平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

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价格(含税)

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型号：2SB772SQ-P 编号：C411785

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：高电流输出高达3A。低饱和电压。与2SD882SQ互补。应用：音频功率放大器。低速开关应用

数据手册

10+
￥0.3702
100+
￥0.2948
300+
￥0.257
3000+
￥0.21
6000+
￥0.1874
9000+
￥0.1761

有货

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型号：PJM4601DPSG-S 编号：C41413544

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个P沟道，VDS=-20V ID=-2A ,PD:1W RDS(ON)<120mΩ@Vgs=-4.5V

10+
￥0.3712
100+
￥0.2934
300+
￥0.2546

有货

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型号：PJM3422NSC 编号：C41784036

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=55V ID=2.1A ,PD:1.2W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=4.5V

10+
￥0.3781
100+
￥0.2989
300+
￥0.2593

有货

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型号：PJM04P20SG 编号：C41413539

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-20V ID=-4.1A ,PD:1.2W RDS(ON)<39mΩ@Vgs=-4.5V

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671

有货

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型号：PJM05N40SC 编号：C41348041

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=40V ID=5A ,PD:1.2W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671

有货

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型号：PJ75BL30SC 编号：C41413551

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

宽电压输入范围，低功耗，IQ仅2.5uA,PSRR=68dB@10KHz，低压差，集成短路保护及热关断功能

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
1000+
￥0.2504

有货

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型号：PJ9350L18SC 编号：C41784029

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

低功耗，低静态电流：50uA（TYP.),低压差，PSRR:75dB@1KHz，折返电流限制，自放电功能.

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828

有货

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型号：PJ9500M18SE 编号：C20618181

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

宽电压输入范围1.8~6V，超低功耗，IQ仅800nA,PSRR=60dB@10KHz，低压差，短路保护，电流限制保护，过温保护，带使能脚

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828

有货

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型号：PJM09P20SC 编号：C41784032

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-20V ID=-9A ,PD:1.3W RDS(ON)<25mΩ@Vgs=-4.5V

10+
￥0.4308
100+
￥0.3405
300+
￥0.2954

有货

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型号：PJM03N60SQ 编号：C42388597

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=60V ID=3A ,PD:1.5W RDS(ON)<95mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

10+
￥0.4331
100+
￥0.3423
300+
￥0.297

有货

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型号：PJ4055A20SG 编号：C41413543

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压12V,VFLOAT:4.2V,最大充电电流：600mA,6.2V输入过压保护，带反接保护，双指示灯

10+
￥0.4353
100+
￥0.3441
300+
￥0.2985

有货

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型号：2SA1797SQ-R 编号：C42431777

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

PNP,三极管 VCEO:-50V,IC:-2A,PD:0.5W,低饱和压降VCE(SAT):-0.35V(MAX) HFE:180~390,

5+
￥0.4766
50+
￥0.3767
150+
￥0.3268

有货

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型号：PJ73AL30SQ 编号：C411728

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器，允许高达20V的输入电压，有几种固定输出电压可供选择，范围从2.1V到9.0V。由于功耗低，被广泛应用于各种设备，如音频设备、视频设备、通信设备等。

数据手册

5+
￥0.4947
50+
￥0.3891
150+
￥0.3363
500+
￥0.2967
3000+
￥0.2469
6000+
￥0.231

有货

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型号：PJM03N10SQ 编号：C42388544

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=100V ID=3A ,PD:1.35W RDS(ON)<178mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457

有货

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型号：PJ9650M33SC 编号：C41348040

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

低功耗，超低静态电流：50uA（TYP.),低压差，0.02%/V线性调整率，PSRR:75dB@1KHz，自放电功能

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457

有货

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型号：PJM20DN30DL 编号：C52117970

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道合封增强型MOSFET，Trench（沟槽型），VDS=30V,ID=18A ,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关，电池保护，UPS等

5+
￥0.5084
50+
￥0.4972
150+
￥0.4898
500+
￥0.4823

有货

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型号：PJM07P30SC 编号：C41348042

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-30V ID=-7A ,PD:1.3W RDS(ON)<34mΩ@Vgs=-10V

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614

有货

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型号：PJMT23DFA 编号：C22470329

封装：DFN2x2A-6L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：小表面贴装封装。 ESD保护（HBM）高达2KV。 N沟道MOSFET，VDS = 20V，ID = 0.8A，RDS(on) < 300mΩ（VGS = 4.5V时）。 PNP晶体管，VCBO = -40V，VCEO = -25V。应用：锂电池充电。便携式设备中的其他电源管理

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928
500+
￥0.3478

有货

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型号：PJM09P20DF 编号：C22470325

封装：DFN2x2-6L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = -20V，ID = -9A。 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS = -4.5V。应用：负载开关和电源管理。 PWM应用

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174

有货

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型号：PJM05DP20DFA 编号：C30187482

封装：DFN2x2A-6L

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个P沟道，VDS=-20V ID=-4.5A ,PD:1.4W RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-4.5V ,低Qg

5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871

有货

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型号：PJ54M50SA 编号：C45406563

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~45V,1Q:2.1uA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):350mA PD：0.32W.低压差，低功耗，快速瞬态反应，电流限制，热关断及短路保护

5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871

有货

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型号：PJM08N30DF 编号：C22470324

封装：DFN2x2-6L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：先进的沟槽技术。符合RoHS和Reach标准。无卤素和锑。防潮等级1。应用：负载开关。 PWM应用

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028

有货

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型号：PJ54M50SQ 编号：C42444602

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~45V,1Q:2.1uA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):350mA PD：0.92W.低压差，低功耗，快速瞬态反应，电流限制，热关断及短路保护

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499

有货

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型号：PJM10N60SQ 编号：C42388535

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=60V ID=10A ,PD:1.35W RDS(ON)<30mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

5+
￥0.8363
50+
￥0.6611
150+
￥0.5735

有货

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型号：PJ56L33SE 编号：C41367949

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压80V,1Q:2uA,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):150mA ,PSRR:70dB@1KHZ,压差：700mV@100mA.

5+
￥0.8935
50+
￥0.7063
150+
￥0.6127

有货

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型号：PJM20DN30DN 编号：C51625750

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=20A RDS(ON)<15mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试

5+
￥1.1153
50+
￥0.8835
150+
￥0.7841

有货

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型号：PJM20H02ANSC 编号：C41348045

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=200V ID=1.5A ,PD:1.25W RDS(ON)<700mΩ@Vgs=10V

5+
￥1.1264
50+
￥0.8845
150+
￥0.7808
500+
￥0.6514

有货

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型号：PJM50P30DN 编号：C51625747

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=-30V ID=-50A ,RDS(ON)<7.5mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<12mΩ@Vgs=-4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥1.1517
50+
￥0.9123
150+
￥0.8097

有货

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型号：PJM80N30DN 编号：C50424291

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=60V ID=60A RDS(ON)<10mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=4.5V ，通过 100% 雪崩测试

5+
￥1.3578
50+
￥1.0755
150+
￥0.9546
500+
￥0.8036
2500+
￥0.7364
5000+
￥0.6961

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型号：PJM100N30TE 编号：C36493748

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道，VDS=30V ID=100A ,PD:78W RDS(ON)<38mΩ@Vgs=10V

5+
￥1.5253
50+
￥1.1977
150+
￥1.0573

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