平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：PJ72AL33SQ 编号：C42436947

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~30V,1Q:3uA(MAX.) ,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):200mA PD：0.74W.低压差，低功耗，电流限制，短路及热关断保护

5+
￥0.5499
50+
￥0.4347
150+
￥0.3771

有货

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型号：PJM9926ANPA 编号：C22438611

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，VDS=20V,ID=6A,Trench工艺，低内阻，RDS(ON) <28mΩ@Vgs=4.5V，RDS(ON) <38mΩ@Vgs=2.5V ，PD(MAX.):1.8W

5+
￥0.5613
50+
￥0.4437
150+
￥0.3849

有货

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型号：PJM05P30PA 编号：C30187474

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-30V ID=-5.1A ,PD:2.15W RDS(ON)<55mΩ@Vgs=-10V

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928

有货

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型号：2SB5540SQ 编号：C42431782

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

PNP,三极管 VCEO:-40V,IC:-3A,PD:0.5W, 低饱和压降VCE(SAT):-0.375V(MAX)

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928

有货

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型号：PJM10H06NSQ 编号：C42388532

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=100V ID=6A ,PD:1.35W RDS(ON)<140mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

5+
￥0.5957
50+
￥0.4709
150+
￥0.4085

有货

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型号：PJM04DN30PA 编号：C22438598

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，PD（MAX）：1.2W, VDS=30V,ID=4A， RDS(ON) :<38mΩ@Vgs=10V， RDS(ON) :<65mΩ@Vgs=4.5V ,Trench工艺，低内阻

5+
￥0.653
50+
￥0.5162
150+
￥0.4478

有货

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型号：PJM05N60SQ 编号：C42388545

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=60V ID=5A ,PD:1.2W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

5+
￥0.6553
50+
￥0.518
150+
￥0.4494

有货

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型号：PJM07P30PA 编号：C22438603

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=-30V,ID=-7A,Trench工艺，超低内阻 RDS(ON) <28mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON) <50mΩ@Vgs=-4.5V,PD(MAX):3W

5+
￥0.6759
50+
￥0.5343
150+
￥0.4635

有货

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型号：PJM09N40PA 编号：C22438606

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=40V,ID=9A,Trench工艺，超低内阻 RDS(ON) <25mΩ@Vgs=10V, RDS(ON) <35mΩ@Vgs=4.5V,PD(MAX):2.5W

5+
￥0.6759
50+
￥0.5343
150+
￥0.4635

有货

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型号：PJM16P12DF 编号：C22470328

封装：DFN2x2A-6L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = -12V，ID = -16A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = -4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714

有货

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型号：13003TE 编号：C36493736

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

NPN三极管，VCEO:430V ID:1.5A PD:1.25W,VCE饱和压降低

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028

有货

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型号：PJ54M28SE 编号：C41367947

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:2.8V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ,压差：350mV@100mA.带EN脚

5+
￥0.7446
50+
￥0.5886
150+
￥0.5106

有货

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型号：PJM06C40PA 编号：C22438600

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=40V,ID=6.5A,，RDS(ON) <40mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-40V,ID=-6A,，RDS(ON) <75mΩ@Vgs=-10V,Trench工艺，低内阻

5+
￥0.7446
50+
￥0.5886
150+
￥0.5106

有货

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型号：PJM20P30DL 编号：C50387324

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-20V ID=-30A ,RDS(ON)<26mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<41mΩ@Vgs=-4.5V,通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245

有货

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型号：PJM30N30DL 编号：C50387319

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-40V ID=-45A, RDS(ON)<12mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<17mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245

有货

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型号：PJM08C30PA 编号：C5445031

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=30V,ID=5.8A,，RDS(ON) <31mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-30V,ID=-4.1A,，RDS(ON) <60mΩ@Vgs=-10V,低内阻,低输出电容，开关速度快

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185

有货

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型号：2SB1386SQ-R 编号：C42431781

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

PNP,三极管 VCEO:-20V,IC:-5A,PD:0.5W, HFE:180~390,VCE(SAT):-1V(MAX)

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185

有货

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型号：PJM13N30PA 编号：C22438610

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=30V,ID=13A, RDS(ON) <12mΩ@Vgs=10V,RDS(ON) <18mΩ@Vgs=4.5V PD(MAX):3.5W Trench工艺

5+
￥0.779
50+
￥0.6158
150+
￥0.5342

有货

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型号：PJM07DN30PA 编号：C22438602

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，VDS=30V,ID=7A,Trench工艺，低内阻，RDS(ON) <41mΩ@Vgs=10V，RDS(ON) <45mΩ@Vgs=4.5V ，PD(MAX.):2W

5+
￥0.779
50+
￥0.6158
150+
￥0.5342

有货

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型号：PJM10N40PA 编号：C30187475

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=40V ID=10A ,PD:2.5W RDS(ON)<18mΩ@Vgs=10V

5+
￥0.8706
50+
￥0.6882
150+
￥0.597

有货

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型号：PJM70N30DL 编号：C50387322

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-40A ,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.8729
50+
￥0.6953
150+
￥0.6065

有货

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型号：PJMG35N60DL 编号：C50387320

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-50A ,RDS(ON)<10mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<14mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.8729
50+
￥0.6953
150+
￥0.6065

有货

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型号：PJM10P30PA 编号：C22438608

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=-30V,ID=-10A, RDS(ON) <23mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON) <34mΩ@Vgs=-4.5V PD(MAX):3.7W Trench工艺

5+
￥0.889
50+
￥0.7027
150+
￥0.6096

有货

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型号：PJMG10H08NTE 编号：C36493741

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=100V ID=8A ,PD:32W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V

5+
￥0.8935
50+
￥0.7063
150+
￥0.6127

有货

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型号：PJM20N60SQ 编号：C42405713

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=60V ID=20A ,PD:2W RDS(ON)<35mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507

有货

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型号：PJ56L33SQ 编号：C42444598

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：5~60V,1Q:2uA(TYP.) ,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):150mA PD：0.77W.低压差，低功耗，快速瞬态反应，电流限制，过温及短路保护

5+
￥0.9621
50+
￥0.7555
150+
￥0.6669

有货

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型号：PJM50P20DL 编号：C50387327

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型），VDS=100V ID=40A ,RDS(ON)<17mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<22mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818

有货

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型号：PJ54AM33SQ 编号：C20618190

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

是一种高输入电压、低静态电流、低压差线性稳压器，能够提供 300mA 负载电流。该 LDO 对线路电压瞬变和负载电流瞬变具有非常快速的响应，并确保在 LDO 启动和短路恢复期间无过冲电压。该器件具有集成的短路和热关断保护功能。

5+
￥0.9856
50+
￥0.7739
150+
￥0.6832

有货

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型号：PJM40P30DL 编号：C50387326

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=70A ,RDS(ON)<5mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<7mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥1.0183
50+
￥0.8067
150+
￥0.7159

有货

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型号：PJM30P30DL 编号：C50387325

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=80A RDS(ON)<4mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<6.2mΩ@Vgs=4.5V,通过 100% 雪崩测试

5+
￥1.062
50+
￥0.8412
150+
￥0.7466

有货

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