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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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N沟道,VDS=30V ID=4A ,PD:1.3W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V
  • 10+

    ¥0.1615
  • 100+

    ¥0.1578
  • 300+

    ¥0.1553
  • 有货
  • P沟道,VDS=-20V ID=-2.9A ,PD:1.4W RDS(ON)<57mΩ@Vgs=-4.5V
    • 10+

      ¥0.169
    • 100+

      ¥0.1651
    • 300+

      ¥0.1625
  • 有货
  • P沟道,VDS=-30V ID=-2.7A ,PD:0.9W RDS(ON)<88mΩ@Vgs=-10V
    • 10+

      ¥0.174
    • 100+

      ¥0.1699
    • 300+

      ¥0.1672
  • 有货
  • P沟道,VDS=-30V ID=-4.6A ,PD:1.25W RDS(ON)<55mΩ@Vgs=-10V
    • 10+

      ¥0.1864
    • 100+

      ¥0.1821
    • 300+

      ¥0.1792
  • 有货
  • N沟道,VDS=20V ID=5A ,PD:1.25W RDS(ON)<2.8mΩ@Vgs=4.5V
    • 10+

      ¥0.1926
    • 100+

      ¥0.1881
    • 300+

      ¥0.1852
  • 有货
  • PNP,高压三极管,VCEO:-300V,IC:-0.5A,PD:0.5W,VCE(SAT):0.5V(MAX.)
    • 10+

      ¥0.1926
    • 100+

      ¥0.1881
    • 300+

      ¥0.1852
  • 有货
  • 2个P沟道,VDS=-20V ID=-2A ,PD:1W RDS(ON)<120mΩ@Vgs=-4.5V
    • 10+

      ¥0.2013
    • 100+

      ¥0.1966
    • 300+

      ¥0.1935
  • 有货
  • N沟道,VDS=55V ID=2.1A ,PD:1.2W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=4.5V
    • 10+

      ¥0.205
    • 100+

      ¥0.2003
    • 300+

      ¥0.1971
  • 有货
  • PNP,三极管 VCEO:-50V,IC:-2A,PD:0.5W, VCE(SAT):-0.4V(MAX) ,HFE:180~450
    • 10+

      ¥0.205
    • 100+

      ¥0.2003
    • 300+

      ¥0.1971
  • 有货
  • PNP,三极管 VCEO:-50V,IC:-1A,PD:0.5W, HFE:120~240,VCE(SAT):-0.4V(MAX)
    • 10+

      ¥0.205
    • 100+

      ¥0.2003
    • 300+

      ¥0.1971
  • 有货
  • P沟道,VDS=-20V ID=-4.1A ,PD:1.2W RDS(ON)<39mΩ@Vgs=-4.5V
    • 10+

      ¥0.2112
    • 100+

      ¥0.2063
    • 300+

      ¥0.2031
  • 有货
  • NPN,VCEO:60V,IC:1A,PD:0.5W ,VCE(SAT):0.5V(MAX.),HFE:100-250
    • 10+

      ¥0.2112
    • 100+

      ¥0.2063
    • 300+

      ¥0.2031
  • 有货
  • NPN,VCEO:45V,IC:1A,PD:0.5W ,VCE(SAT):0.5V(MAX.),HFE:100-250
    • 10+

      ¥0.2112
    • 100+

      ¥0.2063
    • 300+

      ¥0.2031
  • 有货
  • N沟道,VDS=40V ID=5A ,PD:1.2W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V
    • 10+

      ¥0.2112
    • 100+

      ¥0.2063
    • 300+

      ¥0.2031
  • 有货
  • 宽电压输入范围,低功耗,IQ仅2.5uA,PSRR=68dB@10KHz,低压差,集成短路保护及热关断功能
    • 10+

      ¥0.2236
    • 100+

      ¥0.2185
    • 300+

      ¥0.215
    • 1000+

      ¥0.2115
  • 有货
  • 特性:低动态输出阻抗。 1.0至100mA的灌电流能力。 低输出噪声电压。 快速开启响应。应用:并联稳压器。 串联稳压器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.229
    • 200+

      ¥0.1787
    • 600+

      ¥0.1507
    • 3000+

      ¥0.129
    • 9000+

      ¥0.1145
    • 21000+

      ¥0.1067
  • 有货
  • 特性:可编程输出电压至36V。 低动态输出阻抗。 灌电流能力为1.0至100mA。 低输出噪声电压。 快速开启响应。应用:并联稳压器。 串联稳压器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2457
    • 100+

      ¥0.2407
    • 300+

      ¥0.2374
    • 1000+

      ¥0.2342
  • 有货
  • 两个PNP,Vceo=45V,Ic:500mA,HFE:160-400,PD:950mW
    • 10+

      ¥0.2681
    • 100+

      ¥0.2119
    • 300+

      ¥0.1839
  • 有货
  • 特性:小表面贴装封装。 ESD保护(HBM)高达2KV。 N沟道MOSFET,VDS = 20V,ID = 0.8A,RDS(on) < 300mΩ(VGS = 4.5V时)。 PNP晶体管,VCBO = -40V,VCEO = -25V。应用:锂电池充电。 便携式设备中的其他电源管理
    • 5+

      ¥0.3106
    • 50+

      ¥0.3034
    • 150+

      ¥0.2986
    • 500+

      ¥0.2938
  • 有货
  • PNP,三极管 VCEO:-40V,IC:-3A,PD:0.5W, 低饱和压降VCE(SAT):-0.375V(MAX)
    • 5+

      ¥0.3106
    • 50+

      ¥0.3034
    • 150+

      ¥0.2986
  • 有货
  • 2个P沟道,VDS=-30V ID=-4.1A ,PD:1.4W RDS(ON)<60mΩ@Vgs=-10V
    • 5+

      ¥0.3106
    • 50+

      ¥0.3034
    • 150+

      ¥0.2986
  • 有货
  • 特性:VDS =-30V。 ID =-4.1A。 RDS(on) = 50mΩ (典型值) @ VGS =-10V。 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)。 低栅极电荷。应用:负载开关。 PWM 应用
    数据手册
    • 100+

      ¥0.2025
    • 1000+

      ¥0.195
    • 3000+

      ¥0.1875
    • 6000+

      ¥0.1725
    • 10000+

      ¥0.168
    VRWM:5V,VC:16V@IPP=5A,IEC61000-4-2(ESD),±15KV(空隙放电)±10KV(接触放电) ,
    • 10+

      ¥0.3302
    • 100+

      ¥0.2587
    • 300+

      ¥0.223
  • 有货
  • 是高精度、极低静态电流、低压差线性稳压器,能够提供500mA负载电流。对线电压瞬变和负载电流瞬变具有非常快速的响应,并确保在LDO启动和短路恢复期间无过冲电压。集成了短路保护、限流保护和热保护功能。通过将EN引脚置低来开启关断模式。
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • 特性:低饱和电压
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3598
    • 100+

      ¥0.2806
    • 300+

      ¥0.241
    • 1000+

      ¥0.2106
    • 5000+

      ¥0.1868
    • 10000+

      ¥0.1749
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = -12V,ID = -16A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = -4.5V。应用:负载开关。 PWM应用
    • 5+

      ¥0.3727
    • 50+

      ¥0.3641
    • 150+

      ¥0.3583
  • 有货
  • 是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器,采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化,可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加,进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用,减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA,开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3731
    • 100+

      ¥0.3011
    • 300+

      ¥0.2651
    • 3000+

      ¥0.2087
    • 6000+

      ¥0.1871
    • 9000+

      ¥0.1763
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = 20V,Id = 5.5A时,VGS = 4.5V,RDS(ON) < 28mΩ。应用:DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
    • 5+

      ¥0.3851
    • 50+

      ¥0.3762
    • 150+

      ¥0.3703
  • 有货
  • 输入电压范围:3~45V,1Q:2.1uA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):350mA PD:0.32W.低压差,低功耗,快速瞬态反应,电流限制,热关断及短路保护
    • 5+

      ¥0.3851
    • 50+

      ¥0.3762
    • 150+

      ¥0.3703
  • 有货
  • 单节保护,内置MOSFET,过充检测电压:4.3V(±25mV),过充释放电压:4.1V(±50mV),过放检测电压:2.72V(±100mV),过放释放电压:3V(±100mV),过放检测电流:2A,短路检测电流:4A,OV充电功能:允充
    • 10+

      ¥0.401
    • 100+

      ¥0.317
    • 300+

      ¥0.275
  • 有货
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