V（标称）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称0.60V）。频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。每个通道8个内部存储体，可并发操作

1+
￥557.59
30+
￥533

有货

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MT40A512M16TB-062E IT:R

型号：MT40A512M16TB-062E IT:R 编号：C27063331

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

1+
￥660.19
30+
￥627.16

有货

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Micron(镁光)16GB 2RX8 PC4.3200AA-RE2-12 内存条 MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1

型号：MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 编号：C5128472

封装：-

品牌：micron(镁光)

单价：
￥1598.94 / 个

有货

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Micron(镁光))5300 MAX TCG-OPAL 2.5 1920G 固态硬盘 MTFDDAK1T9TDT-1AW15ABYY

型号：MTFDDAK1T9TDT-1AW15ABYY 编号：C5128492

封装：-

品牌：micron(镁光)

数据手册

单价：
￥8342.29 / 个

有货

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1Gb x8、x16 NAND闪存

型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C524870

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放NAND闪存接口 (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32字)。块大小：64页 (128K + 4K字节)。平面大小：2个平面，每个平面512个块

数据手册

1+
￥18.2
10+
￥17.8
30+
￥17.53

有货

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