镁光二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：FBGA-96

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV / + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内的刷新时间: -40°C至85°C时为64ms。85°C至95°C时为32ms

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1+
￥354.78
30+
￥338.96
32+
￥290.4

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型号：MT53D1024M32D4DT-053 WT:D 编号：C2911184

封装：BGA

品牌：micron(镁光)

1+
￥525.15
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￥501.88

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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1+
￥50.07
10+
￥43.83
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￥40.02
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￥36.83

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型号：MT48LC16M16A2B4-6A:G 编号：C1351430

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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1+
￥52.0478 ￥53.11
10+
￥41.2632 ￥46.89
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￥33.618 ￥43.1
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￥31.1376 ￥39.92

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型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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1+
￥32.9
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￥28.9
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￥26.53
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￥23.38
500+
￥22.27

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

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1+
￥44
10+
￥39.06
30+
￥36.05
100+
￥31.03

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型号：MT40A1G16KD-062E IT:E 编号：C5330483

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

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1+
￥755.06
3+
￥721.16
30+
￥687.28

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

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1+
￥46.02
10+
￥40.95
30+
￥35.56
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￥32.97

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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1+
￥130.67
10+
￥125.03
30+
￥104.68
100+
￥96.16

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型号：MT25QU02GCBB8E12-0SIT 编号：C6916912

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

1+
￥169.91
30+
￥162.93

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型号：MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 编号：C5128479

封装：-

品牌：micron(镁光)

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单价：
￥382.36 / 个￥695.2 / 个

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型号：MT29F4G08ABADAWP:D 编号：C78135

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 4GBIT

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1+
￥40.59
10+
￥35.88
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￥33.01

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型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

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1+
￥41.4
10+
￥36.79
30+
￥33.98
100+
￥31.62

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型号：MT25QU256ABA1EW7-0SIT 编号：C2063145

封装：WPDFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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1+
￥48.29
10+
￥42.39
30+
￥38.8
100+
￥35.79

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型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA(8x14)

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1+
￥81.01
10+
￥71.37
30+
￥65.5
102+
￥60.57

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型号：MT47H64M16NF-25E:M 编号：C367427

封装：FBGA-84(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

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1+
￥29.63
10+
￥25.55
30+
￥23.12
100+
￥20.67

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型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 编号：C395385

封装：VFBGA-63

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备，支持异步接口，具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小，每个块包含 64 个页面，总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压，工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。

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1+
￥64.73
10+
￥56.9
30+
￥52.14
100+
￥48.14

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型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT 编号：C17574673

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

1+
￥272.1
10+
￥262.5

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型号：MTFDKBA1T0TFH-1BC1AABYY 编号：C5632180

封装：-

品牌：micron(镁光)

单价：
￥2081.9 / 个

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型号：MT25QU128ABA1ESE-0SIT 编号：C2653519

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥27.87
10+
￥23.64
30+
￥21.13
100+
￥18.59

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G 编号：C5128621

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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1+
￥38.46
10+
￥33.33
30+
￥28.87

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G TR 编号：C41881

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式（AAT设备不可用）。自动刷新：64ms，8192周期（商业和工业）；16ms，8192周期（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源。 AEC-Q100 PPAP提交。 8D响应时间

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1+
￥46.07
10+
￥40.71
30+
￥37.45
100+
￥27.63

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D 编号：C20539796

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块